JPS62190809A - 電圧非直線性素子 - Google Patents
電圧非直線性素子Info
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- JPS62190809A JPS62190809A JP61034640A JP3464086A JPS62190809A JP S62190809 A JPS62190809 A JP S62190809A JP 61034640 A JP61034640 A JP 61034640A JP 3464086 A JP3464086 A JP 3464086A JP S62190809 A JPS62190809 A JP S62190809A
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- zno
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は印加電圧によって抵抗値が変化する電圧非直線
性素子に関するもので、電圧安定化、異常電圧制御、さ
らにはマ） ＩＪラックス動の液晶。
性素子に関するもので、電圧安定化、異常電圧制御、さ
らにはマ） ＩＪラックス動の液晶。
ＥＬなどの表示デバイスのスイッチング素子などに利用
されるものである。
されるものである。
従来の技術
従来の電圧非直線性素子は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化
ヒスマス（Ｂｉ２０．）、酸化コノ（ルト（Ｃｏ２０５
）。
ヒスマス（Ｂｉ２０．）、酸化コノ（ルト（Ｃｏ２０５
）。
酸化マンガｙ （Ｍｎ０２） ＋酸化アンチモン（Ｓｔ
）２０．）などの酸化物を添加して、１０００〜１３５
０’Ｃで焼結したＺｎＯバリスタなど、種々のものがあ
る。
）２０．）などの酸化物を添加して、１０００〜１３５
０’Ｃで焼結したＺｎＯバリスタなど、種々のものがあ
る。
その中で、ＺｎＯバリスタは電圧非直線指数α、サージ
耐量が大きいことから、最も一般的に使われている。（
特公昭４６−１９４７２号公報参照）発明が解決しよう
とする問題点 このような従来の電圧非直線性素子は、ＺｎＯバリスタ
を初めとして、素子厚みを薄く（数十μｍ以下）するこ
とに限界があるため、バリスタ電圧（バリスタに電流１
ｍムを流した時の電圧７４ｍ人で表される］を低くする
ことに限界があり、低電圧用ＩＣの保護素子や低い電圧
における電圧安定化素子として使えないものであった。
耐量が大きいことから、最も一般的に使われている。（
特公昭４６−１９４７２号公報参照）発明が解決しよう
とする問題点 このような従来の電圧非直線性素子は、ＺｎＯバリスタ
を初めとして、素子厚みを薄く（数十μｍ以下）するこ
とに限界があるため、バリスタ電圧（バリスタに電流１
ｍムを流した時の電圧７４ｍ人で表される］を低くする
ことに限界があり、低電圧用ＩＣの保護素子や低い電圧
における電圧安定化素子として使えないものであった。
また、上述したように１０００°Ｃ以上の高温プロセス
を必要とするため、ガラス基板上あるいは回路基板上に
電圧非直線性素子を直接形成できないという問題があっ
た。さらに、従来のものは並列静電容量が大きく、例え
ば液晶などのスイッチング素子としては不適当なもので
あるなどの問題点を有していた０ 問題点を解決するだめの手段 この問題点を解決するために本発明は、薄い絶縁被膜を
有した微粉末状の半導体物質が複数個集まった状態を一
つの粉末とし、その粉末間もしくは一部に上記微粉末を
含む粉末間を絶縁性の結合剤で固め、電極を備えてなる
ものである。
を必要とするため、ガラス基板上あるいは回路基板上に
電圧非直線性素子を直接形成できないという問題があっ
た。さらに、従来のものは並列静電容量が大きく、例え
ば液晶などのスイッチング素子としては不適当なもので
あるなどの問題点を有していた０ 問題点を解決するだめの手段 この問題点を解決するために本発明は、薄い絶縁被膜を
有した微粉末状の半導体物質が複数個集まった状態を一
つの粉末とし、その粉末間もしくは一部に上記微粉末を
含む粉末間を絶縁性の結合剤で固め、電極を備えてなる
ものである。
作用
この構成によれば、抵電流域においても電圧非直線指数
αの大きなものが得られ、かつ電極間距離を狭く（数十
μｍ以下）して素子を形成することができ、低電圧化に
適した素子がきわめて容易に得られることとなる。また
、結合剤で固めて素子形成を行う際に高温プロセスを必
要とすることなく作ることができるため、回路基板上に
素子を直接形成することができ、ＺｎＯバリスタなどで
は考えられない幅広い用途が期待できるものである。
αの大きなものが得られ、かつ電極間距離を狭く（数十
μｍ以下）して素子を形成することができ、低電圧化に
適した素子がきわめて容易に得られることとなる。また
、結合剤で固めて素子形成を行う際に高温プロセスを必
要とすることなく作ることができるため、回路基板上に
素子を直接形成することができ、ＺｎＯバリスタなどで
は考えられない幅広い用途が期待できるものである。
さらに、粉末状の半導体物質を固めたものであるため、
それぞれの半導体物質の粉末間は点接触となり、接触面
積が小さいことから並列静電容量の小さなものが得られ
、液晶などのデバイスのスイッチング素子として最適な
素子が提供できることとなる。
それぞれの半導体物質の粉末間は点接触となり、接触面
積が小さいことから並列静電容量の小さなものが得られ
、液晶などのデバイスのスイッチング素子として最適な
素子が提供できることとなる。
実施例
以下、本発明を実施例にもとづいて詳細に説明する。
まず、粒子径が０．０５〜１μｍの微粒子状の酸化亜鉛
を７００〜１３ｏｏ′Ｃで焼成した後、その焼結された
ＺｎＯを０．６〜６０μｍの粒子径（平均粒子径１〜１
０μｍ）に粉砕し、そのＺｎＯ微粉末に酸化コバルトを
０．０６〜１ｏｍｏ１％添加し、ｅｏｏ〜１３６０℃で
１０〜６０分間、熱処理し、そのＺｎＯ微粉末表面に酸
化コバルトの絶縁被膜を形成した。ここで、微粉末状の
ＺｎＯの表面にはＣｏ２０．絶縁被膜がほぼ数十〜数百
人の厚さで薄く形成されていることが認められた。次い
で、このようにして作成したＣｏ２０．絶縁被膜が表面
についたＺｎＯ微粉末はそれぞれが弱い力で互いに接着
しているので、これを乳鉢あるいはポットミルでほぐし
、上記ＺｎＯ微粉末がそれぞれ複数個集まった微粉末群
の状態とした（以下、この状態のものを粉末状という）
０この時、一部に上記ＺｎＯ微粉末が単独で存在しても
差支えないものであり、このようなＺｎＯ微粉末を一部
に含んでの状態のものも粉末状という。次に、上記のよ
うにして得られたＣＯ２Ｏ３絶縁被膜が表面に形成され
た粉末状のＺｎＯに、粉末間の結合を図る絶縁性の結合
剤（バインダー）としてポリイミド樹脂を添加し、混合
した。
を７００〜１３ｏｏ′Ｃで焼成した後、その焼結された
ＺｎＯを０．６〜６０μｍの粒子径（平均粒子径１〜１
０μｍ）に粉砕し、そのＺｎＯ微粉末に酸化コバルトを
０．０６〜１ｏｍｏ１％添加し、ｅｏｏ〜１３６０℃で
１０〜６０分間、熱処理し、そのＺｎＯ微粉末表面に酸
化コバルトの絶縁被膜を形成した。ここで、微粉末状の
ＺｎＯの表面にはＣｏ２０．絶縁被膜がほぼ数十〜数百
人の厚さで薄く形成されていることが認められた。次い
で、このようにして作成したＣｏ２０．絶縁被膜が表面
についたＺｎＯ微粉末はそれぞれが弱い力で互いに接着
しているので、これを乳鉢あるいはポットミルでほぐし
、上記ＺｎＯ微粉末がそれぞれ複数個集まった微粉末群
の状態とした（以下、この状態のものを粉末状という）
０この時、一部に上記ＺｎＯ微粉末が単独で存在しても
差支えないものであり、このようなＺｎＯ微粉末を一部
に含んでの状態のものも粉末状という。次に、上記のよ
うにして得られたＣＯ２Ｏ３絶縁被膜が表面に形成され
た粉末状のＺｎＯに、粉末間の結合を図る絶縁性の結合
剤（バインダー）としてポリイミド樹脂を添加し、混合
した。
ここで、結合剤としてはポリイミド樹脂の固形分が溶剤
（例えばｎ−メチル−２−ピロリドンノに対して５ｗｔ
％となるように薄めたものとし、それをＺｎＯ粉末と例
えば等重量で混合し、ペイント状とした。次いで、上記
のようにして得られたペイントを第２図に示すようにＩ
ＴＯ（インジウム・スズ酸化物］電極１の設けられたガ
ラス基板３上に例えばスクリーン印刷で塗布し、その上
に同じく１丁０電極２の設けられたガラス基板４を載置
し、２８０〜４ｏｏ′Ｃで３０分間、大気中で硬化させ
、電極１，２間に電圧非直線性素子６を設けた。第１図
は、電圧非直線性素子６の拡大断面図であり、６はＺｎ
Ｏ粉末、７はＺｎＯ粉末６の表面に施されたＣｏ２０．
絶縁被膜、８はそれらＺｎＯ粉末６間を機械的に結合し
ている絶縁性の結合剤であり、この結合剤８でもってＺ
ｎＯ粉末６の間は互いに固められている。第３図はＩＴ
Ｏ電極１ａ、１ｂが設けられたガラス基板３＆上に電圧
非直線性素子６を構成した場合を示している。
（例えばｎ−メチル−２−ピロリドンノに対して５ｗｔ
％となるように薄めたものとし、それをＺｎＯ粉末と例
えば等重量で混合し、ペイント状とした。次いで、上記
のようにして得られたペイントを第２図に示すようにＩ
ＴＯ（インジウム・スズ酸化物］電極１の設けられたガ
ラス基板３上に例えばスクリーン印刷で塗布し、その上
に同じく１丁０電極２の設けられたガラス基板４を載置
し、２８０〜４ｏｏ′Ｃで３０分間、大気中で硬化させ
、電極１，２間に電圧非直線性素子６を設けた。第１図
は、電圧非直線性素子６の拡大断面図であり、６はＺｎ
Ｏ粉末、７はＺｎＯ粉末６の表面に施されたＣｏ２０．
絶縁被膜、８はそれらＺｎＯ粉末６間を機械的に結合し
ている絶縁性の結合剤であり、この結合剤８でもってＺ
ｎＯ粉末６の間は互いに固められている。第３図はＩＴ
Ｏ電極１ａ、１ｂが設けられたガラス基板３＆上に電圧
非直線性素子６を構成した場合を示している。
次に、上記のようにして作成された電圧非直線性素子の
電圧−電流特性について説明する。まず、第４図は第２
図の構成における電圧−電流特性を従来のＺｎＯバリス
タのそれと比較して示している。
電圧−電流特性について説明する。まず、第４図は第２
図の構成における電圧−電流特性を従来のＺｎＯバリス
タのそれと比較して示している。
本発明の素子は、まず酸化亜鉛を７００°Ｃで焼成し、
これにＣｏ２Ｏ３を０．５ｍ０１％添加したものを９０
０″Ｃ１６０分間熱処理した後、この平均粒子径６〜１
０μｍのＺｎＯ粉末と結合剤とを等重量で混合したもの
において、素子面積を１−１電極間距離を３０μｍとし
た場合における特性を示している。さて、電圧非直線性
素子の電圧−電流特性は、よく知られているように近似
的に次式で示されている。
これにＣｏ２Ｏ３を０．５ｍ０１％添加したものを９０
０″Ｃ１６０分間熱処理した後、この平均粒子径６〜１
０μｍのＺｎＯ粉末と結合剤とを等重量で混合したもの
において、素子面積を１−１電極間距離を３０μｍとし
た場合における特性を示している。さて、電圧非直線性
素子の電圧−電流特性は、よく知られているように近似
的に次式で示されている。
Ｉ＝ＫＶ“
ここで、Ｉは素子に流れる電流、Ｖは素子の電極間の電
圧、Ｋは固有抵抗の抵抗値に相当する定数、αは上述し
た電圧非直線特性の指数を示しており、この電圧非直線
指数αは大きい程、電圧非直線性が優れていることにな
る。
圧、Ｋは固有抵抗の抵抗値に相当する定数、αは上述し
た電圧非直線特性の指数を示しており、この電圧非直線
指数αは大きい程、電圧非直線性が優れていることにな
る。
第４図の特性に示されるように、特性Ｂで示される従来
のＺｎＯバリスタは低電流域において電圧非直線指数α
が小さく、１０ 五以下の電流では良好な電圧非直線性
素子としての機能を発揮し得ない。一方、特性ムで示さ
れる本発明の素子では低電流域においても電圧非直線指
数αが大きく、１０ ム程度の電流域でも十分に電圧非
直線性素子としての機能を発揮することができることを
示している。また、通常、ＺｎＯバリスタにおいてはバ
リスタ特性を表わすのに、例えば素子に１ ｍＡの電流
を流した時の電極間に現れる電圧をバリスタ電圧ｖ１ｍ
Ａと呼び、このバリスタ電圧ｖ１ｍＡと上記電圧非直線
指数αとを使用している。本発明の素子では、上述した
ように、低電流域においても電圧非直線指数αが大きく
、バリスタ電圧を第４図に示すように例えばｖ１１Ｉ人
で表わすことができる。
のＺｎＯバリスタは低電流域において電圧非直線指数α
が小さく、１０ 五以下の電流では良好な電圧非直線性
素子としての機能を発揮し得ない。一方、特性ムで示さ
れる本発明の素子では低電流域においても電圧非直線指
数αが大きく、１０ ム程度の電流域でも十分に電圧非
直線性素子としての機能を発揮することができることを
示している。また、通常、ＺｎＯバリスタにおいてはバ
リスタ特性を表わすのに、例えば素子に１ ｍＡの電流
を流した時の電極間に現れる電圧をバリスタ電圧ｖ１ｍ
Ａと呼び、このバリスタ電圧ｖ１ｍＡと上記電圧非直線
指数αとを使用している。本発明の素子では、上述した
ように、低電流域においても電圧非直線指数αが大きく
、バリスタ電圧を第４図に示すように例えばｖ１１Ｉ人
で表わすことができる。
このように本発明において、バリスタ電圧を低いものと
することができるのは、電極間距離を狭くして素子を形
成することができるためである。
することができるのは、電極間距離を狭くして素子を形
成することができるためである。
また１本発明素子において固型流域でも電圧非直線指数
αが大きい理由は、現在のところ理由は明確とはなって
いないが、粉末状の半導体物質（ＺｎＯ）を絶縁性の結
合剤でもって固めたものであるため、それぞれの半導体
物質の間は点接触となり、接触面積が小さいこと、また
結合剤が絶縁性のため、漏れ電流が小さくなっているこ
とによるものと考えられる。
αが大きい理由は、現在のところ理由は明確とはなって
いないが、粉末状の半導体物質（ＺｎＯ）を絶縁性の結
合剤でもって固めたものであるため、それぞれの半導体
物質の間は点接触となり、接触面積が小さいこと、また
結合剤が絶縁性のため、漏れ電流が小さくなっているこ
とによるものと考えられる。
ここで、第４図の特性は上述したように電極間距離を３
０μｍとした素子についてのものであるが、これはＺｎ
Ｏ粉末の平均粒径が６〜１０μｍという比較的大きな粒
子径のためにこれ以上狭くすることができないからであ
る。すなわち、ＺｎＯ粉末の平均粒子径が０．３〜３μ
ｍのものを使えば、電極間距離が１０μｍ程度、もしぐ
はそれ以下の素子を作成することができるのであシ、そ
の場合においても第４図に示すような良好な特性が得ら
れることを本発明者らは実験により確認した。
０μｍとした素子についてのものであるが、これはＺｎ
Ｏ粉末の平均粒径が６〜１０μｍという比較的大きな粒
子径のためにこれ以上狭くすることができないからであ
る。すなわち、ＺｎＯ粉末の平均粒子径が０．３〜３μ
ｍのものを使えば、電極間距離が１０μｍ程度、もしぐ
はそれ以下の素子を作成することができるのであシ、そ
の場合においても第４図に示すような良好な特性が得ら
れることを本発明者らは実験により確認した。
第６図は本発明において、酸化コバルトの添加量を変え
た場合のバリスタ電圧ｖ、７ム、電圧非直線指数αおよ
び並列静電容量Ｃの変化する様子を示している。ここで
、酸化亜鉛の焼成温度など、その他の条件は第４図の場
合の条件と同一とした。
た場合のバリスタ電圧ｖ、７ム、電圧非直線指数αおよ
び並列静電容量Ｃの変化する様子を示している。ここで
、酸化亜鉛の焼成温度など、その他の条件は第４図の場
合の条件と同一とした。
第６図に示されるように、本発明素子においては並列静
電容量が従来のＺｎＯバリスタが１ｏＯｏ〜２００００
Ｐ Ｆであるのに対して非常に小さいものとなっている
。この並列静電容量が本発明素子において小さい理由は
、上述したように半導体物質間の接触面積が小さいこと
によるものである。
電容量が従来のＺｎＯバリスタが１ｏＯｏ〜２００００
Ｐ Ｆであるのに対して非常に小さいものとなっている
。この並列静電容量が本発明素子において小さい理由は
、上述したように半導体物質間の接触面積が小さいこと
によるものである。
なお、上記の実施例においては、半導体物質としては、
ＺｎＯを例にとり説明したが、それ以外の半導体物質
であっても差支えないことはもちろんである。また、同
様に絶縁被膜を構成する材料としては、ＣＯ２Ｏ３に限
られることはなく、ＡＬＴｉｅＳｒ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｒ
、８ｉ などの金属酸化物またはこれら金属の有機金
属化合物などでもよいものであり、それらを単独または
組合せて使用することができるものである。
ＺｎＯを例にとり説明したが、それ以外の半導体物質
であっても差支えないことはもちろんである。また、同
様に絶縁被膜を構成する材料としては、ＣＯ２Ｏ３に限
られることはなく、ＡＬＴｉｅＳｒ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｒ
、８ｉ などの金属酸化物またはこれら金属の有機金
属化合物などでもよいものであり、それらを単独または
組合せて使用することができるものである。
さらに、粉末状の半導体物質を固める絶縁性の結合剤と
しては、ポリイミド樹脂の他にも種々考えられることは
もちろんであり、熱硬化性樹脂、たとえばフェノール樹
脂、フラン樹脂、エリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂、ケイ素樹脂などでも良いもので
ある。
しては、ポリイミド樹脂の他にも種々考えられることは
もちろんであり、熱硬化性樹脂、たとえばフェノール樹
脂、フラン樹脂、エリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂、ケイ素樹脂などでも良いもので
ある。
発明の効果
以上の説明より明らかなように本発明の電圧非直線性素
子は、低電流域における電圧非直線指数αが大きく、ま
た並列静電容量の小さな素子が得られることから、消費
電流の小さい液晶、ＥＬなどのデバイスのスイッチング
素子として最適な素子を提供できるものである。また、
電極間距離を狭くして素子を形成することができるため
、バリスタ電圧の低いものが得られ、上記電圧非直線指
数αが大きいことと相まって従来のＺｎＯパリスタでは
対応することのできなかった低電圧用ＩＣの保護素子や
低い電圧における電圧安定化素子として使用することが
できる。さらに、結合剤で固めて素子形成を行う際に高
温プロセスを必要とすることなく簡単にして作ることが
できるため、回路基板上やガラス基板上に素子を直接形
成することができるものである。このように種々の特徴
を有する本発明の電圧非直線性素子は、今までのＺｎＯ
バリスタなどでは考えられない幅広い用途が期待できる
ものであり、その産業性は犬なるものである０
子は、低電流域における電圧非直線指数αが大きく、ま
た並列静電容量の小さな素子が得られることから、消費
電流の小さい液晶、ＥＬなどのデバイスのスイッチング
素子として最適な素子を提供できるものである。また、
電極間距離を狭くして素子を形成することができるため
、バリスタ電圧の低いものが得られ、上記電圧非直線指
数αが大きいことと相まって従来のＺｎＯパリスタでは
対応することのできなかった低電圧用ＩＣの保護素子や
低い電圧における電圧安定化素子として使用することが
できる。さらに、結合剤で固めて素子形成を行う際に高
温プロセスを必要とすることなく簡単にして作ることが
できるため、回路基板上やガラス基板上に素子を直接形
成することができるものである。このように種々の特徴
を有する本発明の電圧非直線性素子は、今までのＺｎＯ
バリスタなどでは考えられない幅広い用途が期待できる
ものであり、その産業性は犬なるものである０
第１図は本発明に係わる電圧非直線性素子の一実施例を
示す拡大断面図、第２図および第３図はそれぞれ本発明
の素子をガラス基板上に設けた実施例を示す断面図、第
４図は本発明素子と従来のＺｎＯバリスタの電圧−電流
特性を示す図、第５図は本発明素子においてＣｏ２０．
の添加量を変えた場合の電圧非直線指数α、バリスタ電
圧ｖ、ＩＩ人および並列静電容量Ｃの変化する様子を示
す図である。 １．１ ＆ 、 １ ｋ＋ 、 ２・・・−・ＩＴＯ電
極、３．３２Ｌ。 ４・・・・・・ガラス基板、６・・・・・・電圧非直線
性素子、６・・・・・・ＺｎＯ粉末、７・・・・・・Ｃ
ｏ２Ｏ３絶縁被膜、８・・・・・・結合剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第４図 一土電圧ｆｆ） 第５図
示す拡大断面図、第２図および第３図はそれぞれ本発明
の素子をガラス基板上に設けた実施例を示す断面図、第
４図は本発明素子と従来のＺｎＯバリスタの電圧−電流
特性を示す図、第５図は本発明素子においてＣｏ２０．
の添加量を変えた場合の電圧非直線指数α、バリスタ電
圧ｖ、ＩＩ人および並列静電容量Ｃの変化する様子を示
す図である。 １．１ ＆ 、 １ ｋ＋ 、 ２・・・−・ＩＴＯ電
極、３．３２Ｌ。 ４・・・・・・ガラス基板、６・・・・・・電圧非直線
性素子、６・・・・・・ＺｎＯ粉末、７・・・・・・Ｃ
ｏ２Ｏ３絶縁被膜、８・・・・・・結合剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第４図 一土電圧ｆｆ） 第５図
Claims (1)
- 薄い絶縁被膜を有した微粉末状の半導体物質が複数個
集まった状態を一つの粉末とし、その粉末間もしくは一
部に上記微粉末を含む粉末間を絶縁性の結合剤で固め、
電極を備えてなることを特徴とする電圧非直線性素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034640A JPS62190809A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 電圧非直線性素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034640A JPS62190809A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 電圧非直線性素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190809A true JPS62190809A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12420021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034640A Pending JPS62190809A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 電圧非直線性素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190809A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344899A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-22 | Gen Electric | Metal oxide varistor and method of manufacture thereof |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034640A patent/JPS62190809A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344899A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-22 | Gen Electric | Metal oxide varistor and method of manufacture thereof |
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