JPS62190808A - 電圧非直線性素子 - Google Patents
電圧非直線性素子Info
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- JPS62190808A JPS62190808A JP61034639A JP3463986A JPS62190808A JP S62190808 A JPS62190808 A JP S62190808A JP 61034639 A JP61034639 A JP 61034639A JP 3463986 A JP3463986 A JP 3463986A JP S62190808 A JPS62190808 A JP S62190808A
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- zno
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は印加電圧によって抵抗値が変化する電圧非直線
性素子に関するもので、電圧安定化、異常電圧制御、さ
らＫはマ） ＩＪフックス動の液晶、ＫＬなどの表示デ
バイスのスイッチング素子などに利用されるものである
。
性素子に関するもので、電圧安定化、異常電圧制御、さ
らＫはマ） ＩＪフックス動の液晶、ＫＬなどの表示デ
バイスのスイッチング素子などに利用されるものである
。
従来の技術
従来の電圧非直線性素子は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化
ビスマス（Ｂ１２０３）、酸化コバルト（Ｃｏ２０５）
、酸化’７７ガン（Ｍｎ０２）、酸化アンチモｙ（Ｓｂ
２０３）などの酸化物を添加して、１０ｏＯ〜１３６０
’Ｃで焼結したＺｎＯバリスタなど、種々のものがある
。
ビスマス（Ｂ１２０３）、酸化コバルト（Ｃｏ２０５）
、酸化’７７ガン（Ｍｎ０２）、酸化アンチモｙ（Ｓｂ
２０３）などの酸化物を添加して、１０ｏＯ〜１３６０
’Ｃで焼結したＺｎＯバリスタなど、種々のものがある
。
その中で、ＺｎＯバリスタは電圧非直線指数α、サージ
耐量が大きいことから、最も一般的に使われている。（
特公昭４６−１９４７２号公報参照）発明が解決しよう
とする問題点 このような従来の電圧非直線素子は、ＺｎＯバリスタを
初めとして、素子厚みを薄く（数十μｍ以下）すること
に限界があるため、バリスタ電圧（バリスタに電流１ｍ
人を流した時の電圧ｖ１ｍムで表される）を低くするこ
とに限界があり、低電圧用ＩＣの保護素子や低い電圧に
おける電圧安定化素子として使えないものであった。ま
た、上述したように１０００’Ｃ以上の高温プロセスを
必要とするため、ガラス基板上あるいは回路基板上に電
圧非直線性素子を直接形成できないという問題があった
。さらに、従来のものは並列静電容量が大きく、例えば
液晶などのスイッチング素子としては不適当なものであ
るなどの問題点を有していた。
耐量が大きいことから、最も一般的に使われている。（
特公昭４６−１９４７２号公報参照）発明が解決しよう
とする問題点 このような従来の電圧非直線素子は、ＺｎＯバリスタを
初めとして、素子厚みを薄く（数十μｍ以下）すること
に限界があるため、バリスタ電圧（バリスタに電流１ｍ
人を流した時の電圧ｖ１ｍムで表される）を低くするこ
とに限界があり、低電圧用ＩＣの保護素子や低い電圧に
おける電圧安定化素子として使えないものであった。ま
た、上述したように１０００’Ｃ以上の高温プロセスを
必要とするため、ガラス基板上あるいは回路基板上に電
圧非直線性素子を直接形成できないという問題があった
。さらに、従来のものは並列静電容量が大きく、例えば
液晶などのスイッチング素子としては不適当なものであ
るなどの問題点を有していた。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、Ｂｉ２Ｏ。
を主成分とする薄い絶縁被膜を有した微粉末状の半導体
物質が複数個集まった状態を一つの粉末とし、その粉末
間もしくは一部に上記微粉末を含む粉末間を絶縁性の結
合剤で固め、電極を備えてなるものである。
物質が複数個集まった状態を一つの粉末とし、その粉末
間もしくは一部に上記微粉末を含む粉末間を絶縁性の結
合剤で固め、電極を備えてなるものである。
作用
この構成によれば、低電流域においても電圧非直線指数
αの大きなものが得られ、かつ電極間距離を狭く（数十
μｍ以下）して素子を形成することができ、低電圧化に
適した素子がきわめて容易に得られることとなる。また
、結合剤で固めて素子形成を行う際に高温プロセスを必
要とすることなく作ることができるため、回路基板上に
素子を直接形成することができ、ＺｎＯバリスタなどで
は考えられない幅広い用途が期待できるものである。
αの大きなものが得られ、かつ電極間距離を狭く（数十
μｍ以下）して素子を形成することができ、低電圧化に
適した素子がきわめて容易に得られることとなる。また
、結合剤で固めて素子形成を行う際に高温プロセスを必
要とすることなく作ることができるため、回路基板上に
素子を直接形成することができ、ＺｎＯバリスタなどで
は考えられない幅広い用途が期待できるものである。
さらに、粉末状の半導体物質を絶縁性の結合剤でもって
固めたものであるため、それぞれの半導体物質の粉末間
は点接触となシ、接触面積が小さいことから並列静電容
量の小さなものが得られ、液晶などのデバイスのスイッ
チング素子として最適な素子が提供できることとなる。
固めたものであるため、それぞれの半導体物質の粉末間
は点接触となシ、接触面積が小さいことから並列静電容
量の小さなものが得られ、液晶などのデバイスのスイッ
チング素子として最適な素子が提供できることとなる。
実施例
以下、本発明を実施例にもとづいて詳細に説明する。
まず、粒子径がｏ、ＯＦ５〜１μｍの微粒子状の酸化亜
鉛を７００〜１３００℃で焼成した後、その焼結された
ＺｎＯをＯ０Ｓ〜６０μｍの粒子径（平均粒子径１〜１
０μｍ）に粉砕し、そのＺｎＯ微粉末に酸化ビスマスを
０．０６〜１０ｍ０１％添加し、６００〜１３５０’ｌ
：：で１ｏ〜ｅＯ分間、熱処理し、そのＺｎＯ微粉末表
面に酸化ビスマスの絶縁被膜を形成した。ここで、微粉
末状のＺｎＯの表面にばＢｉ２Ｏ３絶縁被膜がほぼ数十
〜数百人の厚さで薄く形成されていることが認められた
。次いで、このようにして作成したＢｉ２Ｏ３絶縁被膜
が表面についたＺｎＯ微粉末はそれぞれが弱い力で互い
に接着しているので、これを乳鉢あるいはポットミルで
ほぐし、上記ＺｎＯ微粉末がそれぞれ複数個集まった微
粉末群の状態とした（以下、この状態のものを粉末状と
いう）。この時、一部に上記ＺｎＯ微粉末が単独で存在
しても差支えないものであり、このようなＺｎＯ微粉末
を一部に含んでの状態のものも粉末状という。次に、上
記のようにして得られたＢｉ２Ｏ５絶縁被膜が表面に形
成された粉末状のＺｎＯに、粉末間の結合を−る絶縁性
の結合剤（バインダー）としてポリイばド樹脂を添加し
、混合した。
鉛を７００〜１３００℃で焼成した後、その焼結された
ＺｎＯをＯ０Ｓ〜６０μｍの粒子径（平均粒子径１〜１
０μｍ）に粉砕し、そのＺｎＯ微粉末に酸化ビスマスを
０．０６〜１０ｍ０１％添加し、６００〜１３５０’ｌ
：：で１ｏ〜ｅＯ分間、熱処理し、そのＺｎＯ微粉末表
面に酸化ビスマスの絶縁被膜を形成した。ここで、微粉
末状のＺｎＯの表面にばＢｉ２Ｏ３絶縁被膜がほぼ数十
〜数百人の厚さで薄く形成されていることが認められた
。次いで、このようにして作成したＢｉ２Ｏ３絶縁被膜
が表面についたＺｎＯ微粉末はそれぞれが弱い力で互い
に接着しているので、これを乳鉢あるいはポットミルで
ほぐし、上記ＺｎＯ微粉末がそれぞれ複数個集まった微
粉末群の状態とした（以下、この状態のものを粉末状と
いう）。この時、一部に上記ＺｎＯ微粉末が単独で存在
しても差支えないものであり、このようなＺｎＯ微粉末
を一部に含んでの状態のものも粉末状という。次に、上
記のようにして得られたＢｉ２Ｏ５絶縁被膜が表面に形
成された粉末状のＺｎＯに、粉末間の結合を−る絶縁性
の結合剤（バインダー）としてポリイばド樹脂を添加し
、混合した。
ここで、結合剤としてはポリイミド樹脂の固形分が溶剤
（例えばｎ−メチル−２−ピロリドン）に対して５ ｗ
ｔ％となるように薄めたものとし、それをＺｎＯ粉末と
例えば等重量で混合し、ペイント状とした。次いで、上
記のようにして得られたペイントを第２図に示すように
ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）電極１の設けられた
ガラス基板３上に例えばスクリーン印刷で塗布し、その
上に同じ（ＩＴＯ電極２の設けられたガラス基板４を載
置し、２８０〜４００’Ｃで３０分間、大気中で硬化さ
せ、電極１．２間に電圧非直線性素子５を設けた。第１
図は、電圧非直線性素子６の拡大断面図であり、６はＺ
ｎＯ粉末、７はＺｎＯ粉末６の表面に施されたＢｉ２Ｏ
５絶縁被膜、８はそれらＺｎＯ粉末６間を機械的に結合
している絶縁性の結合剤であり、この結合剤８でもって
ＺｎＯ粉末６の間は互いに固められている。第３図はＩ
ＴＯ電極１＆、１ｂが設けられたガラス基板３ａ上に電
圧非直線性素子５を構成した場合を示している。
（例えばｎ−メチル−２−ピロリドン）に対して５ ｗ
ｔ％となるように薄めたものとし、それをＺｎＯ粉末と
例えば等重量で混合し、ペイント状とした。次いで、上
記のようにして得られたペイントを第２図に示すように
ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）電極１の設けられた
ガラス基板３上に例えばスクリーン印刷で塗布し、その
上に同じ（ＩＴＯ電極２の設けられたガラス基板４を載
置し、２８０〜４００’Ｃで３０分間、大気中で硬化さ
せ、電極１．２間に電圧非直線性素子５を設けた。第１
図は、電圧非直線性素子６の拡大断面図であり、６はＺ
ｎＯ粉末、７はＺｎＯ粉末６の表面に施されたＢｉ２Ｏ
５絶縁被膜、８はそれらＺｎＯ粉末６間を機械的に結合
している絶縁性の結合剤であり、この結合剤８でもって
ＺｎＯ粉末６の間は互いに固められている。第３図はＩ
ＴＯ電極１＆、１ｂが設けられたガラス基板３ａ上に電
圧非直線性素子５を構成した場合を示している。
次に、上記のようにして作成された電圧非直線性素子の
電圧−電流特性について説明する。まず、第４図は第２
図の構成における電圧−電流特性を従来のＺｎＯバリス
タのそれと比較して示している。
電圧−電流特性について説明する。まず、第４図は第２
図の構成における電圧−電流特性を従来のＺｎＯバリス
タのそれと比較して示している。
本発明の素子は、まず酸化亜鉛を７００’Ｃで焼成し、
これにＢｉ２Ｏ３を０．５ｍ０Ｌ％添加したものを９０
０’Ｃ１６ｏ分間熱処理した後、この平均粒子径６〜１
０μｍのＺｎＯ粉末と結合剤とを等重量で混合したもの
において、素子面積を１ ｍｍ” ＊電極間距離を３０
μｍとした場合における特性を示している。さて、電圧
非直線性素子の電圧−電流特性は、よく知られているよ
うに近似的に次式で示されている。
これにＢｉ２Ｏ３を０．５ｍ０Ｌ％添加したものを９０
０’Ｃ１６ｏ分間熱処理した後、この平均粒子径６〜１
０μｍのＺｎＯ粉末と結合剤とを等重量で混合したもの
において、素子面積を１ ｍｍ” ＊電極間距離を３０
μｍとした場合における特性を示している。さて、電圧
非直線性素子の電圧−電流特性は、よく知られているよ
うに近似的に次式で示されている。
Ｉ＝ ＫＶ“
ここで、工は素子に流れる電流、Ｖは素子の電極間の電
圧、Ｋは固有抵抗の抵抗値に相当する定数、αは上述し
た電圧非直線特性の指数を示しており、この電圧非直線
指数αは大きい程、電圧非直線性が優れていることにな
る。
圧、Ｋは固有抵抗の抵抗値に相当する定数、αは上述し
た電圧非直線特性の指数を示しており、この電圧非直線
指数αは大きい程、電圧非直線性が優れていることにな
る。
第４図の特性に示されるように、特性Ｂで示される従来
のＺｎＯバリスタは低電流域において電圧非直線指数α
が小さく、１０ 五以下の電流では良好な電圧非直線性
素子としての機能を発揮し得ない。一方、特性ムで示さ
れる本発明の素子では低電流域においても電圧非直線指
数αが大きく、１０−”人程度の電流域でも十分に電圧
非直線性素子としての機能を発揮することができること
を示している。また、通常、ＺｎＯバリスタにおいては
バリスタ特性を表わすのに、例えば素子に１ｍ人の電流
を流した時の電極間に現れる電圧をノ（リスク電圧ｖ１
ｍムと呼び、このバリスタ電圧Ｌｍムと上記電圧非直線
指数αとを使用している。本発明の素子では、上述した
ように、低電流域においても電圧非直線指数αが大きく
、バリスタ電圧を第４図に示すように例えばｖｌｌ、ｔ
ｋで表わすことができる。
のＺｎＯバリスタは低電流域において電圧非直線指数α
が小さく、１０ 五以下の電流では良好な電圧非直線性
素子としての機能を発揮し得ない。一方、特性ムで示さ
れる本発明の素子では低電流域においても電圧非直線指
数αが大きく、１０−”人程度の電流域でも十分に電圧
非直線性素子としての機能を発揮することができること
を示している。また、通常、ＺｎＯバリスタにおいては
バリスタ特性を表わすのに、例えば素子に１ｍ人の電流
を流した時の電極間に現れる電圧をノ（リスク電圧ｖ１
ｍムと呼び、このバリスタ電圧Ｌｍムと上記電圧非直線
指数αとを使用している。本発明の素子では、上述した
ように、低電流域においても電圧非直線指数αが大きく
、バリスタ電圧を第４図に示すように例えばｖｌｌ、ｔ
ｋで表わすことができる。
このように本発明において、バリスタ電圧を低いものと
することができるのは、電極間距離を狭くして素子を形
成することができるためである。
することができるのは、電極間距離を狭くして素子を形
成することができるためである。
また、本発明素子において低電流域でも電圧非直線指数
αが大きい理由は、現在のところ理由は明確とはなって
いないが、粉末状の半導体物質（ＺｎＯ）を絶縁性の結
合剤でもって固めたものであるため、それぞれの半導体
物質の間は点接触となり、接触面積が小さいこと、また
結合剤が絶縁性のため、漏れ電流が小さくなっているこ
とによるものと考えられる。
αが大きい理由は、現在のところ理由は明確とはなって
いないが、粉末状の半導体物質（ＺｎＯ）を絶縁性の結
合剤でもって固めたものであるため、それぞれの半導体
物質の間は点接触となり、接触面積が小さいこと、また
結合剤が絶縁性のため、漏れ電流が小さくなっているこ
とによるものと考えられる。
ここで、第４図の特性は上述したように電極間距離を３
０μｍとした素子についてのものであるが、これはＺｎ
Ｏ粉末の平均粒径が６〜１０μｍという比較的大きな粒
子径のためにこれ以上狭くすることができないからであ
る。すなわち、ＺｎＯ粉末の平均粒子径が０．３〜３μ
ｍのものを使えば、電極間距離が１０μｍ程度、もしく
はそれ以下の素子を作成することができるのであり、そ
の場合においても第４図に示すような良好な特性が得ら
れることを本発明者らは実験により確認した。
０μｍとした素子についてのものであるが、これはＺｎ
Ｏ粉末の平均粒径が６〜１０μｍという比較的大きな粒
子径のためにこれ以上狭くすることができないからであ
る。すなわち、ＺｎＯ粉末の平均粒子径が０．３〜３μ
ｍのものを使えば、電極間距離が１０μｍ程度、もしく
はそれ以下の素子を作成することができるのであり、そ
の場合においても第４図に示すような良好な特性が得ら
れることを本発明者らは実験により確認した。
第６図は本発明において、酸化ビスマスの添加量を変え
た場合のバリスタ電圧ｖ積ム、電圧非直線指数αおよび
並列静電容量Ｃの変化する様子を示している。ここで、
酸化亜鉛の溶成温度など、その他の条件は第４図の場合
の条件と同一とした。
た場合のバリスタ電圧ｖ積ム、電圧非直線指数αおよび
並列静電容量Ｃの変化する様子を示している。ここで、
酸化亜鉛の溶成温度など、その他の条件は第４図の場合
の条件と同一とした。
第５図に示されるように、本発明素子においては並列静
電容量が従来のＺｎＯバリスタが１０００〜２００００
ＰＦであるのに対して非常に小さいものとなっている。
電容量が従来のＺｎＯバリスタが１０００〜２００００
ＰＦであるのに対して非常に小さいものとなっている。
この並列静電容量が本発明素子において小さい理由は、
上述したように半導体物質間の接触面積が小さいことに
よるものである。
上述したように半導体物質間の接触面積が小さいことに
よるものである。
なお、上記の実施例においては、半導体物質としては、
ＺｎＯを例にと９説明したが、それ以外の半導体物質で
あっても差支えないことはもちろんである。また、同様
に絶縁被膜を構成する材料としては、Ｂｉ２Ｏ３単独に
限られることはな（Ｂｉ２Ｏ５を主成分として、Ａ／、
Ｔｉ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｈｉ、Ｏｒ、Ｓｉなどの金属酸化物
またはこれら金属の有機金属化合物を単独または組合せ
て使用することができるものである。
ＺｎＯを例にと９説明したが、それ以外の半導体物質で
あっても差支えないことはもちろんである。また、同様
に絶縁被膜を構成する材料としては、Ｂｉ２Ｏ３単独に
限られることはな（Ｂｉ２Ｏ５を主成分として、Ａ／、
Ｔｉ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｈｉ、Ｏｒ、Ｓｉなどの金属酸化物
またはこれら金属の有機金属化合物を単独または組合せ
て使用することができるものである。
さらに、粉末状の半導体物質を固める絶縁性の結合剤と
しては、ポリイミド樹脂の他にも種々考えられることは
もちろんであり、熱硬化性樹脂、たとえば、フェノール
樹脂、フラン樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂。
しては、ポリイミド樹脂の他にも種々考えられることは
もちろんであり、熱硬化性樹脂、たとえば、フェノール
樹脂、フラン樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂。
ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
樹脂、ケイ素樹脂などでも良いものである。
樹脂、ケイ素樹脂などでも良いものである。
発明の効果
以上の説明より明らかなように本発明の電圧非直線性素
子は、低電流域における電圧非直線指数αが大きく、ま
だ並列静電容量の小さな素子が得られることから、消費
電流の小さい液晶、ＫＬなどのデバイスのスイッチング
素子として最適な素子を提供できるものである。また、
電極間距離を狭くして素子を形成することができるため
、バリスタ電圧の低いものが得られ、上記電圧非直線指
数αが大きいことと相まって従来のＺｎＯバリスタでは
対応することのできなかった低電圧用ＩＣの保護素子や
低い電圧における電圧安定化素子として使用することが
できる。さらに、結合剤で固めて素子形成を行う際に高
温プロセスを必要とすることなく簡単にして作ることが
できるため、回路基板上やガラス基板上に素子を直接形
成することができるものである。このように種々の特徴
を有する本発明の電圧非直線性素子は、今までのＺｎＯ
バリスタなどでは考えられない幅広い用途が期待できる
ものであり、その産業性は大なるものである。
子は、低電流域における電圧非直線指数αが大きく、ま
だ並列静電容量の小さな素子が得られることから、消費
電流の小さい液晶、ＫＬなどのデバイスのスイッチング
素子として最適な素子を提供できるものである。また、
電極間距離を狭くして素子を形成することができるため
、バリスタ電圧の低いものが得られ、上記電圧非直線指
数αが大きいことと相まって従来のＺｎＯバリスタでは
対応することのできなかった低電圧用ＩＣの保護素子や
低い電圧における電圧安定化素子として使用することが
できる。さらに、結合剤で固めて素子形成を行う際に高
温プロセスを必要とすることなく簡単にして作ることが
できるため、回路基板上やガラス基板上に素子を直接形
成することができるものである。このように種々の特徴
を有する本発明の電圧非直線性素子は、今までのＺｎＯ
バリスタなどでは考えられない幅広い用途が期待できる
ものであり、その産業性は大なるものである。
第１図は本発明に係わる電圧非直線性素子の一実施例を
示す拡大断面図、第２図および第３図はそれぞれ本発明
の素子をガラス基板上に設けた実施例を示す断面図、第
４図は本発明素子と従来のＺｎＯバリスタの電圧−電流
特性を示す図、第６図は本発明素子においてＢｉ２Ｏ５
の添加量を変えた場合の電圧非直線指数α、バリスタ電
圧ｖ１μムおよび並列静電容量Ｃの変化する様子を示す
図である。 １．１ａ 、 １ｂ 、２−・−−−−ＩＴＯ電極、３
．３＆。 ４・・・・・・ガラス基板、５・・・・・・電圧非直線
性素子、６・・・・・・ＺｎＯ粉末、７・・・・・・Ｂ
ｉ２０５絶縁被膜、８・・・・・・結合剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名の 派 第４因 一± を芝（ｖ） 第５図
示す拡大断面図、第２図および第３図はそれぞれ本発明
の素子をガラス基板上に設けた実施例を示す断面図、第
４図は本発明素子と従来のＺｎＯバリスタの電圧−電流
特性を示す図、第６図は本発明素子においてＢｉ２Ｏ５
の添加量を変えた場合の電圧非直線指数α、バリスタ電
圧ｖ１μムおよび並列静電容量Ｃの変化する様子を示す
図である。 １．１ａ 、 １ｂ 、２−・−−−−ＩＴＯ電極、３
．３＆。 ４・・・・・・ガラス基板、５・・・・・・電圧非直線
性素子、６・・・・・・ＺｎＯ粉末、７・・・・・・Ｂ
ｉ２０５絶縁被膜、８・・・・・・結合剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名の 派 第４因 一± を芝（ｖ） 第５図
Claims (1)
- Ｂｉ＿２Ｏ＿３を主成分とする薄い絶縁被膜を有した
微粉末状の半導体物質が複数個集まった状態を一つの粉
末とし、その粉末間もしくは一部に上記微粉末を含む粉
末間を絶縁性の結合剤で固め、電極を備えてなることを
特徴とする電圧非直線性素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034639A JPS62190808A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 電圧非直線性素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034639A JPS62190808A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 電圧非直線性素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190808A true JPS62190808A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12419989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034639A Pending JPS62190808A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 電圧非直線性素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190808A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5083789A (ja) * | 1973-11-28 | 1975-07-07 | ||
| JPS5344899A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-22 | Gen Electric | Metal oxide varistor and method of manufacture thereof |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034639A patent/JPS62190808A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5083789A (ja) * | 1973-11-28 | 1975-07-07 | ||
| JPS5344899A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-22 | Gen Electric | Metal oxide varistor and method of manufacture thereof |
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