JPS62202078A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
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- JPS62202078A JPS62202078A JP4586786A JP4586786A JPS62202078A JP S62202078 A JPS62202078 A JP S62202078A JP 4586786 A JP4586786 A JP 4586786A JP 4586786 A JP4586786 A JP 4586786A JP S62202078 A JPS62202078 A JP S62202078A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、インフィン型スパッタ装置の新規な構成に関
する。
する。
従来のスパッタ装置の構成は、インライン型の場合、第
５図に示すように各スパッタチャンバーはゲ−）パル７
ＧＶで仕切られていた。スパッタのシーテンスを説明す
る。トレー′！′０に基板をセットし、数１０枚のトレ
ー″ＴｏをロードチャンバーＬに入れ、メンプＰで高真
空に排気する。一定時間真空引き後ゲートパル１ＧＶ１
を開け１枚のトレーＴＯをスパッタチャンバーＣＨＩに
導く。
５図に示すように各スパッタチャンバーはゲ−）パル７
ＧＶで仕切られていた。スパッタのシーテンスを説明す
る。トレー′！′０に基板をセットし、数１０枚のトレ
ー″ＴｏをロードチャンバーＬに入れ、メンプＰで高真
空に排気する。一定時間真空引き後ゲートパル１ＧＶ１
を開け１枚のトレーＴＯをスパッタチャンバーＣＨＩに
導く。
誘電体等のスパッタの場合は、アルゴン等の不活性ガス
に更に＃！素、窒素、フッ素、炭化水素、水素等の反応
性ガスを導入しターゲットをスパッタ、トレー上の基板
に成膜する。所定の膜厚スパッタ後ガス導入を止めざン
プＰで１０−６〜１ｏ−１’ｒｏｒｒまで真空引き後、
ゲートパル７０ Ｖ ２を開け、スパッタチャンバーＯ
Ｈ２にトレーが移動スる。後はこの繰り返しで第５図に
示したスパッタの場合には、異種のものを４層形成し、
アンロードチャン／（ＵＬに送られ、全てのトレーにス
パッタ後アンロードチャンバーを大気圧とし、取りだす
。もし、全てのターゲットが金属でアルゴン等の不活性
ガス以外のガス導入が必要なければ各スパッタチャンバ
ー間のゲートパルプＧｖ２〜ＧＶ４は不要になるのであ
るが、例えば第６図に示した様な金属層を誘電層でサン
ドイッチした構造の場合には、ゲートパルプＧＶ２〜Ｇ
Ｖ４は必ず必要となってくる。その理由を具体例を挙げ
説明する。第６図の６−１はポリカーボネイト等のプラ
スチック基板、６−２は酸化ケイ素等の酸化物層、６−
３は窒化アルミニウム等の窒化物層、６−４はテルビニ
ウム−鉄−コバルト等の光磁気記録層、６−５は窒化ア
ル４ニウム等の窒化物層からなる光Ｓ気記録媒体を用い
て説明する０本記録媒体構成であると、第１のスパッタ
チャンバーＯＨ１は、アルゴンと′ｍ素のガス雰＃！ｉ
気、第２のスパッタチャンバーＣＨ２は、アルゴンと窒
素のガス雰囲気、第３のスパッタチャンバーＯＨ！１は
、アルゴンのみのガス雰２！気、第４のスパッタチャン
バーＯＨ４は、アルゴンと窒素のガス雰囲気であり、例
えば、光磁気記録層を形成するスパッタチャンバーＯＨ
３に窒素ガスが混入すると光磁気記録層の磁気または光
学特性がたちまち劣化するどいりた問題が生じる。した
がって、各スパッタチャンバー中のガス雰囲気が相互に
干渉し合わない・様にゲートパルプＧＶが必要であった
。
に更に＃！素、窒素、フッ素、炭化水素、水素等の反応
性ガスを導入しターゲットをスパッタ、トレー上の基板
に成膜する。所定の膜厚スパッタ後ガス導入を止めざン
プＰで１０−６〜１ｏ−１’ｒｏｒｒまで真空引き後、
ゲートパル７０ Ｖ ２を開け、スパッタチャンバーＯ
Ｈ２にトレーが移動スる。後はこの繰り返しで第５図に
示したスパッタの場合には、異種のものを４層形成し、
アンロードチャン／（ＵＬに送られ、全てのトレーにス
パッタ後アンロードチャンバーを大気圧とし、取りだす
。もし、全てのターゲットが金属でアルゴン等の不活性
ガス以外のガス導入が必要なければ各スパッタチャンバ
ー間のゲートパルプＧｖ２〜ＧＶ４は不要になるのであ
るが、例えば第６図に示した様な金属層を誘電層でサン
ドイッチした構造の場合には、ゲートパルプＧＶ２〜Ｇ
Ｖ４は必ず必要となってくる。その理由を具体例を挙げ
説明する。第６図の６−１はポリカーボネイト等のプラ
スチック基板、６−２は酸化ケイ素等の酸化物層、６−
３は窒化アルミニウム等の窒化物層、６−４はテルビニ
ウム−鉄−コバルト等の光磁気記録層、６−５は窒化ア
ル４ニウム等の窒化物層からなる光Ｓ気記録媒体を用い
て説明する０本記録媒体構成であると、第１のスパッタ
チャンバーＯＨ１は、アルゴンと′ｍ素のガス雰＃！ｉ
気、第２のスパッタチャンバーＣＨ２は、アルゴンと窒
素のガス雰囲気、第３のスパッタチャンバーＯＨ！１は
、アルゴンのみのガス雰２！気、第４のスパッタチャン
バーＯＨ４は、アルゴンと窒素のガス雰囲気であり、例
えば、光磁気記録層を形成するスパッタチャンバーＯＨ
３に窒素ガスが混入すると光磁気記録層の磁気または光
学特性がたちまち劣化するどいりた問題が生じる。した
がって、各スパッタチャンバー中のガス雰囲気が相互に
干渉し合わない・様にゲートパルプＧＶが必要であった
。
従来のインライン型スパッタ装置の場合、トレーが各ス
パッタチャンバーを移動するために開閉が必要で、ゲー
トパルプの信頼性を高めなければならないが、現在のゲ
ートパルプの開閉の信頼性は低く、約１０００〜１００
００回開閉を繰り返すとゲートパルプを交換しなければ
ならないという問題があった。更に大きな問題は、ゲー
トパルプ方式のインラインスパッタはスループット、い
わゆる製造能力が低いことである。実際サリカーボネイ
ト等のプラスチック基板の場合は、ターゲットから輻射
熱を勘案して、各層は１〜２分の時間で形成できるので
あるが、スパッタ終了時のガス圧力の１０＝ 〜１０−
” ｔｏｒｒ からＳｌ ０−’ 〜１０−’ ｔｏ
ｒｒ の高真空に引くまで２〜３分を必。
パッタチャンバーを移動するために開閉が必要で、ゲー
トパルプの信頼性を高めなければならないが、現在のゲ
ートパルプの開閉の信頼性は低く、約１０００〜１００
００回開閉を繰り返すとゲートパルプを交換しなければ
ならないという問題があった。更に大きな問題は、ゲー
トパルプ方式のインラインスパッタはスループット、い
わゆる製造能力が低いことである。実際サリカーボネイ
ト等のプラスチック基板の場合は、ターゲットから輻射
熱を勘案して、各層は１〜２分の時間で形成できるので
あるが、スパッタ終了時のガス圧力の１０＝ 〜１０−
” ｔｏｒｒ からＳｌ ０−’ 〜１０−’ ｔｏ
ｒｒ の高真空に引くまで２〜３分を必。
要としスループットを下げていた。また、スパッタチャ
ンバー間をトレーが移動するには１〜２分間時間を要し
、当然この間はスパッタを止めなければならずやはりス
ループットを悪化させていた本発明は、以上の問題点を
解決するためのものでスループットはほぼスパッタ時間
だけに依存する高生産性インライン型スパッタ装置を提
供するものである。
ンバー間をトレーが移動するには１〜２分間時間を要し
、当然この間はスパッタを止めなければならずやはりス
ループットを悪化させていた本発明は、以上の問題点を
解決するためのものでスループットはほぼスパッタ時間
だけに依存する高生産性インライン型スパッタ装置を提
供するものである。
本発明のスパッタ装置は、異種のターゲットを連続的に
スパッタするインライン型スパッタ装置において各々の
スパッタチャンバー間にオリフィスゲートを備えたこと
を特徴とする。
スパッタするインライン型スパッタ装置において各々の
スパッタチャンバー間にオリフィスゲートを備えたこと
を特徴とする。
本発明の上記構成によれば各スパッタチャンバーが異種
のガス雰囲気にもかかわらず相互影響のない翼バクタリ
ングを可能にしたものである。
のガス雰囲気にもかかわらず相互影響のない翼バクタリ
ングを可能にしたものである。
本発明を実施例に基づいて詳述する。
９１図が本発明のスパッタ装置の上視図である各スパッ
タチャンバー間は２組のスリットオリフィスｓＯから構
成されるオリフィスゲートＯＧをもつ。オリフィスゲー
ト部の斜視図を第２図に示した。さらに２組のスリット
オリフィスｓｏに凹まれた空間にアルゴン等の不活性ガ
スＧを導入するガス導入、１％ＧＬをもつ。スリットオ
リフィスの抵抗により第３図に示すようにガス濃度分布
に傾きが生ずる。即ち、オリフイスゲー）ＯＧ内は高ガ
ス濃度ＨＧとなり、またスパッタチャンバーは低ガス濃
度ＬＧとなる。具体的には、通常のスパッタではスパッ
タチャンバーのガス圧は１ｏ″−５ｔｏｒｒ 〜５
Ｘ １０＝ ｔｏｒｒ が一般である。一方、本装
置構成のオリフィスゲート内のガス圧は１０−１〜１０
＝ ｔｏｒｒ とできる。本発明のオリフィスゲート
を用いて、第６図に示した光磁気記録媒体を製造する装
置構成にしたものが第１図のスパッタ装置である。これ
を順に説明する。ゲートパルプＧＶを閉めた後四−デイ
ングチャンノ（Ｌを大気圧とし基板をトレーＴＯに数１
０枚セットした後トレーを数１０枚ローディングする。
タチャンバー間は２組のスリットオリフィスｓＯから構
成されるオリフィスゲートＯＧをもつ。オリフィスゲー
ト部の斜視図を第２図に示した。さらに２組のスリット
オリフィスｓｏに凹まれた空間にアルゴン等の不活性ガ
スＧを導入するガス導入、１％ＧＬをもつ。スリットオ
リフィスの抵抗により第３図に示すようにガス濃度分布
に傾きが生ずる。即ち、オリフイスゲー）ＯＧ内は高ガ
ス濃度ＨＧとなり、またスパッタチャンバーは低ガス濃
度ＬＧとなる。具体的には、通常のスパッタではスパッ
タチャンバーのガス圧は１ｏ″−５ｔｏｒｒ 〜５
Ｘ １０＝ ｔｏｒｒ が一般である。一方、本装
置構成のオリフィスゲート内のガス圧は１０−１〜１０
＝ ｔｏｒｒ とできる。本発明のオリフィスゲート
を用いて、第６図に示した光磁気記録媒体を製造する装
置構成にしたものが第１図のスパッタ装置である。これ
を順に説明する。ゲートパルプＧＶを閉めた後四−デイ
ングチャンノ（Ｌを大気圧とし基板をトレーＴＯに数１
０枚セットした後トレーを数１０枚ローディングする。
１０″″′〜１０″″’ Ｔｏｒｒ まで真空引き、
基板のガス出しを所定の時間行った後ローディングチャ
ンバーＬにアルゴンガスＧを導入し、以降ゲートノ（ル
ブＱＶは開にした状態を保持させる。第６図に示す層構
造とする場合には、スパツタチャンノ（−１０Ｈ１には
酸化ケイ素ターゲットＴＡｊ 、スノくツタチャンバー
２０Ｈ２には、窒化アルミニウムターゲットＴＡ２ 、
スパッタチャンバー３０ＴＩＳにはチルビウムー鉄−コ
バルトターゲットＴＡ３、スパッタチャンバー４０Ｈ４
には、窒化アルミニウムターゲットＴＡ４とし、スパツ
タチャンノ（−１０ＦＬ１には、オリフィスゲートＯＧ
から流入するアルゴンガスの他に酸素ガスＧｏを、スノ
くツタチャンバー２０Ｈ２には、窒素ガスＧＮをスノく
ツタチャン／＜−４０Ｈ４には、窒素ガスＧＭを反応性
分スとして導入した。ターゲットのスパッタレート、光
学特性を確保する意味から、アルゴンガス圧１０＝ Ｔ
ｏｒｒ 〜５ Ｘ ｊ Ｏ−” Ｔｏｒｒ に対し、
上記酸素ガス及び窒素ガスはアルゴンガスに対し１００
”−１０−の分圧、即ち、１０−ＴＯｒｒ〜１０−’
ＴＯｒｒ 導入するのが一般である。前述した様にオ
リフィスゲート部は１０＝ 〜１０−” ｔｏｒｒ ＋
７）アルゴンガスで充満している。この状態でスパッタ
を連続させ、トレーを順次送って、アンローディングチ
ャンバーｔＴＬに蓄める。全てのロープインクトレーに
成膜が終了した後、ゲートパルプＧＶを開め、アンロー
ディングチャンバーσＬを大気圧にリークさせ光磁気記
録媒体を作製した。本発明のオリフィスゲートを用いて
成膜したディスクでの記録再生信号は従来のゲートパル
プを用いて成膜したディスクでの記録再生信号に較べ、
（Ｌ５〜１ｄＢの劣化しかなかりた。
基板のガス出しを所定の時間行った後ローディングチャ
ンバーＬにアルゴンガスＧを導入し、以降ゲートノ（ル
ブＱＶは開にした状態を保持させる。第６図に示す層構
造とする場合には、スパツタチャンノ（−１０Ｈ１には
酸化ケイ素ターゲットＴＡｊ 、スノくツタチャンバー
２０Ｈ２には、窒化アルミニウムターゲットＴＡ２ 、
スパッタチャンバー３０ＴＩＳにはチルビウムー鉄−コ
バルトターゲットＴＡ３、スパッタチャンバー４０Ｈ４
には、窒化アルミニウムターゲットＴＡ４とし、スパツ
タチャンノ（−１０ＦＬ１には、オリフィスゲートＯＧ
から流入するアルゴンガスの他に酸素ガスＧｏを、スノ
くツタチャンバー２０Ｈ２には、窒素ガスＧＮをスノく
ツタチャン／＜−４０Ｈ４には、窒素ガスＧＭを反応性
分スとして導入した。ターゲットのスパッタレート、光
学特性を確保する意味から、アルゴンガス圧１０＝ Ｔ
ｏｒｒ 〜５ Ｘ ｊ Ｏ−” Ｔｏｒｒ に対し、
上記酸素ガス及び窒素ガスはアルゴンガスに対し１００
”−１０−の分圧、即ち、１０−ＴＯｒｒ〜１０−’
ＴＯｒｒ 導入するのが一般である。前述した様にオ
リフィスゲート部は１０＝ 〜１０−” ｔｏｒｒ ＋
７）アルゴンガスで充満している。この状態でスパッタ
を連続させ、トレーを順次送って、アンローディングチ
ャンバーｔＴＬに蓄める。全てのロープインクトレーに
成膜が終了した後、ゲートパルプＧＶを開め、アンロー
ディングチャンバーσＬを大気圧にリークさせ光磁気記
録媒体を作製した。本発明のオリフィスゲートを用いて
成膜したディスクでの記録再生信号は従来のゲートパル
プを用いて成膜したディスクでの記録再生信号に較べ、
（Ｌ５〜１ｄＢの劣化しかなかりた。
本発明のオリフィスゲートを更に改良したものを第４図
に示した。このオリフィスゲートは、４組のスリットオ
リフィスからなり、各スリットオリフィスでｇすれた３
つの空間の外側の２空間は、１０″″五〜１０−１ｔｏ
ｒｒ の高濃度アルゴンガスで満たされている高ガス
濃度スペースＨＧＳであり、内側の１空間は真空〆ンプ
Ｐを有し １０３〜１０−’ｔｏｒｒに保たれた低ガス
濃度スペースＬＧＳをもつ。本構成のオリフィスゲート
を用いて、前述の実施例の如く、第６図の構成のディス
クを作製し、ゲートパルプ方式で作製したディスクと再
生信号を比較したところ、出力には全く差がなかった。
に示した。このオリフィスゲートは、４組のスリットオ
リフィスからなり、各スリットオリフィスでｇすれた３
つの空間の外側の２空間は、１０″″五〜１０−１ｔｏ
ｒｒ の高濃度アルゴンガスで満たされている高ガス
濃度スペースＨＧＳであり、内側の１空間は真空〆ンプ
Ｐを有し １０３〜１０−’ｔｏｒｒに保たれた低ガス
濃度スペースＬＧＳをもつ。本構成のオリフィスゲート
を用いて、前述の実施例の如く、第６図の構成のディス
クを作製し、ゲートパルプ方式で作製したディスクと再
生信号を比較したところ、出力には全く差がなかった。
本発明のオリフィスゲートを用いたインライン型スパッ
タ装置は、各スパッタチャンバーが異種のスパッタガス
雰囲気であるにもかかわらず、相互干渉のないという特
徴を有している。更に、ゲートパルプ方式のインライン
型スパッタ装置に較べ、スパッタ終了後の排気時間が不
要、トレーを連続的に動かして成膜でき、スループット
が交い、ゲートパルプを使用しないため装置の耐久性が
高くなるという各種の効果を有する。
タ装置は、各スパッタチャンバーが異種のスパッタガス
雰囲気であるにもかかわらず、相互干渉のないという特
徴を有している。更に、ゲートパルプ方式のインライン
型スパッタ装置に較べ、スパッタ終了後の排気時間が不
要、トレーを連続的に動かして成膜でき、スループット
が交い、ゲートパルプを使用しないため装置の耐久性が
高くなるという各種の効果を有する。
第１図が本発明の一実施例のスパッタ装置の上視図。
第２図が本発明の一実施例のオリフィスゲートの斜視図
。 第３図は、本発明のオリフィスゲートにスパッタガスを
導入した時のガス濃度分布を示したスパッタ装置の一部
の上視図。 第４図は、本発明の一実施例で、４組のスリットオリフ
ィスからなるオリフィスゲートに不活性ガスを導入する
系と高真空に排気する系を有したときのガス濃度分布を
示したスパッタ装置の一部の上視図である。 第５図は、従来のスパッタ装置の上視図。 第６図、は、光磁気記録媒体の構成図。 ＳＯ・・・・・・スリットオリフィス ＯＧ・・・・・・オリフィスゲート ＧＶ・・・・・・ゲートバルブ Ｐ・・・・・・・・・真空ホ゛ンプ Ｇ・・・・・・・・・不活性ガス ＧＯ・・・・・・酸素ガス ＧＮ・・・・・・窒素ガス ＬＧ・・・・・・低ガス濃度 ＨＧ・・・・・・高ガス濃度 ＬＧＳ・・・低カス濃度スペース ＨＧＳ・・・高ガス濃度スペース ＴＡ・・・・・・ターゲット ６−１・・・プラスチック基板 ６−２・・・酸化物層 ６−３・・・窒化物層 ６−４・・・光磁気記録層 ６−５・・・窒化物層 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第１ ＩＩＩ
。 第３図は、本発明のオリフィスゲートにスパッタガスを
導入した時のガス濃度分布を示したスパッタ装置の一部
の上視図。 第４図は、本発明の一実施例で、４組のスリットオリフ
ィスからなるオリフィスゲートに不活性ガスを導入する
系と高真空に排気する系を有したときのガス濃度分布を
示したスパッタ装置の一部の上視図である。 第５図は、従来のスパッタ装置の上視図。 第６図、は、光磁気記録媒体の構成図。 ＳＯ・・・・・・スリットオリフィス ＯＧ・・・・・・オリフィスゲート ＧＶ・・・・・・ゲートバルブ Ｐ・・・・・・・・・真空ホ゛ンプ Ｇ・・・・・・・・・不活性ガス ＧＯ・・・・・・酸素ガス ＧＮ・・・・・・窒素ガス ＬＧ・・・・・・低ガス濃度 ＨＧ・・・・・・高ガス濃度 ＬＧＳ・・・低カス濃度スペース ＨＧＳ・・・高ガス濃度スペース ＴＡ・・・・・・ターゲット ６−１・・・プラスチック基板 ６−２・・・酸化物層 ６−３・・・窒化物層 ６−４・・・光磁気記録層 ６−５・・・窒化物層 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第１ ＩＩＩ
Claims (3)
- （１）異種のターゲットを連続的にスパッタまたは異種
のガス雰囲気で連続的にスパッタするインライン型スパ
ッタ装置において各々のスパッタチャンバー間にオリフ
ィスゲートを備えたことを特徴とするスパッタ装置。 - （２）前記オリフィスゲートは２組以上のスリットオリ
フィスからなることを特徴とする特許請求の範囲１項記
載のスパッタ装置。 - （３）前記２組以上のスリットオリフィスで囲まれる空
間全体または一部のガス濃度がスパッタチャンバー空間
のガス濃度より高くしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項、及び第２項記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4586786A JPS62202078A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4586786A JPS62202078A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202078A true JPS62202078A (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=12731155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4586786A Pending JPS62202078A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202078A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02115366A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | スパッタリング装置 |
| EP0485233A3 (en) * | 1990-11-09 | 1994-09-21 | Semiconductor Energy Lab | A method of manufacturing insulated-gate field effect transistors |
| WO1996009420A1 (en) * | 1994-09-23 | 1996-03-28 | Seagate Technology | Dynamic buffer chamber |
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