JPS62190814A - 電圧非直線性素子 - Google Patents
電圧非直線性素子Info
- Publication number
- JPS62190814A JPS62190814A JP61034645A JP3464586A JPS62190814A JP S62190814 A JPS62190814 A JP S62190814A JP 61034645 A JP61034645 A JP 61034645A JP 3464586 A JP3464586 A JP 3464586A JP S62190814 A JPS62190814 A JP S62190814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- zno
- varistor
- present
- fine powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は印加電圧によって抵抗値が変化する電圧非直線
性素子に関するもので、電圧安定化、異常電圧制御、さ
らにはマ） ＩＪフックス動の液晶。
性素子に関するもので、電圧安定化、異常電圧制御、さ
らにはマ） ＩＪフックス動の液晶。
ＫＬなどの表示デバイスのスイッチング素子などに利用
されるものである。
されるものである。
従来の技術
従来の電圧非直線性素子は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化
ビスマス（Ｂｉ２０．）、酸化コバルト（Ｃ’２０３）
＋酸化マンガン（ＭｎＯ□）、酸化アンチモン（Ｓｂ２
０．）などの酸化物を添加して、１０００〜１３５０’
Ｃで焼結したＺｎＯバリスタなど１種々のものがある。
ビスマス（Ｂｉ２０．）、酸化コバルト（Ｃ’２０３）
＋酸化マンガン（ＭｎＯ□）、酸化アンチモン（Ｓｂ２
０．）などの酸化物を添加して、１０００〜１３５０’
Ｃで焼結したＺｎＯバリスタなど１種々のものがある。
その中で、 ＺｎＯバリスタは電圧非直線指数α、サー
ジ耐量が大きいことから、最も一般的に使われている。
ジ耐量が大きいことから、最も一般的に使われている。
（特公昭４６−１９４７２号公報参照）発明が解決しよ
うとする問題点 このような従来の電圧非直線性素子は、ＺｎＯバリスタ
を初めとして、素子厚みを薄く（数十μｍ以下）するこ
とに限界があるため、バリスタ電圧（バリスタに電流１
ｍＡを流した時の電圧ｖ１１ｎムで表される）を低くす
ることに限界があり、低電圧用１０の保護素子や低い電
圧における電圧安定化素子として使えないものであった
。また、上述したように１ｏｏＯ°Ｃ以上の高温プロセ
スを必要とするため、ガラス基板上あるいは回路基板上
に電圧非直線性素子を直接形成できないという問題があ
った。さらに、従来のものは並列静電容量が大きく、例
えば液晶などのスイッチング素子としては不適当なもの
であるなどの問題点を有していた。
うとする問題点 このような従来の電圧非直線性素子は、ＺｎＯバリスタ
を初めとして、素子厚みを薄く（数十μｍ以下）するこ
とに限界があるため、バリスタ電圧（バリスタに電流１
ｍＡを流した時の電圧ｖ１１ｎムで表される）を低くす
ることに限界があり、低電圧用１０の保護素子や低い電
圧における電圧安定化素子として使えないものであった
。また、上述したように１ｏｏＯ°Ｃ以上の高温プロセ
スを必要とするため、ガラス基板上あるいは回路基板上
に電圧非直線性素子を直接形成できないという問題があ
った。さらに、従来のものは並列静電容量が大きく、例
えば液晶などのスイッチング素子としては不適当なもの
であるなどの問題点を有していた。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、薄い絶縁抜膜を
施した微粉末状の半導体物質を絶縁性の結合剤で固め、
電極を備えてなるものである。
施した微粉末状の半導体物質を絶縁性の結合剤で固め、
電極を備えてなるものである。
作用
この構成によれば、低電流域においても電圧非直線指数
αの大きなものが得られ、かつ電極間距離を狭く（数十
μｍ以下）して素子を形成することができ、低電圧化に
適した素子がきわめて容易に得られることとなる。また
、結合剤で固めて素子形成を行う際に高温プロセスを必
要とすることなく作ることができるため、回路基板上に
素子を直接形成することができ、 ＺｎＯバリスタな
どでは考えられない幅広い用途が期待できるものである
。
αの大きなものが得られ、かつ電極間距離を狭く（数十
μｍ以下）して素子を形成することができ、低電圧化に
適した素子がきわめて容易に得られることとなる。また
、結合剤で固めて素子形成を行う際に高温プロセスを必
要とすることなく作ることができるため、回路基板上に
素子を直接形成することができ、 ＺｎＯバリスタな
どでは考えられない幅広い用途が期待できるものである
。
さらに、微粉末状の半導体物質を固めたものであるため
、それぞれの半導体物質の微粉末間は点接触となり、接
触面積が小さいことから並列静電容量の小さなものが得
られ、液晶などのデバイスのスイッチング素子として最
適な素子が提供できることとなる。
、それぞれの半導体物質の微粉末間は点接触となり、接
触面積が小さいことから並列静電容量の小さなものが得
られ、液晶などのデバイスのスイッチング素子として最
適な素子が提供できることとなる。
実施例
以下、本発明を実施例にもとづいて詳細に説明する。
まず、粒子径が０．０６〜１μｍの微粒子状の酸化亜鉛
を７００〜１３００′Ｇで焼成した後、その焼結された
ＺｎＯを０．５〜６０μｍの粒子径（平均粒子径１〜１
０μｍ ）に粉砕し、そのＺｎＯ微粉末に酸化コバルト
を０．０６〜１０ｍｏ１％添加し１６００〜１３５０’
Ｃで１０〜６０分間、熱処理し、そのＺｎＯ微粉末表面
に酸化コバルトの絶縁被膜を形成した。ここで、微粉末
状のＺｎＯの表面にはＣＯ□０．絶縁被膜がほぼ数十〜
数百人の厚さで薄く形成されていることが認められた。
を７００〜１３００′Ｇで焼成した後、その焼結された
ＺｎＯを０．５〜６０μｍの粒子径（平均粒子径１〜１
０μｍ ）に粉砕し、そのＺｎＯ微粉末に酸化コバルト
を０．０６〜１０ｍｏ１％添加し１６００〜１３５０’
Ｃで１０〜６０分間、熱処理し、そのＺｎＯ微粉末表面
に酸化コバルトの絶縁被膜を形成した。ここで、微粉末
状のＺｎＯの表面にはＣＯ□０．絶縁被膜がほぼ数十〜
数百人の厚さで薄く形成されていることが認められた。
次いで、このようにして作成したＣｏ２Ｏ３絶縁被膜が
表面についたＺｎＯ微粉末群は弱い力で互いに接着して
いるので、これを乳鉢あるいはボットミルでほぐし、微
粉末状とした。次に、上記のようにして得られたＣｏ２
Ｏ３絶縁被膜が表面に形成された微粉末状のＺｎＯに、
微粉末間の結合を図る絶縁性の結合剤（バインダー）と
してポリイミド樹脂を添加し、混合した。ここで、結合
剤としてはポリイミド樹脂の固形分が溶剤（例えばｎ−
メチル−２−ピロリドン）に対してＳｗｔ％となるよう
に薄めたものとし、それをＺｎＯ微粉末と例えば等重量
で混合し、ペイント状とした。次いで、上記のようにし
て得られたペイントを第２図に示すようにＩＴＯ（イン
ジウム・スズ酸化物）電極１の設けられたガラス基板３
上に例えばスクリーン印刷で塗布し。
表面についたＺｎＯ微粉末群は弱い力で互いに接着して
いるので、これを乳鉢あるいはボットミルでほぐし、微
粉末状とした。次に、上記のようにして得られたＣｏ２
Ｏ３絶縁被膜が表面に形成された微粉末状のＺｎＯに、
微粉末間の結合を図る絶縁性の結合剤（バインダー）と
してポリイミド樹脂を添加し、混合した。ここで、結合
剤としてはポリイミド樹脂の固形分が溶剤（例えばｎ−
メチル−２−ピロリドン）に対してＳｗｔ％となるよう
に薄めたものとし、それをＺｎＯ微粉末と例えば等重量
で混合し、ペイント状とした。次いで、上記のようにし
て得られたペイントを第２図に示すようにＩＴＯ（イン
ジウム・スズ酸化物）電極１の設けられたガラス基板３
上に例えばスクリーン印刷で塗布し。
その上に同じ（ＩＴＯ電極２の設けられたガラス基板４
を載置し、２８０〜４００’Ｃで３０分間。
を載置し、２８０〜４００’Ｃで３０分間。
大気中で硬化させ、電極１，２間に電圧非直線性素子５
を設けた。第１図は、電圧非直線性素子５の拡大断面図
であり、６はＺｎＯ微粉末、７はｚｒｉ。
を設けた。第１図は、電圧非直線性素子５の拡大断面図
であり、６はＺｎＯ微粉末、７はｚｒｉ。
微粉末６の表面に施されたＣｏ２Ｏ３絶縁被膜１８はそ
れらＺｎＯ微粉末６間を機械的に結合している絶縁性の
結合剤であり、この結合剤８でもってｚｎ。
れらＺｎＯ微粉末６間を機械的に結合している絶縁性の
結合剤であり、この結合剤８でもってｚｎ。
微粉末６の間は互いに固められている。第３図はＩＴＯ
電極１ａ、１ｂが設けられたガラス基板３＆上に電圧非
直線性素子６を構成した場合を示している。
電極１ａ、１ｂが設けられたガラス基板３＆上に電圧非
直線性素子６を構成した場合を示している。
次に、上記のようにして作成された電圧非直線性素子の
電圧−電流特性について説明する。まず、第４図は第２
図の構成における電圧−電流特性を従来のＺｎＯバリス
タの、それと比較して示している。
電圧−電流特性について説明する。まず、第４図は第２
図の構成における電圧−電流特性を従来のＺｎＯバリス
タの、それと比較して示している。
本発明の素子は、まず酸化亜鉛を７００ ’Ｃで焼成し
、これにＣｏ２０．を０．５ ｍ０１％添加したものを
９００°Ｃ，６０分間熱処理した後、この平均粒子径５
〜１０μｍのＺｎＯ微粉末と結合剤とを等重量で混合し
たものにおいて、素子面積を１−５電極間距離を３０μ
ｍとした場合における特性を示している。さて、電圧非
直線性素子の電圧−電流特性は、よく知られているよう
に近似的に次式で示されている。
、これにＣｏ２０．を０．５ ｍ０１％添加したものを
９００°Ｃ，６０分間熱処理した後、この平均粒子径５
〜１０μｍのＺｎＯ微粉末と結合剤とを等重量で混合し
たものにおいて、素子面積を１−５電極間距離を３０μ
ｍとした場合における特性を示している。さて、電圧非
直線性素子の電圧−電流特性は、よく知られているよう
に近似的に次式で示されている。
Ｉ＝ＫＶ”
ここで、工は素子に流れる電流、Ｖは素子の電極間の電
圧、Ｋは固有抵抗の抵抗値に相当する定数、αは上述し
た電圧非直線特性の指数を示しており、この電圧非直線
指数αは大きい程、電圧非直線性が優れていることにな
る。
圧、Ｋは固有抵抗の抵抗値に相当する定数、αは上述し
た電圧非直線特性の指数を示しており、この電圧非直線
指数αは大きい程、電圧非直線性が優れていることにな
る。
第４図の特性に示されるように、特性Ｂで示される従来
のＺｎＯバリスタは低電流域において電圧非直線指数α
が小さく、１０ ム以下の電流では良好な電圧非直線性
素子としての機能を発揮し得ない。一方、特性人で示さ
れる本発明の素子では低電流域においても電圧非直線指
数αが大きく１１０ ム程度の電流域でも十分に電圧非
直線性素子としての機能を発揮することができることを
示している。また１通常、 ｚｎｏバリスタにおいて
はバリスタ特性を表わすのに、例えば素子に１ｍムの電
流を流した時の電極間に現れる電圧をバリスタ電圧ｖ１
ｍムと呼び、このバリスタ電圧ｖ、鮎と上記電圧非直線
指数αとを使用している。本発明の素子では、上述した
ように１低電流域においても電圧非直線指数αが大きく
、バリスタ電圧を第４図に示すように例えばｖ、７ムで
表わすことができる。
のＺｎＯバリスタは低電流域において電圧非直線指数α
が小さく、１０ ム以下の電流では良好な電圧非直線性
素子としての機能を発揮し得ない。一方、特性人で示さ
れる本発明の素子では低電流域においても電圧非直線指
数αが大きく１１０ ム程度の電流域でも十分に電圧非
直線性素子としての機能を発揮することができることを
示している。また１通常、 ｚｎｏバリスタにおいて
はバリスタ特性を表わすのに、例えば素子に１ｍムの電
流を流した時の電極間に現れる電圧をバリスタ電圧ｖ１
ｍムと呼び、このバリスタ電圧ｖ、鮎と上記電圧非直線
指数αとを使用している。本発明の素子では、上述した
ように１低電流域においても電圧非直線指数αが大きく
、バリスタ電圧を第４図に示すように例えばｖ、７ムで
表わすことができる。
このように本発明において、バリスタ電圧を低いものと
することができるのは、電極間距離を狭くして素子を形
成することができるためである。
することができるのは、電極間距離を狭くして素子を形
成することができるためである。
まだ１本発明素子において低電流域でも電圧非直線指数
αが大きい理由は、現在のところ理由は明確とはなって
いないが１微粉末状の半導体物質（ＺｎＯ）を絶縁性の
結合剤でもって固めたものであるため、それぞれの半導
体物質の間は点接触となり、接触面積が小さいこと、ま
た結合剤が絶縁性のため、漏れ電流が小さくなっている
ことによるものと考えられる。
αが大きい理由は、現在のところ理由は明確とはなって
いないが１微粉末状の半導体物質（ＺｎＯ）を絶縁性の
結合剤でもって固めたものであるため、それぞれの半導
体物質の間は点接触となり、接触面積が小さいこと、ま
た結合剤が絶縁性のため、漏れ電流が小さくなっている
ことによるものと考えられる。
ここで、第４図の特性は上述したように電極間距離を３
０μｍとした素子についてのものであるが、これはＺｎ
Ｏ微粉末の平均粒子径が６〜１０μｍという比較的大き
な粒子径のためにこれ以上狭くすることができないから
である。すなわち、ＺｎＯ微粉末の平均粒子径が０．３
〜３μｍのものを使えば１電極間距離が１０μｍ程度も
しくはそれ以下の素子を作成することができるのであり
、その場合においても第４図に示すような良好な特性が
得られることを本発明者らは実験により確認した。
０μｍとした素子についてのものであるが、これはＺｎ
Ｏ微粉末の平均粒子径が６〜１０μｍという比較的大き
な粒子径のためにこれ以上狭くすることができないから
である。すなわち、ＺｎＯ微粉末の平均粒子径が０．３
〜３μｍのものを使えば１電極間距離が１０μｍ程度も
しくはそれ以下の素子を作成することができるのであり
、その場合においても第４図に示すような良好な特性が
得られることを本発明者らは実験により確認した。
第５図は本発明において、酸化コバルトの添加量を変え
た場合のバリスタ電圧ｖ、１１ム、電圧非直線指数αお
よび並列静電容量Ｃの変化する様子を示している。ここ
で、酸化亜鉛の焼成温度など、その他の条件は第４図の
場合の条件と同一とした。
た場合のバリスタ電圧ｖ、１１ム、電圧非直線指数αお
よび並列静電容量Ｃの変化する様子を示している。ここ
で、酸化亜鉛の焼成温度など、その他の条件は第４図の
場合の条件と同一とした。
第６図に示されるように５本発明素子においては並列静
電容量が従来のＺｎＯバリスタが１ｏｏｏ〜２００００
ＰＦであるのに対して非常に小さいものとなっている。
電容量が従来のＺｎＯバリスタが１ｏｏｏ〜２００００
ＰＦであるのに対して非常に小さいものとなっている。
この並列静電容量が本発明素子において小さい理由は、
上述したように半導体物質間の接触面積が小さいことに
よるものである。
上述したように半導体物質間の接触面積が小さいことに
よるものである。
なお、上記の実施例においては、半導体物質としては、
ＺｎＯを例にとり説明したが、それ以外の半導体物
質であっても差支えないことはもちろんである。また、
同様に絶縁被膜を構成する材料としては、 Ｃｏ２Ｏ３
に限られることはなく１ ム／、Ｔｉ。
ＺｎＯを例にとり説明したが、それ以外の半導体物
質であっても差支えないことはもちろんである。また、
同様に絶縁被膜を構成する材料としては、 Ｃｏ２Ｏ３
に限られることはなく１ ム／、Ｔｉ。
Ｓｒ 、Ｍｇ 、Ｎｉ 、Ｏｒ 、Ｓｉ などの金属
酸化物またはこれら金属の有機金属化合物などでもよい
ものであり１それらを単独または組合せて使用すること
ができるものである。
酸化物またはこれら金属の有機金属化合物などでもよい
ものであり１それらを単独または組合せて使用すること
ができるものである。
さらに、微粉末状の半導体物質を固める絶縁性の結合剤
としては、ポリイミド樹脂の他にも種々考えられること
はもちろんであり、熱硬化性樹脂、たとえばフェノール
樹脂、フラン樹脂、エリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ
樹脂、ポリウレタン樹脂、ケイ素樹脂などでも良いもの
である。
としては、ポリイミド樹脂の他にも種々考えられること
はもちろんであり、熱硬化性樹脂、たとえばフェノール
樹脂、フラン樹脂、エリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ
樹脂、ポリウレタン樹脂、ケイ素樹脂などでも良いもの
である。
発明の効果
以上の説明より明らかなように本発明の電圧非直線性素
子は、低電流域における電圧非直線指数αが大きく、ま
た並列静電容量の小さな素子が得られることから、消費
電流の小さい液晶、ＩＣＬなどのデバイスのスイッチン
グ素子として最適な素子を提供できるものである。また
１電極間距離を狭くして素子を形成することができるた
め、バリスタ電圧の低いものが得られ１上記電圧非直線
指数αが大きいことと相まって従来のＺｎＯバリスタで
は対応することのできなかった低電圧用ＩＣの保護素子
や低い電圧における電圧安定化素子として使用すること
ができる。さらに、結合剤で固めて素子形成を行う際に
高温プロセスを必要とすることなく簡単にして作ること
ができるため５回路基板上やガラス基板上に素子を直接
形成することができるものである。このように種々の特
徴を有する本発明の電圧非直線性素子は、今までのＺｎ
Ｏバリスタなどでは考えられない幅広い用途が期待でき
るものであり、その産業性は犬なるものである。
子は、低電流域における電圧非直線指数αが大きく、ま
た並列静電容量の小さな素子が得られることから、消費
電流の小さい液晶、ＩＣＬなどのデバイスのスイッチン
グ素子として最適な素子を提供できるものである。また
１電極間距離を狭くして素子を形成することができるた
め、バリスタ電圧の低いものが得られ１上記電圧非直線
指数αが大きいことと相まって従来のＺｎＯバリスタで
は対応することのできなかった低電圧用ＩＣの保護素子
や低い電圧における電圧安定化素子として使用すること
ができる。さらに、結合剤で固めて素子形成を行う際に
高温プロセスを必要とすることなく簡単にして作ること
ができるため５回路基板上やガラス基板上に素子を直接
形成することができるものである。このように種々の特
徴を有する本発明の電圧非直線性素子は、今までのＺｎ
Ｏバリスタなどでは考えられない幅広い用途が期待でき
るものであり、その産業性は犬なるものである。
第１図は本発明に係わる電圧非直線性素子の一実施例を
示す拡大断面図１第２図および第３図はそれぞれ本発明
の素子をガラス基板上に設けた実施例を示す断面図、第
４図は本発明素子と従来のＺｎＯバリスタの電圧−電流
特性を示す図、第５図は本発明素子においてＣｏ２Ｏ３
の添加量を変えた場合の電圧非直線指数α１バリスタ電
圧ｖ、ｌｔムおよび並列静電容量Ｃの変化する様子を示
す図である。 １．１＆、１ｂ、２・川・・Ｉ’ｒＯ電極、３，３２Ｌ
。 ４・・・・・・ガラス基板、６・・・・・・電圧非直線
性素子、６・・・・・・ＺｎＯ微粉末、７・・・・・・
Ｃｏ２０．絶縁被膜、８・・・・・・結合剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ｒｌＡ 第５図 −Ｃθｚ０Ｊ 添加（輸ｄ幻
示す拡大断面図１第２図および第３図はそれぞれ本発明
の素子をガラス基板上に設けた実施例を示す断面図、第
４図は本発明素子と従来のＺｎＯバリスタの電圧−電流
特性を示す図、第５図は本発明素子においてＣｏ２Ｏ３
の添加量を変えた場合の電圧非直線指数α１バリスタ電
圧ｖ、ｌｔムおよび並列静電容量Ｃの変化する様子を示
す図である。 １．１＆、１ｂ、２・川・・Ｉ’ｒＯ電極、３，３２Ｌ
。 ４・・・・・・ガラス基板、６・・・・・・電圧非直線
性素子、６・・・・・・ＺｎＯ微粉末、７・・・・・・
Ｃｏ２０．絶縁被膜、８・・・・・・結合剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ｒｌＡ 第５図 −Ｃθｚ０Ｊ 添加（輸ｄ幻
Claims (1)
- 薄い絶縁被膜を施した微粉末状の半導体物質を絶縁性
の結合剤で固め、電極を備えてなることを特徴とする電
圧非直線性素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034645A JPS62190814A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 電圧非直線性素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034645A JPS62190814A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 電圧非直線性素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190814A true JPS62190814A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12420174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034645A Pending JPS62190814A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 電圧非直線性素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105074145A (zh) * | 2013-02-19 | 2015-11-18 | 曼柴油机涡轮机欧洲股份公司曼柴油机涡轮机德国分公司 | 用于气缸润滑的方法和设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344899A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-22 | Gen Electric | Metal oxide varistor and method of manufacture thereof |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034645A patent/JPS62190814A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344899A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-22 | Gen Electric | Metal oxide varistor and method of manufacture thereof |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105074145A (zh) * | 2013-02-19 | 2015-11-18 | 曼柴油机涡轮机欧洲股份公司曼柴油机涡轮机德国分公司 | 用于气缸润滑的方法和设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62190814A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62190811A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62190817A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 | |
| JPS62193228A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62190805A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62193209A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62190810A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62190807A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 | |
| JPS62190802A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 | |
| JPS62190813A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62190803A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 | |
| JPS62193207A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62193210A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 | |
| JPS62190815A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 | |
| JPS62193227A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 | |
| JPS62190820A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 | |
| JPS62190808A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62190809A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62242309A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62190804A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62190806A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62190801A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 | |
| JPS62190816A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 | |
| JPS62242306A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
| JPS62193213A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 |