JPS6218713A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
- Publication number
- JPS6218713A JPS6218713A JP60158616A JP15861685A JPS6218713A JP S6218713 A JPS6218713 A JP S6218713A JP 60158616 A JP60158616 A JP 60158616A JP 15861685 A JP15861685 A JP 15861685A JP S6218713 A JPS6218713 A JP S6218713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist
- chuck
- developing device
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路のパターン形成に使用さ詐る現
像装置に係シ、特に、ポジ型放射線感応レジストを、有
機溶剤系の処理液によりスプレー現像する為の現像装置
の改良に関する。
像装置に係シ、特に、ポジ型放射線感応レジストを、有
機溶剤系の処理液によりスプレー現像する為の現像装置
の改良に関する。
従来、この種の現像装置に、自動化の容易性。
低欠陥レベルでるる事、レジストハターンの寸法精度が
良い点等の理由から、回転する基板上に、現像液、リン
ス液をノズルからスプレー状に噴射することにより現像
処理を行なう、いわゆるスプレ一式現像装置であった。
良い点等の理由から、回転する基板上に、現像液、リン
ス液をノズルからスプレー状に噴射することにより現像
処理を行なう、いわゆるスプレ一式現像装置であった。
近年、半導体集積回路の微細化、高精度化の要求に応じ
てＤ ＵＶ レジスト、電子線レジスｅｐ ｔ−、ｘ、ルジスト等の放射線感応レジストが開発さｎ
％実用化されつつある。こしらのレジストは一般に現像
処理液として有機系の溶剤、例えばケトン類アルコール
類等が使」されているものが多い。ところがこれらの有
機溶剤を用いた現像液。
てＤ ＵＶ レジスト、電子線レジスｅｐ ｔ−、ｘ、ルジスト等の放射線感応レジストが開発さｎ
％実用化されつつある。こしらのレジストは一般に現像
処理液として有機系の溶剤、例えばケトン類アルコール
類等が使」されているものが多い。ところがこれらの有
機溶剤を用いた現像液。
リンス液は一般に揮発性が高く、上述したスプレ一方式
の現像装置に使用されると、スプレー状になる時、気化
熱が奪われる為処理液温度、被処理基板の温度が著しく
低下する。この温度低下は、前記レジストがポジ型放射
線感応レジストの場合、感度を著しく低下せしめ、半導
体集積回路の製造において生産性を悪くする原因となっ
ていた。
の現像装置に使用されると、スプレー状になる時、気化
熱が奪われる為処理液温度、被処理基板の温度が著しく
低下する。この温度低下は、前記レジストがポジ型放射
線感応レジストの場合、感度を著しく低下せしめ、半導
体集積回路の製造において生産性を悪くする原因となっ
ていた。
本発明の現像装置は、被処理基板全回転せしめるチャッ
クに該基板を加熱する機構を有している。
クに該基板を加熱する機構を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明による現像装置の一実施例を示す概略図
である。
である。
現像装置のチャンバー１内に設置さｎた真空チャック２
はモーターにより回転し、レジスト４が塗布され、次い
で選択露光さｎた基板３を水平に保持しながら、現像処
理中、所定の回転数で垂直な軸まわりに回転させる。レ
ジスト層の現像は、ノズル５より現像液６がスプレー状
に放出さｎｌこｎが前記回転基板にあたることによりな
さｆる。
はモーターにより回転し、レジスト４が塗布され、次い
で選択露光さｎた基板３を水平に保持しながら、現像処
理中、所定の回転数で垂直な軸まわりに回転させる。レ
ジスト層の現像は、ノズル５より現像液６がスプレー状
に放出さｎｌこｎが前記回転基板にあたることによりな
さｆる。
この時回転する真空チャックに内蔵さｎたヒーター７に
交流又は直流電源８より、真空チャックの回転軸に具備
さ几た端子９を介して任意の電圧が印加ざｎ１基板が任
意温度に加熱さ詐る。真空チャックに内蔵さｎたヒータ
ーは、第２図に示す様に、基板を均一に加熱する配置が
とらｎている。
交流又は直流電源８より、真空チャックの回転軸に具備
さ几た端子９を介して任意の電圧が印加ざｎ１基板が任
意温度に加熱さ詐る。真空チャックに内蔵さｎたヒータ
ーは、第２図に示す様に、基板を均一に加熱する配置が
とらｎている。
本発明による現像装置ヲ用いると、例えば東しく株）製
のポジ型電子線感応しジス）ＥＢＲ−９の感度は、現像
液としてメチルイソブチルケトンとイソプロピルアルコ
ールの混合比〔容積比〕８対２のものを用いて３分間ス
プレー現像を行なったところ、前述した通常のスプレー
現像では、 約１５μＣ／ｃｍ （加速電圧２０ Ｋ
Ｖ ）でメッタものが５μＣ／ｃ ｒｎ に同上した
。
のポジ型電子線感応しジス）ＥＢＲ−９の感度は、現像
液としてメチルイソブチルケトンとイソプロピルアルコ
ールの混合比〔容積比〕８対２のものを用いて３分間ス
プレー現像を行なったところ、前述した通常のスプレー
現像では、 約１５μＣ／ｃｍ （加速電圧２０ Ｋ
Ｖ ）でメッタものが５μＣ／ｃ ｒｎ に同上した
。
前記実施例は、チャックにヒーター會内蔵シた機構に関
して詳細全説明したが、本発明ｔま、こｎに限定さｎる
ものではなく、チャックの基板加熱機構としてはヒート
ポンプをチャックに内蔵し、これをチャックの回転軸部
で加熱し、基板に熱伝導させる方法も適用できる。
して詳細全説明したが、本発明ｔま、こｎに限定さｎる
ものではなく、チャックの基板加熱機構としてはヒート
ポンプをチャックに内蔵し、これをチャックの回転軸部
で加熱し、基板に熱伝導させる方法も適用できる。
以上説明したように本発明は、基板全回転せしめるチャ
ックに基板加熱の機構を設けることにより、有機溶剤系
の現像処理液を便用してポジ型放射線感応レジストのス
プレー現像を行なう場合に生じる処理液及び基板の温度
低下によるレジスト感度の著しい低下を防止し、レジス
トの高感度化が達成でき、高い生産性を有する半導体集
積回路の製造を可能にした。
ックに基板加熱の機構を設けることにより、有機溶剤系
の現像処理液を便用してポジ型放射線感応レジストのス
プレー現像を行なう場合に生じる処理液及び基板の温度
低下によるレジスト感度の著しい低下を防止し、レジス
トの高感度化が達成でき、高い生産性を有する半導体集
積回路の製造を可能にした。
第１図は本発明に係る現像装置の一実施例を示す概略図
、第２図は真空チャックに内蔵するヒーターの配置を示
す図である。 １・・・・・・チャンバー、２・・・・・・真空チャッ
ク、３・・・・・・基板、４・・・・・・レジスト、５
・・・・・・スプレーノズル、６・・・・・・現像液、
７・・・・・・ヒーター、８・・・・・・交流（直流）
電源、９・・・・・・端子。 二ニー入 代理人 弁理士 内 原 ヨ 東１図 第２図
、第２図は真空チャックに内蔵するヒーターの配置を示
す図である。 １・・・・・・チャンバー、２・・・・・・真空チャッ
ク、３・・・・・・基板、４・・・・・・レジスト、５
・・・・・・スプレーノズル、６・・・・・・現像液、
７・・・・・・ヒーター、８・・・・・・交流（直流）
電源、９・・・・・・端子。 二ニー入 代理人 弁理士 内 原 ヨ 東１図 第２図
Claims (1)
- ポジ型放射線感応レジストを用いたパターン形成にお
ける現像処理に用いられる、被処理基板を回転させなが
ら有機溶剤系の現像液及びリンス液を噴射するスプレー
現像装置において、被処理基板を回転せしめるチャック
に、基板加熱機構を有することを特徴とした現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158616A JPS6218713A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158616A JPS6218713A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218713A true JPS6218713A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15675600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60158616A Pending JPS6218713A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218713A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005019560A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | D S Giken:Kk | 塗布装置 |
| JP2006278856A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Tech In Tech Co Ltd | 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法 |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP60158616A patent/JPS6218713A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005019560A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | D S Giken:Kk | 塗布装置 |
| JP2006278856A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Tech In Tech Co Ltd | 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法 |
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