JPS62204455A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPS62204455A JPS62204455A JP4586586A JP4586586A JPS62204455A JP S62204455 A JPS62204455 A JP S62204455A JP 4586586 A JP4586586 A JP 4586586A JP 4586586 A JP4586586 A JP 4586586A JP S62204455 A JPS62204455 A JP S62204455A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記録媒体の構造に関する。
従来の光記録媒体は、磁気記録層に集光したレーザ光を
照射することにより磁化反転をおこさせ情報を記録する
方法、あるいは記録層にレーザ光を照射し、記録層の結
晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はその逆、ある
いは大方晶から立方晶又はその逆等）つまり相変態によ
り情報を記録する方法、あるいは記録層にレーザ光を照
射することにより穴を開ける。またはバブルを形成する
などの記録部分の形状を変化させ情報を記録する方法が
ある。
照射することにより磁化反転をおこさせ情報を記録する
方法、あるいは記録層にレーザ光を照射し、記録層の結
晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はその逆、ある
いは大方晶から立方晶又はその逆等）つまり相変態によ
り情報を記録する方法、あるいは記録層にレーザ光を照
射することにより穴を開ける。またはバブルを形成する
などの記録部分の形状を変化させ情報を記録する方法が
ある。
特に従来の光磁気記録媒体は第２図に示すように、案内
溝のついたプラスチック基板（ＰＭＭＡ、ｐｃ、エポキ
シ樹脂等）６上に、Ｔｂ１Ｆｅ、Ｇｄ’ｒｂｙθ、Ｔｂ
？ｅ（！ｏ 等の光磁気記録層７が成膜されており、
さらにその上に保護膜としてＳ１０゜等の誘電体膜８が
成膜されている。また、プラスチック基板以外にガラス
を用いたものもあり、第３図に示すような構造になって
いる。９はガラス基板で、１０はガラス基板上に案内溝
を形成するために設けられた紫外線硬化樹脂層である。
溝のついたプラスチック基板（ＰＭＭＡ、ｐｃ、エポキ
シ樹脂等）６上に、Ｔｂ１Ｆｅ、Ｇｄ’ｒｂｙθ、Ｔｂ
？ｅ（！ｏ 等の光磁気記録層７が成膜されており、
さらにその上に保護膜としてＳ１０゜等の誘電体膜８が
成膜されている。また、プラスチック基板以外にガラス
を用いたものもあり、第３図に示すような構造になって
いる。９はガラス基板で、１０はガラス基板上に案内溝
を形成するために設けられた紫外線硬化樹脂層である。
１１．１２は第２図と同様の光磁気記録層、誘電体層で
ある。しかし、プラスチック基板、紫外線硬化樹脂層は
吸湿性およびガス透過度が高く、模似にＳ ｉ Ｏ，等
の保護膜はありても光磁気記録層は非常に酸化しやすい
ため基板側から酸化され、磁気特性の劣化、膜ハゲ等問
題が大きかった。そこで基板側にも誘電体膜を形成し、
光磁気記録層をサンドイッチした構造が第４図で１３は
第２図と同様のプラスチック基板又は第３図と同様の紫
外線硬化樹脂付きガラス基板でありその基板上に１４と
して５１０８等の誘電体膜が成膜されており、１５．１
６はそれぞれ第２図、第３図と同様の光磁気記録層、Ｓ
ｉｎ、等誘電体層である。さらには第４図の構造に反射
膜を設けた構造も見られる、その構造を示したのが第５
図であるが、この反射膜は耐候性向上の目的よりも、む
しろ磁気光学効果のエンハンス効果を計ったものである
。１７が反射膜としてのアルミニウム、銅などである。
ある。しかし、プラスチック基板、紫外線硬化樹脂層は
吸湿性およびガス透過度が高く、模似にＳ ｉ Ｏ，等
の保護膜はありても光磁気記録層は非常に酸化しやすい
ため基板側から酸化され、磁気特性の劣化、膜ハゲ等問
題が大きかった。そこで基板側にも誘電体膜を形成し、
光磁気記録層をサンドイッチした構造が第４図で１３は
第２図と同様のプラスチック基板又は第３図と同様の紫
外線硬化樹脂付きガラス基板でありその基板上に１４と
して５１０８等の誘電体膜が成膜されており、１５．１
６はそれぞれ第２図、第３図と同様の光磁気記録層、Ｓ
ｉｎ、等誘電体層である。さらには第４図の構造に反射
膜を設けた構造も見られる、その構造を示したのが第５
図であるが、この反射膜は耐候性向上の目的よりも、む
しろ磁気光学効果のエンハンス効果を計ったものである
。１７が反射膜としてのアルミニウム、銅などである。
しかしこのサンドイッチ構造により、第２図、第３図に
示す構造よりは耐候性は向上したが、実用的には瞠だま
た不十分である。これはＳ１０．の誘電体膜自身が酸化
物であるため、遊離酸素が光磁気記録層を酸化してしま
うためである。そこで、遊離酸素の発生しない非酸化物
系誘電体を用いれば良いが、プラスチック基板（ＰＭＭ
Ａ、’Ｅ’０、エポキシ樹脂等）又は紫外線硬化樹脂付
きガラス基板には＄１０１ 、ＺｒｏｌＡＬＨＯＢ等
酸化物系＃ｓ′ｄ１体膜しか付着せず、窒化シリコン、
窒化アルミニウム、硫化亜鉛等の非酸化物系誘電体膜は
クラックが発生してしまい付着しなかった。
示す構造よりは耐候性は向上したが、実用的には瞠だま
た不十分である。これはＳ１０．の誘電体膜自身が酸化
物であるため、遊離酸素が光磁気記録層を酸化してしま
うためである。そこで、遊離酸素の発生しない非酸化物
系誘電体を用いれば良いが、プラスチック基板（ＰＭＭ
Ａ、’Ｅ’０、エポキシ樹脂等）又は紫外線硬化樹脂付
きガラス基板には＄１０１ 、ＺｒｏｌＡＬＨＯＢ等
酸化物系＃ｓ′ｄ１体膜しか付着せず、窒化シリコン、
窒化アルミニウム、硫化亜鉛等の非酸化物系誘電体膜は
クラックが発生してしまい付着しなかった。
そのため実用化に向けて耐候性の向上を計るため光磁気
記録層そのものに耐候性をもたせる（日本応用磁気学会
誌、 Ｖｏｗ ８ 、 Ｎｏ ２ 、１９８４ 。
記録層そのものに耐候性をもたせる（日本応用磁気学会
誌、 Ｖｏｗ ８ 、 Ｎｏ ２ 、１９８４ 。
’ｐ１０５ 、第８回日本応用磁気学会学術講演概要集
Ｐ１２５等）、あるいは保護膜をＡｔ、Ｔｉ等の金属に
して耐候性をもたせる（第８回日本応用磁気学会学術講
演概要集Ｐ１４８）などがある。
Ｐ１２５等）、あるいは保護膜をＡｔ、Ｔｉ等の金属に
して耐候性をもたせる（第８回日本応用磁気学会学術講
演概要集Ｐ１４８）などがある。
しかしこれらの改良も基板からの酸化を防止することは
不可能であり、それ故基板そのものをガラスだけにする
ことも試みられており、案内溝自身もガラスで作られて
いる（第７回日本応用磁気学会学術講演概要集Ｐ１５５
．第８回日本応用磁気学会学術講演概要集ｐ２３９）ｅ
Ｌかし、これは耐候性も十分実用に耐えつるものの、ガ
ラスに案内溝を作製することが量産的でなくコストが非
常に高くつき、実用化できる手法でない。
不可能であり、それ故基板そのものをガラスだけにする
ことも試みられており、案内溝自身もガラスで作られて
いる（第７回日本応用磁気学会学術講演概要集Ｐ１５５
．第８回日本応用磁気学会学術講演概要集ｐ２３９）ｅ
Ｌかし、これは耐候性も十分実用に耐えつるものの、ガ
ラスに案内溝を作製することが量産的でなくコストが非
常に高くつき、実用化できる手法でない。
又、光磁気記録膜の膜質改善のためにＤＣバイアススパ
ッタ法が考案されているが（特開昭５７−１８１４４７
．特開昭５８ ２１５７４４）＊基板が絶縁体のために
透明導電体である］：Ｔｏ 。
ッタ法が考案されているが（特開昭５７−１８１４４７
．特開昭５８ ２１５７４４）＊基板が絶縁体のために
透明導電体である］：Ｔｏ 。
８ｎＯ１ｓ工ｎ！ｏ８ 、ＺｎＯ，ＴｉＯ，の膜を成
膜しておく必要がある。そして、このＤＣバイアス法に
より成膜した媒体は、基板上に透明導電体膜（酸化物）
があるため膜の付着力はあるが、酸化物であるため耐候
性が悪かった。
膜しておく必要がある。そして、このＤＣバイアス法に
より成膜した媒体は、基板上に透明導電体膜（酸化物）
があるため膜の付着力はあるが、酸化物であるため耐候
性が悪かった。
しかし、前述の従来技術ではクラックが発生する、耐候
性が悪い、量産的でなくコストが非常に高い等の問題点
を有する。
性が悪い、量産的でなくコストが非常に高い等の問題点
を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、プラスチック基板（ＰＭＭＡ、
ＰＣ，エポキシ樹脂等）又は紫外線硬化樹脂付きガラス
基板に保護膜をクラックの発生なく付着せしめ、安価で
耐候性に優れた、しかもＤＯバイアススパッタ法により
光磁気記録層の膜質の改善をはかった光記録媒体を提供
することにある。
の目的とするところは、プラスチック基板（ＰＭＭＡ、
ＰＣ，エポキシ樹脂等）又は紫外線硬化樹脂付きガラス
基板に保護膜をクラックの発生なく付着せしめ、安価で
耐候性に優れた、しかもＤＯバイアススパッタ法により
光磁気記録層の膜質の改善をはかった光記録媒体を提供
することにある。
本発明の光記録媒体は、透明基板の片面に光磁気記録層
を形成し、光磁気記録層に集光したレーザ光を照射する
ことにより、磁化反転をおこさせ情報を記録する光磁気
記録媒体にお−て、透明基板と光磁気記録層との間に、
透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設けられて
いることを特徴とする。
を形成し、光磁気記録層に集光したレーザ光を照射する
ことにより、磁化反転をおこさせ情報を記録する光磁気
記録媒体にお−て、透明基板と光磁気記録層との間に、
透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設けられて
いることを特徴とする。
従来、透明ディスク基板（特にプラスチック基板）上に
非酸化物誘電体膜を成膜すれば、成膜中にクラックが発
生するか、もしくは耐候性加速試験中にクラックが発生
してしまった。しかも、クラックの発生しない酸化物誘
電体膜はその遊離酸素のために光記録膜を劣化させてし
まうという欠点を有していた。さらにＤＯバイアス法を
用いて光記録膜の膜質を改善するために用いる透明導電
膜は酸化物であるという問題点もあった。
非酸化物誘電体膜を成膜すれば、成膜中にクラックが発
生するか、もしくは耐候性加速試験中にクラックが発生
してしまった。しかも、クラックの発生しない酸化物誘
電体膜はその遊離酸素のために光記録膜を劣化させてし
まうという欠点を有していた。さらにＤＯバイアス法を
用いて光記録膜の膜質を改善するために用いる透明導電
膜は酸化物であるという問題点もあった。
そこで、本発明の上記構成によれば、透明基板側からの
第１Ｗ１目としてＳｎＯ，、工ｔ’ｔＯｓ ５ＺｎＯ
，ＴｉＯの酸化物透明導ｉｔ膜を成膜する。
第１Ｗ１目としてＳｎＯ，、工ｔ’ｔＯｓ ５ＺｎＯ
，ＴｉＯの酸化物透明導ｉｔ膜を成膜する。
これは基板にＤＣバイアス電圧を印加する目的以外に、
酸化物であるためプラスチック基板との付着力が強く、
クラックの発生おさえる目的も兼ねている。そして、第
１層目は酸化物であるため、その遊離酸素が光記録層の
劣化を進める。この劣化を防ぐために第２層目として非
酸化物誘電体として窒化シリコンを成膜すれば、クラッ
クが発生せず、光記録膜の膜質も改善された、しかも耐
候性に優れた光記録媒体ができるものである。
酸化物であるためプラスチック基板との付着力が強く、
クラックの発生おさえる目的も兼ねている。そして、第
１層目は酸化物であるため、その遊離酸素が光記録層の
劣化を進める。この劣化を防ぐために第２層目として非
酸化物誘電体として窒化シリコンを成膜すれば、クラッ
クが発生せず、光記録膜の膜質も改善された、しかも耐
候性に優れた光記録媒体ができるものである。
〔実施例１〕
第１図は、本発明における透明基板側から３明導電膜・
誘電体膜が順に設けられた光磁気記録媒体の断面図であ
る。１は溝付ＰＣ基板で溝ピッチＺ５μ溪、溝幅（Ｌ７
μｍ１溝深さ７００久のものである。このＰＣ基板の溝
側に透明導電膜としてＩＴＯ［（Ｉｎ、 ｏ、 ：
ＳｎＯ，＝９０ ： ｊ ０ｖｒｔ％程度）１ｓｏＸ形
成したのが２で、その上に窒化シリコンを８００裏形成
したのが５である。さらにその上に光磁気記録層として
ＧｄＴｂ１ＦｅＣ。
誘電体膜が順に設けられた光磁気記録媒体の断面図であ
る。１は溝付ＰＣ基板で溝ピッチＺ５μ溪、溝幅（Ｌ７
μｍ１溝深さ７００久のものである。このＰＣ基板の溝
側に透明導電膜としてＩＴＯ［（Ｉｎ、 ｏ、 ：
ＳｎＯ，＝９０ ： ｊ ０ｖｒｔ％程度）１ｓｏＸ形
成したのが２で、その上に窒化シリコンを８００裏形成
したのが５である。さらにその上に光磁気記録層として
ＧｄＴｂ１ＦｅＣ。
膜３ｏｏＸを形成したのが４であり、光磁気記録層の腹
側からの耐候性を向上させるために５として窒化シリコ
ン膜を１ ｏｏｏＸ形成した。
側からの耐候性を向上させるために５として窒化シリコ
ン膜を１ ｏｏｏＸ形成した。
それぞれの膜の成膜は、真空槽をリークせず、連続で成
膜している。具体的成膜方法は、ＩＴＯ膜がＩｎ！０３
とｓｎｏ、の比が９０ ： １０ ｗｔ％のターゲット
を用い、Ａｒ圧４ ｍＴ Ｏｒ ｒ Ｏ２圧１ ｍ Ｔ
ｏ ｒ ｒのガスを導入し、ＤＣスパッタしたもので
あり、窒化シリコン族は窒化シリコンのターゲットを用
いＡ ｒ ｌＥ４ ａ Ｔ ｏ ｒ ｒ Ｎ ！ 圧１
ｓ’ｒｏｒｒのガスを導入し、ＲＦスパッタした。さ
らに、Ｇａ’ｒｂｙｅｃｏｇは、’ＩｅＯｏ合金ターゲ
ット（Ｆ ｅ ： Ｏｏ ＝９０ ： １０ ａ ｔ％
）上にＧｄ、！：ＴＩ）のチップ（１：１）を配した
複合ターゲットを用いＡｒ圧５ ｍ Ｔ Ｏｒ ｒでＤ
Ｃスパッタした。その際、基板には工ＴＯ膜を介して−
９゜Ｖの負電圧を印刀口している。そして、４層目の窒
化シリコン膜の成膜方法は、２層目の窒化シリコン膜と
同じである。ここで用いた種々の成膜方法（例えば、Ｄ
ＣスパッタかＲ？スパッタか、ターゲットは金部か非金
属か等］は１例にすぎず、本質的なものではない。
膜している。具体的成膜方法は、ＩＴＯ膜がＩｎ！０３
とｓｎｏ、の比が９０ ： １０ ｗｔ％のターゲット
を用い、Ａｒ圧４ ｍＴ Ｏｒ ｒ Ｏ２圧１ ｍ Ｔ
ｏ ｒ ｒのガスを導入し、ＤＣスパッタしたもので
あり、窒化シリコン族は窒化シリコンのターゲットを用
いＡ ｒ ｌＥ４ ａ Ｔ ｏ ｒ ｒ Ｎ ！ 圧１
ｓ’ｒｏｒｒのガスを導入し、ＲＦスパッタした。さ
らに、Ｇａ’ｒｂｙｅｃｏｇは、’ＩｅＯｏ合金ターゲ
ット（Ｆ ｅ ： Ｏｏ ＝９０ ： １０ ａ ｔ％
）上にＧｄ、！：ＴＩ）のチップ（１：１）を配した
複合ターゲットを用いＡｒ圧５ ｍ Ｔ Ｏｒ ｒでＤ
Ｃスパッタした。その際、基板には工ＴＯ膜を介して−
９゜Ｖの負電圧を印刀口している。そして、４層目の窒
化シリコン膜の成膜方法は、２層目の窒化シリコン膜と
同じである。ここで用いた種々の成膜方法（例えば、Ｄ
ＣスパッタかＲ？スパッタか、ターゲットは金部か非金
属か等］は１例にすぎず、本質的なものではない。
この本発明による、透明基板側から透明導電膜（工ＴＯ
膜）・誘電体膜（窒化シリコン）が順に設けられている
光磁気記録媒体と、従来の構造、つまり＠４図の１３が
ＰＣ基板で１４の誘電体膜がｓｌｏ、 １ｏｏｏＸのも
のや、窒化シリコン１０００Ｘで置き換わりたものを作
成した。当然の事ながら１５．１６は４．５と全く同じ
ものであり、それぞれＧｄＴｂ１ＦｅＯｏ膜５ａａＸ、
窒化シリコン膜１ ｏｏｏＲである。そして本発明によ
る媒体を含め、これら３種類の媒体を６０℃９０％ＲＨ
の恒温恒湿槽中での加速試験が第６図に示すグラフであ
る。縦軸は反射率の平方根とカー回転角の積で一般に性
能指数と呼ばれ、媒体の０７Ｈにほぼ比例するものであ
り、高いほど良い、横軸は加速試験を行なりた時間であ
る。１８は本発、明による透明基板側から透明導電膜・
誘電体膜が順に設けられた光磁気記録媒体、１９は誘電
体に窒化シリコンのみを用いたもの、２１は誘電体に３
１０．のみを用いたものである。この図から判る様に本
発明による光磁気記録媒体１Ｂは性能が全く劣化せず実
用に耐えうるものである。一方誘電体がＳ１０．の媒体
２１はすぐ酸化されてしまい、実用できない。そして誘
電体に窒化シリコンを用いた媒体１９でも性能の劣化が
かなりあり実用には、問題がある。さらに、１９．２１
の媒体が１８の媒体に比較して性能指数が低いのは、１
９．２１の媒体にはＤＯバイアス電圧が印加できず、膜
質が改善されないためであり、一方１８の媒体は有効に
ＤＣバイアス電圧が印加できるため膜質改善されるから
である。ここで１９゜２１の媒体の窒化シリコン、１３
１０．を１０００＾厚としたのは、本発明媒体の透明導
電膜２と誘電体膜３の総厚と同じにする目的のためであ
る。
膜）・誘電体膜（窒化シリコン）が順に設けられている
光磁気記録媒体と、従来の構造、つまり＠４図の１３が
ＰＣ基板で１４の誘電体膜がｓｌｏ、 １ｏｏｏＸのも
のや、窒化シリコン１０００Ｘで置き換わりたものを作
成した。当然の事ながら１５．１６は４．５と全く同じ
ものであり、それぞれＧｄＴｂ１ＦｅＯｏ膜５ａａＸ、
窒化シリコン膜１ ｏｏｏＲである。そして本発明によ
る媒体を含め、これら３種類の媒体を６０℃９０％ＲＨ
の恒温恒湿槽中での加速試験が第６図に示すグラフであ
る。縦軸は反射率の平方根とカー回転角の積で一般に性
能指数と呼ばれ、媒体の０７Ｈにほぼ比例するものであ
り、高いほど良い、横軸は加速試験を行なりた時間であ
る。１８は本発、明による透明基板側から透明導電膜・
誘電体膜が順に設けられた光磁気記録媒体、１９は誘電
体に窒化シリコンのみを用いたもの、２１は誘電体に３
１０．のみを用いたものである。この図から判る様に本
発明による光磁気記録媒体１Ｂは性能が全く劣化せず実
用に耐えうるものである。一方誘電体がＳ１０．の媒体
２１はすぐ酸化されてしまい、実用できない。そして誘
電体に窒化シリコンを用いた媒体１９でも性能の劣化が
かなりあり実用には、問題がある。さらに、１９．２１
の媒体が１８の媒体に比較して性能指数が低いのは、１
９．２１の媒体にはＤＯバイアス電圧が印加できず、膜
質が改善されないためであり、一方１８の媒体は有効に
ＤＣバイアス電圧が印加できるため膜質改善されるから
である。ここで１９゜２１の媒体の窒化シリコン、１３
１０．を１０００＾厚としたのは、本発明媒体の透明導
電膜２と誘電体膜３の総厚と同じにする目的のためであ
る。
さらに６０℃９０％ＲＨの耐候性試験によりＢ ｉ ｔ
Ｆ！ｒｒｏｒ Ｒａｔｅがどのように増加するの
かを調べた結果が第７図である。１Ｂ’、１９’、２１
′は１８，１９．２１に対応する構造で１８′は本発明
による透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設け
られた光磁気記録媒体、１９′は誘電体に窒化シリコン
のみを用いた媒体、２１′は誘電体にＳｉＯ□のみを用
いた媒体である。縦軸はＢｉｔ １ｌｉｒｒｏｒ
Ｒａｔｅ 、横軸は耐候性試験経過時間である。この図
から明らかなように本発明による媒体１８′のＢＩｌｉ
Ｒの増加は見られなかりたが、他の構造による媒体では
ＢＥＲの増加が激しく、特に２１′に示す媒体の劣化が
激しい、この加速試験結果により本発明媒体の信頼性は
１０年以上保障できるものである。又、破線で示してい
る所は測定不可能なほどＢＥＲが増加したことを示して
いる。
Ｆ！ｒｒｏｒ Ｒａｔｅがどのように増加するの
かを調べた結果が第７図である。１Ｂ’、１９’、２１
′は１８，１９．２１に対応する構造で１８′は本発明
による透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設け
られた光磁気記録媒体、１９′は誘電体に窒化シリコン
のみを用いた媒体、２１′は誘電体にＳｉＯ□のみを用
いた媒体である。縦軸はＢｉｔ １ｌｉｒｒｏｒ
Ｒａｔｅ 、横軸は耐候性試験経過時間である。この図
から明らかなように本発明による媒体１８′のＢＩｌｉ
Ｒの増加は見られなかりたが、他の構造による媒体では
ＢＥＲの増加が激しく、特に２１′に示す媒体の劣化が
激しい、この加速試験結果により本発明媒体の信頼性は
１０年以上保障できるものである。又、破線で示してい
る所は測定不可能なほどＢＥＲが増加したことを示して
いる。
〔実施例２〕
次に、透明基板をｐｏからＰＭＭＡに置き換えて実施例
１と同様の実験をおこなった。その結果が第８図、第９
図であり、第８図はＰＭＭＡ基板を用いた６０℃９０％
ＲＨの恒温恒湿槽中での加速試験図で、第９図がＰＭＭ
Ａ基板を用いた６０”Ｃ９０％Ｒ）ｉの耐候性試験によ
るＢＥＨの経時変化図である。２２は、ＰＭＭＡ基板を
用いた本発明による透明基板側から透明導ｖ１膜（工Ｔ
ｏ）２００に、誘電体膜（窒化シリコン）ａｏｏＸが順
に設けられた光磁気記録媒体、２３はＰＭＭム基板を用
い誘電体に窒化シリコン１０００Ｘのみを用いたもの、
２４は誘電体に１９１０，１００ＯＡのみを用いたもの
である。この図からも判る様に、ＰＭＭＡｆｉ板を用い
ても本発明による媒体は、性能が全く劣化せず実用に耐
えうるちのである、一方、Ｓｉｎ、を用いた媒体２３や
窒化シリコンのみを用いた媒体２４では劣化が激しく実
用できない、特に基板がＰＭＭＡのため第６図と比較し
て劣化の速度が速い。これはＰＭＭＡの方がＰＣに比べ
て吸湿性が高いためである。又、第９図に示す２２′は
２２に対応し、２５′は２３に、２４′は２４に対応す
る。そしてこの図からもＰＭＭＡ基板を用いても本発明
による媒体のＢＥＲは増加せず、実用できることが判る
。一方、他の媒体２３’ 、２４’はやはりＰＭＭＡ
基板のため、第７図よりも劣化が激しい。特に窒化シリ
コンを用いた媒体２３は１０時間はどでクラックが生じ
出しその時点で実用できなくなる。
１と同様の実験をおこなった。その結果が第８図、第９
図であり、第８図はＰＭＭＡ基板を用いた６０℃９０％
ＲＨの恒温恒湿槽中での加速試験図で、第９図がＰＭＭ
Ａ基板を用いた６０”Ｃ９０％Ｒ）ｉの耐候性試験によ
るＢＥＨの経時変化図である。２２は、ＰＭＭＡ基板を
用いた本発明による透明基板側から透明導ｖ１膜（工Ｔ
ｏ）２００に、誘電体膜（窒化シリコン）ａｏｏＸが順
に設けられた光磁気記録媒体、２３はＰＭＭム基板を用
い誘電体に窒化シリコン１０００Ｘのみを用いたもの、
２４は誘電体に１９１０，１００ＯＡのみを用いたもの
である。この図からも判る様に、ＰＭＭＡｆｉ板を用い
ても本発明による媒体は、性能が全く劣化せず実用に耐
えうるちのである、一方、Ｓｉｎ、を用いた媒体２３や
窒化シリコンのみを用いた媒体２４では劣化が激しく実
用できない、特に基板がＰＭＭＡのため第６図と比較し
て劣化の速度が速い。これはＰＭＭＡの方がＰＣに比べ
て吸湿性が高いためである。又、第９図に示す２２′は
２２に対応し、２５′は２３に、２４′は２４に対応す
る。そしてこの図からもＰＭＭＡ基板を用いても本発明
による媒体のＢＥＲは増加せず、実用できることが判る
。一方、他の媒体２３’ 、２４’はやはりＰＭＭＡ
基板のため、第７図よりも劣化が激しい。特に窒化シリ
コンを用いた媒体２３は１０時間はどでクラックが生じ
出しその時点で実用できなくなる。
〔実施例３〕
さらに、透明導電膜の膜厚がどの程度あればＤＣバイア
ス電圧が印加出来るかを調べたのが第１０図で、Ｄｃバ
イアススパッタ法の工ＴＯｉＪｌ依存性図である。ここ
で横軸は工Ｔｏ膜厚で、縦軸は ／Ｈｂであり、Ｈａ、
Ｈｂはそれぞれ第１１図に示す、第１１図カーヒステリ
シス図で、横軸は印加磁場、縦軸はカー回軸角を示す。
ス電圧が印加出来るかを調べたのが第１０図で、Ｄｃバ
イアススパッタ法の工ＴＯｉＪｌ依存性図である。ここ
で横軸は工Ｔｏ膜厚で、縦軸は ／Ｈｂであり、Ｈａ、
Ｈｂはそれぞれ第１１図に示す、第１１図カーヒステリ
シス図で、横軸は印加磁場、縦軸はカー回軸角を示す。
第１０図から判るように工ＴＯ膜厚３０Ｘ以上になると
Ｄｏバイアス電圧が印加出来ている乙とがわかる。つま
り３０Ｘ未満であると工Ｔｏ膜が島状になり不連続膜と
なるため導通がとれないからである。このことより工Ｔ
Ｏ膜は３ｏ′Ａ以上成膜しないと効果がないことが判る
。
Ｄｏバイアス電圧が印加出来ている乙とがわかる。つま
り３０Ｘ未満であると工Ｔｏ膜が島状になり不連続膜と
なるため導通がとれないからである。このことより工Ｔ
Ｏ膜は３ｏ′Ａ以上成膜しないと効果がないことが判る
。
〔実施例４〕
又、透明導電膜（工Ｔｏ）と誘電体膜（窒化シリコン）
の総厚がどの程度になれば、基板の溝がつぶれるかを見
たのが１＠１２図で、溝深さの透明導電膜と誘電体膜と
の総厚依存性図である。この図より総厚が５０００Åを
超えると溝が完全につぶれることがわかる。このことよ
り総厚は５０００Ｘ以下でなければならないことがわか
る。
の総厚がどの程度になれば、基板の溝がつぶれるかを見
たのが１＠１２図で、溝深さの透明導電膜と誘電体膜と
の総厚依存性図である。この図より総厚が５０００Åを
超えると溝が完全につぶれることがわかる。このことよ
り総厚は５０００Ｘ以下でなければならないことがわか
る。
〔実施例５〕
さらに、実施例１で用いた透明導電膜を工ＴＯ以外にＳ
ｎＯ，、Ｉｎ２Ｏ３、ｚｎｏ、’ｒｉｏ。
ｎＯ，、Ｉｎ２Ｏ３、ｚｎｏ、’ｒｉｏ。
及びそれらの混合成分を用いたものに置き換えた実験を
おこなった。そして、６０℃９０％ＲＨの加速試験１０
００時間後に、性能指数及びＢＥＨに変化があったかど
うかを調べた。その結果を一覧表に示す。
おこなった。そして、６０℃９０％ＲＨの加速試験１０
００時間後に、性能指数及びＢＥＨに変化があったかど
うかを調べた。その結果を一覧表に示す。
尚、ここで用いた透明導電体膜のうち混合したものにつ
いての混合成分の成分比は、いかなる比でも本発明をそ
こねるものではない。
いての混合成分の成分比は、いかなる比でも本発明をそ
こねるものではない。
表 １
以上、実施例に述べたごとく本発明による透明基板側か
ら透明導電膜・誘電体膜が順に設けられた光記録媒体は
、膜特性の劣化もなく、ＢＩＩＸＲの増加もない耐候性
に優れた媒体を供することができる。
ら透明導電膜・誘電体膜が順に設けられた光記録媒体は
、膜特性の劣化もなく、ＢＩＩＸＲの増加もない耐候性
に優れた媒体を供することができる。
尚、本実施例に用いた基板はＰＣ，ＰＭＭＡ基板である
が、工、ボキシ樹脂あるいは紫外線硬化樹脂付きガラス
基板においても何ら本発明をそこねるものではない。さ
らに光磁気記録層に用いた膜はＧｄＴ’ｂＦｅＣ！ｏ膜
であるが、’１”ｂｌＦｅ、Ｔｂ？ｅＯｏ、ＴｂＣｏ、
Ｇｄ０ｏ、ＴｂＤｙＦｅ。
が、工、ボキシ樹脂あるいは紫外線硬化樹脂付きガラス
基板においても何ら本発明をそこねるものではない。さ
らに光磁気記録層に用いた膜はＧｄＴ’ｂＦｅＣ！ｏ膜
であるが、’１”ｂｌＦｅ、Ｔｂ？ｅＯｏ、ＴｂＣｏ、
Ｇｄ０ｏ、ＴｂＤｙＦｅ。
ＤｙＦｅ０ｏ、ＮｄＤｙ？ｅＯｏ、ＮｃＬＴｂｌＦｅＣ
Ｏ等の希土類迫移金ｔ４型光磁気記録膜でも何らさしつ
かえない。
Ｏ等の希土類迫移金ｔ４型光磁気記録膜でも何らさしつ
かえない。
又、本実施例では光磁気記録媒体を述べたがＡ記録層の
結晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はその逆、あ
るいは六方晶から立方晶又はその逆など）。つまり相変
態をおこさせて反射率差を信号とする書き換え可能型光
記録媒体、あるいは記録層に穴を開ける、バブルを形成
する、相変態をおこさせるなどによる追記型光記録媒体
にも本発明は有効である。
結晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はその逆、あ
るいは六方晶から立方晶又はその逆など）。つまり相変
態をおこさせて反射率差を信号とする書き換え可能型光
記録媒体、あるいは記録層に穴を開ける、バブルを形成
する、相変態をおこさせるなどによる追記型光記録媒体
にも本発明は有効である。
以上述べた如く、本発明による光記録媒体においては、
長期間（１０年以上）にわたり、（３／Ｎ、Ｂｌ！！Ｒ
が劣化せずクラックも生じない。本発明により光記録媒
体の長期信頼性が飛躍的に向上し、さらにガラスに直接
溝を形成する必要もなく、プラスチック基板が使用でき
ることから大巾なコストダウンが計れるものである。又
、クラックも発生せずに誘電体を形成できることからカ
ー回転角のエンハンス効果も有効に利用でき、さらにＤ
Ｃバイアス電圧を印加できることから、光記録層の膜質
改善ができ、Ｃ／Ｎ向上がはかられるものである。
長期間（１０年以上）にわたり、（３／Ｎ、Ｂｌ！！Ｒ
が劣化せずクラックも生じない。本発明により光記録媒
体の長期信頼性が飛躍的に向上し、さらにガラスに直接
溝を形成する必要もなく、プラスチック基板が使用でき
ることから大巾なコストダウンが計れるものである。又
、クラックも発生せずに誘電体を形成できることからカ
ー回転角のエンハンス効果も有効に利用でき、さらにＤ
Ｃバイアス電圧を印加できることから、光記録層の膜質
改善ができ、Ｃ／Ｎ向上がはかられるものである。
第１図は透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設
けられた光磁気記録媒体の断面図。 第２図は従来の光磁気記録媒体の断面図。 第３図はガラス基板を用いた従来の光磁気記録媒体の断
面図。 第４図は光磁気記録層を誘電体膜でサンドインチした従
来の光磁気記録媒体の断面図。 第５図は反射膜を設けた従来の光磁気記録媒体の断面図
。 第６図は６０℃９０％ＲＨの恒温恒湿槽中での加速試験
図。 第７図は６０℃９０％ＲＨの耐候性試験によるＪ３ＫＨ
の経時変化図。 第８図はＰＭＭＡ基板を用いた６０℃９０％ＲＨの恒温
恒湿槽中での加速試験図。 第９図はＰＭＭＡ基板を用いた６０℃９０％ＲＨの耐候
性試験によるＢＥＲの経時変化図。 第１０図はＤＣバイアススパッタ法の工ＴＯ！厚依存性
図。 第１１図はカーヒステリシス図。 第１２図は溝深さの透明導ＴＪＬＩＩｇと誘電体層との
総厚依存性図。 １・・・・・・・・・溝付き’ＰＣ基板２・・・・・・
・・・透明導電！（工Ｔｏ膜）３・・・・・・・・・窒
化シリコン膜 ４・・・・・・・・・光磁気記録層（ＧｄＴｂ１ＦｅＣ
ｏ膜）５・・・・・・・・・窒化シリコン膜 ６・・・・・・・・・プラスチック基板ＣＰＭＭＡ、Ｐ
Ｃ。 エポキシ樹脂等） ７ ・−・−・−・光磁気記録層（Ｔ ｂ ？ ８ ＊
Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｅ ＯＯ等） ８・・・・・・・・・Ｕ電体膜（Ｓ ｉ Ｏ，等）９・
・・・・・・・・ガラス基板 １０・・・・・・紫外線硬化樹脂層 １１・・・…光磁気記録層（Ｔｂ７ｅ、ＧｄＴｂ７ｅＣ
。 等） １２・・・・・・誘電体層（Ｂ ｉ Ｏ，等）１３・・
・・・・プラスチック基板又は紫外線硬化樹脂付きガラ
ス基板 １４・・・・・・誘電体膜（Ｓ ｉ Ｏ，等）１５−−
− ・−光磁気記録層（Ｔｂ１Ｆｅ、ＧｄＴｂＦｅ０゜
等） １６・・・・・・誘電体層（Ｓ ｉ Ｏｌ等）１７・・
・・・・反射膜（アルミニウム、銅等）１８・・・・・
・本発明による透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が
順に設けられた光磁気 記録媒体 １９・・・・・・誘電体に窒化シリコンのみを用いた媒
体 ２１・・・・・・誘電体に８１０！のみを用いた媒体１
８′・・・１８に対応 １９ ’ ・１９に対応 ２１′・・・２１に対応 ２２・・・・・・ＰＭＭＡ基板を用い透明基板側から透
明導電膜・誘電体膜が順に設けられた 光磁気記録媒体 ２３・・・・・・ＰＭＭＡ基板を用い誘電体に窒化シリ
コンのみを用いた媒体 ２４・・・・・・ＰＭＭＡ基板を用い誘電体に８１０２
のみを用いた媒体 ２２′・・・２２に対応 ２５／・・・２３に対応 ２４′・・・２４に対応 ２．４呵４＠顧α７ｏ） ３、諭１１つ柔ト模（（【０シソコイ 筋 １図 第３図 第６図 第７ｇ 葛 Ｓ図 名１１図
けられた光磁気記録媒体の断面図。 第２図は従来の光磁気記録媒体の断面図。 第３図はガラス基板を用いた従来の光磁気記録媒体の断
面図。 第４図は光磁気記録層を誘電体膜でサンドインチした従
来の光磁気記録媒体の断面図。 第５図は反射膜を設けた従来の光磁気記録媒体の断面図
。 第６図は６０℃９０％ＲＨの恒温恒湿槽中での加速試験
図。 第７図は６０℃９０％ＲＨの耐候性試験によるＪ３ＫＨ
の経時変化図。 第８図はＰＭＭＡ基板を用いた６０℃９０％ＲＨの恒温
恒湿槽中での加速試験図。 第９図はＰＭＭＡ基板を用いた６０℃９０％ＲＨの耐候
性試験によるＢＥＲの経時変化図。 第１０図はＤＣバイアススパッタ法の工ＴＯ！厚依存性
図。 第１１図はカーヒステリシス図。 第１２図は溝深さの透明導ＴＪＬＩＩｇと誘電体層との
総厚依存性図。 １・・・・・・・・・溝付き’ＰＣ基板２・・・・・・
・・・透明導電！（工Ｔｏ膜）３・・・・・・・・・窒
化シリコン膜 ４・・・・・・・・・光磁気記録層（ＧｄＴｂ１ＦｅＣ
ｏ膜）５・・・・・・・・・窒化シリコン膜 ６・・・・・・・・・プラスチック基板ＣＰＭＭＡ、Ｐ
Ｃ。 エポキシ樹脂等） ７ ・−・−・−・光磁気記録層（Ｔ ｂ ？ ８ ＊
Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｅ ＯＯ等） ８・・・・・・・・・Ｕ電体膜（Ｓ ｉ Ｏ，等）９・
・・・・・・・・ガラス基板 １０・・・・・・紫外線硬化樹脂層 １１・・・…光磁気記録層（Ｔｂ７ｅ、ＧｄＴｂ７ｅＣ
。 等） １２・・・・・・誘電体層（Ｂ ｉ Ｏ，等）１３・・
・・・・プラスチック基板又は紫外線硬化樹脂付きガラ
ス基板 １４・・・・・・誘電体膜（Ｓ ｉ Ｏ，等）１５−−
− ・−光磁気記録層（Ｔｂ１Ｆｅ、ＧｄＴｂＦｅ０゜
等） １６・・・・・・誘電体層（Ｓ ｉ Ｏｌ等）１７・・
・・・・反射膜（アルミニウム、銅等）１８・・・・・
・本発明による透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が
順に設けられた光磁気 記録媒体 １９・・・・・・誘電体に窒化シリコンのみを用いた媒
体 ２１・・・・・・誘電体に８１０！のみを用いた媒体１
８′・・・１８に対応 １９ ’ ・１９に対応 ２１′・・・２１に対応 ２２・・・・・・ＰＭＭＡ基板を用い透明基板側から透
明導電膜・誘電体膜が順に設けられた 光磁気記録媒体 ２３・・・・・・ＰＭＭＡ基板を用い誘電体に窒化シリ
コンのみを用いた媒体 ２４・・・・・・ＰＭＭＡ基板を用い誘電体に８１０２
のみを用いた媒体 ２２′・・・２２に対応 ２５／・・・２３に対応 ２４′・・・２４に対応 ２．４呵４＠顧α７ｏ） ３、諭１１つ柔ト模（（【０シソコイ 筋 １図 第３図 第６図 第７ｇ 葛 Ｓ図 名１１図
Claims (5)
- （１）透明基板の片面に光磁気記録層を形成し、前記光
磁気記録層に集光したレーザ光を照射することにより、
磁化反転をおこさせ情報を記録する光磁気記録媒体にお
いて、前記透明基板と前記光磁気記録層との間に、前記
透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設けられて
いることを特徴とする光記録媒体。 - （２）前記誘電体膜が窒化シリコンであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 - （３）前記透明導電膜がＳｎＯ＿２、Ｉｎ＿２Ｏ＿３、
ＺｎＯ、ＴｉＯのうち少なくとも１種類を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 - （４）前記透明導電膜の膜厚が３０Å以上であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 - （５）前記透明導電膜と前記誘電体膜の総厚が５０００
Å以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4586586A JPS62204455A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4586586A JPS62204455A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204455A true JPS62204455A (ja) | 1987-09-09 |
Family
ID=12731104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4586586A Pending JPS62204455A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62204455A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0596716A3 (en) * | 1992-11-06 | 1996-09-11 | Sharp Kk | Magneto-optical recording medium, recording and reproducing method and optical scanning head designed for this magneto-optical recording medium. |
| US6665235B2 (en) | 1992-11-06 | 2003-12-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
-
1986
- 1986-03-03 JP JP4586586A patent/JPS62204455A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0596716A3 (en) * | 1992-11-06 | 1996-09-11 | Sharp Kk | Magneto-optical recording medium, recording and reproducing method and optical scanning head designed for this magneto-optical recording medium. |
| EP0974961A3 (en) * | 1992-11-06 | 2000-07-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
| US6261707B1 (en) | 1992-11-06 | 2001-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
| US6483785B1 (en) | 1992-11-06 | 2002-11-19 | Sharp Kk | Magneto-optical recording method using the relation of beam diameter and an aperture of converging lens |
| US6665235B2 (en) | 1992-11-06 | 2003-12-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
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