JPH046095B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH046095B2 JPH046095B2 JP61024801A JP2480186A JPH046095B2 JP H046095 B2 JPH046095 B2 JP H046095B2 JP 61024801 A JP61024801 A JP 61024801A JP 2480186 A JP2480186 A JP 2480186A JP H046095 B2 JPH046095 B2 JP H046095B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side frame
- plate
- semiconductor device
- semiconductor
- bottom plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明は、例えばダイオードブリツジあるいは
サイリスタモジユールなどにおけるように、熱良
導性底板と絶縁性側枠よりなる容器内に半導体素
子を収容し、素子を底板上に固定する半導体装置
に関する。
サイリスタモジユールなどにおけるように、熱良
導性底板と絶縁性側枠よりなる容器内に半導体素
子を収容し、素子を底板上に固定する半導体装置
に関する。
第２図は、従来の上述のような半導体装置を示
し、放熱性底板１上に、絶縁板３をはんだ９で固
着し、その上にヒートシンク４、半導体チツプ５
をそれぞれはんだ９でろう付けし、さらにチツプ
電極にリード線６、そのリード線に端子導体７を
それぞれはんだ９でろう付けする。図には一つの
素子のみを示しているが、複合半導体装置では複
数の素子について、同様な工程を行う。このあと
絶縁性側枠２を底板１の上に固定し、注型樹脂８
を充填し半導体チツプを被覆する。しかしこのよ
うな半導体装置を組立てる際には、ろう付けの際
に各部品の位置決めのために治具が必要であり工
程が複雑である。また、半導体チツプに対する注
型樹脂の影響を避けるためにチツプ表面にガラス
パツシベーシヨンが必要で高価であり、しかも
2000V以上高耐圧素子に対してはそれだけでは十
分な安定性が得られない。
し、放熱性底板１上に、絶縁板３をはんだ９で固
着し、その上にヒートシンク４、半導体チツプ５
をそれぞれはんだ９でろう付けし、さらにチツプ
電極にリード線６、そのリード線に端子導体７を
それぞれはんだ９でろう付けする。図には一つの
素子のみを示しているが、複合半導体装置では複
数の素子について、同様な工程を行う。このあと
絶縁性側枠２を底板１の上に固定し、注型樹脂８
を充填し半導体チツプを被覆する。しかしこのよ
うな半導体装置を組立てる際には、ろう付けの際
に各部品の位置決めのために治具が必要であり工
程が複雑である。また、半導体チツプに対する注
型樹脂の影響を避けるためにチツプ表面にガラス
パツシベーシヨンが必要で高価であり、しかも
2000V以上高耐圧素子に対してはそれだけでは十
分な安定性が得られない。
本発明は、上述の問題を解決して組立容易であ
り、また容器を気密に閉塞できて従来より製造さ
れているハーメチツク封止半導体素子に用いられ
ている接合被覆樹脂（JCR）により表面安定化し
たチツプも使用できる半導体装置を提供すること
を目的とする。
り、また容器を気密に閉塞できて従来より製造さ
れているハーメチツク封止半導体素子に用いられ
ている接合被覆樹脂（JCR）により表面安定化し
たチツプも使用できる半導体装置を提供すること
を目的とする。
本発明による半導体装置は、熱良導性底板上に
半導体素子に対する位置決め用凸部を有する底部
と一体化された耐熱性絶縁物よりなる側枠が底部
によつて固着され、側枠上部は気密にろう付けさ
れた絶縁性蓋板によつて閉塞され、半導体素子に
接続された端子導体が蓋板を貫通し、蓋板の貫通
孔周辺部と気密にろう付けされているもので、側
枠が底部を含めて耐熱性材料からなるため、半導
体素子基体のろう付け時の位置決め治具として使
用でき、また半導体素子が容器内に気密に封止さ
れるため、ガス封入による高耐圧化も可能で、上
記の目的を達成することができる。
半導体素子に対する位置決め用凸部を有する底部
と一体化された耐熱性絶縁物よりなる側枠が底部
によつて固着され、側枠上部は気密にろう付けさ
れた絶縁性蓋板によつて閉塞され、半導体素子に
接続された端子導体が蓋板を貫通し、蓋板の貫通
孔周辺部と気密にろう付けされているもので、側
枠が底部を含めて耐熱性材料からなるため、半導
体素子基体のろう付け時の位置決め治具として使
用でき、また半導体素子が容器内に気密に封止さ
れるため、ガス封入による高耐圧化も可能で、上
記の目的を達成することができる。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共
通の部分には同一の符号が付されている。この半
導体装置においては、側枠２はセラミツクのよう
な300℃以上の耐熱性のある材料からなり、さら
に底部２１と一体化されている。この底部は、第
２図に示す従来装置の絶縁板３の役目をすると共
に、上部に凸部１０を有し、これが上面にはんだ
９により固着されるヒートシンク４の位置決めに
役立つので、組立治具を必要とせずに炉に装入す
るだけではんだ付けができ、はんだ付け後の治具
取外しの必要もない。第１図ｂは本発明による蓋
板１１を示し、例えばセラミツクからなつて周辺
にメタライズ部３１を有する。この蓋板を側枠の
上にかぶせ、そのメタライズ部３１と側枠２の上
縁に設けたメタライズ部３２とを気密にはんだ付
けする。同時にヒートシンク４上の半導体チツプ
５にリード線６を介して接続された端子導体７を
蓋板１１の貫通孔１２を通し、この貫通孔周囲に
設けたメタライズ部３３と導体７をはんだにより
気密にろう付けする。側枠の底部２１は熱良導性
の放熱用底板１に接着などによつて固着する。こ
れにより半導体素子は側枠２、底部２１および蓋
板１１からなる容器中に気密に封止される。従つ
てその中へガス封入が可能であり、JCRにより表
面安定化した半導体チツプ５によつて2000V以上
の耐圧を得ることができる。
通の部分には同一の符号が付されている。この半
導体装置においては、側枠２はセラミツクのよう
な300℃以上の耐熱性のある材料からなり、さら
に底部２１と一体化されている。この底部は、第
２図に示す従来装置の絶縁板３の役目をすると共
に、上部に凸部１０を有し、これが上面にはんだ
９により固着されるヒートシンク４の位置決めに
役立つので、組立治具を必要とせずに炉に装入す
るだけではんだ付けができ、はんだ付け後の治具
取外しの必要もない。第１図ｂは本発明による蓋
板１１を示し、例えばセラミツクからなつて周辺
にメタライズ部３１を有する。この蓋板を側枠の
上にかぶせ、そのメタライズ部３１と側枠２の上
縁に設けたメタライズ部３２とを気密にはんだ付
けする。同時にヒートシンク４上の半導体チツプ
５にリード線６を介して接続された端子導体７を
蓋板１１の貫通孔１２を通し、この貫通孔周囲に
設けたメタライズ部３３と導体７をはんだにより
気密にろう付けする。側枠の底部２１は熱良導性
の放熱用底板１に接着などによつて固着する。こ
れにより半導体素子は側枠２、底部２１および蓋
板１１からなる容器中に気密に封止される。従つ
てその中へガス封入が可能であり、JCRにより表
面安定化した半導体チツプ５によつて2000V以上
の耐圧を得ることができる。
本発明によれば、耐熱性絶縁材料からなる容器
下部を用いて半導体素子と放熱用底板との間の絶
縁板が省略でき、また耐熱性があるため半導体素
子のろう付け時における位置決め用治具としても
役立つ。そしてこの容器下部とろう付けにより気
密に結合できる蓋板を用いることによりハーメチ
ツク封止素子と同様のガス封止も可能で、JCR安
定化処理のメサ形チツプによつて高耐圧特性も備
えられる半導体装置を低い価格で得ることができ
る。
下部を用いて半導体素子と放熱用底板との間の絶
縁板が省略でき、また耐熱性があるため半導体素
子のろう付け時における位置決め用治具としても
役立つ。そしてこの容器下部とろう付けにより気
密に結合できる蓋板を用いることによりハーメチ
ツク封止素子と同様のガス封止も可能で、JCR安
定化処理のメサ形チツプによつて高耐圧特性も備
えられる半導体装置を低い価格で得ることができ
る。
第１図は本発明の一実施例を示し、ａが一部破
砕斜視図、ｂが蓋板の斜視図、第２図は従来例の
斜視図である。 １：底板、２：側枠、３：絶縁性底部、４：ヒ
ートシンク、５：半導体チツプ、６：リード線、
７：端子導体、９：はんだ、１０：位置決め用凸
部、１１：蓋板、１２：貫通孔、３１，３２，３
３：メタライズ部。
砕斜視図、ｂが蓋板の斜視図、第２図は従来例の
斜視図である。 １：底板、２：側枠、３：絶縁性底部、４：ヒ
ートシンク、５：半導体チツプ、６：リード線、
７：端子導体、９：はんだ、１０：位置決め用凸
部、１１：蓋板、１２：貫通孔、３１，３２，３
３：メタライズ部。
Claims (1)
- １ 熱良導性底板と絶縁性側枠よりなる容器内に
半導体素子を収容し、素子を底板上に絶縁して固
定するものにおいて、半導体素子に対する位置決
め用凸部を有する底部と一体化された耐熱性絶縁
物よりなる側枠が底部によつて前記底板上に固着
され、側枠上部は気密にろう付けされた絶縁性蓋
板によつて閉塞され、半導体素子に接続された端
子導体が蓋板を貫通し、蓋板の貫通孔周辺部と気
密にろう付けされたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61024801A JPS62183148A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61024801A JPS62183148A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183148A JPS62183148A (ja) | 1987-08-11 |
| JPH046095B2 true JPH046095B2 (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=12148297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61024801A Granted JPS62183148A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183148A (ja) |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP61024801A patent/JPS62183148A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62183148A (ja) | 1987-08-11 |
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