JPS6218808A - 反転増幅回路における入力バイアス電流補償回路 - Google Patents
反転増幅回路における入力バイアス電流補償回路Info
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- JPS6218808A JPS6218808A JP15730585A JP15730585A JPS6218808A JP S6218808 A JPS6218808 A JP S6218808A JP 15730585 A JP15730585 A JP 15730585A JP 15730585 A JP15730585 A JP 15730585A JP S6218808 A JPS6218808 A JP S6218808A
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は交流信号の電圧増幅回路、特に演算増幅器を用
いた反転増幅回路における入力バイアス電流補償回路に
関する。
いた反転増幅回路における入力バイアス電流補償回路に
関する。
(ロ)従来の技術
演算増幅器を用いた交流信号増幅回路は、通常第6図に
示すような反転増幅回路が知られている。
示すような反転増幅回路が知られている。
第6図において入力端子(1)より入力される交流信号
は、結合コンデンサ(C1)及び抵抗(R1)を介して
演算増幅器(2)の反転入力端子(ハ)に供給される。
は、結合コンデンサ(C1)及び抵抗(R1)を介して
演算増幅器(2)の反転入力端子(ハ)に供給される。
又該反転入力端子(→には演算増幅器(2)の出力端子
(3)より抵抗(R2)を介して出力信号が帰還されて
おり、このような接続により、増幅率(G)がG=R2
/R+ ・・・・・・■なる反転増幅回路
が構成される。
(3)より抵抗(R2)を介して出力信号が帰還されて
おり、このような接続により、増幅率(G)がG=R2
/R+ ・・・・・・■なる反転増幅回路
が構成される。
尚、抵抗(R5)は演算増幅器(2)の非反転入力端子
(ト)とグランド間に接続されており、該抵抗(R3)
の値は演算増幅器(2)の入力バイアス電流による電圧
降下が反転入力端子(→側及び非反転入力端子(ト)側
で等しくなるように設定される。即ち、反転入力端子(
→側の入力バイアス電iUt”(iBI)、非反転入力
端子(ト)側の入力バイアス電流1kc iB2 )と
すると、 ls+・R2=iBz・R5・・・・・・■なる関係と
なるように値が設定される3通常(iBI)と(iB2
ンはほぼ等しいため、R2==p、5
・・・・・・■となる。次に第6図の反転増幅回路にお
いて、増幅率を大きい値とした場合について考えてみる
。
(ト)とグランド間に接続されており、該抵抗(R3)
の値は演算増幅器(2)の入力バイアス電流による電圧
降下が反転入力端子(→側及び非反転入力端子(ト)側
で等しくなるように設定される。即ち、反転入力端子(
→側の入力バイアス電iUt”(iBI)、非反転入力
端子(ト)側の入力バイアス電流1kc iB2 )と
すると、 ls+・R2=iBz・R5・・・・・・■なる関係と
なるように値が設定される3通常(iBI)と(iB2
ンはほぼ等しいため、R2==p、5
・・・・・・■となる。次に第6図の反転増幅回路にお
いて、増幅率を大きい値とした場合について考えてみる
。
例えば、増幅率1000倍の場合には、前記0式より抵
抗(R2)は抵抗(R1)の+ 000f&の値となり
、抵抗(R四をIKΩとすれば抵抗(R2)は1MΩと
なる。従って抵抗(R5)については前記0式より抵抗
(R2)と同じ値の1MΩとするのが望ましい。
抗(R2)は抵抗(R1)の+ 000f&の値となり
、抵抗(R四をIKΩとすれば抵抗(R2)は1MΩと
なる。従って抵抗(R5)については前記0式より抵抗
(R2)と同じ値の1MΩとするのが望ましい。
一方、出力ノイズに関しては、演算増幅器は前述の入力
バイアス電流と同様ノイズ電流が存在するため、該ノイ
ズ電流による電圧降下が発生する。
バイアス電流と同様ノイズ電流が存在するため、該ノイ
ズ電流による電圧降下が発生する。
祈る電圧降下による出力ノイズ(VN)は、反転入力端
子(へ)側のノイズ電流を(iNj)、非反転入力端子
(ト)側のノイズ電流を(il2)とすると、VNζR
2・萄J]丁汀ηT訂 ・・・・・・■で表わされる。
子(へ)側のノイズ電流を(iNj)、非反転入力端子
(ト)側のノイズ電流を(il2)とすると、VNζR
2・萄J]丁汀ηT訂 ・・・・・・■で表わされる。
尚、第3図の入力端子(1)には、信号源インピーダン
スの充分低い信号源が接続され、又コンデンサ(C1)
は抵抗(R1)の値に対して充分大きいものとする。上
記0式において、ノイズ電流による電圧降下は前述のよ
うに抵抗(R1)が1にΩ、抵抗(R5)が1MΩの場
合、はぼ抵抗(R5)に二つて決筐り、該抵抗(R5)
によるノイズの発生は抵抗(R1)の100016とな
ることがわかる。
スの充分低い信号源が接続され、又コンデンサ(C1)
は抵抗(R1)の値に対して充分大きいものとする。上
記0式において、ノイズ電流による電圧降下は前述のよ
うに抵抗(R1)が1にΩ、抵抗(R5)が1MΩの場
合、はぼ抵抗(R5)に二つて決筐り、該抵抗(R5)
によるノイズの発生は抵抗(R1)の100016とな
ることがわかる。
従って氏ノイズ特性が要求される回路においては実用上
問題がある。
問題がある。
そこで低ノイズ特性を得るために、%4図に示すように
抵抗(R6)がOΩとなるよう非反転入力端子(イ)を
l!接ダグランド接続する場合がある。
抵抗(R6)がOΩとなるよう非反転入力端子(イ)を
l!接ダグランド接続する場合がある。
しかしこの場合は、前述のように入力バイアス電流によ
る電圧降下において反転入力端子(→側と非反転入力端
子(ト)側が不平衡となり、例えば演算増幅器(2)の
入力バイアス電流が1μAとすると、その影響として演
算増幅器(2〕の出力端子(3)に1μAXIMΩ=I
Vのオフセット電圧が現わnる。
る電圧降下において反転入力端子(→側と非反転入力端
子(ト)側が不平衡となり、例えば演算増幅器(2)の
入力バイアス電流が1μAとすると、その影響として演
算増幅器(2〕の出力端子(3)に1μAXIMΩ=I
Vのオフセット電圧が現わnる。
従ってこのオフセット電圧分だけ増幅出力の振幅が制限
されることになる。
されることになる。
そこで、従来よシ@5図に示すように入力バイアス電流
を補償する方法が用いられている(例えば、ナショナル
セミコンダクタ社リニアデータブック1982、R3−
180参照ン。
を補償する方法が用いられている(例えば、ナショナル
セミコンダクタ社リニアデータブック1982、R3−
180参照ン。
即ち、所る方法は、演算増幅器(4)と同じ入力バイア
ス′4流(ilの演算項iIa器(5)を用い、そのバ
イアスミ4流(iB)をトランジスタ(6)により変換
17、演算増幅器(4)の非反転入力端子(ト)側の入
力バイアス電流(iB)を吸い込む方法である。
ス′4流(ilの演算項iIa器(5)を用い、そのバ
イアスミ4流(iB)をトランジスタ(6)により変換
17、演算増幅器(4)の非反転入力端子(ト)側の入
力バイアス電流(iB)を吸い込む方法である。
第5図の従来例は非反転増幅回路に応用したものである
が、これを第4図の反転増幅回路に応用した場合は第6
図のようになる。即ち、第6図においては、演算増幅器
(2)の反転入力端子(ハ)側の入力バイアス電流(i
B)を前述の第5図と同様にトランジスタ(6)により
吸い込むことにより、抵抗(R2)での入力バイアス′
Iii流による電圧降下を無くすものである。
が、これを第4図の反転増幅回路に応用した場合は第6
図のようになる。即ち、第6図においては、演算増幅器
(2)の反転入力端子(ハ)側の入力バイアス電流(i
B)を前述の第5図と同様にトランジスタ(6)により
吸い込むことにより、抵抗(R2)での入力バイアス′
Iii流による電圧降下を無くすものである。
尚、コンタン+j((:B)はノイズ′4流による電圧
降下を交流頭載で減少させるために設けられたものであ
る。
降下を交流頭載で減少させるために設けられたものであ
る。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
上述した第6図の反転増幅回路における入力バイアス電
流補償回路では、 ■ 演算増幅器の反転入力端子に容瀘性の負荷(この場
合トランジスタのコレクタ出力容量)が接続されると、
発振等回路前作の安定性が損なわれる場合がある。
流補償回路では、 ■ 演算増幅器の反転入力端子に容瀘性の負荷(この場
合トランジスタのコレクタ出力容量)が接続されると、
発振等回路前作の安定性が損なわれる場合がある。
■ 複数の増幅回路を補償する場合、別々に補償回路が
必要となり回路規模が大きくなる。
必要となり回路規模が大きくなる。
■ 複数の増幅回路構成のものをIC化する場合、コン
デンサの個数が多くIC化に適さない。
デンサの個数が多くIC化に適さない。
等の問題がある。
に)間爪点を解決するための手段
本発明は反転増幅回路を構成する第1の演算増幅器と同
じ特性(入力バイアス電流)の第2の演算増幅器を用意
し、該第2の演算増幅器の出力端子と反転入力端子とを
直接結合し、又′f;2の演算増幅器の非反転入力端子
とグランド間に抵抗及びコンデンサの並列素子を接続し
、%1の演算項幅器の非反転入力端子と第2の演算増幅
器の出力端子とを接続したものである。
じ特性(入力バイアス電流)の第2の演算増幅器を用意
し、該第2の演算増幅器の出力端子と反転入力端子とを
直接結合し、又′f;2の演算増幅器の非反転入力端子
とグランド間に抵抗及びコンデンサの並列素子を接続し
、%1の演算項幅器の非反転入力端子と第2の演算増幅
器の出力端子とを接続したものである。
(ホ)作 用
反転増幅回路を構成する第1の演算増幅器で発生する入
力バイアス電流の不平衡による出力オフセット電圧と同
じ電圧値の出力を、第2の演算増幅器より得、この第2
の演算増幅器の出力を第1の演算増幅器の非反転入力端
子に印加することによって出力オフセット電圧を打ち消
すことが出来る。
力バイアス電流の不平衡による出力オフセット電圧と同
じ電圧値の出力を、第2の演算増幅器より得、この第2
の演算増幅器の出力を第1の演算増幅器の非反転入力端
子に印加することによって出力オフセット電圧を打ち消
すことが出来る。
(へ) 実 施 例
以下本発明を実施例とともに説明する。第1図は本発明
の反転増幅回路における入力バイアス電流の補償回路で
あり、入力端子(1)、結合コンデンサ(C1)、抵抗
(Rj)(R2)、演算項1福器(2)、出力端子(3
)よりなる反転増幅回路は、前述の第6図と同様である
。
の反転増幅回路における入力バイアス電流の補償回路で
あり、入力端子(1)、結合コンデンサ(C1)、抵抗
(Rj)(R2)、演算項1福器(2)、出力端子(3
)よりなる反転増幅回路は、前述の第6図と同様である
。
本発明による入力バイアス電流の補償方法は、従来演算
増幅器(2)の反転入力端子(ハ)側より補償回路によ
って入力バイアス電流を電流源で吸い込んでいたのに対
し、第1の演算増幅@(2)と同じ特性(入力バイアス
電流)の第2の演算項m器(7)を孜け、該第2の演算
増幅器17)の非反転入力端子(ト)側に抵抗(RB)
及びコンデンサ(CB)の並列素子をグランド間に接続
し、反転入力端子(→は出力端子と抵抗値Oで接続する
ことにより該演算増#A器(7)の出力に2いて入力バ
イアス電流による電圧降下、即ち(iB−gB)なる億
の電圧源出力を得、この出力を第1の演算増幅器(2)
の非反転入力端子(ト)側に供給することによって、第
1の演算増幅器(2)の出力端子(3)におけるオフセ
ット電圧を打ち消すように構成したものである。
増幅器(2)の反転入力端子(ハ)側より補償回路によ
って入力バイアス電流を電流源で吸い込んでいたのに対
し、第1の演算増幅@(2)と同じ特性(入力バイアス
電流)の第2の演算項m器(7)を孜け、該第2の演算
増幅器17)の非反転入力端子(ト)側に抵抗(RB)
及びコンデンサ(CB)の並列素子をグランド間に接続
し、反転入力端子(→は出力端子と抵抗値Oで接続する
ことにより該演算増#A器(7)の出力に2いて入力バ
イアス電流による電圧降下、即ち(iB−gB)なる億
の電圧源出力を得、この出力を第1の演算増幅器(2)
の非反転入力端子(ト)側に供給することによって、第
1の演算増幅器(2)の出力端子(3)におけるオフセ
ット電圧を打ち消すように構成したものである。
即ち、入力バイアス電流(ia)による出力端子(3)
におけるオフセット電圧(VO82) と、入力バイ
アス電流(iB)による演算増幅器+7)の出力におけ
るオフセット電圧(Voss)は、Vos5= 1B
−RB なる鑑となり、ここで RB=R2・・・・・・■ にした場合、出力端子(3)においてはVos2+”1
10ss=−i B−R2+i B−R2=0
・・・・・・ののように打ち消され
ることとなる。
におけるオフセット電圧(VO82) と、入力バイ
アス電流(iB)による演算増幅器+7)の出力におけ
るオフセット電圧(Voss)は、Vos5= 1B
−RB なる鑑となり、ここで RB=R2・・・・・・■ にした場合、出力端子(3)においてはVos2+”1
10ss=−i B−R2+i B−R2=0
・・・・・・ののように打ち消され
ることとなる。
尚、第1図におけるコンデンサ(CB)は交流インピー
ダンスを下げ、ノイズ電流による電圧降下を最小にする
ため接続されているものであり、前述の出力オフセット
電圧等直流動作には関係しないものである。
ダンスを下げ、ノイズ電流による電圧降下を最小にする
ため接続されているものであり、前述の出力オフセット
電圧等直流動作には関係しないものである。
次に本発明の入力バイアス電流補償回路を複数の反転増
幅回路に対して共通に適用した実施例を第2図に基づき
説明する。
幅回路に対して共通に適用した実施例を第2図に基づき
説明する。
即ち、入力端子(1−N)、結合コンアンV(CI −
N )、抵抗(Rj−N)、(R2−N)、演算増幅器
(2−N )、出力端子(3−N)からなるN個の反転
増幅回路に対し、コンデンサ(CB)、抵抗(RB)及
び演算増幅器(7)からなる1回路の入力バイアス電流
補償回路の出力を、前記演算増幅器(2−N )の非反
転入力端子(ト)に共通に供給するように構成すること
により、Ntdの反転増幅回路の出力オフセット電圧を
同時に打ち消すことが出来る。
N )、抵抗(Rj−N)、(R2−N)、演算増幅器
(2−N )、出力端子(3−N)からなるN個の反転
増幅回路に対し、コンデンサ(CB)、抵抗(RB)及
び演算増幅器(7)からなる1回路の入力バイアス電流
補償回路の出力を、前記演算増幅器(2−N )の非反
転入力端子(ト)に共通に供給するように構成すること
により、Ntdの反転増幅回路の出力オフセット電圧を
同時に打ち消すことが出来る。
尚、祈る構成の場合、演算増幅器(2−1)〜(2−N
)及び(7)は同じ特性のもの、又抵抗(R2−1)
〜(R2−N)及び(RB)は、0式に示す関係に設定
されている。
)及び(7)は同じ特性のもの、又抵抗(R2−1)
〜(R2−N)及び(RB)は、0式に示す関係に設定
されている。
R2−+ :・・・・・・R2−N = RB・・・・
・・■(ト)発明の効果 以上述べたように、本発明の入力バイアス電流補償回路
は反転増幅回路を構成する演算増幅器の非反転入力端子
側に電圧源として接続されるため、第6図に示す従来例
のように反転入力端子側て容量性負荷が接続されること
による発振、回路幼作の不安定等の問題が解決され、又
本発明の入力バイアス@流補償回路は電圧源出力となる
ため、一つの回路で褒欽個の反転増幅回路を同時に補償
することが出来るものである。
・・■(ト)発明の効果 以上述べたように、本発明の入力バイアス電流補償回路
は反転増幅回路を構成する演算増幅器の非反転入力端子
側に電圧源として接続されるため、第6図に示す従来例
のように反転入力端子側て容量性負荷が接続されること
による発振、回路幼作の不安定等の問題が解決され、又
本発明の入力バイアス@流補償回路は電圧源出力となる
ため、一つの回路で褒欽個の反転増幅回路を同時に補償
することが出来るものである。
本発明に依れば、回路構成が簡単で且つ必要最小限のコ
ンデンサで構成することが出来るので、IC化する場合
に好適である。
ンデンサで構成することが出来るので、IC化する場合
に好適である。
第1図及び第2図は本発明による入力バイアス電流補償
回路の実施例、第6図は演算増幅器を用いた反転増幅回
路の動作を説明する図、第4図はノイズを低減するため
の反転増幅回路、第5図は入力バイアス電流を補償する
非反転増I陥回路の従来例、第6図は同じく入力バイア
ス′屯流を補償する反転41鴫回路の従来例である。 (2)・・・第1の演算増幅器、(7)・・・第2の演
算$li@器。
回路の実施例、第6図は演算増幅器を用いた反転増幅回
路の動作を説明する図、第4図はノイズを低減するため
の反転増幅回路、第5図は入力バイアス電流を補償する
非反転増I陥回路の従来例、第6図は同じく入力バイア
ス′屯流を補償する反転41鴫回路の従来例である。 (2)・・・第1の演算増幅器、(7)・・・第2の演
算$li@器。
Claims (3)
- (1)反転入力端子、非反転入力端子及び出力端子を有
する第1の演算増幅器と、該演算増幅器の出力端子より
反転入力端子に信号を帰還する帰還抵抗と、前記演算増
幅器の反転入力に直列に接続された結合コンデンサ及び
抵抗の直列素子とより成る反転増幅回路に於いて、前記
第1の演算増幅器と同じ特性を有し出力端子と反転入力
端子が直接結合された第2の演算増幅器と、該第2の演
算増幅器の非反転入力端子とグランド間に接続された抵
抗及びコンデンサの並列素子とを具備し、前記第1の演
算増幅器の非反転入力端子と前記第2の演算増幅器の出
力端子とを接続したことを特徴とする反転増幅回路にお
ける入力バイアス電流補償回路。 - (2)前記第1の演算増幅器による反転増幅回路を複数
個設け、前記複数個の演算増幅器の各非反転入力端子に
対し、前記第2の演算増幅器の出力端子を接続したこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の反転増幅回路
における入力バイアス電流補償回路。 - (3)前記第1の演算増幅器の帰還抵抗と、前記第2の
演算増幅器の非反転入力端子とグランド間に接続された
抵抗とを等しい値にしたことを特徴とする特許請求の範
囲第1項及び第2項記載の反転増幅回路における入力バ
イアス電流補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15730585A JPS6218808A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 反転増幅回路における入力バイアス電流補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15730585A JPS6218808A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 反転増幅回路における入力バイアス電流補償回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218808A true JPS6218808A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15646758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15730585A Pending JPS6218808A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 反転増幅回路における入力バイアス電流補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218808A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132208A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号増幅回路 |
| JP2009081537A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2018170694A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 株式会社エヌエフ回路設計ブロック | 増幅回路および増幅装置 |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP15730585A patent/JPS6218808A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132208A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号増幅回路 |
| JP2009081537A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2018170694A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 株式会社エヌエフ回路設計ブロック | 増幅回路および増幅装置 |
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