JPS62193228A - 電圧非直線性素子 - Google Patents
電圧非直線性素子Info
- Publication number
- JPS62193228A JPS62193228A JP61036002A JP3600286A JPS62193228A JP S62193228 A JPS62193228 A JP S62193228A JP 61036002 A JP61036002 A JP 61036002A JP 3600286 A JP3600286 A JP 3600286A JP S62193228 A JPS62193228 A JP S62193228A
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- Japan
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- powder
- zno
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は印加電圧によって抵抗値が変化する電圧非直線
性素子に関するもので、電圧安定化、異常電圧制御、さ
らにはマトリックス駆動の液晶、ＫＬなどの表示デバイ
スのスイッチング素子などに利用されるものである。
性素子に関するもので、電圧安定化、異常電圧制御、さ
らにはマトリックス駆動の液晶、ＫＬなどの表示デバイ
スのスイッチング素子などに利用されるものである。
従来の技術
従来の電圧非直線性素子は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化
ビスマス（ＢｉｚＯｓ ） 、酸化コバルト（ｃｏ２０
ｓ）、酸化マｙガン（Ｍｎ０２）、酸化７ ｙ チモｙ
（５ｂ２０５ ）などの酸化物を添加して、１ｏｏｏ℃
〜１３６０℃で焼結したＺｎＯバリスタなど、種々のも
のがある。
ビスマス（ＢｉｚＯｓ ） 、酸化コバルト（ｃｏ２０
ｓ）、酸化マｙガン（Ｍｎ０２）、酸化７ ｙ チモｙ
（５ｂ２０５ ）などの酸化物を添加して、１ｏｏｏ℃
〜１３６０℃で焼結したＺｎＯバリスタなど、種々のも
のがある。
その中で、ＺｎＯバリスタは電圧非直線指数α、サージ
耐量が大きいことから、最も一般的に使われている。（
特公昭４６−１９４７２号公報参照）発明が解決しよう
とする問題点 このような従来の電圧非直線性素子は、ＺｎＯバリスタ
を初めとして、素子厚みを薄く（数十μｍ以下）するこ
とに限界があるため、バリスタ電圧（バリスタに電流１
ｍ人を流した時の電圧”１ｍムで表される）を低くする
ことに限界があり、低電圧用の保護素子や低い電圧にお
ける電圧安定化素子として使えないものであった。また
、上述１−だように１０００’Ｃ以上の高温プロセスを
必要とするため、ガラス基板上あるいは回路基板上に電
圧非直線性素子を直接形成できないという問題があった
。さらに、従来のものは並列静電容量が大きく、例えば
液晶などのスイッチング素子としては、不適当なもので
あるなどの問題点を有していた。
耐量が大きいことから、最も一般的に使われている。（
特公昭４６−１９４７２号公報参照）発明が解決しよう
とする問題点 このような従来の電圧非直線性素子は、ＺｎＯバリスタ
を初めとして、素子厚みを薄く（数十μｍ以下）するこ
とに限界があるため、バリスタ電圧（バリスタに電流１
ｍ人を流した時の電圧”１ｍムで表される）を低くする
ことに限界があり、低電圧用の保護素子や低い電圧にお
ける電圧安定化素子として使えないものであった。また
、上述１−だように１０００’Ｃ以上の高温プロセスを
必要とするため、ガラス基板上あるいは回路基板上に電
圧非直線性素子を直接形成できないという問題があった
。さらに、従来のものは並列静電容量が大きく、例えば
液晶などのスイッチング素子としては、不適当なもので
あるなどの問題点を有していた。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、薄い絶縁被膜を
有した微粉末状の半導体物質が複数個集まった状態を一
つの粉末とし、その粉末間もしくし１一部に上記微粉末
を含む粉末と金属まだは導電性の金属酸化物の粉末とを
絶縁性の結合剤で固め、電極を備えてなるものである。
有した微粉末状の半導体物質が複数個集まった状態を一
つの粉末とし、その粉末間もしくし１一部に上記微粉末
を含む粉末と金属まだは導電性の金属酸化物の粉末とを
絶縁性の結合剤で固め、電極を備えてなるものである。
作用
この構成によれば、低電流域においても電圧非直線指数
αの大きなものが得られ、また粉末状の導電性物質を介
在させていることによって、粉末状の半導体物質間の電
気的接続を安定にし、特性のバラツキの少ない素子が得
られ、かつこの導電性物質の介在量によってバリスタ電
圧を制御することもできることとなるだめ、電極間距離
に制約されることなく、たとえば電極間距離を上記のよ
うに数十μｍ以下に極端に狭くして素子を形成りなくて
も、低電圧化に適１〜だ素子がきわめて容易に得られる
こととなる。そして、結合剤で固めて素子形成を行う際
に高温プロセスを必要とすることなく作ることができる
ため、回路基板上に素子を直接形成することができ、Ｚ
ｎＯバリスタなどでは考えられない幅広い用途が期待で
きるものである。さらに、粉末状の半導体物質を固めだ
ものであるため、それぞれの半導体物質の間は粉末状の
導電性物質が介在されているものの、接触面積が基本的
に小さいことから並列静電容量の小さなものが得られ、
゛液晶などのデバイスのスイッチング素子として最適な
素子が提供できることとなる。
αの大きなものが得られ、また粉末状の導電性物質を介
在させていることによって、粉末状の半導体物質間の電
気的接続を安定にし、特性のバラツキの少ない素子が得
られ、かつこの導電性物質の介在量によってバリスタ電
圧を制御することもできることとなるだめ、電極間距離
に制約されることなく、たとえば電極間距離を上記のよ
うに数十μｍ以下に極端に狭くして素子を形成りなくて
も、低電圧化に適１〜だ素子がきわめて容易に得られる
こととなる。そして、結合剤で固めて素子形成を行う際
に高温プロセスを必要とすることなく作ることができる
ため、回路基板上に素子を直接形成することができ、Ｚ
ｎＯバリスタなどでは考えられない幅広い用途が期待で
きるものである。さらに、粉末状の半導体物質を固めだ
ものであるため、それぞれの半導体物質の間は粉末状の
導電性物質が介在されているものの、接触面積が基本的
に小さいことから並列静電容量の小さなものが得られ、
゛液晶などのデバイスのスイッチング素子として最適な
素子が提供できることとなる。
実施例
以下、本発明を実施例にもとづいて詳細に説明する。ま
ず、粒子径が０．０６〜１μｍの微粒子状の酸化亜鉛を
７００〜１３００℃で焼成した後、その焼結されたＺｎ
Ｏを０．５〜５ｏμｍの粒子−径（平均粒子径１〜１０
μｍ）に粉砕し、そのＺｎＯ微粉末にＢｉ２Ｏ５を０．
０８〜１０ ｍｏｌ ％添加し、６００〜１３５０℃で
１０〜６０分間、熱処理し、そのＺｎＯ微粉末表面にＢ
ｉ２Ｏ５絶縁被膜を形成した。
ず、粒子径が０．０６〜１μｍの微粒子状の酸化亜鉛を
７００〜１３００℃で焼成した後、その焼結されたＺｎ
Ｏを０．５〜５ｏμｍの粒子−径（平均粒子径１〜１０
μｍ）に粉砕し、そのＺｎＯ微粉末にＢｉ２Ｏ５を０．
０８〜１０ ｍｏｌ ％添加し、６００〜１３５０℃で
１０〜６０分間、熱処理し、そのＺｎＯ微粉末表面にＢ
ｉ２Ｏ５絶縁被膜を形成した。
ここで、微粉末状のＺｎＯの表面にはＢｉ２Ｏ５絶縁被
膜がほぼ数十〜数百人の厚さで薄く形成されていること
か認められた。次いで、このようにして作成したＢｉ２
Ｏ５絶縁被膜が表面についたＺｎＯ微粉末群は弱い力で
互いに接着しているので、これを乳鉢あるいはポットミ
ルでほぐし、上記ＺｎＯ微粉末がそれぞれ複数個集まっ
た微粉末群の状態とした（以下、この状態のものを粉末
状という）。この時、一部に上記ＺｎＯ微粉末が単独で
存在しても差支えないものであり、このようなＺｎＯ微
粉末を一部に含んでの状態のものも粉末状という。
膜がほぼ数十〜数百人の厚さで薄く形成されていること
か認められた。次いで、このようにして作成したＢｉ２
Ｏ５絶縁被膜が表面についたＺｎＯ微粉末群は弱い力で
互いに接着しているので、これを乳鉢あるいはポットミ
ルでほぐし、上記ＺｎＯ微粉末がそれぞれ複数個集まっ
た微粉末群の状態とした（以下、この状態のものを粉末
状という）。この時、一部に上記ＺｎＯ微粉末が単独で
存在しても差支えないものであり、このようなＺｎＯ微
粉末を一部に含んでの状態のものも粉末状という。
次に、上記のようにして得られたＢ ｉ２０５絶縁被膜
が表面に形成された粉末状のＺｎＯに、粉末状の導電性
物質として銀粉末と、それら粉末間の機械的結合を図る
絶縁性の結合剤（バインダー）としてポリイミド樹脂を
添加し、混合した。ここで、結合剤としてはポリイミド
樹脂の固形分が溶剤（例えばｎ−メチル−２−ポロリド
ン）Ｋ対して６ｗｔ％となるように薄めたものとし、そ
れをＺｎＯ粉末と銀粉末との合計分に対して例えば等重
量で混合し、ペイント状とした。次いで、上記のように
して得られたペイントを第２図に示すようにＩＴＯ（イ
ンジウム・スズ酸化物）電極１の設けられたガラス基板
３上に例えばスクリーン印刷で塗布し、その上に同じ（
ＩＴＯ電極２の設けられたガラス基板４を載置し、２８
０〜４００℃で３０分間、大気中で硬化させ、電極１．
２間に電圧非直線性素子５を設けた。第１図は、電圧非
直線性素子５の拡大断面図であり、６はＺｎＯ粉末、７
は粉末状の導電性物質としての銀粉末で、ＺｎＯ粉末６
問およびそのＺｎＯ粉末６と電極１，２との間の電気的
接続を良好にしている。８はこれら粉末６，７間を機械
的に結合している絶縁性の結合剤であり、この結合剤８
でもって粉末６，７は互いに固められている。９はＺｎ
Ｏ粉末６の表面に施されたＢｉ２Ｏ３絶縁被膜である。
が表面に形成された粉末状のＺｎＯに、粉末状の導電性
物質として銀粉末と、それら粉末間の機械的結合を図る
絶縁性の結合剤（バインダー）としてポリイミド樹脂を
添加し、混合した。ここで、結合剤としてはポリイミド
樹脂の固形分が溶剤（例えばｎ−メチル−２−ポロリド
ン）Ｋ対して６ｗｔ％となるように薄めたものとし、そ
れをＺｎＯ粉末と銀粉末との合計分に対して例えば等重
量で混合し、ペイント状とした。次いで、上記のように
して得られたペイントを第２図に示すようにＩＴＯ（イ
ンジウム・スズ酸化物）電極１の設けられたガラス基板
３上に例えばスクリーン印刷で塗布し、その上に同じ（
ＩＴＯ電極２の設けられたガラス基板４を載置し、２８
０〜４００℃で３０分間、大気中で硬化させ、電極１．
２間に電圧非直線性素子５を設けた。第１図は、電圧非
直線性素子５の拡大断面図であり、６はＺｎＯ粉末、７
は粉末状の導電性物質としての銀粉末で、ＺｎＯ粉末６
問およびそのＺｎＯ粉末６と電極１，２との間の電気的
接続を良好にしている。８はこれら粉末６，７間を機械
的に結合している絶縁性の結合剤であり、この結合剤８
でもって粉末６，７は互いに固められている。９はＺｎ
Ｏ粉末６の表面に施されたＢｉ２Ｏ３絶縁被膜である。
第３図はＩＴＯ電極１ａ、１ｂが設けられたガラス基＠
３ａ上に電圧非直線性素子５を・構成した場合を示して
いる。
３ａ上に電圧非直線性素子５を・構成した場合を示して
いる。
次に、上記のようにして作成された電圧非直線性素子の
電圧−電流特性について説明する。まず、第４図は第２
図の構成における電圧−電流特性を従来のＺｎＯバリス
タのそれと比較して示している。
電圧−電流特性について説明する。まず、第４図は第２
図の構成における電圧−電流特性を従来のＺｎＯバリス
タのそれと比較して示している。
本発明の素子は、まず酸化亜鉛を７００’Ｃで煙成し、
これにＢｉ２Ｏ３を０，５ ｍｏｌ ％添加したものを
９００℃、６０分間熱処理した後、この平均粒子径６〜
１０μｍのＺｎＯ粉末と銀粉末（平均粒子径５μｍ）と
の合計分（銀粉末は全体の２０ｗｔ％）に等重量の結合
剤をいれ混合したものにおいて、素子面積を１ ＋ｎ＋
ｆ、電極間距離を３０μｍとした場合における特性を示
している。さて、電圧非直線性素子の電圧−電流特性は
、よく知られているように近似的に次式で示されている
。
これにＢｉ２Ｏ３を０，５ ｍｏｌ ％添加したものを
９００℃、６０分間熱処理した後、この平均粒子径６〜
１０μｍのＺｎＯ粉末と銀粉末（平均粒子径５μｍ）と
の合計分（銀粉末は全体の２０ｗｔ％）に等重量の結合
剤をいれ混合したものにおいて、素子面積を１ ＋ｎ＋
ｆ、電極間距離を３０μｍとした場合における特性を示
している。さて、電圧非直線性素子の電圧−電流特性は
、よく知られているように近似的に次式で示されている
。
Ｉ＝ ｘｖ″
ここで、工は素子に流れる電流、■は素子の電極間の電
圧、Ｋは固有抵抗の抵抗値に相当する定数、αは上述し
た電圧非直線特性の指数を示しており、この電圧非直線
指数αは大きい程、電圧非直線性が優れていることにな
る。 ゛第４図の特性に示されるように、特性Ｂで
示される従来のＺｎＯバリスタは低電流域において電圧
非直線指数αが小さく、１Ｏ−４Ａ以下の電流では良好
な電圧非直線性素子としての機能を発揮し得ない。一方
、特性人で示される本発明の素子では低電流域において
も電圧非直線指数αが大きく、１０ Ａ程度の電流域
でも十分に電圧非直線性素子としての機能を発揮するこ
とができることを示している。また、通常、ＺｎＯバリ
スタにおいてはバリスタ特性を表わすのに、例えば素子
に１ ｍＡの電流を流した時の電極間に現れる電圧をバ
リスタ電圧Ｖ１ｍムと呼び、このバリスタ電圧”１ｍム
と上記電圧非直線指数αとを使用している。本発明の素
子では、上述したように、低電流域においても電圧非直
線指数αが大きく、バリスタ電圧を第４図に示すように
例えばｖｌｐｈで表わすことができる。
圧、Ｋは固有抵抗の抵抗値に相当する定数、αは上述し
た電圧非直線特性の指数を示しており、この電圧非直線
指数αは大きい程、電圧非直線性が優れていることにな
る。 ゛第４図の特性に示されるように、特性Ｂで
示される従来のＺｎＯバリスタは低電流域において電圧
非直線指数αが小さく、１Ｏ−４Ａ以下の電流では良好
な電圧非直線性素子としての機能を発揮し得ない。一方
、特性人で示される本発明の素子では低電流域において
も電圧非直線指数αが大きく、１０ Ａ程度の電流域
でも十分に電圧非直線性素子としての機能を発揮するこ
とができることを示している。また、通常、ＺｎＯバリ
スタにおいてはバリスタ特性を表わすのに、例えば素子
に１ ｍＡの電流を流した時の電極間に現れる電圧をバ
リスタ電圧Ｖ１ｍムと呼び、このバリスタ電圧”１ｍム
と上記電圧非直線指数αとを使用している。本発明の素
子では、上述したように、低電流域においても電圧非直
線指数αが大きく、バリスタ電圧を第４図に示すように
例えばｖｌｐｈで表わすことができる。
このように本発明において、バリスタ電圧を低いものと
することができるのは、銀粉末を素子内に分散させてい
るため、これが電気的短絡路を作ることになり、実質的
に電極間距離が短くなったことに相当する、いわゆる橋
渡しの効果（電気的なバイパス効果）をしているだめで
ある。従って、導電性物質を適当な量で添加すれば、電
極間距離に制約されることなく、たとえば、電極間距離
を極度に狭くしないでも素子を形成することができる。
することができるのは、銀粉末を素子内に分散させてい
るため、これが電気的短絡路を作ることになり、実質的
に電極間距離が短くなったことに相当する、いわゆる橋
渡しの効果（電気的なバイパス効果）をしているだめで
ある。従って、導電性物質を適当な量で添加すれば、電
極間距離に制約されることなく、たとえば、電極間距離
を極度に狭くしないでも素子を形成することができる。
また、本発明素子において低電流域でも電圧非直線指数
αが大きい理由は、現在のところ理由は明確とはなって
いないが、粉末状の半導体物質（ＺｎＯ）を絶縁性の結
合剤でもって固めたものであるため、それぞれの半導体
物質の間は点接触となり、接触面積が小さいこと、また
結合剤が絶縁性のため、漏れ電流が小さくなっているこ
とによるものと考えられる。
αが大きい理由は、現在のところ理由は明確とはなって
いないが、粉末状の半導体物質（ＺｎＯ）を絶縁性の結
合剤でもって固めたものであるため、それぞれの半導体
物質の間は点接触となり、接触面積が小さいこと、また
結合剤が絶縁性のため、漏れ電流が小さくなっているこ
とによるものと考えられる。
第６図は本発明において、粉末状の導電性物質としての
銀粉末の添加量を変えた場合のバリスタ電圧Ｖ １ｐ
Ａの変化する様子を示している。ここで、酸化亜鉛の焼
成温度など、その他の条件は第４図の場合の条件と同一
とした。第５図に示されるように、本発明素子において
は並列静電容量が従来ノＺｎｏバリスタが１Ｑ００〜２
ｏＯｏＯＰＦであるのに対して非常に小さいものとなっ
ている。この並列静電容量が本発明素子において小さい
理由は、上述したように半導体物質間の接触面積が小さ
いことによるものである。また、第５図より銀粉末の添
加量によってバリスタ電圧が変化する様子が認められる
が、これは上述したように銀粉末の添加量によって電気
的なバイパスが変るためと考えられる。
銀粉末の添加量を変えた場合のバリスタ電圧Ｖ １ｐ
Ａの変化する様子を示している。ここで、酸化亜鉛の焼
成温度など、その他の条件は第４図の場合の条件と同一
とした。第５図に示されるように、本発明素子において
は並列静電容量が従来ノＺｎｏバリスタが１Ｑ００〜２
ｏＯｏＯＰＦであるのに対して非常に小さいものとなっ
ている。この並列静電容量が本発明素子において小さい
理由は、上述したように半導体物質間の接触面積が小さ
いことによるものである。また、第５図より銀粉末の添
加量によってバリスタ電圧が変化する様子が認められる
が、これは上述したように銀粉末の添加量によって電気
的なバイパスが変るためと考えられる。
なお、上記の実施例においては、半導体物質としては、
ＺｎＯを例にとり説明１〜だが、それ以外の半導体物質
であっても差支えないことはもちろんである。また、同
様に絶縁被膜を構成する材料としては、Ｂｉ２Ｏ５単独
に限られることはなく、Ｇｏ。
ＺｎＯを例にとり説明１〜だが、それ以外の半導体物質
であっても差支えないことはもちろんである。また、同
様に絶縁被膜を構成する材料としては、Ｂｉ２Ｏ５単独
に限られることはなく、Ｇｏ。
Ｍｎ 、 Ｓｂ 、 ｋｌ 、 Ｔｉ 、 Ｓｒ 、
Ｍｇ 、 Ｎｉ 、 Ｃｒ 、 Ｓｉ などの金属酸化
物またはこれら金属の有機金属化合物などでもよいもの
であり、それらを単独または複数組合せて添加したもの
も使用することができるものである。壕だ、導電性物質
としては本実施例の銀単独以外に、例えばＡｕ、Ａ４．
Ｚｎ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｓｎ。
Ｍｇ 、 Ｎｉ 、 Ｃｒ 、 Ｓｉ などの金属酸化
物またはこれら金属の有機金属化合物などでもよいもの
であり、それらを単独または複数組合せて添加したもの
も使用することができるものである。壕だ、導電性物質
としては本実施例の銀単独以外に、例えばＡｕ、Ａ４．
Ｚｎ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｓｎ。
Ｉｎ 、Ｍｎ 、 Ｏｒ などの金属または導電性の金
属酸化物を単独または組合せて使用することもできる。
属酸化物を単独または組合せて使用することもできる。
さらに、粉末状の半導体物質と粉末状の導電性物質とを
固める絶縁性の結合剤としては、ポリイミド樹脂の他に
も種々考えられることはもちろんであり、熱硬化性樹脂
、たとえばフェノール樹脂。
固める絶縁性の結合剤としては、ポリイミド樹脂の他に
も種々考えられることはもちろんであり、熱硬化性樹脂
、たとえばフェノール樹脂。
フラン樹脂、ユリア樹脂、メラεン樹脂、不胞和ポリエ
ステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、
ポリウレタン樹脂、ケイ素樹脂などでも良いものである
。
ステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、
ポリウレタン樹脂、ケイ素樹脂などでも良いものである
。
発明の効果
以上の説明より明らかなように本発明の電圧非直線性素
子は、低電流域における電圧非直線指数αが大きく、ま
た並列静電容量の小さな素子が得られることから、消費
電流の小さい液晶、ＥＬなどのデバイスのスイッチング
素子として最適な素子を提供できるものである。また、
粉末状の導電性物質を介在させていることによって、微
粉末状の半導体物質間の電気的接続を安定にし、特性の
バラツキの少ない素子を得ることができ、かつこの導電
性物質の介在量によってバリスタ電圧を制御することが
できるという利点が得られるため、電極間距離に制約さ
れることなく、たとえば電極間距離を極度に狭くしなく
てもバリスタ電圧の低い素子が得られ、上記電圧非直線
指数αが大きいことと相まって従来のＺｎＯバリスタで
は対応することのできなかった低電圧用ｒｅの保護素子
や低い電圧における電圧安定化素子として使用すること
ができる。さらに、結合剤で固めて素子形成を行う際に
高温プロセスを必要とすることなく簡単にして作ること
ができるため、回路基板上やガラス基板上に素子を直接
形成することができるものである。このように種々の特
徴を有する本発明の電圧非直線性素子は、今までのＺｎ
Ｏバリスタなどでは考えられない幅広い用途が期待でき
るものであり、その産業性は大なるものである。
子は、低電流域における電圧非直線指数αが大きく、ま
た並列静電容量の小さな素子が得られることから、消費
電流の小さい液晶、ＥＬなどのデバイスのスイッチング
素子として最適な素子を提供できるものである。また、
粉末状の導電性物質を介在させていることによって、微
粉末状の半導体物質間の電気的接続を安定にし、特性の
バラツキの少ない素子を得ることができ、かつこの導電
性物質の介在量によってバリスタ電圧を制御することが
できるという利点が得られるため、電極間距離に制約さ
れることなく、たとえば電極間距離を極度に狭くしなく
てもバリスタ電圧の低い素子が得られ、上記電圧非直線
指数αが大きいことと相まって従来のＺｎＯバリスタで
は対応することのできなかった低電圧用ｒｅの保護素子
や低い電圧における電圧安定化素子として使用すること
ができる。さらに、結合剤で固めて素子形成を行う際に
高温プロセスを必要とすることなく簡単にして作ること
ができるため、回路基板上やガラス基板上に素子を直接
形成することができるものである。このように種々の特
徴を有する本発明の電圧非直線性素子は、今までのＺｎ
Ｏバリスタなどでは考えられない幅広い用途が期待でき
るものであり、その産業性は大なるものである。
第１図は本発明に係わる電圧非直線性素子の一実施例を
示す拡大断面図、第２図および第３図はそれぞれ本発明
の素子をガラス基板上に設けた実施例を示す断面図、第
４図は本発明素子と従来のＺｎＯバリスタの電圧−電流
特性を示す図、第６図は本発明素子において銀粉末の添
加量を変えた場合の電圧非直線指数α、バリスタ電圧ｖ
１１ｉｋおよび並列静電容量Ｃの変化する様子を示す図
である。 １．１ａ 、１ｂ 、２−−−−−４ＴＯ電極、３．３
＆。 ４・・・・・・ガラス基板、５・・・・・・電圧非直線
性素子、６・・・・・・ＺｎＯ粉末、了・・・・・・銀
粉末、８・・・・・・結合剤、９・・・・・・Ｂｉ２０
５絶縁被膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名菓
４ 図 一力 電圧（Ｖ） −一′ の 藏 綜
示す拡大断面図、第２図および第３図はそれぞれ本発明
の素子をガラス基板上に設けた実施例を示す断面図、第
４図は本発明素子と従来のＺｎＯバリスタの電圧−電流
特性を示す図、第６図は本発明素子において銀粉末の添
加量を変えた場合の電圧非直線指数α、バリスタ電圧ｖ
１１ｉｋおよび並列静電容量Ｃの変化する様子を示す図
である。 １．１ａ 、１ｂ 、２−−−−−４ＴＯ電極、３．３
＆。 ４・・・・・・ガラス基板、５・・・・・・電圧非直線
性素子、６・・・・・・ＺｎＯ粉末、了・・・・・・銀
粉末、８・・・・・・結合剤、９・・・・・・Ｂｉ２０
５絶縁被膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名菓
４ 図 一力 電圧（Ｖ） −一′ の 藏 綜
Claims (1)
- 薄い絶縁被膜を有した微粉末状の半導体物質が複数個
集まった状態を一つの粉末とし、その粉末間もしくは一
部に上記微粉末を含む粉末と金属または導電性の金属酸
化物の粉末とを絶縁性の結合剤で固め、電極を備えてな
ることを特徴とする電圧非直線性素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036002A JPS62193228A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 電圧非直線性素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036002A JPS62193228A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 電圧非直線性素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193228A true JPS62193228A (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=12457575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61036002A Pending JPS62193228A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 電圧非直線性素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193228A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4989027A (en) * | 1988-03-04 | 1991-01-29 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Barrier mechanism of camera |
| USRE34453E (en) * | 1986-10-11 | 1993-11-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photographic camera |
| US5797047A (en) * | 1995-10-17 | 1998-08-18 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera with hinged mounted lens barrier movable with movement of the lens |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50129995A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-14 | ||
| JPS5344899A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-22 | Gen Electric | Metal oxide varistor and method of manufacture thereof |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61036002A patent/JPS62193228A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50129995A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-14 | ||
| JPS5344899A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-22 | Gen Electric | Metal oxide varistor and method of manufacture thereof |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE34453E (en) * | 1986-10-11 | 1993-11-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photographic camera |
| US4989027A (en) * | 1988-03-04 | 1991-01-29 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Barrier mechanism of camera |
| US5130730A (en) * | 1988-03-04 | 1992-07-14 | Asahi Kogaku Kogyo Kaisha | Barrier mechanism of camera |
| US5797047A (en) * | 1995-10-17 | 1998-08-18 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera with hinged mounted lens barrier movable with movement of the lens |
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