JPS62130889A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPS62130889A JPS62130889A JP60271349A JP27134985A JPS62130889A JP S62130889 A JPS62130889 A JP S62130889A JP 60271349 A JP60271349 A JP 60271349A JP 27134985 A JP27134985 A JP 27134985A JP S62130889 A JPS62130889 A JP S62130889A
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- JP
- Japan
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- layer
- film
- monomolecular
- recording
- recording medium
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/249—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
- G11B7/2472—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
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- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光記録媒体に関し、特に赤外線レーザーによ
る光書き込みに適した光記録媒体に関する。
る光書き込みに適した光記録媒体に関する。
最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録素子としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録素子としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。
このような記録素子用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録素子として用いる記録技術が特開昭
58−147807号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録素子として用いる記録技術が特開昭
58−147807号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。
木発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー(波長800〜850nm)を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー(波長800〜850nm)を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。
一方、特開昭59− 41383号および特開昭59−
148081号には、各種のビリリウム染料、チオピリ
リウム染料およびセレナピリリウム染料が開示され、こ
れら染料を含有する有機被膜が半導体レーザー輻射波長
領域の輻射線を吸収し発熱するので、レーザーエネルギ
ーによりピットを形成するいわゆるヒートモード記録が
実施できることを開示している。しかし、記録媒体の表
面に物理的なビットを形成して記録を実施する場合には
、初期の記録層の表面が十分に平滑であると同時に記録
後においても記録媒体の表面に傷を付けないよう十分な
注意が必要となるとともに、高密度で高速記録を実施す
ることは比較的困難である。
148081号には、各種のビリリウム染料、チオピリ
リウム染料およびセレナピリリウム染料が開示され、こ
れら染料を含有する有機被膜が半導体レーザー輻射波長
領域の輻射線を吸収し発熱するので、レーザーエネルギ
ーによりピットを形成するいわゆるヒートモード記録が
実施できることを開示している。しかし、記録媒体の表
面に物理的なビットを形成して記録を実施する場合には
、初期の記録層の表面が十分に平滑であると同時に記録
後においても記録媒体の表面に傷を付けないよう十分な
注意が必要となるとともに、高密度で高速記録を実施す
ることは比較的困難である。
また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導
体化合物の微結晶あるいはビリリウム染料等がバインダ
ー中に分散してなるものであり。
体化合物の微結晶あるいはビリリウム染料等がバインダ
ー中に分散してなるものであり。
記録層内におけるこれら化合物の配向はランダムであり
、そのため場所によって光の吸収率や反射率が異ったり
、化学反応の程度が相違したりする現象が生じ、高密度
の記録には必ずしも適しているとはいえなかった。
、そのため場所によって光の吸収率や反射率が異ったり
、化学反応の程度が相違したりする現象が生じ、高密度
の記録には必ずしも適しているとはいえなかった。
本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量の半導体レー
ザーで光書き込みが可能な光記録媒体を提供することに
ある。
れたものであり、本発明の目的は小型軽量の半導体レー
ザーで光書き込みが可能な光記録媒体を提供することに
ある。
本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録媒体を提供することにある。
な光記録媒体を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録媒体を提供することにある。
録媒体を提供することにある。
すなわち、本発明の光記録媒体は、少なくとも親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子膜またはその累積膜からなるA層の一層以上
と、ビリリウム染料、チオピリリウム染料およびセレナ
ピリリウム染料からなる群より選ばれた一種以上を含有
してなる単分子膜またはその累積膜からなるB層の一層
以上とが積層されてなり、かつAfiとB層との接合面
を二以上有してなる記録層を有することを特徴とする。
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子膜またはその累積膜からなるA層の一層以上
と、ビリリウム染料、チオピリリウム染料およびセレナ
ピリリウム染料からなる群より選ばれた一種以上を含有
してなる単分子膜またはその累積膜からなるB層の一層
以上とが積層されてなり、かつAfiとB層との接合面
を二以上有してなる記録層を有することを特徴とする。
本発明に用いる親木性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘導体化合物(以下、DA化合物と略称す
る)とは、隣接する分子中のc=c−c=c官能基間に
おいて1.4−付加重合反応が可能な化合物11あり1
代表的には下記一般式%式%) (式中、Xは、親水性部位を形成する親水性基であり、
m、nは整数を表わす、) で表わされる化合物が挙げられる。
ジアセチレン誘導体化合物(以下、DA化合物と略称す
る)とは、隣接する分子中のc=c−c=c官能基間に
おいて1.4−付加重合反応が可能な化合物11あり1
代表的には下記一般式%式%) (式中、Xは、親水性部位を形成する親水性基であり、
m、nは整数を表わす、) で表わされる化合物が挙げられる。
ヒ記DA化合物における親木性基Xとしては、例えばカ
ルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニトリル基、
千オアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフィ
ニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げられる。
ルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニトリル基、
千オアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフィ
ニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げられる。
疎水性部位を形成するH(C:R2)「表わされるアル
キル基としては炭素原子数が1〜30の長鎖アルキル基
が好ましい。また、n+mとしては1〜30の整数が好
ましい。
キル基としては炭素原子数が1〜30の長鎖アルキル基
が好ましい。また、n+mとしては1〜30の整数が好
ましい。
一方、本発明で用いるビリリウム染料、チオピリリウム
染料およびセレナピリリウム染料(以下、ビリリウム染
料類と略称する)とは、下記の基本構造 (式中、Xは酸素原子、イオウ原子またはセレン原子を
表わし、R1、R2、およびR3は各種の有機残基を表
わし、Aは陰イオンを表わす。)を有する化合物であっ
て、780〜900nmに吸収ピークを有し、この波長
の赤外光により発熱する化合物である。このビリリウム
染料類としては、代表的には下記一般式(1)〜(3)
で示される染料が例示される。
染料およびセレナピリリウム染料(以下、ビリリウム染
料類と略称する)とは、下記の基本構造 (式中、Xは酸素原子、イオウ原子またはセレン原子を
表わし、R1、R2、およびR3は各種の有機残基を表
わし、Aは陰イオンを表わす。)を有する化合物であっ
て、780〜900nmに吸収ピークを有し、この波長
の赤外光により発熱する化合物である。このビリリウム
染料類としては、代表的には下記一般式(1)〜(3)
で示される染料が例示される。
一般式(1)
一般式(2)
Aθ
一般式(3)
(式中、R4、R5,R6、およびR7フェニル、トリ
ル、キシリル、クロロフェニル、メトキシフニルなどの
置換若しくは未置換の7リール基または2−ピリジル、
3−ピリジル、2−フリル、2−チェニル、2−チアゾ
リル、3−カルバゾリル、2−キノリル、3−キノリル
、2−イミダゾリル、2−レビジル、3−メトキシ−2
−ピリジル、6−メチル−2−ピリジル、4,5−ジメ
チル−2−チアゾリル、4.5−ジフェニル−2−チア
ゾリル、4−フェニル−2−チアゾリル、9−エチル−
3−カルバゾリルなどの置換若しくは未置換の複素環基
を表わし、R4、R”、R”、およびR7のうちの少な
くとも一つは置換若しくは未置換の複素環基を表わす
R8は水素原子、メチル、エチル、プロピル、ブチルな
どのアルキル基またはフェニル、トリル、キシリル、ク
ロロフェニル、メトキシフニルなどの置換若しくは未置
換の7リール基を表わす R9はメチルまたはエチル基
を表わす。
ル、キシリル、クロロフェニル、メトキシフニルなどの
置換若しくは未置換の7リール基または2−ピリジル、
3−ピリジル、2−フリル、2−チェニル、2−チアゾ
リル、3−カルバゾリル、2−キノリル、3−キノリル
、2−イミダゾリル、2−レビジル、3−メトキシ−2
−ピリジル、6−メチル−2−ピリジル、4,5−ジメ
チル−2−チアゾリル、4.5−ジフェニル−2−チア
ゾリル、4−フェニル−2−チアゾリル、9−エチル−
3−カルバゾリルなどの置換若しくは未置換の複素環基
を表わし、R4、R”、R”、およびR7のうちの少な
くとも一つは置換若しくは未置換の複素環基を表わす
R8は水素原子、メチル、エチル、プロピル、ブチルな
どのアルキル基またはフェニル、トリル、キシリル、ク
ロロフェニル、メトキシフニルなどの置換若しくは未置
換の7リール基を表わす R9はメチルまたはエチル基
を表わす。
xlおよびX2は酸素原子、イオウ原子またはセレン原
子を表わす、Aは塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化
物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イ
オン、P−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩
イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンな
どの陰イオンを表わす。) これらビリリウム染料類の代表的な具体例を以下に例示
する。但し、陰イオンについては、便宜り全て過塩素酸
イオンで代表させた。
子を表わす、Aは塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化
物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イ
オン、P−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩
イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンな
どの陰イオンを表わす。) これらビリリウム染料類の代表的な具体例を以下に例示
する。但し、陰イオンについては、便宜り全て過塩素酸
イオンで代表させた。
本発明の光記録媒体の代表的な構成を第1図および第2
図に例示する。第1図の例では、基板ILに前記ピリリ
ウム染料類5を含有する単分子膜である8層4が形成さ
れ、その上に前記DA化合物の累積度2の単分子累積膜
からなるA層3が積層され、さらにその上にビリリウム
染料類5を含有する単分子膜の8層4が形成され、これ
ら三層により記録層2が構成されている。すなわち、こ
の光記録媒体は、A層とB層との接合面を二つ有してい
る。図において、6は有機担体分子を示し、この有機担
体分子およびOA化合物中の矩形部分は疎水性部分、大
部分は親木性部分を表わしている。第2図の例は、基板
1上に、A層3と8層4との組み合せが五回繰り返して
積層されて記録層2が構成され、したがって、記録層2
はA層とB層との接合面を九つ有している。A層3と8
層4との積層順序はこれらの図に示される態様に限定さ
れず、基板lとの接合面あるいは記録層2の表面に存在
する層は、A層、B層のいづれであってもよい。また、
必要に応じて、例えば記録層2上に透明な保護層等の他
の層を設けることもできる。
図に例示する。第1図の例では、基板ILに前記ピリリ
ウム染料類5を含有する単分子膜である8層4が形成さ
れ、その上に前記DA化合物の累積度2の単分子累積膜
からなるA層3が積層され、さらにその上にビリリウム
染料類5を含有する単分子膜の8層4が形成され、これ
ら三層により記録層2が構成されている。すなわち、こ
の光記録媒体は、A層とB層との接合面を二つ有してい
る。図において、6は有機担体分子を示し、この有機担
体分子およびOA化合物中の矩形部分は疎水性部分、大
部分は親木性部分を表わしている。第2図の例は、基板
1上に、A層3と8層4との組み合せが五回繰り返して
積層されて記録層2が構成され、したがって、記録層2
はA層とB層との接合面を九つ有している。A層3と8
層4との積層順序はこれらの図に示される態様に限定さ
れず、基板lとの接合面あるいは記録層2の表面に存在
する層は、A層、B層のいづれであってもよい。また、
必要に応じて、例えば記録層2上に透明な保護層等の他
の層を設けることもできる。
記録層2の膜厚は、特に限定されないが、A層3および
8層4を併せた単分子層の累積度が400程度までのも
のが実用上好ましい。
8層4を併せた単分子層の累積度が400程度までのも
のが実用上好ましい。
本発明の光記録媒体の基板1としては、ガラス、アクリ
ル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラスチ
ックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用でき
るが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場合
には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる
。
ル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラスチ
ックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用でき
るが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場合
には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる
。
基板1上に、DA化合物の単分子膜または単分子累積膜
からなるA層3を形成するには、例えばI。
からなるA層3を形成するには、例えばI。
Langmuirらの開発したラングミュア・プロジェ
ット法(以下、LB法と略)が用いられる。LB法は、
分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子において、
両者のバランス(両親媒性のバランス)が適度に保たれ
ているとき、この分子は水面りで親木基を下に向けた単
分子の層になることを利用して単分子膜または単分子層
の累積した■々を作成する方法である。水面上の単分子
層は二次元系の特徴をもつ。分子がまばらに散開してい
るときは、一分子当り面積Aと表面圧■との間に二次元
理想気体の式、 nA=kT が成り立ち、“気体膜″となる。ここに、にはポルツマ
ン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の゛凝縮膜(または固
体l1l)”になる、凝縮膜はガラスなどの基板の表面
へ一層ずつ移すことができる。
ット法(以下、LB法と略)が用いられる。LB法は、
分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子において、
両者のバランス(両親媒性のバランス)が適度に保たれ
ているとき、この分子は水面りで親木基を下に向けた単
分子の層になることを利用して単分子膜または単分子層
の累積した■々を作成する方法である。水面上の単分子
層は二次元系の特徴をもつ。分子がまばらに散開してい
るときは、一分子当り面積Aと表面圧■との間に二次元
理想気体の式、 nA=kT が成り立ち、“気体膜″となる。ここに、にはポルツマ
ン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の゛凝縮膜(または固
体l1l)”になる、凝縮膜はガラスなどの基板の表面
へ一層ずつ移すことができる。
この方法を用いて、OA化合物の単分子膜または単分子
累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずDA
化合物をクロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相上
に展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を形
成する0次にこの展開層が水相上を自由に拡散して拡が
りすぎないように仕切板(または浮子)を設けて展開層
の面積を制限してDA化合物の集合状態を制御し、その
集合状態に比例した表面圧nを得る。この仕切板を動か
し、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制御し、表
面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面圧■
を設定することができる。この表面圧を維持しながら静
かに清浄な基板あるいは表面にBFRが形成された基板
を垂直に上下させることにより、OA化合物の単分子膜
が基板上あるいはB層上に移しとられる。単分子膜はこ
のようにして 。
累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずDA
化合物をクロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相上
に展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を形
成する0次にこの展開層が水相上を自由に拡散して拡が
りすぎないように仕切板(または浮子)を設けて展開層
の面積を制限してDA化合物の集合状態を制御し、その
集合状態に比例した表面圧nを得る。この仕切板を動か
し、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制御し、表
面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面圧■
を設定することができる。この表面圧を維持しながら静
かに清浄な基板あるいは表面にBFRが形成された基板
を垂直に上下させることにより、OA化合物の単分子膜
が基板上あるいはB層上に移しとられる。単分子膜はこ
のようにして 。
製造されるが、単分子層累積膜は、前記の操作を緑り返
すことにより所望の累積度の単分子層累積膜が形成され
る。
すことにより所望の累積度の単分子層累積膜が形成され
る。
単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引き上げると、一層目はOA化合物の親
木基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。
、水平付着法、回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引き上げると、一層目はOA化合物の親
木基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。
基板を上下させると、各行程ごとに一層ずつ単分子膜が
積層されていく、成膜分子の向きが引上げ行程と浸漬行
程で逆になるので、この方法によると2各層間は親木基
と親木基、疎水基と疎水基が向かい合うY型膜が形成さ
れる。
積層されていく、成膜分子の向きが引上げ行程と浸漬行
程で逆になるので、この方法によると2各層間は親木基
と親木基、疎水基と疎水基が向かい合うY型膜が形成さ
れる。
これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、OA化合物の疎水基が基板側に向
いた単分子層が基板上に形成される。この方法では、累
積しても、DA化合物の分子の向きの交代はなく全ての
層において、疎水基が基板側に向いたX型膜が形成され
る0反対に全ての層において親水基が基板側に向いた累
積膜はX型膜と呼ばれる。
せて移しとる方法で、OA化合物の疎水基が基板側に向
いた単分子層が基板上に形成される。この方法では、累
積しても、DA化合物の分子の向きの交代はなく全ての
層において、疎水基が基板側に向いたX型膜が形成され
る0反対に全ての層において親水基が基板側に向いた累
積膜はX型膜と呼ばれる。
回転円筒法は1円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。
子層を基体表面に移しとる方法である。
単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る。
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る。
また、前述した親木基、疎水基の基板への向きは原則で
あり、基板の表面処理等によって変えることもできる。
あり、基板の表面処理等によって変えることもできる。
これらの単分子膜の移し取り操作の詳細については既に
公知であり、例えば「新実験化学講座18界面とコロイ
ド」498〜507頁、丸善刊、に記載されている。
公知であり、例えば「新実験化学講座18界面とコロイ
ド」498〜507頁、丸善刊、に記載されている。
なお、 DA化合物の単分子膜または単分子累積膜から
なるA層3は、OA化合物単独よりなる膜であることが
好ましいが、少量の添加剤化合物を含む膜であってもよ
い。
なるA層3は、OA化合物単独よりなる膜であることが
好ましいが、少量の添加剤化合物を含む膜であってもよ
い。
一方、ビリリウム染料類5は両親媒性物質ではないので
、単独ではLB法によっては単分子膜を形成することは
できない、しかし、例えばステアリン酸、アラギジン酸
などの高級脂肪酸のような両親媒性のバランスの適度に
保たれた有機高分子を担体分子として任意の比率で混合
使用することによりLB法を適用することができる。す
なわち、少なくとも一つの化合物において両親媒性のバ
ランスが保たれていれば、水面上に単分子層が形成され
、他の化合物は両親媒性の化合物に挟持され、結局全体
として分子秩序性のある単分子層が形成されるからであ
る。
、単独ではLB法によっては単分子膜を形成することは
できない、しかし、例えばステアリン酸、アラギジン酸
などの高級脂肪酸のような両親媒性のバランスの適度に
保たれた有機高分子を担体分子として任意の比率で混合
使用することによりLB法を適用することができる。す
なわち、少なくとも一つの化合物において両親媒性のバ
ランスが保たれていれば、水面上に単分子層が形成され
、他の化合物は両親媒性の化合物に挟持され、結局全体
として分子秩序性のある単分子層が形成されるからであ
る。
したがって、ピリリウム染料類5単独の単分子膜または
その累81膜を形成することは困難であるが、ピリリウ
ム染料類5を含有する単分子nりまたはその累積膜であ
る8層4は、両親媒性物質を併用することによりLB法
で容易に形成することができる。
その累81膜を形成することは困難であるが、ピリリウ
ム染料類5を含有する単分子nりまたはその累積膜であ
る8層4は、両親媒性物質を併用することによりLB法
で容易に形成することができる。
この手法を採用することにより、A層3と8層4が交互
に累積積層された膜はLB法により容易に形成すること
ができ、このような累積膜は異種の分子の累積)1 i
が含まれるので、以下、ヘテロ累積膜と称する。
に累積積層された膜はLB法により容易に形成すること
ができ、このような累積膜は異種の分子の累積)1 i
が含まれるので、以下、ヘテロ累積膜と称する。
このようなヘテロ累積膜は、先に第1図および第2図に
も例示したが、例えば以下のような態様で形成すること
ができる。
も例示したが、例えば以下のような態様で形成すること
ができる。
■奇数番目の層が[lA化合物の単分子膜で、偶数番目
の層がビリリウム染料類を含有する単分子膜であるヘテ
ロ累積膜、 ■累積度2のOA化合物の単分子累積膜と累積度6のビ
リリウム染料類を含有する単分子累積膜との積層が交互
に何回か繰り返されたヘテロ累積膜、 ■OA化合物の単分子膜またはその累積膜とピリリウム
染料類を含有する単分子膜またはその累積膜とが任意な
非周期的な順序で積層されたヘテロ累積膜、 このようにして、基板上に形成されるヘテロ累積■りは
、高密度で高度な秩序性を有しているので、場所による
光吸収のバラツキは極めて小さい。したがって、このよ
うな膜によって記録層を構成することにより、DA化合
物とビリリウム染料類との機能に応じた光記録、熱的記
録の可能な高密度、高解像度の記録機能を有する記録媒
体が得られる。
の層がビリリウム染料類を含有する単分子膜であるヘテ
ロ累積膜、 ■累積度2のOA化合物の単分子累積膜と累積度6のビ
リリウム染料類を含有する単分子累積膜との積層が交互
に何回か繰り返されたヘテロ累積膜、 ■OA化合物の単分子膜またはその累積膜とピリリウム
染料類を含有する単分子膜またはその累積膜とが任意な
非周期的な順序で積層されたヘテロ累積膜、 このようにして、基板上に形成されるヘテロ累積■りは
、高密度で高度な秩序性を有しているので、場所による
光吸収のバラツキは極めて小さい。したがって、このよ
うな膜によって記録層を構成することにより、DA化合
物とビリリウム染料類との機能に応じた光記録、熱的記
録の可能な高密度、高解像度の記録機能を有する記録媒
体が得られる。
なお、上述したようにして形成された[lA化合物の単
分子膜またはその累積膜からなるA層3は、紫外線を照
射することにより、単分子膜またはその累積膜として形
成されたOA化合物が重合したものであってもよい。
分子膜またはその累積膜からなるA層3は、紫外線を照
射することにより、単分子膜またはその累積膜として形
成されたOA化合物が重合したものであってもよい。
本発明の光記録媒体は、各種の方式の光記録を実施する
ことが可能であるが、以下に光や熱を加えることにより
、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色が変化するこ
とを利用する半導体レーザーによる記録の機構につき簡
略に説明する。
ことが可能であるが、以下に光や熱を加えることにより
、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色が変化するこ
とを利用する半導体レーザーによる記録の機構につき簡
略に説明する。
OA化合物は、初期にはほぼ無色透明であるが、記録層
に紫外線を照射すると重合し、ポリアセチレン誘導体化
合物へと変化する。この重合は紫外線の照射によっての
み起り、熱等の他の物理的エネルギーの印加によっては
生じない、この重合の結果、記録層は620〜f180
nmに最大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗色
へと変化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変
化であり、一度青色至暗色へ変化した記録層は無色透明
膜へとは戻らない、また、この青色至暗色へ変化したポ
リアセチレン誘導体化合物を約50℃以上に加熱すると
今度は約540nmに最大吸収波長を宥するようになり
、赤色膜へと変化する。この変化も不可逆変化である。
に紫外線を照射すると重合し、ポリアセチレン誘導体化
合物へと変化する。この重合は紫外線の照射によっての
み起り、熱等の他の物理的エネルギーの印加によっては
生じない、この重合の結果、記録層は620〜f180
nmに最大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗色
へと変化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変
化であり、一度青色至暗色へ変化した記録層は無色透明
膜へとは戻らない、また、この青色至暗色へ変化したポ
リアセチレン誘導体化合物を約50℃以上に加熱すると
今度は約540nmに最大吸収波長を宥するようになり
、赤色膜へと変化する。この変化も不可逆変化である。
したがって、本発明の光記録媒体を用いた光記録は次の
ような機構により実施される。
ような機構により実施される。
先ず本発明の記録媒体の記録層全体に紫外線を照射する
と記録層中のDA化合物が重合しポリアセチレン誘導体
化合物へ変化することにより、記録層2は青色至暗色の
膜へと変化する0次いで、この記録媒体の所定の位置に
情報信号に応じて点滅する波長800〜85Qna+の
半導体レーザービーム7を照射すると、ポリアセチレン
誘導体化合物はこのレーザービーム7を吸収しないが、
第3a図に示されるように、8層4中のピリリウム染料
類5はこのレーザービーム7を吸収し発熱する(発熱部
位を8で示した。)このピリリウム染料類4の発熱が各
層の接合面を介してA層3のポリアセチレン誘導体化合
物に伝わり、赤色へと変化する。かくして、第3b図に
示されるように、入力情報に応じて記録層上の記録部位
9の色変化による光記録が実施される。
と記録層中のDA化合物が重合しポリアセチレン誘導体
化合物へ変化することにより、記録層2は青色至暗色の
膜へと変化する0次いで、この記録媒体の所定の位置に
情報信号に応じて点滅する波長800〜85Qna+の
半導体レーザービーム7を照射すると、ポリアセチレン
誘導体化合物はこのレーザービーム7を吸収しないが、
第3a図に示されるように、8層4中のピリリウム染料
類5はこのレーザービーム7を吸収し発熱する(発熱部
位を8で示した。)このピリリウム染料類4の発熱が各
層の接合面を介してA層3のポリアセチレン誘導体化合
物に伝わり、赤色へと変化する。かくして、第3b図に
示されるように、入力情報に応じて記録層上の記録部位
9の色変化による光記録が実施される。
本発明の光記録媒体の効果を以下に列挙する。
(1)記録層中のOA化合物およびビリリウム染料類が
それぞれ(混合)単分子膜またはその累積膜で形成され
ているので記録層は高密度で高度な秩序性を有しており
、したがって高密度で均質な記録が可能である。
それぞれ(混合)単分子膜またはその累積膜で形成され
ているので記録層は高密度で高度な秩序性を有しており
、したがって高密度で均質な記録が可能である。
(2)記録層が輻射線吸収層と感熱変色層との接合面を
二以上有するペテロ膜として形成されているので、伝熱
効率が高く極めて高感度である。
二以上有するペテロ膜として形成されているので、伝熱
効率が高く極めて高感度である。
(3)大面積の支持体に対しても高度に均質な記録層を
安価に製造することが可能である。
安価に製造することが可能である。
(4)記録層が800〜850nmの赤外線を吸収し発
熱するビリリウム染料類を含有しているので、800〜
850nmの赤外線を放射する小型軽量の半導体レーザ
ーを用いた記録が回部である。
熱するビリリウム染料類を含有しているので、800〜
850nmの赤外線を放射する小型軽量の半導体レーザ
ーを用いた記録が回部である。
(5)光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施で
きる。
が可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施で
きる。
以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。
実施例1
(LIA化合物単分子膜の作製〕
一般式(+28+5−CミC−(j C−C3H,6−
C0OHで表わされるジアセチレン誘導体化合物をクロ
ロホルムにlXl0−3モル/!の濃度で溶解した溶液
を、pHが6.5で塩化カドミニウム濃度がlXl0−
3モル/lの水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを
除去した後、表面圧を一定に保ちながら、十分に清浄し
、表面が親水性となっているガラス基板(既にビリリウ
ム染料類を含有する単分子膜から構成される累積膜等が
形成されている場合を含む)を、水面を横切る方向に上
下速度1.0cm/分で静かに所定の回数上下させ(途
中、乾燥工程を実施する) 、 OA化合物の単分子膜
を基板上に移しとり、単分子膜または単分子累積膜を形
成した。
C0OHで表わされるジアセチレン誘導体化合物をクロ
ロホルムにlXl0−3モル/!の濃度で溶解した溶液
を、pHが6.5で塩化カドミニウム濃度がlXl0−
3モル/lの水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを
除去した後、表面圧を一定に保ちながら、十分に清浄し
、表面が親水性となっているガラス基板(既にビリリウ
ム染料類を含有する単分子膜から構成される累積膜等が
形成されている場合を含む)を、水面を横切る方向に上
下速度1.0cm/分で静かに所定の回数上下させ(途
中、乾燥工程を実施する) 、 OA化合物の単分子膜
を基板上に移しとり、単分子膜または単分子累積膜を形
成した。
〔ビリリウム染料類を含有する単分子膜の作製〕前記の
染料遂4で表わされるチオピリリウム染料1重量部とア
ラキシン酸2重量部をクロロホルムに lXl0−3モ
ル/lの濃度で溶解した溶液を、pHが6.5で塩化カ
ドミニウム濃度がlXl0−3モル/lの水相上に展開
した。溶媒のクロロホルムを除去した後、表面圧を一定
に保ちながら、十分に清浄し、表面が親水性となってい
るガラス基板(既にOA化合物の単分子膜から構成され
る累積膜等が形成されている場合を含む)を、水面を横
切る方向に上下速度1.0017分で静かに所定の回数
上下させ(途中、乾燥工程を実施する)、ビリリウム染
料類を含有する単分子膜を基板上に移しとり、単分子膜
または単分子累積膜を形成した。
染料遂4で表わされるチオピリリウム染料1重量部とア
ラキシン酸2重量部をクロロホルムに lXl0−3モ
ル/lの濃度で溶解した溶液を、pHが6.5で塩化カ
ドミニウム濃度がlXl0−3モル/lの水相上に展開
した。溶媒のクロロホルムを除去した後、表面圧を一定
に保ちながら、十分に清浄し、表面が親水性となってい
るガラス基板(既にOA化合物の単分子膜から構成され
る累積膜等が形成されている場合を含む)を、水面を横
切る方向に上下速度1.0017分で静かに所定の回数
上下させ(途中、乾燥工程を実施する)、ビリリウム染
料類を含有する単分子膜を基板上に移しとり、単分子膜
または単分子累積膜を形成した。
上記した、OA化合物単分子膜およびビリリウム染料類
を含有する単分子膜の作製プロセスを基本として、これ
らの操作を適宜組合せて実施することにより 8種のへ
テロ累積膜をガラス基板上に作製した。このようにして
作製したヘテロ累積膜(光記録媒体)を第1表に示した
。なお、光記録媒体の構成を示す記号、番号の意味を下
記に例示する。
を含有する単分子膜の作製プロセスを基本として、これ
らの操作を適宜組合せて実施することにより 8種のへ
テロ累積膜をガラス基板上に作製した。このようにして
作製したヘテロ累積膜(光記録媒体)を第1表に示した
。なお、光記録媒体の構成を示す記号、番号の意味を下
記に例示する。
■G /20PL/5ODA/20PLガラス基板(G
)上に、累積度20のビリリウム染料類を含有する単分
子累a膜→累積度60のDA化合物の単分子累積膜→累
積度20のビリリウム染料類を含有する単分子累積膜、
の順で積層して構成された記録媒体。
)上に、累積度20のビリリウム染料類を含有する単分
子累a膜→累積度60のDA化合物の単分子累積膜→累
積度20のビリリウム染料類を含有する単分子累積膜、
の順で積層して構成された記録媒体。
■G / IOX (2PL/ 8DA)ガラス基板(
G)上に、累積度2のビリリウム染料類を含有する単分
子累積膜と累積度6のOA化合物の単分子累積膜との積
層の組合せが、10回繰り返され積層して構成された馳
録媒体。
G)上に、累積度2のビリリウム染料類を含有する単分
子累積膜と累積度6のOA化合物の単分子累積膜との積
層の組合せが、10回繰り返され積層して構成された馳
録媒体。
比較例1
ガラス基板上にOA化合物の41層の単分子累積膜のみ
を形成した光記録媒体を作製した。
を形成した光記録媒体を作製した。
比較例2
ガラス基板上にスパッタリング法により、膜厚1500
AのGd・↑b*Feによる輻射線吸収層を設けた。こ
の基板の輻射線吸収層上に、41層の単分子累積膜を形
成した光記録媒体を作製した。
AのGd・↑b*Feによる輻射線吸収層を設けた。こ
の基板の輻射線吸収層上に、41層の単分子累積膜を形
成した光記録媒体を作製した。
記録試験l
実施例1および比較例1.2で作成した光記録媒体に2
54nmの紫外線を均一かつ十分に照射し。
54nmの紫外線を均一かつ十分に照射し。
記R層ケ青色膜にした0次に出力2mW、波長830n
m、 ビーム径1μsの半導体レーザービームを入力
情報にしたがい、各光記録媒体表面の所定位置に照射(
照射時間2(lQns71ビツト)シ、青色の記録層上
に赤色の記録画像を形成した。
m、 ビーム径1μsの半導体レーザービームを入力
情報にしたがい、各光記録媒体表面の所定位置に照射(
照射時間2(lQns71ビツト)シ、青色の記録層上
に赤色の記録画像を形成した。
この記録結果の評価を第1表に示した。評価は画像解像
度および画像濃度の良否により判定し、特に良好なもの
をO1良好なものをO1記録ができないあるいは不良な
ものを×とした。また、記録感度は、同じ出力でレーザ
ービームの照射時間を変更したときに、判読可能な変色
記録を実施するのに必要な最小照射時間で評価した。
度および画像濃度の良否により判定し、特に良好なもの
をO1良好なものをO1記録ができないあるいは不良な
ものを×とした。また、記録感度は、同じ出力でレーザ
ービームの照射時間を変更したときに、判読可能な変色
記録を実施するのに必要な最小照射時間で評価した。
比較例3
前記の染料遂4で表わされるチオピリリウム染料3重量
部とニトロセルロース1重量部とを塩化メチレン20重
量部に溶解した溶液を塗布液とし調整した。この塗布液
をスピナー塗布機に装着したガラス製のディスク基板(
厚さ1.5mm、直径200mm)の中央部に少量滴下
した後、所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させ
塗布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが
IQOOAの光記録媒体を作成した。
部とニトロセルロース1重量部とを塩化メチレン20重
量部に溶解した溶液を塗布液とし調整した。この塗布液
をスピナー塗布機に装着したガラス製のディスク基板(
厚さ1.5mm、直径200mm)の中央部に少量滴下
した後、所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させ
塗布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが
IQOOAの光記録媒体を作成した。
記録試験2
比較例3の光記録媒体について、紫外線照射を実施せず
に直接半導体レーザービームを入力情報にしたがい、記
録試験1と同じ出力で光記録媒体表面の所定位置に照射
時間を種々変更して記録層表面上に照射(照射時間5G
On+/ビツト〜5悶/ビツト)し、ピットを形成する
ことによる記録を実施した。顕微鏡で観察した結果、こ
の記録媒体においては、一つのピットを明瞭に形成する
には4μs以上の照射時間を要することが判明した。
に直接半導体レーザービームを入力情報にしたがい、記
録試験1と同じ出力で光記録媒体表面の所定位置に照射
時間を種々変更して記録層表面上に照射(照射時間5G
On+/ビツト〜5悶/ビツト)し、ピットを形成する
ことによる記録を実施した。顕微鏡で観察した結果、こ
の記録媒体においては、一つのピットを明瞭に形成する
には4μs以上の照射時間を要することが判明した。
実施例2
一般式〇、2H2s−(:= c−cミC−C8Hl
6− C0OHで表わされるジアセチレン誘導体化合物
に代え、一般式C,)1.、− C=C−C=C−C,
2H4−GOOHを用いたことを除いては実施例1と同
様の方法により光記録媒体を作成した。
6− C0OHで表わされるジアセチレン誘導体化合物
に代え、一般式C,)1.、− C=C−C=C−C,
2H4−GOOHを用いたことを除いては実施例1と同
様の方法により光記録媒体を作成した。
実施例3
染料遂4で表わされるチオピリリウム染料に代え、染料
A5で表わされるピリリウム染料を用いたことを除いて
は実施例1と同様の方法により光記録媒体を作成した。
A5で表わされるピリリウム染料を用いたことを除いて
は実施例1と同様の方法により光記録媒体を作成した。
実施例4
染料逅4で表わされるチオピリリウム染料に代え、染料
遂7で表わされるセレナピリリウム染料を用いたことを
除いては実施例5と同様の方法により光記録媒体を作成
した。
遂7で表わされるセレナピリリウム染料を用いたことを
除いては実施例5と同様の方法により光記録媒体を作成
した。
実施例5
染料遂4で表わされるチオピリリウム染料に代え、染料
遂14で表わされるピリリウム染料を用いたことを除い
ては実施例8と同様の方法により光記録媒体を作成した
。
遂14で表わされるピリリウム染料を用いたことを除い
ては実施例8と同様の方法により光記録媒体を作成した
。
実施例6
染料逅4で表わされるチオピリリウム染料に代え、染料
遂16で表わされるチオピリリウム染料を用いたことを
除いては実施例8と同様の方法により光記録媒体を作成
した。
遂16で表わされるチオピリリウム染料を用いたことを
除いては実施例8と同様の方法により光記録媒体を作成
した。
記録試験3
実施例2〜6で作成した光記録媒体を用いて、記録試験
1と同様にしてそれぞれ記録試験を実施した。この記録
結果の評価を第2表に示した。
1と同様にしてそれぞれ記録試験を実施した。この記録
結果の評価を第2表に示した。
第1図および第2図は、本発明の光記録媒体の構成を例
示する模式断面図である。第3a図および第3b図は、
本発明の光記録媒体の記録の態様を示す模式断面図であ
る。 ■=基板 2:記録層 3:A層(ジアセチレン誘導体化合物含有層)4:8層
5:ビリリウム染料類6:有機担体分子
7:レーザービーム8:発熱部位 9:赤色変色部位(記録部位) 特許出願人 キャノン株式会社 代 理 人 若 林 忠第 1 図 第2図
示する模式断面図である。第3a図および第3b図は、
本発明の光記録媒体の記録の態様を示す模式断面図であ
る。 ■=基板 2:記録層 3:A層(ジアセチレン誘導体化合物含有層)4:8層
5:ビリリウム染料類6:有機担体分子
7:レーザービーム8:発熱部位 9:赤色変色部位(記録部位) 特許出願人 キャノン株式会社 代 理 人 若 林 忠第 1 図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜またはその累積膜
からなるA層の一層以上と、ピリリウム染料、チオピリ
リウム染料およびセレナピリリウム染料からなる群より
選ばれた一種以上を含有してなる単分子膜またはその累
積膜からなるB層の一層以上とが積層されてなり、かつ
A層とB層との接合面を二以上有してなる記録層を有す
ることを特徴とする光記録媒体。 2)記録層が、A層とB層とが周期的に積層されて構成
されたものである特許請求の範囲第1項記載の光記録媒
体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271349A JPS62130889A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 光記録媒体 |
| US07/287,551 US5004671A (en) | 1985-08-27 | 1988-12-20 | Optical recording medium and optical recording method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271349A JPS62130889A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130889A true JPS62130889A (ja) | 1987-06-13 |
Family
ID=17498824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60271349A Pending JPS62130889A (ja) | 1985-08-27 | 1985-12-04 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62130889A (ja) |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP60271349A patent/JPS62130889A/ja active Pending
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