JPS62192580A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
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- JPS62192580A JPS62192580A JP3442586A JP3442586A JPS62192580A JP S62192580 A JPS62192580 A JP S62192580A JP 3442586 A JP3442586 A JP 3442586A JP 3442586 A JP3442586 A JP 3442586A JP S62192580 A JPS62192580 A JP S62192580A
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、インライン型スパッタ装置の新規な構成に関
する。
する。
従来のスパッタ装置の構成は、インライン壓の場＠ｒ、
第５図に示すように各スパッタチャンバーはゲートバル
ブＧｖで仕切られていた。スパッタのシーケンスを説明
する。トレーＴｏに基板をセットし、数１１枚のトレー
Ｔｏ金ロードチャツバ−Ｌに入れ、ポンプＰで高真空に
排気する。−足時間真空引き後ゲートバルブＧＶＩを開
け１枚のトレーＴＯｉスパッタチャンバーＣＨ１に４（
、誘電体等のスパッタの＠会は、アルゴンｓｏ不活性ガ
スに更に酸素、窒素、フッ素、炭化水素、水素等の反応
性ガスを導入しターゲットヲスパソタトレー上の基板に
成膜する。所定の膜厚スパッタ後ガス導Δを止めポンプ
Ｐで１０−５〜１Ｑ″″’ ＴＯｒｒ壜で真空側！ａｔ
＆、ゲートバルブＧＶ２全開け、スパッタチャンバーＣ
ｊＨ２にトレーカ掻１動する。後はこの繰り返しで第５
図に示したスパッタの場合には、異種のものを４層形成
し、アンロードチャ７ハＵＬＫ送られ、全てのトレーに
スパッタ佼アノロードチャンバーを大気圧とし、収りだ
す。もし、全てのターゲットが金属でアルゴン等の不活
性ガス以外のガス導入か必要なければ各スパッタチャン
バー間のゲートバルブＧＶ２〜Ｇ’７４は不要になるの
であるが、例えば第６図に示した様な金属層を誘眠ｊＷ
Ｉでサンドインチしたｌｌ１Ｉ造の場合には、ゲートバ
ルブＧＶ２〜Ｇｖ４は必ず必要となってくる。その理由
を具体列を挙げ説明する。第６図の６−１はポリカーボ
ネイト等のプラスチック基板、６−２は酸化ケイ累算の
酸化物層、６−３は、窒化アルミニウム等の窒化物４．
６−４はテルビニウム−妖−コバルト等の光磁気記録１
−１６−５は、窒化アルミニウム等の窒化ｖＪ層からな
る光磁気記録媒体を用いて説明する。本記録媒体溝す兄
であると、第１のスパッタチャンバーＣＨ１は、アルゴ
ンと酸素のガス雰囲気、第２のスパッタチャンバーＣＨ
２は、アルゴンと窒素のガス雰囲気、第６のスパッタチ
ャンバー０Ｈ６ｉ、アルゴンのみのガス雰囲気、第４の
スパッタチャンバーＣＨＡは、アルゴンと画素のガス雰
囲気であり例λば、光磁気記録１−を形成するスパッタ
チャンバＣＨ５に窒素ガスが混入量ると光磁気記録層の
磁気または光学特性が之ちまち劣化するといった間ｍか
生じる。したがって、各スパッタチャンバー中のガス雰
囲気か相互に干渉し合わな１．／−１様にゲートバルブ
ＧＶｄｊ必要であった。
第５図に示すように各スパッタチャンバーはゲートバル
ブＧｖで仕切られていた。スパッタのシーケンスを説明
する。トレーＴｏに基板をセットし、数１１枚のトレー
Ｔｏ金ロードチャツバ−Ｌに入れ、ポンプＰで高真空に
排気する。−足時間真空引き後ゲートバルブＧＶＩを開
け１枚のトレーＴＯｉスパッタチャンバーＣＨ１に４（
、誘電体等のスパッタの＠会は、アルゴンｓｏ不活性ガ
スに更に酸素、窒素、フッ素、炭化水素、水素等の反応
性ガスを導入しターゲットヲスパソタトレー上の基板に
成膜する。所定の膜厚スパッタ後ガス導Δを止めポンプ
Ｐで１０−５〜１Ｑ″″’ ＴＯｒｒ壜で真空側！ａｔ
＆、ゲートバルブＧＶ２全開け、スパッタチャンバーＣ
ｊＨ２にトレーカ掻１動する。後はこの繰り返しで第５
図に示したスパッタの場合には、異種のものを４層形成
し、アンロードチャ７ハＵＬＫ送られ、全てのトレーに
スパッタ佼アノロードチャンバーを大気圧とし、収りだ
す。もし、全てのターゲットが金属でアルゴン等の不活
性ガス以外のガス導入か必要なければ各スパッタチャン
バー間のゲートバルブＧＶ２〜Ｇ’７４は不要になるの
であるが、例えば第６図に示した様な金属層を誘眠ｊＷ
Ｉでサンドインチしたｌｌ１Ｉ造の場合には、ゲートバ
ルブＧＶ２〜Ｇｖ４は必ず必要となってくる。その理由
を具体列を挙げ説明する。第６図の６−１はポリカーボ
ネイト等のプラスチック基板、６−２は酸化ケイ累算の
酸化物層、６−３は、窒化アルミニウム等の窒化物４．
６−４はテルビニウム−妖−コバルト等の光磁気記録１
−１６−５は、窒化アルミニウム等の窒化ｖＪ層からな
る光磁気記録媒体を用いて説明する。本記録媒体溝す兄
であると、第１のスパッタチャンバーＣＨ１は、アルゴ
ンと酸素のガス雰囲気、第２のスパッタチャンバーＣＨ
２は、アルゴンと窒素のガス雰囲気、第６のスパッタチ
ャンバー０Ｈ６ｉ、アルゴンのみのガス雰囲気、第４の
スパッタチャンバーＣＨＡは、アルゴンと画素のガス雰
囲気であり例λば、光磁気記録１−を形成するスパッタ
チャンバＣＨ５に窒素ガスが混入量ると光磁気記録層の
磁気または光学特性が之ちまち劣化するといった間ｍか
生じる。したがって、各スパッタチャンバー中のガス雰
囲気か相互に干渉し合わな１．／−１様にゲートバルブ
ＧＶｄｊ必要であった。
従来のインライン型スパッタ装置の場汁、トレー２＞３
各スパンタチヤンバーを移動するために開閉が必要で、
ゲートバルブの信頼性を高めなければならないが、現在
のゲートバルブの開閉の信頼性は低く、約１００ｏ〜ｔ
ｎｎｎｎ回開閉を繰り返すとゲートバルブをｘｍしなけ
ればならないという問題かあつ友。更に大きな問題は、
ゲートバルブ方式のインラインスパッタはスループット
、いわゆる製造能力が低いことである。実際ポリカーボ
ネイト等のプラスチック基板の場脅はターゲットからの
輻射熱を勘案して、各１（ｌは１〜２分の時間で形成で
きるのであるが、スパッタ終了１寺のガス圧力の１０−
” 〜１ ｌ］ −’ ＴＯｒｒ から％ １０−５〜
１Ｏ−７ＴＯｒｒの高真空に引くまで２〜５分を必要と
しスルー７’ツ）？下げていた。また、スパッタチャン
バー間をトレー力３移動するには１〜２分間時間金要し
、当然この聞はスパッタを止めなければならずやはりス
ループットｒ悪化させていｔ０本発明は、以上の問題点
を解決するためのものでスルーブツトはほぼスパッタ時
間だけに依存する高生産性インライン型スパッタ装置ヲ
提供するものである。
各スパンタチヤンバーを移動するために開閉が必要で、
ゲートバルブの信頼性を高めなければならないが、現在
のゲートバルブの開閉の信頼性は低く、約１００ｏ〜ｔ
ｎｎｎｎ回開閉を繰り返すとゲートバルブをｘｍしなけ
ればならないという問題かあつ友。更に大きな問題は、
ゲートバルブ方式のインラインスパッタはスループット
、いわゆる製造能力が低いことである。実際ポリカーボ
ネイト等のプラスチック基板の場脅はターゲットからの
輻射熱を勘案して、各１（ｌは１〜２分の時間で形成で
きるのであるが、スパッタ終了１寺のガス圧力の１０−
” 〜１ ｌ］ −’ ＴＯｒｒ から％ １０−５〜
１Ｏ−７ＴＯｒｒの高真空に引くまで２〜５分を必要と
しスルー７’ツ）？下げていた。また、スパッタチャン
バー間をトレー力３移動するには１〜２分間時間金要し
、当然この聞はスパッタを止めなければならずやはりス
ループットｒ悪化させていｔ０本発明は、以上の問題点
を解決するためのものでスルーブツトはほぼスパッタ時
間だけに依存する高生産性インライン型スパッタ装置ヲ
提供するものである。
本発明のスパッタ装置は、異層のターゲットを連続的に
スパッタ、または異（伽のガス雰囲気で連続的にスパッ
タするインライン型スパック装−において、各々のスパ
ッタチャツバ−間にオリフィスゲート金偏えたことを％
徴とする。
スパッタ、または異（伽のガス雰囲気で連続的にスパッ
タするインライン型スパック装−において、各々のスパ
ッタチャツバ−間にオリフィスゲート金偏えたことを％
徴とする。
本発明の上記構成によれば谷スパッタチャンバーが異ｄ
のガス雰囲気にもかかわらず相互影響のないスパッタリ
ングｋ ’ｏｆ 能にしたものである。
のガス雰囲気にもかかわらず相互影響のないスパッタリ
ングｋ ’ｏｆ 能にしたものである。
不発明全実施νりに基づいて詳述する。
第１図が本発明のスパッタ装置の主視（９である。
各スパッタチャンバー間にオリフィスケート０（）をも
つ。オリフィスゲート部の斜視図ｆｃ第２図に示しｔｏ
さらにオリフィスゲート空間にアルゴン等の不活性ガス
Ｇを導入するガス導入系ＧＬをもつ。オリフィスゲート
の抵抗により第５図に示すようにガスａＩｆ分布に傾き
が生ずる。即ち、オリフィスケートＯＧ内は藁ガス責度
Ｈ（）となり′！ｔスパッタチャンバーは低ガスｄ［Ｌ
Ｇとなる。
つ。オリフィスゲート部の斜視図ｆｃ第２図に示しｔｏ
さらにオリフィスゲート空間にアルゴン等の不活性ガス
Ｇを導入するガス導入系ＧＬをもつ。オリフィスゲート
の抵抗により第５図に示すようにガスａＩｆ分布に傾き
が生ずる。即ち、オリフィスケートＯＧ内は藁ガス責度
Ｈ（）となり′！ｔスパッタチャンバーは低ガスｄ［Ｌ
Ｇとなる。
具体的には、通常のスパッタではスパッタチャンバーの
ガス圧はＩ ｎ ”” ＴＯｒｒ 〜５Ｘ １ ｒｌ
−’ Ｔ’Ｏｒｒが一般である。一方１本ｆｅｌ１１構
成のオリフィスゲート内のガス圧は１０−１〜１０″″
” Ｔｏｒｒとできる。本発明のオリフィスゲートを用
いて、第６図に示した光磁気記録媒体を製造する装置構
成にしたものか第１図のスパッタ装置である。これを順
に説明する。
ガス圧はＩ ｎ ”” ＴＯｒｒ 〜５Ｘ １ ｒｌ
−’ Ｔ’Ｏｒｒが一般である。一方１本ｆｅｌ１１構
成のオリフィスゲート内のガス圧は１０−１〜１０″″
” Ｔｏｒｒとできる。本発明のオリフィスゲートを用
いて、第６図に示した光磁気記録媒体を製造する装置構
成にしたものか第１図のスパッタ装置である。これを順
に説明する。
ケートバルブＧＶを閉めた陵ローティングチャン・・Ｌ
を大気圧とし基板をトレーＴＯに数１０枚セットした後
トレーを数１０，１父ローデイングする。
を大気圧とし基板をトレーＴＯに数１０枚セットした後
トレーを数１０，１父ローデイングする。
１１１−’〜ＩＧ−’ＴＯｒｒ ｔで＄ｅ空引き、基板
のガス出しを所定の時間行った後ローディングチャン／
・−りにアルゴンガスＧを導入し、以降ゲートノ＜バル
ブＧＶは開にした状態全保持させる。第６図に示すｍ構
造とする場合には、スパンタチャンノ＼−１ＣＨ１には
酸］ヒケイ素ターゲットＴＡ１、スノくツタチャンバー
２０Ｈ２には、窒化アルミニウムターゲットＴＡ２、ス
＜（ツタチャンバー５（、Ｈ５にはテルビウム−鉄−コ
バルトターゲットＴＡ５゜スパッタチャンバー４ＣＨ４
には、窒化アルミニウムターゲットＴＡＩｉとし、スパ
ッタチャンバー１ＣＨ１には、オリフィスゲートＯＧか
ら流入するアルゴンガスの他に酸素ガスＧＯｉ、スノく
ツタチャンバー２０Ｈ２には、ｉ素ガスＧＮｆス／：７
タチャン％−４０ｊＨＡには、窒素ガス（）Ｎを反応性
ガスとして導入した。ターゲットのス／くツタレート、
光学特性を確保する意味から、アルゴンガス圧＋ １１
−’ Ｔｏｒｒ〜５ ｘ １ ｎ −’ Ｔｏｒｒに対
し、上ｄｅａ素ガス及び窒素ガスはアルゴンガスに対し
１０１１〜丁の分圧、 即ち、１０′″’ ＴＯｒｒ 〜１０′″’ ＴＯｒｒ
導入するのか一般である、前述した様にオリフィスゲー
ト部は１０−ｌ〜１０−２Ｔｏｒｒのアルゴンガスで充
満している。この状態でスパッタ全連続させ、トレーを
順次送って、アンローディングチャンバーＵＬＫｇめる
。全てのローディングトレーに６２ ’ＩＫが終了した
後、ゲートバルブＧＶｉ閉め、アンローディングチャン
バーＵＬ’ｊ″大気圧にリークさせ元Ｓ気記録媒体を作
製した。本発明のオリフィスゲート音用いて成膜したデ
ィスクでの記録再生信号は従来のゲートバルブを用いて
成ｆｌｕしたディスクでの記録再生信号に較べ、０．５
〜１ｄＢの劣化しかなかつ７ｔ。
のガス出しを所定の時間行った後ローディングチャン／
・−りにアルゴンガスＧを導入し、以降ゲートノ＜バル
ブＧＶは開にした状態全保持させる。第６図に示すｍ構
造とする場合には、スパンタチャンノ＼−１ＣＨ１には
酸］ヒケイ素ターゲットＴＡ１、スノくツタチャンバー
２０Ｈ２には、窒化アルミニウムターゲットＴＡ２、ス
＜（ツタチャンバー５（、Ｈ５にはテルビウム−鉄−コ
バルトターゲットＴＡ５゜スパッタチャンバー４ＣＨ４
には、窒化アルミニウムターゲットＴＡＩｉとし、スパ
ッタチャンバー１ＣＨ１には、オリフィスゲートＯＧか
ら流入するアルゴンガスの他に酸素ガスＧＯｉ、スノく
ツタチャンバー２０Ｈ２には、ｉ素ガスＧＮｆス／：７
タチャン％−４０ｊＨＡには、窒素ガス（）Ｎを反応性
ガスとして導入した。ターゲットのス／くツタレート、
光学特性を確保する意味から、アルゴンガス圧＋ １１
−’ Ｔｏｒｒ〜５ ｘ １ ｎ −’ Ｔｏｒｒに対
し、上ｄｅａ素ガス及び窒素ガスはアルゴンガスに対し
１０１１〜丁の分圧、 即ち、１０′″’ ＴＯｒｒ 〜１０′″’ ＴＯｒｒ
導入するのか一般である、前述した様にオリフィスゲー
ト部は１０−ｌ〜１０−２Ｔｏｒｒのアルゴンガスで充
満している。この状態でスパッタ全連続させ、トレーを
順次送って、アンローディングチャンバーＵＬＫｇめる
。全てのローディングトレーに６２ ’ＩＫが終了した
後、ゲートバルブＧＶｉ閉め、アンローディングチャン
バーＵＬ’ｊ″大気圧にリークさせ元Ｓ気記録媒体を作
製した。本発明のオリフィスゲート音用いて成膜したデ
ィスクでの記録再生信号は従来のゲートバルブを用いて
成ｆｌｕしたディスクでの記録再生信号に較べ、０．５
〜１ｄＢの劣化しかなかつ７ｔ。
本発明のオリフィスゲートを史に改良したものを第４図
に示した。まず第ａ ＋３＜Ｉ （ａ）及び（ａｊは、
前述した本発明の実施例図。第４１メ１（ｂ）及び（６
１、（ｃ）及びｂ′）はその改良であり、オリフィスゲ
ートのガス流量をさらに低くするための抵抗となる凹凸
、段差金オリフィスゲート中に設けたものである、不！
４成によるオリフィスゲート−ｒ有したインライン檀ス
パッタ１ｒＩｔ金用いて、４６図のＩｌ成のディスクを
作製し、従来のゲートバルブ方式のインライン型スパッ
タ装瞬を用いて、第６図の構成のディスク全作製し、比
較したところ、再生信号出力には全く差かなかった。
に示した。まず第ａ ＋３＜Ｉ （ａ）及び（ａｊは、
前述した本発明の実施例図。第４１メ１（ｂ）及び（６
１、（ｃ）及びｂ′）はその改良であり、オリフィスゲ
ートのガス流量をさらに低くするための抵抗となる凹凸
、段差金オリフィスゲート中に設けたものである、不！
４成によるオリフィスゲート−ｒ有したインライン檀ス
パッタ１ｒＩｔ金用いて、４６図のＩｌ成のディスクを
作製し、従来のゲートバルブ方式のインライン型スパッ
タ装瞬を用いて、第６図の構成のディスク全作製し、比
較したところ、再生信号出力には全く差かなかった。
本発明のオリフィスゲートを用いたインライン型スパッ
タ装置ハ、各スパッタチャンバーか異種のスパッタガス
雰囲気であるにもかかわらず、相互干渉のないという特
徴を有している。艶に、ゲートバルブ方式のインライン
型スパッタｊ装置に較べ、スパッタ終了後の排気時間か
不要、トレーを連続的に動かして成膜でき、スルーブツ
トカニ高いゲートバルブを使用しないため装置の耐久性
か高くなるという各種の効果を有する・
タ装置ハ、各スパッタチャンバーか異種のスパッタガス
雰囲気であるにもかかわらず、相互干渉のないという特
徴を有している。艶に、ゲートバルブ方式のインライン
型スパッタｊ装置に較べ、スパッタ終了後の排気時間か
不要、トレーを連続的に動かして成膜でき、スルーブツ
トカニ高いゲートバルブを使用しないため装置の耐久性
か高くなるという各種の効果を有する・
第１図が本発明の一実施例のスパッタｆ７ｃ１ｍの上祝
図。 第２図が本発明の一実施例のオリフィスゲートの斜視図
。 第５図は１本発明のオリフィスゲートにスパッタガスを
導入した時のガス濃度分布を示したスパッタ装置の一部
の主視図。 第４図は本発明の一実施例で、（ａ）は、基本的なオリ
フィスゲートの主視図。（ｂ）は、凹凸を有したオリフ
ィスゲートの主視図。（ｃ）は、段差を有したオリフィ
スゲートの主視図。また、 （ａｌ 、 （≦）、、（
Ｃ′）は各オリフィスゲートの斜視図である。 第５図は、従来のスパッタ装置の主視図。 第６図は、光磁気記録媒体の構成図。 ＯＧ・・・・・・オリフィスゲート ＧＶ・・・・・・ゲートバルブ Ｐ・・・・・・・・・真空ポンプ Ｇ・・・・・・・・・不活性ガス Ｇｏ・・・・・・酸素 ＧＮ・・・・・・窒素ガス ＬＧ・・・・・・低ガス濃度 ＨＧ・・・・・・高ガス製靴 ＬＧＳ・・・低カス濃度スペース ＨＧ８・・・高カス濃度スペース ＴＡ・・・・・・ターゲット ＴＢ・・・・・・ターゲット ６−１・・・プラスチック基板 ６−２・・・酸化物層 ６−６・・・窒化物層 ６−４ ・・・ヴ白磁プＬｉ己録ｊ運 ６−５・・・窒化物層 以 上 第 １ 図
図。 第２図が本発明の一実施例のオリフィスゲートの斜視図
。 第５図は１本発明のオリフィスゲートにスパッタガスを
導入した時のガス濃度分布を示したスパッタ装置の一部
の主視図。 第４図は本発明の一実施例で、（ａ）は、基本的なオリ
フィスゲートの主視図。（ｂ）は、凹凸を有したオリフ
ィスゲートの主視図。（ｃ）は、段差を有したオリフィ
スゲートの主視図。また、 （ａｌ 、 （≦）、、（
Ｃ′）は各オリフィスゲートの斜視図である。 第５図は、従来のスパッタ装置の主視図。 第６図は、光磁気記録媒体の構成図。 ＯＧ・・・・・・オリフィスゲート ＧＶ・・・・・・ゲートバルブ Ｐ・・・・・・・・・真空ポンプ Ｇ・・・・・・・・・不活性ガス Ｇｏ・・・・・・酸素 ＧＮ・・・・・・窒素ガス ＬＧ・・・・・・低ガス濃度 ＨＧ・・・・・・高ガス製靴 ＬＧＳ・・・低カス濃度スペース ＨＧ８・・・高カス濃度スペース ＴＡ・・・・・・ターゲット ＴＢ・・・・・・ターゲット ６−１・・・プラスチック基板 ６−２・・・酸化物層 ６−６・・・窒化物層 ６−４ ・・・ヴ白磁プＬｉ己録ｊ運 ６−５・・・窒化物層 以 上 第 １ 図
Claims (2)
- （１）異種のターゲットを連続的にスパッタ、または異
種のガス雰囲気で、連続的にスパッタするインライン型
スパッタ装置において、各々のスパッタチャンバー間に
オリフィスゲートを備えたことを特徴とするスパッタ装
置。 - （２）前記オリフィスゲートの占める空間の全体または
一部のガス濃度がスパッタチャンバー空間のガス濃度よ
り高くしたことを特徴とする特許請求の範囲第一項記載
のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3442586A JPS62192580A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3442586A JPS62192580A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62192580A true JPS62192580A (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=12413853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3442586A Pending JPS62192580A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62192580A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02115366A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | スパッタリング装置 |
| JP2002533565A (ja) * | 1998-12-18 | 2002-10-08 | ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド | 金属プライマー層を使用しないで銀ベース低放射率コーティングを製造するための方法及び装置並びにそれによる製造物品 |
| US6533534B2 (en) * | 1993-05-03 | 2003-03-18 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Method for improving the rate of a plasma enhanced vacuum treatment |
| RU2496913C2 (ru) * | 2011-12-28 | 2013-10-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология" | Установка для ионно-лучевой и плазменной обработки |
| CN103451614A (zh) * | 2013-09-06 | 2013-12-18 | 肇庆市科润真空设备有限公司 | 车灯玻璃连续镀膜装置及方法 |
| DE102021134254A1 (de) | 2021-12-22 | 2023-06-22 | Rainer Cremer | Inline-Anlage zum Beschichtenvon einzelnen oder von Gruppen von Substraten und Verfahren zum Beschichten einzelner Substrate oder Substratgruppen in einer Inline-Beschichtungsanlage |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP3442586A patent/JPS62192580A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02115366A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | スパッタリング装置 |
| US6533534B2 (en) * | 1993-05-03 | 2003-03-18 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Method for improving the rate of a plasma enhanced vacuum treatment |
| JP2002533565A (ja) * | 1998-12-18 | 2002-10-08 | ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド | 金属プライマー層を使用しないで銀ベース低放射率コーティングを製造するための方法及び装置並びにそれによる製造物品 |
| RU2496913C2 (ru) * | 2011-12-28 | 2013-10-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология" | Установка для ионно-лучевой и плазменной обработки |
| CN103451614A (zh) * | 2013-09-06 | 2013-12-18 | 肇庆市科润真空设备有限公司 | 车灯玻璃连续镀膜装置及方法 |
| DE102021134254A1 (de) | 2021-12-22 | 2023-06-22 | Rainer Cremer | Inline-Anlage zum Beschichtenvon einzelnen oder von Gruppen von Substraten und Verfahren zum Beschichten einzelner Substrate oder Substratgruppen in einer Inline-Beschichtungsanlage |
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