JPS62203336A - 半導体素子の製造装置 - Google Patents
半導体素子の製造装置Info
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- JPS62203336A JPS62203336A JP4594486A JP4594486A JPS62203336A JP S62203336 A JPS62203336 A JP S62203336A JP 4594486 A JP4594486 A JP 4594486A JP 4594486 A JP4594486 A JP 4594486A JP S62203336 A JPS62203336 A JP S62203336A
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- JP
- Japan
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- gas
- heater
- wafer
- growth
- vapor phase
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、常圧式気相成長装置に関するものである。
従来、この種の常圧式気相成長装置はウェハーの搬送路
内に一つ若しくは連続した複数のガスヘッドを設け、ガ
スヘッドの真下にウェハーを一定温度に加熱するヒータ
ーを設け、ヒーターで加熱したウェハーにガスヘッドか
らガスを吹き付けることによりウェハー上に必要な気相
成長を行っていた。
内に一つ若しくは連続した複数のガスヘッドを設け、ガ
スヘッドの真下にウェハーを一定温度に加熱するヒータ
ーを設け、ヒーターで加熱したウェハーにガスヘッドか
らガスを吹き付けることによりウェハー上に必要な気相
成長を行っていた。
上述した従来の常圧式気相成長装置は、一つもしくは連
続した複数のガスヘッド下のヒーターによりウェハ一温
度を一定に保ち、気相成長を行っていたが、ガスヘッド
が一つもしくは連続したものであったため、ヒーターに
よる温度設定やガス種類を種々変更してこれらの組合せ
により多段階の気相成長の条件設定を行うことは不可能
であり、成長条件の設定が限られてしまうという欠点が
あった・ 本発明の目的は多段階の気相成長の条件設定を可能なら
しめた常圧式気相成長装置を提供することにある。
続した複数のガスヘッド下のヒーターによりウェハ一温
度を一定に保ち、気相成長を行っていたが、ガスヘッド
が一つもしくは連続したものであったため、ヒーターに
よる温度設定やガス種類を種々変更してこれらの組合せ
により多段階の気相成長の条件設定を行うことは不可能
であり、成長条件の設定が限られてしまうという欠点が
あった・ 本発明の目的は多段階の気相成長の条件設定を可能なら
しめた常圧式気相成長装置を提供することにある。
本発明はウェハーを加熱するヒーターと、ヒーターで加
熱されたウェハーに気相成長用ガスを吹き付けるガスヘ
ッドとを備えた半導体素子の製造装置において、個々に
独立した複数個のガスヘッドを有し、これらガスヘッド
を前後に一定間隔で配設し、各ガスヘッドの真下及び前
段の予熱部にウェハー加熱用ヒーターをそれぞれ個別に
配置したことを特徴とする半導体素子の製造装置である
。
熱されたウェハーに気相成長用ガスを吹き付けるガスヘ
ッドとを備えた半導体素子の製造装置において、個々に
独立した複数個のガスヘッドを有し、これらガスヘッド
を前後に一定間隔で配設し、各ガスヘッドの真下及び前
段の予熱部にウェハー加熱用ヒーターをそれぞれ個別に
配置したことを特徴とする半導体素子の製造装置である
。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、ウェハーに気相成長用ガスを吹き付け
る２個のガスヘッドｌａ、 ｌｂを前後に一定間隔で配
設し、各ガスヘッドｌａ、 ｌｂの真下にウェハ一温度
を決めるメインヒーター２ｂ、 ２ｄをそれぞれ設置す
るとともに、前段の予熱部に予熱用ヒーター２ａ、 ２
ｅをそれぞれ設置し、さらに各ヒーター２ａ、２ｂ、２
ｃ、Ｚｄ上にウェハー支持用トレー３をガスヘッドｌａ
、 ｌｂの真下に通して移動可能に設ける。
る２個のガスヘッドｌａ、 ｌｂを前後に一定間隔で配
設し、各ガスヘッドｌａ、 ｌｂの真下にウェハ一温度
を決めるメインヒーター２ｂ、 ２ｄをそれぞれ設置す
るとともに、前段の予熱部に予熱用ヒーター２ａ、 ２
ｅをそれぞれ設置し、さらに各ヒーター２ａ、２ｂ、２
ｃ、Ｚｄ上にウェハー支持用トレー３をガスヘッドｌａ
、 ｌｂの真下に通して移動可能に設ける。
本発明をカバーパシベーション膜成長用常圧式気相成長
装置として用いた例につき説明する。第２図はウェハー
縦断面図である。４はシリコン基板、６はスパッタリン
グによる配線用アルミ、５はアルミ下地の拡散層である
。アルミのスパッタリング時の温度は一般的に約り５０
℃〜約４００℃とされている。リン濃度の管理が必要な
ＰＳＧ膜８はアルミスパッタリング時の温度と同等又は
それ以上の成長温度が要求されるので、アルミ６上にＰ
ＳＧｌ（！４８を直接成長させると、アルミのヒーロッ
クが発生しＰＳＧ膜８上に凹凸を生じさせる原因となる
。
装置として用いた例につき説明する。第２図はウェハー
縦断面図である。４はシリコン基板、６はスパッタリン
グによる配線用アルミ、５はアルミ下地の拡散層である
。アルミのスパッタリング時の温度は一般的に約り５０
℃〜約４００℃とされている。リン濃度の管理が必要な
ＰＳＧ膜８はアルミスパッタリング時の温度と同等又は
それ以上の成長温度が要求されるので、アルミ６上にＰ
ＳＧｌ（！４８を直接成長させると、アルミのヒーロッ
クが発生しＰＳＧ膜８上に凹凸を生じさせる原因となる
。
そこで５本発明は各ヒーター２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄに
より第３図に示すような装置温度条件を設定する。そし
て、まずウェハーをトレー３に支持させて第１段の予熱
用ヒーター２ａにてウェハーを予熱した後、そのウェハ
ーをメインヒーター２ｂで約３００℃に加熱し、このウ
ェハーに第１段のガスヘッドｌａから気相成長用ガスを
吹き付けて薄い５ｉｎ２膜７を成長させる。その後、
ＳｉＯ□膜７を成長させたウェハーをトレー３により後
段の予熱用ヒーター２ｃに送り込んでこれを予熱し、そ
のウェハーをメインヒーター２ｄで約４００℃に加熱し
、このウェハーに第２段のガスヘッド１ｂから気相成長
用ガスを吹き付けてＰＳＧ膜８を成長させることにより
気相成長を完了させる。本発明によれば、薄いＳｉｎ、
膜７によりアルミのヒーロック成長は抑えられ、ＰＳＧ
膜８は平坦な形状に形成される。
より第３図に示すような装置温度条件を設定する。そし
て、まずウェハーをトレー３に支持させて第１段の予熱
用ヒーター２ａにてウェハーを予熱した後、そのウェハ
ーをメインヒーター２ｂで約３００℃に加熱し、このウ
ェハーに第１段のガスヘッドｌａから気相成長用ガスを
吹き付けて薄い５ｉｎ２膜７を成長させる。その後、
ＳｉＯ□膜７を成長させたウェハーをトレー３により後
段の予熱用ヒーター２ｃに送り込んでこれを予熱し、そ
のウェハーをメインヒーター２ｄで約４００℃に加熱し
、このウェハーに第２段のガスヘッド１ｂから気相成長
用ガスを吹き付けてＰＳＧ膜８を成長させることにより
気相成長を完了させる。本発明によれば、薄いＳｉｎ、
膜７によりアルミのヒーロック成長は抑えられ、ＰＳＧ
膜８は平坦な形状に形成される。
尚、実施例では、前後段のガスヘッドｌａ、 ｌｂと予
熱及びメインヒーター２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを組とし
。
熱及びメインヒーター２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを組とし
。
これを−組設置した例を示したが、複数組設置しても良
いことは言うまでもない。
いことは言うまでもない。
以上説明した様に本発明は、複数の独立したガスヘッド
をトレー移動方向に対して距離的に一定間隔を持たせて
設置し、独立したヒーターを有効な位置に設けることに
より、温度設定やガス種類の組合せを変更して多段階の
気相成長の条件設定を行うことができる効果を有するも
のである。
をトレー移動方向に対して距離的に一定間隔を持たせて
設置し、独立したヒーターを有効な位置に設けることに
より、温度設定やガス種類の組合せを変更して多段階の
気相成長の条件設定を行うことができる効果を有するも
のである。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図はウ
ェハー上にカバーパシベーション膜を成長させたときの
ウェハーの縦断面図、第３図は第２図に示すウェハーの
気相成長を行う場合のトレ・一温度とヒーター位置とを
表す図である。 ｌａ、 ｌｂ・・・ガスヘッド、２ｂ、２ｄ・・・主熱
源であるメインヒーター、２ａ、２ｃ・・・予熱源であ
るプリヒーター、３・・・トレー、４・・・シリコン基
板、５・・・アルミ下地の拡散層、６・・・配線用アル
ミ、７・・・薄い５ｉｎ２膜、８・・・ＰＳＧ暎
ェハー上にカバーパシベーション膜を成長させたときの
ウェハーの縦断面図、第３図は第２図に示すウェハーの
気相成長を行う場合のトレ・一温度とヒーター位置とを
表す図である。 ｌａ、 ｌｂ・・・ガスヘッド、２ｂ、２ｄ・・・主熱
源であるメインヒーター、２ａ、２ｃ・・・予熱源であ
るプリヒーター、３・・・トレー、４・・・シリコン基
板、５・・・アルミ下地の拡散層、６・・・配線用アル
ミ、７・・・薄い５ｉｎ２膜、８・・・ＰＳＧ暎
Claims (1)
- （１）ウェハーを加熱するヒーターと、ヒーターで加熱
されたウェハーに気相成長用ガスを吹き付けるガスヘッ
ドとを備えた半導体素子の製造装置において、個々に独
立した複数個のガスヘッドを有し、これらガスヘッドを
前後に一定間隔で配設し、各ガスヘッドの真下及び前段
の予熱部にウェハー加熱用ヒーターをそれぞれ個別に設
置したことを特徴とする半導体素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4594486A JPS62203336A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4594486A JPS62203336A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体素子の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62203336A true JPS62203336A (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=12733385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4594486A Pending JPS62203336A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体素子の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62203336A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227742A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシャル成長方法 |
-
1986
- 1986-03-03 JP JP4594486A patent/JPS62203336A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227742A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシャル成長方法 |
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