JPS62183148A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62183148A JPS62183148A JP61024801A JP2480186A JPS62183148A JP S62183148 A JPS62183148 A JP S62183148A JP 61024801 A JP61024801 A JP 61024801A JP 2480186 A JP2480186 A JP 2480186A JP S62183148 A JPS62183148 A JP S62183148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side frame
- semiconductor element
- cover plate
- plate
- bottom plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、例えばダイオードブリッジあるいはサイリス
タモジュールなどにおけるように、熱良導性底板と絶縁
性側枠よりなる容器内に半導体素子を収容し、素子を底
板上に固定する半導体装置に関する。
タモジュールなどにおけるように、熱良導性底板と絶縁
性側枠よりなる容器内に半導体素子を収容し、素子を底
板上に固定する半導体装置に関する。
第２図は、従来の上述のような半導体装置を示し、放熱
性底板１上に、絶縁板３をはんだ９で固着し、その上に
ヒートシンク４．半導体チフブ５をそれぞれはんだ９で
ろう付けし、さらにチップ電極にリード＆Ｉ６、そのリ
ード線に端子導体７をそれぞれはんだ９でろう付けする
０図には一つの素子のみを示しているが、複合半導体装
置では複数の素子について、同様な工程を行う、このあ
と絶縁性側枠２を底板１の上に固定し、注型樹脂８を充
填し半導体チップを被覆する。しかしこのような半導体
装置を組立てる際には、ろう付けの際に各部品の位置決
めのために治具が必要であり工程が複雑である。また、
半導体チップに対する注型樹脂の影響を避けるためにチ
ップ表面にガラスパンシベーシッンが必要で高価であり
、しかも２０００Ｖ以上高耐圧素子に対してはそれだけ
では十分な安定性が得られない。
性底板１上に、絶縁板３をはんだ９で固着し、その上に
ヒートシンク４．半導体チフブ５をそれぞれはんだ９で
ろう付けし、さらにチップ電極にリード＆Ｉ６、そのリ
ード線に端子導体７をそれぞれはんだ９でろう付けする
０図には一つの素子のみを示しているが、複合半導体装
置では複数の素子について、同様な工程を行う、このあ
と絶縁性側枠２を底板１の上に固定し、注型樹脂８を充
填し半導体チップを被覆する。しかしこのような半導体
装置を組立てる際には、ろう付けの際に各部品の位置決
めのために治具が必要であり工程が複雑である。また、
半導体チップに対する注型樹脂の影響を避けるためにチ
ップ表面にガラスパンシベーシッンが必要で高価であり
、しかも２０００Ｖ以上高耐圧素子に対してはそれだけ
では十分な安定性が得られない。
本発明は、上述の問題を解決して組立容易であり、また
容器を気密に閉塞できて従来より製造されているハーメ
チック封止半導体素子に用いられている接合被覆樹脂（
ＪＣＲ）により表面安定化したチップも使用できる半導
体装置を提供することを目的とする。
容器を気密に閉塞できて従来より製造されているハーメ
チック封止半導体素子に用いられている接合被覆樹脂（
ＪＣＲ）により表面安定化したチップも使用できる半導
体装置を提供することを目的とする。
本発明による半導体装置は、熱良導性底板上に半導体素
子に対する位置決め用凸部を存する底部と一体化された
耐熱性絶縁物よりなる側枠が底部によって固着され、側
棒上部は気密にろう付けされた絶縁性蓋板によって閉塞
され、半導体素子に接続された端子導体が蓋板を貫通し
、蓋板の貫通孔周辺部と気密にろう付けされているもの
で、側枠が底部を含めて耐熱性材料からなるため、半導
体素子基体のろう付は時の位置決め治具として使用でき
、また半導体素子が容器内に気密に封止されるため、ガ
ス封入による高耐圧化も可能で、上記の目的を達成する
ことができる。
子に対する位置決め用凸部を存する底部と一体化された
耐熱性絶縁物よりなる側枠が底部によって固着され、側
棒上部は気密にろう付けされた絶縁性蓋板によって閉塞
され、半導体素子に接続された端子導体が蓋板を貫通し
、蓋板の貫通孔周辺部と気密にろう付けされているもの
で、側枠が底部を含めて耐熱性材料からなるため、半導
体素子基体のろう付は時の位置決め治具として使用でき
、また半導体素子が容器内に気密に封止されるため、ガ
ス封入による高耐圧化も可能で、上記の目的を達成する
ことができる。
【発明の実施例】
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共通の部分
には同一の符号が付されている。この半導体装置におい
ては、側枠２はセラミックのような３００℃以上の耐熱
性のある材料からなり、さらに底部２１と一体化されて
いる。この底部は、第２図に示す従来装置の絶縁板３の
役目をすると共に、上部に凸部１０を有し、これが上面
にはんだ９により固着されるヒートシンク４の位置決め
に役立つので、組立治具を必要とせずに炉に装入するだ
けではんだ付けができ、はんだ付は後の治具取外しの必
要もない、第１図（ｂ）は本発明による蓋板１１を示し
、例えばセラミックからなって周辺にメタライズ部３１
を有する。この蓋板を側枠の上にかぶせ、そのメタライ
ズ部３１と側枠２の上縁に設けたメタライズ部３２とを
気密にはんだ付けする。同時にヒートシンク４上の半導
体チップ５にリード線６を介して接続された端子導体７
を蓋板１１の貫通孔１２を通し、この貫通孔周囲に設け
たメタライズ部３３と導体７をはんだにより気密にろう
付けする。側枠の底部２１は熱良導性の放熱用底板１に
接着などによって固着する。これにより半導体素子は側
枠２、底部２１および蓋板１１からなる容器中に気密に
封止される。従ってその中へガス封入が可能であり、Ｊ
ＣＲにより表面安定化した半導体チップ５によって２０
００ Ｖ以上の耐圧を得ることができる。
には同一の符号が付されている。この半導体装置におい
ては、側枠２はセラミックのような３００℃以上の耐熱
性のある材料からなり、さらに底部２１と一体化されて
いる。この底部は、第２図に示す従来装置の絶縁板３の
役目をすると共に、上部に凸部１０を有し、これが上面
にはんだ９により固着されるヒートシンク４の位置決め
に役立つので、組立治具を必要とせずに炉に装入するだ
けではんだ付けができ、はんだ付は後の治具取外しの必
要もない、第１図（ｂ）は本発明による蓋板１１を示し
、例えばセラミックからなって周辺にメタライズ部３１
を有する。この蓋板を側枠の上にかぶせ、そのメタライ
ズ部３１と側枠２の上縁に設けたメタライズ部３２とを
気密にはんだ付けする。同時にヒートシンク４上の半導
体チップ５にリード線６を介して接続された端子導体７
を蓋板１１の貫通孔１２を通し、この貫通孔周囲に設け
たメタライズ部３３と導体７をはんだにより気密にろう
付けする。側枠の底部２１は熱良導性の放熱用底板１に
接着などによって固着する。これにより半導体素子は側
枠２、底部２１および蓋板１１からなる容器中に気密に
封止される。従ってその中へガス封入が可能であり、Ｊ
ＣＲにより表面安定化した半導体チップ５によって２０
００ Ｖ以上の耐圧を得ることができる。
本発明によれば、耐熱性絶縁材料からなる容器下部を用
いて半導体素子と放熱用底板との間の絶縁板が省略でき
、また耐熱性があるため半導体素子のろう付は時におけ
る位置決め用治具としても役立つ、そしてこの容器下部
とろう付けにより気密に結合できる蓋板を用いることに
より八−メチツク封止素子と同様のガス封止も可能で、
ＪＣＲ安定化処理のメサ形チップによって高耐圧特性も
備えられる半導体装置を低い価格で得ることができる。
いて半導体素子と放熱用底板との間の絶縁板が省略でき
、また耐熱性があるため半導体素子のろう付は時におけ
る位置決め用治具としても役立つ、そしてこの容器下部
とろう付けにより気密に結合できる蓋板を用いることに
より八−メチツク封止素子と同様のガス封止も可能で、
ＪＣＲ安定化処理のメサ形チップによって高耐圧特性も
備えられる半導体装置を低い価格で得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示し、（５１）が一部破砕
斜視図、伽）が蓋板の斜視図、第２図は従来例の斜視図
である。
斜視図、伽）が蓋板の斜視図、第２図は従来例の斜視図
である。
Claims (1)
- １）熱良導性底板と絶縁性側枠よりなる容器内に半導体
素子を収容し、素子を底板上に絶縁して固定するものに
おいて、半導体素子に対する位置決め用凸部を有する底
部と一体化された耐熱性絶縁物よりなる側枠が底部によ
って前記底板上に固着され、側枠上部は気密にろう付け
された絶縁性蓋板によって閉塞され、半導体素子に接続
された端子導体が蓋板を貫通し、蓋板の貫通孔周辺部と
気密にろう付けされたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61024801A JPS62183148A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61024801A JPS62183148A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183148A true JPS62183148A (ja) | 1987-08-11 |
| JPH046095B2 JPH046095B2 (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=12148297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61024801A Granted JPS62183148A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183148A (ja) |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP61024801A patent/JPS62183148A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH046095B2 (ja) | 1992-02-04 |
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