JPS62177543A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含有する光記録
媒体への光記録方法に関し、特に光書き込み手段として
８００〜９００ｎｍの赤外線レーザーを用いた光記録方
法に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録媒体としては、各種のも
のが検討されているか１価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。

このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記・代がなく、単にレーザーを用いて
記録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜９００ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。

更に、上記のようなジアセチレン誘導体化合物よりなる
従来の記録層は、ジアセチレン誘導体化合物の微結晶の
粉体を用いて形成されているので、記録層内でのジアセ
チレン誘導体化合物分子の分布がランダムであり、その
ため場所によっては、光の透過性、反射性が異なったり
、化学反応の度合が異なるなどの弊害が生じ１品質の良
い高密度記録には必ずしも適しているといえない。

一方、特開昭５９−４０８４８号、同４０８４９号およ
び同４０８５０号には、熱安定性のよい特定構造のポリ
メチレン化合物を含有する有機被膜が開示され、これら
化合物を含有する有機被膜が半導体レーザーの輻射波長
領域の輻射線を吸収し発熱するので、レーザーエネルギ
ーによりピットを形成するいわゆるヒートモード記録が
実施できることを開示している。しかし、記録媒体の表
面に物理的なビットを形成して記録を実施する場合には
、初期の記録媒体表面が十分に平滑であると同時に記録
後においても記録媒体の表面に傷を付けないよう十分な
注意が必要となるとともに、特に、高密度、高感度で高
速の記録を実施することは比較的困難であった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽７−、ｌ、な半
導体レーザーにより光書き込みが可能であり、まず記録
情報を記録媒体に潜像として記録し、その後必要に応じ
て任意に記録情報を顕像化して読み取ることのでｙる光
記録方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録方法を提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録方法は、少なくとも親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子膜又はその累積膜と、下記一般式（１）また
は（２）で表わされる化合物の一種以上とを含有してな
る記録層を有する光記録媒体に、８００〜９００ＪＩＩ
Ｉ＋の赤外線を記録情報に応じて照射して潜像を形成す
る工程と；該潜像が形成された光記録媒体に紫外線を照
射して、該ＨＰｒ像を顕像化させる工程とを有すること
を特徴とする。

一般式（１） ％式％（） 一般式（２） 、心 Ｒ１−Ｃ”−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ４−Ｃ：Ｈ＝ＣＨ−Ｒ３（
２）■ （式中、Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立して置換基
を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ４およびＲ５は
、隣接した二つの−Ｃ）Ｉ＝ＣＨ−基と共役二重結合系
を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わし
、Ｒ６は、水素または置換基を有してもよいアリール基
を表わし、Ａはアニオン残基を表わす。） 本発明に用いる親水性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘導体化合物（以下、ＯＡ化合物と略称す
る）とは、隣接する分子中のＣＥＣ−（ｊＣ−Ｃ官能基
間において１．４−付加重合反応が可能な化合物であり
、代表的には下記一般式８式％） （式中、Ｘは、親水性部位を形成する親水性基であり、
ｍ、ｎは整数を表わす。） で表わされる化合物が挙げられる。

」二記ＤＡ化合物における親水性基Ｘとしては、例えば
カルボキシル基、アミン基、ヒドロキシ基。

ニトリル基、チオアルコール基、イミノ基、スルホン酸
基、スルフィニルフ、（またはその金属若しくはアミン
塩が挙げられる。疎水性部位を形成するＨ（ＣＨ２）Ｉ
ｌｌ−で表わされるアルキル基としては炭素原子数が　
１〜３０の長鎖アルキル基が好ましい。また、ｎ＋ｍと
しては１〜３０の整数が好ましい。

一方、本発明で用いる前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物（以下、ポリメチレン化合物と略称す
る）は、８００ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを有し、
この波長の赤外光により発熱する化合物である。

このポリメチレン化合物につきより具体的に説明すると
、一般式（１）および（２）中、Ｒ１，Ｒ２およびＲ３
はそれぞれ独立して置換基を有してもよいフェニル基、
ナフチル基等のアリール基を表わす。

ここで置換基としてはジメチルアミン、ジエチルアミノ
、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジフェニルアミ
ノ、フェニルベンジルアミノ、フェニルエチルアミノ等
の置換アミ７基、モルホリノ、ピペリジニル、ピロリジ
ノ等の環状アミ７基、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等
のアルコキシ基があげられる。Ｒ４およびＲ５はｐ−フ
ェニレン、１．４−ナフチレン等の隣接した二つの−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−基と共役二重結合系を形成する置換基を有し
てもよいアリーレン基を表わす。ここで置換基としては
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、メチル、エチル
等のアルキル基、メトキシ、ニドキシ等のアルコキシ基
があげられる。Ｒ６は水素または置換基を有してもよい
フェニル基、ナフチル基等のアリール基を表わす。置換
基としてはＲ１ないしＲ３で（ｑ 例示したものと同様なものが挙げられる。ＡはアｔＥ＋
　　　ｅ　　　　［有］　　ｅ ニオン残基で、例えばＢＦａ　、　ＣｌＯ４、ＣＦ３Ｃ
００、ＰＦ６、（’４　　　　（→　　（ニ）　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ニ）　
　　　　　　　（ニ）Ｃ１、Ｂ＋’、「、等のハロゲン
原子、ＣｌＳＯ３、ＣＨ３ＳＯ３、ρ　　　ｅ　　　ｅ
　　　　（→　　　　θｃ２Ｈ５ｓｏ３−１Ｃ３Ｈ７Ｓ
０３、Ｃ４Ｈ９５０３、Ｃ，、Ｈ、、ｓｏ３′、　Ｃ６
Ｈ１３ＳＯ３、θ ＩＣＨ２Ｓ０３などのアルキルスルホン酸化合物、ルホ
ン酸化合物、’−ｏ３ｓＣＨ，，ｓｏ？、　　ＬＴ′０
３ＳＣＨ２０Ｈ２Ｓ蹟。

〈：） 魁（ＣＨ２）６鍬、％：＋５ＣＨ２，ＣＨ２０−ＣＨ２
ＣＨ２ＳＯ’Ｐ　。

などのアルキルジスルホン酸化合物、 ゼンシスルホン正化合物学けられる。

具体的な化合物例を下記に列挙する。

三　　　　　　　　芭　　　　　　　　　田８　　　　
　　　　　　　貴　　　　　　　　　　　　Ｓコ　　　
　　　　　　　　　プ　　　　　　　　　　　　　５閃
　工 Ｃ）ＣＪ 一 ｄ　　　　　　　　つ　　　　　　　　　　　Φ３　　
　　　　　５　　　　　　　　　　　Ｓａ　　　　　　
　　　ご　　　　　　　　　　　９つ　　　　　　　　
　　　９ １１Ｗ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　ε８ｇ３　　　　　　　　　
　　さ Ｓ　　　　　　δ　　　　　　８　　　　　６ｇ３　　
　　　　　　　　２ユ Ｃご　　　　　　　　　　　９ ０　　　　　　　　　　じ　　　　　　　　　　６の　
　　　　　　９ ２λ 本発明に用いる光記録媒体は前記ＯＡ化合物の単分子膜
若しくは単分子累積膜と前記ポリメチレン化合物とを含
んでなり、一層混合系、二層分＃系または多層積層系の
いずれの構成でも良い。

ここで、一層混合系とは、ＯＡ化合物とポリメチレン化
合物との混合層からなるものを、二層分離系とは、　Ｄ
Ａ化合物を含む層とポリメチレン化合物を含む層とが分
ｇ＆積層されているものを、更に多層積層系とは、ＯＡ
化合物を含む層の１以上と、ポリメチレン化合物を含む
層の１以上が所定の総数及び順序で基板上に積層された
前記二層分離系を含まない構成のものをそれぞれいう。

本発明に用いる光記録媒体の代表的な構成を第１図及び
第２図に示す。

第１図は、一層混合系の記録層２が基板１上に設けられ
ているものであり、第１図（Ａ）は、基板１上に、　Ｏ
Ａ化合物８とポリメチレン化合物７との混合単分子膜が
形成された構成のもの、第１図（Ｂ）は、ＤＡ化合物８
とポリメチレン化合物７との混合単分子累積膜が形成さ
れた構成のものである。

一方、第２図は、二層分離系の記録層２が基板１上に設
けられているものであり、第２図１：Ａ）は、基板ｌ上
のポリメチレン化合物を含む層２ｂ上にＯＡ化合物８の
単分子膜からなる層２ａが積層された構成のもの、第２
図（Ｂ）は、ポリメチレン化合物を含む層２ｂ上にＯＡ
化合物８の単分子累積膜からなる層２ａが形成された構
成のものである。

ポリメチレン化合物を含む層２ｂは、後に述べるような
方法によって、単分子膜若しくはその累積膜として形成
しても良い。

本発明に用いる光記録媒体の基板１としては、ガラス、
アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプ
ラスチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使
用できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施す
る場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを
用いる。

基板ｌ上に、または基板１上に先に形成されているＯＡ
化合物若しくはポリメチレン化合物を含む層の上に、上
記のような重分、千１１２または単分子累積ｎりを形成
するには、例えば１．Ｌａｎｇ＋ｗｕ　ｉ　ｒらの開発
したラングミュア・ブロジェット法（以下、ＬＢ法と略
）が用いられる。ＬＢ法は、分子内に親木基と疎水ノ、
（を有する構造の分子において、両者のバランス（両親
媒性のバランス）が適度に保たれているとき、この分子
は水面上で親木基を下に向けた単分子の層になることを
利用して単分子膜または単分子層の累積した膜を作成す
る方法である。水面上の単分子層は二次元系の特徴をも
つ。分子がまばらに散開しているときは、一分子当り面
積Ａと表面圧ｎとの間に二次元理想気体の式、ｎＡ＝ｋ
Ｔ が成り立ち、゛°気体膜″となる。ここに、ｋはポルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮■ｑ（また
は固体膜）゛になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面
へ一層ずつ移すことができる。

また、二重上の化合物からなるいわゆる混合単分子膜ま
たは混合単分子累積膜も上述と同様の方法により得られ
る。このとき、混合単分子膜または混合単分子累積膜を
構成する二重上の化合物のうち少なくともその一つが親
水性部位と疎水性部位とを併有するものであればよく、
必ずしも全ての化合物に親水性部位と疎水性部疎水基と
の併有が要求されるものではない、すなわち、少なくと
も一つの化合物において両親媒性のバランスが保たれて
いれば、水面上に単分子層が形成され、他の化合物は両
親媒性の化合物に挟持され、結局全体として分子秩序性
のある単分子層が形成される。

以下、記録層２の代表的な形成方法について述べる。

第１図に示した一層混合系の記録層２は、基板１上にＤ
Ａ化合物とポリメチレン化合物との混合単分子膜または
その累積膜を形成して得ることができる。

すなわち、まず、ＯＡ化合物とポリメチレン化合物とを
クロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相」二に展開
し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を形成する
。次にこの展開層が水相上を自由に拡散して拡がりすぎ
ないように仕切板（または浮子）を３にけて展開層の面
積を制限してこれら化合物の集合状態を制御し、その集
合状態に比例した表面圧■を得る。この仕切板を動かし
、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制御し１表面
圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面圧■を
設定することができる。この表面圧を維持しながら静か
に清節な基板を垂直に上下させることにより、　ＯＡ化
合物とポリメチレン化合物との混合単分子膜が基板上に
移しとられる。混合単分子膜はこのようにして製造され
るが、混合単分子層累積ＩＱは、前記の操作を繰り返す
ことにより所望の累積度の混合単分子層累積膜が形成さ
れる。

単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付刃法１回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は１円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引きＥげると、一層目はＤＡ化合物の親
木基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。

基板を上下させると、各行程ごとに一層ずつ混合単分子
膜が積層されていく。成膜分子の向きが引上げ行程と浸
漬行程で逆になるので、この方法によると、各層間は親
水基と親水基、疎水基と疎水基が向かい合うＹ型膜が形
成される。

これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、ＯＡ化合物の疎水基が基板側に向
いた単分子層が基板上に形成される。この方法では、累
積しても、ＯＡ化合物の分子の向きの交代はなく全ての
層において、疎水基が基板側に向いたＸ型膜が形成され
る０反対に全ての層において親木基が基板側に向いた累
積膜はＺ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。

単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積基板を用いる時には。

ノ、（板ロールから水相中に基板を押し出していく方法
などもとり得る。また、前述した親木基、疎水基の基板
への向きは原則であり、基板の表面処理等によって変え
ることもできる。

これらの単分子１０の移し取り操作の詳細については既
に公知であり１例えば［新実験化学講座１８界面とコロ
４１１４９８〜５０フ頁、丸善刊、に記載されている。

このようにして、基板上に形成される混合単分子膜およ
びその累積膜は、高密度で高度な秩序性を有しているの
で、場所による光吸収のバラツキは極めて小さい。した
がって、このような膜によって記録層を構成することに
より、［］Ａ化合物とポリメチレン化合物との機能に応
じて、光記録、熱的記録の可能な高密度、高解像度の記
録機能を４１する記録媒体が得られる。

また、二層分離系若しくは多層積層系の記録層２を形成
する場合には、　ＯＡ化合物の単分子膜またはその累積
■りからなる層２ａの１１！ｌ−、とポリメチレン化合
物を含む層２ｂのｌ以トとを基板ｌ上に所定の層数及び
順序で積層すれば良い。

ＯＡ化合物の単分子膜またはその累積膜からなる層２ａ
は、ＤＡ化合物を含む（ポリメチレン化合物を含まない
）展開用の溶液を調整して、上記のＬＢ法により、基板
ｌに、または基板１にすでに形成されている他の層上に
形成できる。

ポリメチレン化合物を含む層２ｂは、ポリメチレン化合
物を適当な揮発性溶液に溶解または分散して調整した塗
布液を、基板１に、または基板１にすでに形成されてい
る他の層上に、所定の乾燥膜厚が得られるように塗布し
た後、これを乾燥させて形成できる。あるいは、ポリメ
チレン化合物に、ステアリン酸、アラキシン酸などの高
分子脂肪酸のような両親媒性のバランスの適度に保たれ
た有機高分子を担体分子として任意の比率で使用してと
記のＬＢ法により、単分子膜またはその累積膜として形
成することもできる。また、ポリメチレン化合物に長鎖
アルキル基などを導入すれば、その単分子膜または単分
子累積膜を成■り性良く形成することができる。

ポリメチレン化合物を含む層２ｂを塗布法で形成する場
合の塗布溶液形成用の溶媒としては、メタノール、エタ
ノール、インプロパツール等のアルコール類；アセトン
、メチルエチルケトン、シクロへキサノン等のケトン類
；　Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチル
アセトアミドなどのアミド類；ジメチルスルホキシドな
どのスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン
、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテ
ル類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエス
テル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレ
ン、四塩化炭素、トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲ
ン化炭化水素類；あるいはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼンなどの芳香族類等
が挙げられる。

なお、上記塗布液には、基板ｌとの、あるいは他の層と
の密着性を向上させるために、適宜天然若しくは合成高
分子からなるバインダーを添加してもよい。

このような塗布液の基板ｌへの塗工は、スピナー回転塗
布法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、
ビードコーティング法、ワイ−ｐ−ｙ＜−コーチインク
法、ブレードコーティング法、ローラーコーティング法
、カーテンコーティング法等の手法が用いられる。

記録層２が一層混合系の場合は、その膜厚は。

２００八〜２騨程度が適しており、特に４００〜５００
０への範囲が好ましい。また二層分離系の場合の各層の
膜厚は、　１００八〜１騨程度が適しており、特に２０
０〜５０００Ａの範囲が好ましい。更に、多層積層系の
場合には、個々のＯＡ化合物を含む層の膜厚の総和及び
個々のポリメチレン化合物を含む層の膜厚の総和がとも
に、　１００Ａ〜１μｓ程度が適しており、特に２００
〜５０００への範囲が好ましい。

記録層２内でのＩＩＡ化合物とポリメチレン化合物との
配合割合は、１／１５〜１５／ｌ程度が好ましく、最適
には１／１０〜１０／ｌである。

なお、必要に応じてこのように構成される記録層２の上
に各種の保護層を設けてもよい。また、二層分離系や多
層積層系の場合の各層の積層順序には関係なく本発明の
方法は実施可能である。

更に、記録層２を形成するにあたっては、その安定性、
品質向上を計るために各種の添加剤をこれに加えてもよ
い。

このようにして構成される光記録媒体を用いて本発明の
光記録方法を実施することができる。

この光記録媒体においては、ＯＡ化合物に紫外線を加え
ることにより、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色
が変化する。すなわち、ＤＡ化合物は、初期にはほぼ無
色透明であるが、紫外線を照射すると重合し、ポリジア
セチレン誘導体化合物へと変化する。この重合は紫外線
の照射によってのみ起り、熱等の他の物理的エネルギー
の印加によっては生じない。この重合の結果、６２０〜
６６０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、青色な
いし暗色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は
不可逆変化であり、一度青色ないし暗色へ変化した記録
層は無色透明膜へとは戻らない。

また、この青色ないし暗色へ変化したポリジアセチレン
誘導体化合物を約５０℃以上に加熱すると今度は約５４
Ｏｎ１１に最大吸収波長を有するようになり、赤色膜へ
と変化する。この変化も不可逆変化である。

一方、本発明者らは、上記のような構成の記録層につい
て種々検討したところ、破壊若しくはその形状を変形さ
せないような適当な温度で加熱して、これを一度溶融状
態とする過程を経過させた記録層に、上記のような紫外
線照射を行なっても記録層の青色ないし暗色への変化が
起きないことを見い出した。

すなわち、これは、この紫外線照射によるＤＡ化合物の
重合の結果としての青色ないし暗色膜への変化が主にＯ
Ａ化合物の高秩序分子配向性により得られるものであり
、上記のように記録層を加熱してＯＡ化合物を含む層を
溶融させるなどして層内でのＯＡ化合物の配向の秩序を
乱してやると、分子配列レベルでの反応可能な位置関係
にあるＯＡ化合物の分子数が大幅に減少するためである
と考えられる。

本発明の光記録方法は、このようなＯＡ化合物の特性と
、これとポリメチレン化合物との組合せによって得られ
る機能を利用して記録を実施するものである。

以下この記録方法の一例につき詳述する。

まず、記録情報は、適当な制御回路を経て半導体レーザ
ーにより光信号に変換される。この光信号は光学系を経
て、例えば光記録媒体載置手段上に載置され、同期回転
している一層混合系の記録層を有する円盤状の光記録媒
体の所定の位置に第３図（Ａ）に示すように結像され、
半導体レーザーによる記録情報の光書き込みが実施され
る。

このとき用いる半導体レーザーとしては、出力波長８０
０〜８５０ｎＩＩｌのＧａＡｓ接合レーザーを使用する
のが特に好適である。

このとき、結像点（光照射部位）３には、変色等のみか
けの変化は生じないが、この部分にあるポリメチレン化
合物が光を吸収して発熱し、この発熱によって、光照射
部位３の記録層が溶融してこの部位における構成分子の
高秩序配向性が乱される。その結果、光照射部位３にあ
るＤＡ化合物の高秩序配向性が乱され、光照射部位３は
、後に行なう顕像化処理において変色しない部分となる
。

なお、この書き込み時のレーザービーム４の照射条件は
、用いる光記録媒体の構成に応じて適宜選択すれば良い
が、少なくとも光照射部位３の温度が、記録層を溶融さ
せて構成分子の配向の秩序を乱すのに十分であり、かつ
記録層を破壊若しくはその形状を変形させないような温
度となるようにする必要がある。

このようにして、記録層に分子配向性のレベルでの状態
の差による、すなわち光照射されなかったＯＡ化合物の
高秩序配向性が維持されている部分５ｂ中に形成された
、光照射され、ＯＡ化合物の高秩序配向性が乱された部
分５ａからなる潜像が形成されて記録情報の書き込みが
行なわれる。

なお、ＯＡ化合物は上記の半導体レーザーに対して感能
性を有さず、従来のＯＡ化合物のみからなる光記録媒体
ではこのような光書き込みは不可能であった。

ここで、上述したように、記録層２には光学的に検知可
能な像として記録情報が記録されていないので、この段
階では、書き込んだ記録情報を読み取ることはできない
。

そこで、記録情報の読み取りを行ないたい場合には、記
録層２に形成された潜像を顕像化する必要がある。

この潜像の顕像化は、光記録媒体に一様に紫外線を照射
することによって実施される。

この紫外線の照射により、記録層中の高秩序配向性を維
持している。すなわち先の書き込み時において光照射さ
れなかった部分５ｂにあるＯＡ化合物が重合してポリジ
アセチレン誘導体化合物へ変化し、記録層のこの部分は
第３図（Ｃ）に示すように６２０〜８８０ｎｎ＋に最大
吸収波長を有する青色ないし暗色の膜６ｂへと変色する
。一方、先の光書き込み時において赤外線照射された部
分５ａでは、前述したように、　ＤＡ化合物の高秩序配
向性が乱されているので、ＯＡ化合物の重合反応が起き
にくく、この部分では、非照射部５ｂにおけるような青
色ないし暗色膜への変色は起こらない、従って、先の書
き込み時に形成された潜像部分５ａはほぼ無色透明な当
初の記録層の色のままでこの紫外線照射処理によって青
色ないし暗色化した膜６ｂ中に残され、青色ないし暗色
膜６ｂと光学的に識別可能な白ぬき部６ａとして顕像化
される。

なお、この紫外線の照射による処理が終了した後に、必
要に応じて記録層２を約５０℃以上に加熱してやれば、
青色ないし暗色膜６ｂ中のポリジアセチレン誘導体化合
物が先に述べたように赤色へ変色するので、潜像として
記録層２に書込まれた記録情報を赤色膜中の白ぬき部６
ａとして顕像化することができる。

この記録層の加熱処理には、ヒーター等の加熱手段を用
いて、あるいは記録層には輻射線を吸収して発熱するポ
リメチレン化合物が含有されているので赤外線等の輻射
線を記録層に照射するなどして実施することができる。

以−ヒ、一層混合系の記録層を有する光記録媒体を用い
た場合の本発明の光記録方法について説明したが、第２
図に示したような二層分離系の記録層を有した記録媒体
を用いる場合には、レーザービームの結像点３は、第４
図（Ａ）に示すようにポリメチレン化合物を含む層２ｂ
とされる。このようにレーザービーム４が照射されると
、層２ｂに含まれたポリメチレン化合物がレーザービー
ム４を吸収して発熱し、この発熱によってＯＡ化合物を
含む層２ａの結像点３上の部分が溶融し、上述した過程
に従って第４図（Ｂ）に示すように潜像５ａが形成され
る。この潜像は上述した紫外線の照射処理によって、ま
た更に必要に応じた加熱処理によって、第４図（Ｃ）に
示すような青色または暗色、若しくは赤色のｌｉ［ｆｂ
と光学的に識別可能な白ぬき部６ａとして顕像化するこ
とができる。

なお、光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディ
スク（光ディスク）が用いられたが、もちろん、ＯＡ化
合物およびポリメチレン化合物を含有する記録層を支持
する基板の種類により、光テープ、光カード等も使用で
きる。

〔発明の効果〕

本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層にポリメチレン化合物とジアセチレン誘導
体化合物とが組合わされて用いられているので、小型軽
量の半導体レーザーを用いて光書き込みが可能であり、
高速記録が可能である。

しかも記録情報は記録媒体に潜像として記録され、その
後必要に応じて任意に記録情報を顕像化して読み取るこ
とができる。

（２）少なくともジアセチレン誘導体化合物が単分子ｎ
λまたはその累積膜となって記録層を構成しているため
に、記録層の構成成分は高密度で高度な秩序性を有し、
記録層は均質かつ表面性良く形成されている。その結果
、高密度、高感度での安定性に優れた高品質な光記録が
実施できる。

（３）高度に均質な大面積の記録層を有する安価な記録
媒体を用いた光記録が可能となる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１− 一般式Ｃ，２Ｈ２５７Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ３Ｈ１６−０
００８で表わされるジアセチレン誘導体化合物１重量部
と前記の化合物届　３で表わされるポリメチレン化合物
１５重量部とをクロロホルムに３Ｘ１０−３モル／ｊ！
ノ濃度’ｔ’溶解した溶液を、ｐＨが６．５で塩化カド
ミニウム濃度がｌＸｌ０−３モル／ｌの水相上に展開し
た。溶媒のクロロホルムを除去した後１表面圧を一定に
保ちながら、その表面を十分に洗浄しておいたガラス基
板を、水面を横切る方向に上下速度１．０ｃｍ／分で静
かに上下させ、ＤＡ化合物とポリメチレン化合物との混
合単分子膜を基板上に移しとり、混合単分子膜ならびに
５層、　２１層、４１層、１０１層および２０１層に累
積した混合単分子累積膜を基板ヒに形成した光記録媒体
を作成した。

このようにして得た光記録媒体を用いて、以下のように
して本発明の光記録方法を実施した。

まず、上記の光記録媒体のそれぞれに、　８３０層ｍの
波長の半導体レーザー（レーザービーム径；　１鱗、照
射時間；　２００　ｎｓ／　１ドツト、出力５ｍＷ）を
記録情報にしたがい照射し、潜像を形成した。その際、
各光記録媒体の光照射部には見掛は上の変化は認められ
なかった。

次に、この半導体レーザーによる書き込みが終了した後
、各光記録媒体に２５４層ｍの波長の紫外線を均一かつ
十分に照射した。すると、各光記録媒体の記録層の先の
書き込み時に半導体レーザーが照射された部分以外の部
分が青色に変色し、先に形成した潜像、すなわち半導体
レーザーの照射部位が白ぬきとなったネガ像が顕像化さ
れた。

この記録結果の評価を、第１Ａ表に示した。評価は　感
度、画像解像度及び白ぬき部と周辺とのコントラストの
良否の総合評価により判定し、特に良好なものを■、良
好なものをＯ１記録ができないまたは不良なものを×と
した。

実施例２ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重♀部、ポリメチレ
ン化合物の黴を１０重量部としたことを除き、実施例１
と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎ１１の紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を
顕像化し、これを評価した。その結果を第１Ａ表に示す
。

実施例３ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、ポリメチレ
ン化合物の量を５ＦＩＩｆｆｉ部としたことを除き実施
例１と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに。

実施例１と同様にして、光記録を実施した後、各光記録
媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネ
ガ像を顕像化し、これを評価した。その結果を第１Ａ表
に示す。

実施例４ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、ポリメチレ
ン化合物の量を１重量部としたことを除き実施例１と同
様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第１Ａ表に示す。

実施例５ ジアセチレン誘導体化合物の量を５重量部、ポリメチレ
ン化合物の量を１重量部としたことを除き実施例１と同
様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第１Ｂ表に示す。

実施例６ ジアセチレン誘導体化合物の量を１０重量部、ポリメチ
レン化合物の量を１重量部としたことを除き実施例１と
同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第１Ｂ表に示す。

実施例７ ジアセチレン誘導体化合物の量を１５重量部、ポリメチ
レン化合物の量を１重量部としたことを除き実施例１と
同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに。

実施例１と同様にして、光記録を実施した後、各光記録
媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネ
ガ像を顕像化し、これを評価した。その結果を第１Ｂ表
に示す。

；１ｒ〕【盲Ｒ１シ；ｊ；； 実施例８〜１４ 光記録及びネガ像の顕像化までは、実施例１〜７までと
同様に行なった後、光記録媒体のそれぞれを約８０°Ｃ
に加熱して背景の青色を赤色に変化させたネガ像を得た
。このネガ像について実施例１と同様の基準により評価
した結果を第２Ａ表及び第２Ｂ表に示す。

実施例１５ 一般式”＋２Ｈ２ｓ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ：８［（、６
−Ｃ０ＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物に代
え、一般式Ｃ，Ｈ，、−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ２Ｈ４−Ｃ
００）Ｉで表わされた化合物を用いたことを除いては実
施例４と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｒ＋ｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を
顕像化し、これを評価した。その結果を第３Ａ表に示す
。

実施例ＩＢ〜２０ 化合物遂３で表わされるポリメチレン化合物に代え、化
合物正９．１７．２３．２７及び３３で表わされるポリ
メチレン化合物を個々に用いたことを除いては実施例Ｉ
Ｓと同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎ−の紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第３Ａ表及び第３
Ｂ表に示す。

実施例２１ 化合物、／１２で表わされるポリメチレン化合物ｌＯ屯
量部を塩化メチレン２０重量部に溶解して、塗布液を調
整した。

次に、ガラス製のディスク基板（厚さ　１．５ｍｍ。

直径２００　ｍＩＤ）をスピナー塗布機に装着し、まず
上記塗布液をディスク基板の中央部に少量滴下した後、
所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させて塗布し
、常温で乾燥し、基板上にポリメチレン化合物を含む層
を形成した。

このようにしてポリメチレン化合物を含む層を形成した
後、Ｃｌ２Ｈ２Ｓ−ＣミＣ−ＣＭ　Ｃ−Ｃｏ　Ｈ＋　６
−　Ｃ０ＯＨで表わされるＯＡ化合物をクロロホルムに
３Ｘ１０−３モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、ｐＨが
６，５で塩化カドミニウム濃度がｌＸｌ０−３モル／ｌ
の水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後
、表面圧を一定に保ちながら、十分に表面が洗浄された
ポリメチレン化合物を含む層が形成されているガラス基
板を、水面を横切る方向に上下速度１　、０ｃｍ／分で
静かに上下させ、ポリメチレン化合物を含む層の表面に
ＯＡ化合物の単分子膜を移しとり、［ｌＡ化合物の単分
子膜またはこの単分子膜を所定数累積した単分子累積膜
をポリメチレン化合物を含む層上に形成した光記録媒体
を作成した。

なお、ポリメチレン化合物を含む層の膜厚と上記の単分
子膜の累積数は、第４Ａ表に示すように種々変化させ、
試料Ｎ６２１−１〜２１−２５の２５種の光記録媒体を
得た。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎ■の紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第４Ｂ表に示す。

実施例２２ 一般式Ｃ’１２Ｈ２Ｓ−Ｃミｃ−ｃ＝　Ｃ−Ｃｓ　Ｈｌ
　Ｇ−０００８で表わされるジアセチレン誘導体化合物
に代えて、一般式（ｏ　Ｈ＋　ｑ−ＣＥＣ−ＣＨＣ−ｃ
２Ｈ４−ＣＯＯＨテ表されるジアセチレン誘導体化合物
を用いたことを除いては実施例２１と同様の方法により
第５Ａ表に示すような試料酸２２−１〜２２−２５の２
５種の光記録媒体を得た。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｓの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第５Ｂ表に示す。

実施例２３ ポリメチレン化合物を含む層を形成するための塗布液に
、化合物逅２で表わされるポリメチレン化合物に代え、
化合物遂５で表わされるポリメチレン化合物を用いたこ
とを除いては実施例２２と同様の方法により第６Ａ表に
示すような試料酸２３−１〜２３−２５の２５種の光記
録媒体を得た。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｒ＋ｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を
顕像化し、これを評価した。その結果を第６Ｂ表に示す
。

実施例２４ ポリメチレン化合物を含む層を形成するための塗布液に
化合物逅２で表わされるポリメチレン化合物に代え、化
合物逅１０で表わされるポリメチレン化合物を用いたこ
とを除いては実施例２２と同様の方法により第７Ａ表に
示すような試料化合物遂２４−１〜２４−２５の２５種
の光記録媒体を得た。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を、第７Ｂ表に示す
。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）、第１図（Ｂ）、第２図（Ａ）及び第２図
（Ｂ）はそれぞれ本発明の方法に用いる光記録媒体の構
成の一態様を例示する模式断面図、第３図（Ａ）〜第３
図（Ｃ）並びに第４図（Ａ）〜第４図（Ｃ）はそれぞれ
本発明の光記録の過程を示す光記録媒体の模式断面図で
ある。 ｌ二基板　　　　　　２：記録層 ２ａ　：　［］Ａ化合物を含む層 ２ｂ：ポリメチレン化合物を含む層 ３：光照射部位 ４：レーザービーム ５ａ：潜像 ５ｂ：非照射部 ６ｄ：白ぬき部 ６ｂ：変色部 ７：ポリメチレン化合物 ８：口Ａ化合物

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜又はその累積膜と
   、下記一般式（１）または（２）で表わされる化合物の
   一種以上とを含有してなる記録層を有する光記録媒体に
   、８００〜９００ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射
   して潜像を形成する工程と；該潜像が形成された光記録
   媒体に紫外線を照射して、該潜像を顕像化させる工程と
   を有することを特徴とする光記録方法。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、それぞれ独立して
   置換基を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ＾４およ
   びＲ＾５は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二
   重結合系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基
   を表わし、Ｒ＾６は、水素または置換基を有してもよい
   アリール基を表わし、Ａはアニオン残基を表わす。） ２）前記光記録媒体の紫外線照射処理工程後に、光記録
   媒体の加熱処理工程を有する特許請求の範囲第１項記載
   の光記録方法。