JPS62190839A - 露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔］既要〕 リソグラフィ工程でマスクとウェハーのパターンの正確
なる位置合せは、集積回路の微細化に伴って益々重要な
る問題となっている。本発明ではウェハーの位置合せマ
ーク上に被着せるレジスト膜を、先に除去することによ
り位置合せの精度向上を行った。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、露光工程におけるウェハーとマスクの位置合
せに関する。

集積回路のウェハープロセスにおいては、マスクを用い
た露光工程が何回も繰り返される。それぞれの露光工程
では、露光に先立ってウェハーとマスクのパターンの位
置合せを必要とする。

位置合せは、ウェハーのスクライブライン上の位置合せ
マークを、それぞれ対応するマスク上のマークと光学的
に位置合せを行うもので、この位置合せての精度が、集
積回路の微細化設計を支配する重要なる一要素となって
いる。

また、製造においても、製品の品質の均一化をはかるた
めに、位置合せ精度の向上が要望されている。

〔従来の技ｉホテ〕

ウェハー上の位置合せマークは、通常スクライプライン
上に十字形、Ｌ字形、四角形、長方形、あるいはこれら
の集合として、ウェハープロセスの初期段階にエツチン
グにより形成される。

位置合せマークが形成されたウェハーは、露光に先立っ
て所要の特性のレジスト膜がウェハー上に被着される。

このレジスト膜は位置合せマーク上にも同様に被着され
るので、ウェハー上の一つのマークの断面をとると第２
図の如くになる。

ウェハー１上にはマーク２を形成する突起がエツチング
により形成されているので、レジスト膜３がマーク上で
凸状に盛り上がった状態で被着している。

通常の位置合せのプロセスは、上記の如き形状のマーク
に光を照射して、マスク上の対応するマークと位置合せ
を行っている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記に述べた、従来の技術による位置合せの方法では、
マーク上及びその周辺で不均一なる膜厚で、盛り上がり
形状のレジスト膜が被着している。

照射された光は複雑なる干渉、反射を起し、位置合せに
必要とするエツジ部４のシャープなる映像が得、られな
いことである。

上記マーク上のレジスト膜の表面を平坦化するため有機
被膜（シラノール）５、ＨゎＳ　ｉ（ＯＨ）４−ｆｉを
、第３図に示す如くレジスト股上に塗布することが行わ
れているがその効果は小さい。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、特定のマスク工程で使用されるマーク上
のレジスト膜のみ、レーザ照射により除去してマークを
露出させることよりなる本発明の露光方法によって解決
される。

即ち、ウェハーの位置合せマーク上に被着せるレジスト
膜を、レーザ照射により除去した後、マスクとウェハー
の位置合せを行うことにより達成される。

また、前記レーザの照射にあたり、雰囲気に酸素ガスを
導入することによりレジスト膜の除去が容易となる。

〔作用〕

レジスト膜が除去されたことにより、エツジ部のシャー
プな映像信号を得ることが容易となり、位置合せの精度
は大きく改善される。

〔実施例〕

本発明による一実施例を図面により詳細説明する。

第１図（ａｌは、ウェハー１の位置合せマーク２上に被
着されたレジスト膜３に、アルゴンガスレーザ、あるい
は炭酸ガスレーザを照射する状況を断面図で示す。

上記のプロセスは、真空中よりもレジスト膜の表面に酸
素ガスを吹きつけつつレーザを照射する方が効果的であ
る。

レーザの照射は、スポット的にウェハー上の本マスク工
程で使用される位置合せマークに対してのみ行われる。

照射の終わった状態を第１図（ｂ）に示す。

レーザの照射は、専用のレーザ照射装置を用いる以外に
も、露光装置にレーザ光源と酸素ガス導入孔を付属せし
めることによっても可能である。

〔発明の効果〕

以上に説明せるごとく本発明の露光方法を適用すること
により、位置合せの精度の向上は云うまでもなく、エツ
チング工程でのマージンも広くなり、集積回路の微細化
と品質の向上に寄与する所大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は（ａｌ、　（ｂ）は本発明にかかわる露光方法
を説明する断面図、 第２図は従来の技術での問題点を説明する断面図、 第３図は従来の技術での対策を説明する断面図、を示す
。 図面において、 ■はウェハー、 ２は位置合せマーク、 ３はレジスト膜、 ４はエツジ部、 ５は有機被膜（シラノール）、 をそれぞれ示す。 し−゛リパ末 、不廃明１ｓａ・か七り飲第３五督設明す■暢図第　１
　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ウェハー（１）の位置合せマーク（２）上に被着
   せるレジスト膜（３）を、レーザ照射により除去した後
   、マスクとウェハーの位置合せを行うことを特徴とする
   露光方法。（２）前記レーザの照射にあたり、雰囲気に
   酸素ガスを導入することを特徴とする特許請求範囲第（
   １）項記載の露光方法。