JPS62190886A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS62190886A JPS62190886A JP3408786A JP3408786A JPS62190886A JP S62190886 A JPS62190886 A JP S62190886A JP 3408786 A JP3408786 A JP 3408786A JP 3408786 A JP3408786 A JP 3408786A JP S62190886 A JPS62190886 A JP S62190886A
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- semiconductor laser
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野Ｊ
この発明は、半導体レーザ装置に係り、特に混晶半導体
の光導波層を超格子構造または量子井戸構造で構成した
長波長帯Ｓ ＣＨ（５ｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅ
ｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ）半導体
し一デＫｐｌ＠するものである。
の光導波層を超格子構造または量子井戸構造で構成した
長波長帯Ｓ ＣＨ（５ｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅ
ｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ）半導体
し一デＫｐｌ＠するものである。
〔従来の技術」
従来、ＳＣＨ半専体レーザは、基本構成要素である３つ
の半導体、即ち、所定発振波長を得るために必要な禁制
帯幅を有する活性層半導体、上記活性層半導体と格子整
合条件を満足し、それよりも禁制帯幅４；大にく、屈折
率の小さい光導波層半導体およびクラッド層半導体から
なっている（Ｃａｓｅｙ＆ Ｐａｎ１ｓｈ、 Ｈｅｔｅ
ｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒｓ 、１９７８
。
の半導体、即ち、所定発振波長を得るために必要な禁制
帯幅を有する活性層半導体、上記活性層半導体と格子整
合条件を満足し、それよりも禁制帯幅４；大にく、屈折
率の小さい光導波層半導体およびクラッド層半導体から
なっている（Ｃａｓｅｙ＆ Ｐａｎ１ｓｈ、 Ｈｅｔｅ
ｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒｓ 、１９７８
。
Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ ） ｏ所定の発振反
長帯を有する半導体レーザを製造する場合、基板財料が
与えられると、それと格子定数を一致させる必要上、ｌ
昆晶半導体の次元が３以］と低ければ、禁制帯幅の選択
の全知は少なく、一方、混晶半導体の次元が４以上と縞
くなると、禁制帯幅の選択の全知が生じるが、多元混晶
半導体の組成制御が容易でなくなると云う一般的な困難
さが存在する。
長帯を有する半導体レーザを製造する場合、基板財料が
与えられると、それと格子定数を一致させる必要上、ｌ
昆晶半導体の次元が３以］と低ければ、禁制帯幅の選択
の全知は少なく、一方、混晶半導体の次元が４以上と縞
くなると、禁制帯幅の選択の全知が生じるが、多元混晶
半導体の組成制御が容易でなくなると云う一般的な困難
さが存在する。
光通信に用いられている石英系光フアイバー伝送損失の
小さい１．３〜７．６μｍの波長＠域を有する従来の長
波長帯ＳＣＨ半導体レーザは、ＩｎＰを基板として、第
２図に示す構成をもっている。第２図にかいて、（１）
は金属電極、（２）は第１の導電型のＩｎＰ基板、（３
）は第１の導電型のクラッド層、（４）はアンドープ又
は第１の導電型の第１の光４波層、（５）は活性層、（
６）はアンドープ又は第２の導電型の＠２の光等波層、
（７）は第２の導電型のクラッド層、（８）は第２の導
電型のコンタクト層、（９）は企九電礒である。ここで
、上記ＳＣＨ半導体レーザの基本構成要素である活性層
（５）、光導波層（４） （６）およびクラツド層（３
］ （７Ｊに対応する３種類の半導体の１−ＸＡ５ｙＰ
ｔ−ｙｌどの４元以上の混晶半導体により構゛成される
。
小さい１．３〜７．６μｍの波長＠域を有する従来の長
波長帯ＳＣＨ半導体レーザは、ＩｎＰを基板として、第
２図に示す構成をもっている。第２図にかいて、（１）
は金属電極、（２）は第１の導電型のＩｎＰ基板、（３
）は第１の導電型のクラッド層、（４）はアンドープ又
は第１の導電型の第１の光４波層、（５）は活性層、（
６）はアンドープ又は第２の導電型の＠２の光等波層、
（７）は第２の導電型のクラッド層、（８）は第２の導
電型のコンタクト層、（９）は企九電礒である。ここで
、上記ＳＣＨ半導体レーザの基本構成要素である活性層
（５）、光導波層（４） （６）およびクラツド層（３
］ （７Ｊに対応する３種類の半導体の１−ＸＡ５ｙＰ
ｔ−ｙｌどの４元以上の混晶半導体により構゛成される
。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので格子整合条件を満足させる必要上４元混晶半導体に
より構成される活性層（５）、光導波層（４） （６）
およびクラツド層（３） （７）のうちのいづれか１つ
は混晶組成を微妙に変化させなければならず、従来用い
られている液相エピタキシャル成ｆｅ＆では、メルトの
まざりによる組成の乱れやヘテロ界面の劣化が生じるな
どの問題点があった。また、気相エピタキシャル成長法
を用いた場合でも多元混晶半導体ではより多くの構成元
素の精密な組成制御が必要であるので、再現性１歩留り
に問題点があった。
ので格子整合条件を満足させる必要上４元混晶半導体に
より構成される活性層（５）、光導波層（４） （６）
およびクラツド層（３） （７）のうちのいづれか１つ
は混晶組成を微妙に変化させなければならず、従来用い
られている液相エピタキシャル成ｆｅ＆では、メルトの
まざりによる組成の乱れやヘテロ界面の劣化が生じるな
どの問題点があった。また、気相エピタキシャル成長法
を用いた場合でも多元混晶半導体ではより多くの構成元
素の精密な組成制御が必要であるので、再現性１歩留り
に問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、４元以上の混晶半導体を用いることなく、
２種類の３元混晶半導体のみを用いかつ、超格子または
量子井戸構造を用いることによって、１．３゛〜１．６
μｍ帯のＳＣＨ半導体レーザ装置を容易に得ることを目
的とする。
れたもので、４元以上の混晶半導体を用いることなく、
２種類の３元混晶半導体のみを用いかつ、超格子または
量子井戸構造を用いることによって、１．３゛〜１．６
μｍ帯のＳＣＨ半導体レーザ装置を容易に得ることを目
的とする。
〔問題点を解決するための手段Ｊ
この発明に係る半導体レーザ装置は、４元混晶半導体工
ｎｘＧａｙＡ１１−ｚ−ｙＡｓ 、■ｎｘＧａ １−Ｘ
Ａ ａ ７Ｐ ｌ−ｙを用いる代わりに、ＩｎＰに格子
整合している３元混晶半導体１ｎ０．５３Ｇａ０．４７
Ａｓ 、 Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓのみを用い、
Ｉｎ０．５３０ａＬ）、４７Ａｓと工ｎＵ、５２Ａｌ０
．４８Ａｓからなる積層構造を光導波層に用いたもので
ある。
ｎｘＧａｙＡ１１−ｚ−ｙＡｓ 、■ｎｘＧａ １−Ｘ
Ａ ａ ７Ｐ ｌ−ｙを用いる代わりに、ＩｎＰに格子
整合している３元混晶半導体１ｎ０．５３Ｇａ０．４７
Ａｓ 、 Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓのみを用い、
Ｉｎ０．５３０ａＬ）、４７Ａｓと工ｎＵ、５２Ａｌ０
．４８Ａｓからなる積層構造を光導波層に用いたもので
ある。
［作用］
この発明においては、半導体レーザ装置の３種類の半導
体基本構成要素をＩｎＰに格子整合したＩｎ０．５３Ｇ
ａ０．４７Ａｓ、■ｎｏ、５２Ａｌｏ、４８Ａｓおよび
それらを交互に積層した超格子又は量子井戸構造により
構成し、３元混晶半導体のみを用いたので製造方法およ
び５ＣＩ（構造の構成組み合わせが容易になり、素子の
歩留り、再現性、性能が向上する〔発明の未施例Ｊ 以Ｆ、この発明の一実施例を図について説明する。図に
おいて（ｌＯ）は金属電極、（２０）は工ｎ Ｐ カら
なる第１導電型の半導体基板、（３０）はこの半導体基
板（２０）上に設けられたＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａ
ｓからなる第１導電型の第１クラッド層、（４０）はこ
の第１クラッド層（２υ）上に設けられ上記第１クラッ
ド層（３０）よりも禁制帯幅が大きくかつ屈折率が小さ
くされた第１得電型またはノンドープの第１の光等波層
で、この第１の光導波層（４（＋）は量子井戸“層とし
ての工ｎ ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層（１０Ｕ）と障
壁層としてのｒｒ＋０．５１Ａ上０．４８Ａｓ層（１１
０）とを同一膜厚で交互に積層した超格子またはは子井
戸構造により構成されている。（５０）は上記第１の光
４反層（４０）上に設けられ上記光導波層（４０）より
も禁制帯幅が大きくかつ屈折率が小さくされたＩｎ０１
５２Ｇａ０．４７Ａｓからなるノンドーブまたは第２導
電型の活性層、（６０）はこの活性層（５０）ｉ Ｋ投
けられ上記光導波層（４０）とほぼ同じ禁制帯幅及び屈
折率を有した第２導電型またはノンドープの第２の光導
波層で、この第２の光導波層（６０）は上記第ｌの光導
波層（４０）と同様の構成となっている。（７０）はこ
の第２の光導波層（６０）上に設けられ上記第１クラッ
ド層（２０）とほぼ同じ禁制帯幅及び屈折率を有したＩ
ｎ０．５２Ａ４０．４８Ａｓからなる第２等電型の第２
クラッド層、（８０）は、この第２クラツド層（７０）
上に設けられたＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓからなる
コンタクト層、（９０）はこのコンタクト層（８０）、
ヒに設けられた金ｆＩｊ４電極である。
体基本構成要素をＩｎＰに格子整合したＩｎ０．５３Ｇ
ａ０．４７Ａｓ、■ｎｏ、５２Ａｌｏ、４８Ａｓおよび
それらを交互に積層した超格子又は量子井戸構造により
構成し、３元混晶半導体のみを用いたので製造方法およ
び５ＣＩ（構造の構成組み合わせが容易になり、素子の
歩留り、再現性、性能が向上する〔発明の未施例Ｊ 以Ｆ、この発明の一実施例を図について説明する。図に
おいて（ｌＯ）は金属電極、（２０）は工ｎ Ｐ カら
なる第１導電型の半導体基板、（３０）はこの半導体基
板（２０）上に設けられたＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａ
ｓからなる第１導電型の第１クラッド層、（４０）はこ
の第１クラッド層（２υ）上に設けられ上記第１クラッ
ド層（３０）よりも禁制帯幅が大きくかつ屈折率が小さ
くされた第１得電型またはノンドープの第１の光等波層
で、この第１の光導波層（４（＋）は量子井戸“層とし
ての工ｎ ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層（１０Ｕ）と障
壁層としてのｒｒ＋０．５１Ａ上０．４８Ａｓ層（１１
０）とを同一膜厚で交互に積層した超格子またはは子井
戸構造により構成されている。（５０）は上記第１の光
４反層（４０）上に設けられ上記光導波層（４０）より
も禁制帯幅が大きくかつ屈折率が小さくされたＩｎ０１
５２Ｇａ０．４７Ａｓからなるノンドーブまたは第２導
電型の活性層、（６０）はこの活性層（５０）ｉ Ｋ投
けられ上記光導波層（４０）とほぼ同じ禁制帯幅及び屈
折率を有した第２導電型またはノンドープの第２の光導
波層で、この第２の光導波層（６０）は上記第ｌの光導
波層（４０）と同様の構成となっている。（７０）はこ
の第２の光導波層（６０）上に設けられ上記第１クラッ
ド層（２０）とほぼ同じ禁制帯幅及び屈折率を有したＩ
ｎ０．５２Ａ４０．４８Ａｓからなる第２等電型の第２
クラッド層、（８０）は、この第２クラツド層（７０）
上に設けられたＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓからなる
コンタクト層、（９０）はこのコンタクト層（８０）、
ヒに設けられた金ｆＩｊ４電極である。
上記の様に構成された半導体レーザ装置に於ては、４元
混晶半導体を用いることなく、２種類の３元混晶半導体
のみを用いて、ＳＣＨ半辱体レーザの３つの半導体基本
構成要素を得ている。、Ｅ記ＳＣＨ半導体し−ザ忙おい
て、上記光導波層（４０）（６０）の量子井戸層（ｔｏ
ｏ）厚さｌｚｋよび障壁層（１１（１）ＩＩＩＭＩＢｆ
：、量子サイズ効果（Ｒ、Ｄｉｎｇｌｅ、 Ｆｅｓｔｋ
ｏｒｐｅｒｐｒｏｂｌｅｍｅ ｅｄｉｔｅｄ ｂｙ Ｈ
％Ｊ 、 Ｑｕｅｉｓａｅｒ ％Ｐｅｒｇａｍｏｎ−Ｖ
ｉｅｗｅｇ、 １９７５、Ｖ ｏ １ 、 ＸＶ ＋
Ｐ ２１ ）が生じるように、ｆ＜定すれば禁１１１１
Ｉ帯幅馳をＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ （Ｅｇ〜０
．８ｅＶ ）とＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ （Ｅ
ｇ〜１．５ｅＶ ）との中間の値とすることができる。
混晶半導体を用いることなく、２種類の３元混晶半導体
のみを用いて、ＳＣＨ半辱体レーザの３つの半導体基本
構成要素を得ている。、Ｅ記ＳＣＨ半導体し−ザ忙おい
て、上記光導波層（４０）（６０）の量子井戸層（ｔｏ
ｏ）厚さｌｚｋよび障壁層（１１（１）ＩＩＩＭＩＢｆ
：、量子サイズ効果（Ｒ、Ｄｉｎｇｌｅ、 Ｆｅｓｔｋ
ｏｒｐｅｒｐｒｏｂｌｅｍｅ ｅｄｉｔｅｄ ｂｙ Ｈ
％Ｊ 、 Ｑｕｅｉｓａｅｒ ％Ｐｅｒｇａｍｏｎ−Ｖ
ｉｅｗｅｇ、 １９７５、Ｖ ｏ １ 、 ＸＶ ＋
Ｐ ２１ ）が生じるように、ｆ＜定すれば禁１１１１
Ｉ帯幅馳をＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ （Ｅｇ〜０
．８ｅＶ ）とＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ （Ｅ
ｇ〜１．５ｅＶ ）との中間の値とすることができる。
クレーニヒ・ベニ−モデルを用いた量子準位の計算の結
果によると、ｌｚとして２０Ａ程度の値を採用すれば、
ＳＣＨ半導体レーザとして機能させるのに必要な禁制帯
幅の差０．２ ｅＶが容易に得られることがわかる。
果によると、ｌｚとして２０Ａ程度の値を採用すれば、
ＳＣＨ半導体レーザとして機能させるのに必要な禁制帯
幅の差０．２ ｅＶが容易に得られることがわかる。
また、光導波層（４０） （６０）における屈折率は、
Ｉｎ０．５３Ｇａｏ、４７Ａｓ層（１００）とＩｎ０．
５２Ａｌ０．４８Ａｓ 層（ＩＩＬＩ）とからなる積層
構造の平均組成（／Ｂ／（／Ｚ＋７Ｂ） ） Ｋよって
近似すると、Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７ＡｓとＩｎ０．
５２Ｇａ０．４８肋との中間の値とすることができる。
Ｉｎ０．５３Ｇａｏ、４７Ａｓ層（１００）とＩｎ０．
５２Ａｌ０．４８Ａｓ 層（ＩＩＬＩ）とからなる積層
構造の平均組成（／Ｂ／（／Ｚ＋７Ｂ） ） Ｋよって
近似すると、Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７ＡｓとＩｎ０．
５２Ｇａ０．４８肋との中間の値とすることができる。
以上に述べたように、ＩｎＰと格子整合している４元混
晶半導体を用いる代わりに、ＩｎＰと格子整合している
３元混晶半導体であるＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓと
Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓからなる超格子または量
子井戸構造を用いると、禁制帯幅や屈折率を選択する自
由度を確保しながら、１．３〜１．６μｍ長波長帯５Ｃ
Ｉ（半導体レーザを構成するために必要な活性層（ＳＯ
） 、光導波層（４０） （６０）をつくることができ
、Ｅ記ＳＣＨ半導体し−デ製造上有利な方法を提供する
ことがｏＴ能となる。
晶半導体を用いる代わりに、ＩｎＰと格子整合している
３元混晶半導体であるＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓと
Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓからなる超格子または量
子井戸構造を用いると、禁制帯幅や屈折率を選択する自
由度を確保しながら、１．３〜１．６μｍ長波長帯５Ｃ
Ｉ（半導体レーザを構成するために必要な活性層（ＳＯ
） 、光導波層（４０） （６０）をつくることができ
、Ｅ記ＳＣＨ半導体し−デ製造上有利な方法を提供する
ことがｏＴ能となる。
なお、上記の実施例では光導波層（４０） （６０）に
Ｅ記２種類の３元混晶牛専体からなる超格子または量子
弁７″′構造を用いたが、上記超格子または量子井戸構
造は必要とされる素子のａ能に応じて例えばレーザ発振
ｆ長を１．３〜１．６ｐａ１頭域で選択する必要があれ
ば、活性層（５ｏ）に用いることもＩ２Ｔ能である。こ
の場合、活性層（５０）と光導波層（４０） （６０）
との間で量子共Ｆ層のｌｚと障壁層の１Ｈｔ−選択し禁
制帯幅が急性層（５０）、光導波層（４（１） （６υ
）、クラッド層の順に大きくなり、かつ屈折率は逆に小
さくなるように設定することができる。
Ｅ記２種類の３元混晶牛専体からなる超格子または量子
弁７″′構造を用いたが、上記超格子または量子井戸構
造は必要とされる素子のａ能に応じて例えばレーザ発振
ｆ長を１．３〜１．６ｐａ１頭域で選択する必要があれ
ば、活性層（５ｏ）に用いることもＩ２Ｔ能である。こ
の場合、活性層（５０）と光導波層（４０） （６０）
との間で量子共Ｆ層のｌｚと障壁層の１Ｈｔ−選択し禁
制帯幅が急性層（５０）、光導波層（４（１） （６υ
）、クラッド層の順に大きくなり、かつ屈折率は逆に小
さくなるように設定することができる。
〔発明の効果］
以上のように、この発明によれば、４元混晶半導体の代
わりにＩｎＰに格子整合している３元混晶半導体、すな
わちＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ及びＩｎ０．５２Ａ
ｊ０．４８Ａｓからなる超格子または量子井戸構造を用
いて１．３〜１．６μｍ帯のＳＣＨ半導体し〜デを構成
したので、Ｅ記し−デの製作が容易になり、再現性、歩
留りに優れた長波長帯のＳＣＨ半専体レーザ装置が得ら
れる効果がある。
わりにＩｎＰに格子整合している３元混晶半導体、すな
わちＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ及びＩｎ０．５２Ａ
ｊ０．４８Ａｓからなる超格子または量子井戸構造を用
いて１．３〜１．６μｍ帯のＳＣＨ半導体し〜デを構成
したので、Ｅ記し−デの製作が容易になり、再現性、歩
留りに優れた長波長帯のＳＣＨ半専体レーザ装置が得ら
れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例にょる５ＣＩ（半導体レー
ザの構造を示す図、第２図は従来の５ＣＦｌ半導体レー
ザの構造を示す図である。 図にオイて（２０）はＩｎＰ基板、（３ｏ）と（７ｏ）
ｉｌ−１′Ｉｎ０．．５２Ａｌ０．４８Ａｓのクラッド
層、（４ｏ）と（６ｏ）は光導波層、（５りは活性Ｗ、
（８０）はＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ ｔＤ コン
タクト層、（１００）はｔ子井戸層、（１１０）は障壁
層である。 なお図中同一符号は同−又４相当部分を示す。
ザの構造を示す図、第２図は従来の５ＣＦｌ半導体レー
ザの構造を示す図である。 図にオイて（２０）はＩｎＰ基板、（３ｏ）と（７ｏ）
ｉｌ−１′Ｉｎ０．．５２Ａｌ０．４８Ａｓのクラッド
層、（４ｏ）と（６ｏ）は光導波層、（５りは活性Ｗ、
（８０）はＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ ｔＤ コン
タクト層、（１００）はｔ子井戸層、（１１０）は障壁
層である。 なお図中同一符号は同−又４相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）第１導電型のＩｎＰ基板上に設けられたＩｎ０．
５２Ａｌ０．４８Ａｓの第１導電型クラツド層、この第
１導電型クラツド層上に設けられ上記第１導電型クラツ
ド層よりも禁制帯幅が大きくかつ屈折率が小さくされた
ノンドープまたは第２導電型の活性層、この活性層上に
設けられた上記第１導電型クラツド層と同じ禁制帯幅及
び屈折率を有するＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓの第２
導電型クラツド層、上記第１導電型クラツド層と活性層
との間または上記第２導電型クラツド層と活性層との間
の少なくとも一方に設けられて上記第１及び第２導電型
クラツド層と活性層との中間の禁制帯幅及び屈折率を有
し、上記ＩｎＰ基板と格子整合しているＩｎ０．５３Ｇ
ａ０．４７Ａｓからなる量子井戸層と、上記ＩｎＰ基板
と格子整合しているＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓから
なる障壁層とを交互に積層して構成された光導波層、上
記第２導電型クラツド層上に設けられた第２導電型のコ
ンタクト層を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置
。 - （２）活性層はＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レ
ーザ装置。 - （３）活性層は、ＩｎＰと格子整合しているＩｎ０．５
３Ｇａ０．４７Ａｓからなる量子井戸層と、Ｉｎｐと格
子整合しているＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓからなる
障壁層とを交互に積層してなることを特徴とする特許請
求範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3408786A JPS62190886A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3408786A JPS62190886A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190886A true JPS62190886A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12404480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3408786A Pending JPS62190886A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190886A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01264286A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Omron Tateisi Electron Co | 半導体量子井戸レーザ |
| JPH0374891A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-03-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光素子 |
| US5132981A (en) * | 1989-05-31 | 1992-07-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor optical device |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP3408786A patent/JPS62190886A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01264286A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Omron Tateisi Electron Co | 半導体量子井戸レーザ |
| US5132981A (en) * | 1989-05-31 | 1992-07-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor optical device |
| JPH0374891A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-03-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光素子 |
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