JPS62185341A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS62185341A
JPS62185341A JP61026167A JP2616786A JPS62185341A JP S62185341 A JPS62185341 A JP S62185341A JP 61026167 A JP61026167 A JP 61026167A JP 2616786 A JP2616786 A JP 2616786A JP S62185341 A JPS62185341 A JP S62185341A
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JP
Japan
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bonding pad
resin
semiconductor device
passivation film
buffer coat
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Application number
JP61026167A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Yamazaki
山崎　宏之
Kazuyasu Fujishima
一康 藤島
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体
基板上のパッシベーション膜とバッファコート膜の重な
り形状の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
第３図は、従来の樹脂封止型半導体装置のボンディング
パッド部の一例の断面図である。
この樹脂封止型半導体装置の構成について説明すると、
半導体基板口１上にボンディング＋２１を設け、このボ
ンディングパッド（２）全被覆するパッシベーション膜
ｔｓ＋　ヲ設＋ｆ　、このパッシベーション膜＋３１に
開孔（４１を設け、更にパッシベーション膜１３１　ヲ
ｍ　Ｗするバフ７アコーｆｕｌｆｉｌを設け、このバッ
ファコート膜（６）に開孔（４１を設け、ボンディング
パラ１″（２１ニリートワイヤ＋６１を接続し、さらに
ボンディングパッド＋２＋　、　パッシベーション膜ｔ
３１．バッファコート膜（５：、リードワイヤ（６）を
熱硬化性樹脂組成物（７）で覆い、半導体素子が乍られ
る。
ここで、バッフアコ−）＋５１ｉｊ、元来、熱硬化性樹
脂組成物（７）の中に含有される微量の放射性元素から
放出されるα粒子によって発生する大容量メモリのソフ
トエラーを防止することを目的としたものであるため、
主に半導体素子の能動領域を被覆し、パッシベーション
膜（３１におけるボンディングパッド（２）の電極端近
傍の最薄部等を被覆しないように設けられるのが普通で
あった。
従来の樹脂封止型半導体装置は熱硬化性樹脂組成物（７
）にてモールドする時、熱、応力等の外部要因にヨリ、
パッシベーション膜（３１のボンディングパッド（２）
の電極端近傍の最薄部にクランク（８）が生じることが
あった。このため、外部より熱硬化性樹脂組成物（７）
とクラック（８）を経由して浸入してきた水がボンディ
ングパッド（２）の下方半導体基板＋１．１の最上層に
あるｐｓａ膜（図示せず）中に含まれるリン成分と接触
し、リン酸が生成し、その結果ボンディングパッド（２
）が腐食さね、半導体素子の信頼性が犬きく低下する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の樹脂封止型半導体装＃けパッシベーション膜（３
１にクランク（８１が入った場合、バッファコート（６
１はクラック（８）を被覆していないため、ボンディン
グパッド（２）が上記クラック（８）を通じてきた水分
により贋食し、樹脂封止型半導体装置の信頼性が著しく
低下するという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、パッシベーション膜の一部にクラックが生じ
ても、耐湿性が低下しない高信頼変の樹脂封止型半導体
装置を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る樹脂封止型半導体装置はパッシベーショ
ン膜よりも弾性係数が高いバッファコート膜が、パッシ
ベーション膜のボンディングパラ）″端近傍の最薄部を
被覆したものである。
〔作用〕
この発明においては、樹脂封止型半導体装置におけるバ
ッファコート膜が、パッシベーション膜にかけるポンデ
ィングパラｒ端近傍の最薄部を被覆しているため、たと
え該最薄部にクラックが入ったとしても、外囲からの半
導体基板表面への水分の浸入を防止することができる。
〔実権例〕
以下、この発明の実権例を図について説明する。
なか、この実施例の説明において、従来の技術の説明々
重複する部分については説明を省略する。
第１図はこの発明の一実施例である樹脂封止型半導体装
置のボンディングパッド部の断面図である。図に示すよ
うに、バッファコート膜（５１はパッシベーション膜（
３１におけるポンディングバット（２１の電蜂喘近傍の
最薄部を被覆するように設けられる。
このように、バッファコート膜（５）が、パッシベーシ
ョン膜１３１におけるボンディングパラ）−’　＋２１
の電極端近傍の最薄部を被覆するように形成し、バッフ
ァコート膜としてポリイミド樹脂またはシリコン樹脂を
選択すると、半導体素子を熱硬化性樹脂組酸物にてモー
ルＦする時の熱、応力等の外部要因により、たとえパッ
シベーション膜におけるボンディングパッド（２）の電
極端近傍の最薄部にクラック（８）が生じても、バッフ
ァコートＩ１．！：してパッシベーション膜よりも弾性
係数の高い上記材料を選択した場合にＶｉ該ツクランク
バッファコート膜（６）に生じず、水分の浸入が避けら
れ、信頼性を向上させることができる。
バッファフート膜の形状は次の変形が可能である。第２
図は、この発明の樹脂封止型半導体装置のバッファコー
ト膜の形状の変形例を示ｔ　Ｍ　ｙ　ティングパッド部
の断面因である。図に示すようにバッファコート膜（５
）はパッシベーショ７　ｍ　（３１’Ｆｒ：　完全に覆
い、ボンディングパラ）′＋２＋上まで達するよう形徴
される。この場合にも上記実権例と同様の効果を奏する
。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、パッシベーション膜よ
りも弾性係数が高いバッファコート膜が、パッシベーシ
ョン膜のボンディングパラ）’　端近傍の最薄部を被覆
したので、耐湿性に優ねた信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例である樹脂封止型半導体装
置のボンディングパッド部の断面図である。第２図はこ
の発明の仙の実施例である樹脂封止型半導体装置のバッ
ファコート膜の形状の変形例を示すボンディングパッド
部の断面図でアル。 第３図は従来の樹脂封止型半導体装置のボンディングパ
ッド部の一例の断面図である。 図において、ｉｌｌは半導体基板、（２１はボンディン
グパット、＋３１）’；ｊパッシベーション膜、１４１
は開孔、ｆｉ＋！”ｊバッファコート膜、（６）はリー
ドワイヤ、＋７１　Ｈ熱硬化性樹脂組成物、（８）はク
ラックである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板と、この半導体基板の表面に設けられ
    たボンディングパッドと、該ボンディングパッドを被覆
    するパッシベーション膜と、このパッシベーション膜に
    設けられ該ボンディングパッドに通ずる開孔と、更に前
    記パッシベーション膜を被覆すると共に、このパッシベ
    ーション膜よりも弾性係数の高いバッファコート膜と、
    このバッファコート膜に設けられ該ボンディングパッド
    に通じる開孔と、該開孔を通つて前記ボンディングパッ
    ドに接続されたリードワイヤとを具備する半導体素子と
    、該半導体素子を封止する熱硬化性樹脂組成物を含む樹
    脂封止型半導体装置において、前記バッファコート膜が
    、前記パッシベーション膜の前記ボンディングパッド端
    近傍の最薄部を被覆することを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置。
  2. （２）前記バッファコート膜は、ポリイミド樹脂または
    シリコン樹脂からなる特許請求の範囲第１項記載の樹脂
    封止型半導体装置。
JP61026167A 1986-02-08 1986-02-08 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS62185341A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5532221A (en) * 1978-08-24 1980-03-06 Toshiba Corp Saturation level detector
JPS5558555A (en) * 1978-10-25 1980-05-01 Hitachi Ltd Electronic device and its manufacture
JPS55166942A (en) * 1979-06-15 1980-12-26 Hitachi Ltd Semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5532221A (en) * 1978-08-24 1980-03-06 Toshiba Corp Saturation level detector
JPS5558555A (en) * 1978-10-25 1980-05-01 Hitachi Ltd Electronic device and its manufacture
JPS55166942A (en) * 1979-06-15 1980-12-26 Hitachi Ltd Semiconductor device

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