JPS62188599A - 超音波探触子 - Google Patents
超音波探触子Info
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- JPS62188599A JPS62188599A JP3014786A JP3014786A JPS62188599A JP S62188599 A JPS62188599 A JP S62188599A JP 3014786 A JP3014786 A JP 3014786A JP 3014786 A JP3014786 A JP 3014786A JP S62188599 A JPS62188599 A JP S62188599A
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- JP
- Japan
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- piezoelectric element
- current
- ultrasonic probe
- housing
- probe
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- Pending
Links
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Landscapes
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は過電流による圧電素子の破壊を防止した超音波
探触子に関する。
探触子に関する。
近年、各種構造物の非破壊検査9体内医療診断等に超音
波が一般的な方法として用いられるようになってきたが
、これらの非破壊検査に用いられる超音波探触子は被検
体の広い領域にわたって高感度・高分解能であることが
望ましく、そのために通常数00Vの電圧が印加される
。このような超音波探触子に用いられる圧電素子は、電
気機械結合係数の大きいジルコン・チタン酸鉛(PZT
)より構成されるが、この材料は同時に強誘電体でもあ
るため、上記のような高い電圧を印加することによって
ヒステリシスループを描き、通常の誘電率損失(tan
δ喪失)による発熱とヒステリシス損失による発熱とが
重畳されている。
波が一般的な方法として用いられるようになってきたが
、これらの非破壊検査に用いられる超音波探触子は被検
体の広い領域にわたって高感度・高分解能であることが
望ましく、そのために通常数00Vの電圧が印加される
。このような超音波探触子に用いられる圧電素子は、電
気機械結合係数の大きいジルコン・チタン酸鉛(PZT
)より構成されるが、この材料は同時に強誘電体でもあ
るため、上記のような高い電圧を印加することによって
ヒステリシスループを描き、通常の誘電率損失(tan
δ喪失)による発熱とヒステリシス損失による発熱とが
重畳されている。
(発明が解決しようとする問題点)
一方、最近では超音波の研究開発も進んでおり、その一
つにパルス圧縮技術がある。ところが、このパルス圧縮
技術を利用する場合、探触子の発熱がさらに大きくなり
、放熱対策が不十分であると圧電素子が破壊されるおそ
れがある。特に超音波内視鏡のように探触子を体内へ挿
入する場合には、圧電素子の破壊が探触子全体の構造的
破壊を招く場合もあり、単に探触子の機能が停止するだ
けではなく、安全上好ましくない状態に陥ることになる
。また、構造物の非破壊検査においても圧電素子の破壊
によって構造物への電流のリークが発生し、種々の弊害
を及ぼすおそれがある。
つにパルス圧縮技術がある。ところが、このパルス圧縮
技術を利用する場合、探触子の発熱がさらに大きくなり
、放熱対策が不十分であると圧電素子が破壊されるおそ
れがある。特に超音波内視鏡のように探触子を体内へ挿
入する場合には、圧電素子の破壊が探触子全体の構造的
破壊を招く場合もあり、単に探触子の機能が停止するだ
けではなく、安全上好ましくない状態に陥ることになる
。また、構造物の非破壊検査においても圧電素子の破壊
によって構造物への電流のリークが発生し、種々の弊害
を及ぼすおそれがある。
本発明はこのような事情にもとづいてなされたもので、
その目的は、過電流による圧電素子の破壊を防止し、信
頼性および安全性の高い超音波探触子を提供することに
ある。
その目的は、過電流による圧電素子の破壊を防止し、信
頼性および安全性の高い超音波探触子を提供することに
ある。
上記目的を達成するために本発明は、圧i!素子が収容
されたハウジング内に温度に応じて電流値を制限する電
流制限素子を設け、この電流制限素子を前記圧電素子に
直列接続したことを特徴としている。
されたハウジング内に温度に応じて電流値を制限する電
流制限素子を設け、この電流制限素子を前記圧電素子に
直列接続したことを特徴としている。
本発明においては、探触子の発熱層が大きくなると電流
制限素子が作動して圧電素子への供給電流がI11限さ
れるので圧電素子の破壊を防止できる。
制限素子が作動して圧電素子への供給電流がI11限さ
れるので圧電素子の破壊を防止できる。
以下、本発明を図面に示す実施例にもとづいて説明する
。
。
第1図は本発明に係る超音波探触子の一実施例を示すも
ので、探触子の一部分を断面で示したものである。同図
において符号1はPZT等からなる圧電素子で、この圧
電素子1はステンレス鋼等の金属を円筒(または角筒)
状に形成したハウジング2内に収容されている。そして
、圧電素子1の超音波送受側には音響整合層3が配置さ
れ、その反対側にはダンピング層4およびシール層5が
重なり合った状態で配置されている。なお、ダンピング
層4とハウジング2との間には絶縁層6が設けられてい
る。
ので、探触子の一部分を断面で示したものである。同図
において符号1はPZT等からなる圧電素子で、この圧
電素子1はステンレス鋼等の金属を円筒(または角筒)
状に形成したハウジング2内に収容されている。そして
、圧電素子1の超音波送受側には音響整合層3が配置さ
れ、その反対側にはダンピング層4およびシール層5が
重なり合った状態で配置されている。なお、ダンピング
層4とハウジング2との間には絶縁層6が設けられてい
る。
前記圧電素子1の両面は電極となっており、超音波送受
側の電極にはリード線7が接続されている。このリード
417はハウジング2に接続しており、圧電素子1をハ
ウジング2にアースさせた構造となっている。また、超
音波送受側と反対の電極にはり−ド1118が接続され
ている。このリードla8は前記ダンピング層4および
シール層5内を通り、ハウジング2の下部に設けられた
同軸ケーブル9に接続しており、同軸ケーブル9とリー
ド$18との間には正特性サーミスタ1oが介挿されて
いる。この正特性サーミスタ10は前記シール1I15
内に設けられ、シール層5はシリコン等の絶縁性シール
材から形成されている。
側の電極にはリード線7が接続されている。このリード
417はハウジング2に接続しており、圧電素子1をハ
ウジング2にアースさせた構造となっている。また、超
音波送受側と反対の電極にはり−ド1118が接続され
ている。このリードla8は前記ダンピング層4および
シール層5内を通り、ハウジング2の下部に設けられた
同軸ケーブル9に接続しており、同軸ケーブル9とリー
ド$18との間には正特性サーミスタ1oが介挿されて
いる。この正特性サーミスタ10は前記シール1I15
内に設けられ、シール層5はシリコン等の絶縁性シール
材から形成されている。
次に正特性サーミスタ1oの作用について説明する。
第2図は正特性サーミスタの抵抗値と温度の関係を示し
たもので、同図から正特性サーミスタ10はある一定温
度(Tc)以上になると、その抵抗値が急激に上昇する
ことがわかる。従って、第3因の如く圧電素子1に正特
性サーミスタ10を直列に接続することにより、圧電素
子1への供給電流を探触子の発熱!(温度)に応じて制
限することができる。なお、上記実施例では正特性サー
ミスタ1oをシール層5内に設けたが、第4図のように
ダンピング層4内に設けてもよい。ただし、その場合に
は正特性サーミスタ10全体を絶縁材11で被包する必
要がある。
たもので、同図から正特性サーミスタ10はある一定温
度(Tc)以上になると、その抵抗値が急激に上昇する
ことがわかる。従って、第3因の如く圧電素子1に正特
性サーミスタ10を直列に接続することにより、圧電素
子1への供給電流を探触子の発熱!(温度)に応じて制
限することができる。なお、上記実施例では正特性サー
ミスタ1oをシール層5内に設けたが、第4図のように
ダンピング層4内に設けてもよい。ただし、その場合に
は正特性サーミスタ10全体を絶縁材11で被包する必
要がある。
また、第5図の如く正特性サーミスタ10を圧電素子1
とほぼ同じ直径のディスク状に形成し、その裏表のディ
スク面に電極を設けてエポキシ接着剤、導電性接着剤、
半田付は等により圧電素子1に直接接合してもよい。こ
のようにすれば正特性サーミスタ10の音響インピーダ
ンスは圧電素子1のそれに近い値を示すため、超音波の
周波数は正特性サーミスタの厚みに相当する分だけ低下
する反面、音響整合13にガラス等の非圧電性材料を用
いた場合に発生する屈自振動を防止できるとともに、電
気的ダンピング効果によるリンギング現像を抑圧できる
という効果がある。
とほぼ同じ直径のディスク状に形成し、その裏表のディ
スク面に電極を設けてエポキシ接着剤、導電性接着剤、
半田付は等により圧電素子1に直接接合してもよい。こ
のようにすれば正特性サーミスタ10の音響インピーダ
ンスは圧電素子1のそれに近い値を示すため、超音波の
周波数は正特性サーミスタの厚みに相当する分だけ低下
する反面、音響整合13にガラス等の非圧電性材料を用
いた場合に発生する屈自振動を防止できるとともに、電
気的ダンピング効果によるリンギング現像を抑圧できる
という効果がある。
なお、第1図に示した第1実施例のシール115および
第4図に示した第2実施例の絶縁材11は、シリコン等
の弾力性のある材料を用いるのが望ましい。これは正特
性サーミスタが急激に瀉度上昇した時の熱膨張による応
力をシール層5または絶縁材11で吸収するためである
。
第4図に示した第2実施例の絶縁材11は、シリコン等
の弾力性のある材料を用いるのが望ましい。これは正特
性サーミスタが急激に瀉度上昇した時の熱膨張による応
力をシール層5または絶縁材11で吸収するためである
。
以上のように本発明によれば、圧電素子が収容されたハ
ウジング内に温度に応じて電流値を制限する電流制限素
子を設け、この電流制限素子を前記圧電素子に直列接続
することにより圧電素子への供給電流を探触子の発熱量
に応じて制限できるので、過電流による圧電素子の破壊
を防止でき、信頼性および安全性の高い超音波探触子を
提供できる。
ウジング内に温度に応じて電流値を制限する電流制限素
子を設け、この電流制限素子を前記圧電素子に直列接続
することにより圧電素子への供給電流を探触子の発熱量
に応じて制限できるので、過電流による圧電素子の破壊
を防止でき、信頼性および安全性の高い超音波探触子を
提供できる。
第1図は本発明の第1実施例を示す超音波探触子の断面
図、第2図は正特性サーミスタの温度−抵抗値特性を示
す線図、第3図は第1実施例の回路図、第4図は本発明
の第2実施例を示す超音波探触子の断面図、第5図は本
発明の第3実施例を示す超音波探触子の断面図である。 1・・・圧電素子、2・・・ハウジング、3・・・音響
整合層、4・・・ダンピング層、5・・・シール層、6
・・・絶縁層、7.8・・・リード線、9・・・同軸ケ
ーブル、10・・・正特性サーミスタ。 出願人代理人 弁理士 坪井 淳 第1図 第2図 第3図′24 図 第5図
図、第2図は正特性サーミスタの温度−抵抗値特性を示
す線図、第3図は第1実施例の回路図、第4図は本発明
の第2実施例を示す超音波探触子の断面図、第5図は本
発明の第3実施例を示す超音波探触子の断面図である。 1・・・圧電素子、2・・・ハウジング、3・・・音響
整合層、4・・・ダンピング層、5・・・シール層、6
・・・絶縁層、7.8・・・リード線、9・・・同軸ケ
ーブル、10・・・正特性サーミスタ。 出願人代理人 弁理士 坪井 淳 第1図 第2図 第3図′24 図 第5図
Claims (4)
- (1)ハウジング内に収容された圧電素子に電圧を印加
して超音波を発生させる超音波探触子において、前記ハ
ウジング内に温度に応じて電流値を制限する電流制限素
子を設け、この電流制限素子を前記圧電素子に直列接続
したことを特徴とする超音波探触子。 - (2)前記電流制限素子は、正特性サーミスタである特
許請求の範囲第(1)項記載の超音波探触子。 - (3)前記正特性サーミスタは、その表面全体を絶縁材
で被覆されていることを特徴とする特許請求の範囲第(
2)項記載の超音波探触子。 - (4)前記絶縁材は、シリコン等の弾力性のある材料か
らなる特許請求の範囲第(3)項記載の超音波探触子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014786A JPS62188599A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 超音波探触子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014786A JPS62188599A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 超音波探触子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188599A true JPS62188599A (ja) | 1987-08-18 |
Family
ID=12295649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3014786A Pending JPS62188599A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 超音波探触子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62188599A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156609U (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-14 | ||
| JPH021247A (ja) * | 1988-03-02 | 1990-01-05 | Toshiba Corp | 超音波診断装置 |
-
1986
- 1986-02-14 JP JP3014786A patent/JPS62188599A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156609U (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-14 | ||
| JPH021247A (ja) * | 1988-03-02 | 1990-01-05 | Toshiba Corp | 超音波診断装置 |
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