JPH0831220B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH0831220B2 JPH0831220B2 JP60181351A JP18135185A JPH0831220B2 JP H0831220 B2 JPH0831220 B2 JP H0831220B2 JP 60181351 A JP60181351 A JP 60181351A JP 18135185 A JP18135185 A JP 18135185A JP H0831220 B2 JPH0831220 B2 JP H0831220B2
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録媒体に関する。
従来の光記録媒体は、磁気記録層に集光した集光した
レーザ光を照射することにより磁化反転をおこさせ情報
を記録する方法、あるいは記録層にレーザ光を照射し、
記録層の結晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はそ
の逆、あるいは六方晶から立方晶又はその逆等）つまり
相変態により情報を記録する方法、あるいは記録層にレ
ーザ光を照射することにより穴を開ける。またはバブル
を形成するなどの記録部分の形状を変化させ情報を記録
する方法がある。
レーザ光を照射することにより磁化反転をおこさせ情報
を記録する方法、あるいは記録層にレーザ光を照射し、
記録層の結晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はそ
の逆、あるいは六方晶から立方晶又はその逆等）つまり
相変態により情報を記録する方法、あるいは記録層にレ
ーザ光を照射することにより穴を開ける。またはバブル
を形成するなどの記録部分の形状を変化させ情報を記録
する方法がある。
特に従来の光磁気記録媒体は第３図に示すように、案
内溝がついたプラスチツク基板（PMMA、PC、エポキシ樹
脂等）31上に、TbFe,GdTbFe,GdTbFeCo,TbFeCo等の光磁
気記録層32が成膜されており、さらにその上に保護膜と
してSiO2等の誘電体膜33が成膜されている。また、プラ
スチツク基板以外にガラスを用いたものもあり、第４図
に示すような構造になつている。41はガラス基板で、42
はガラス基板上に案内溝を形成するために設けられた紫
外線硬化樹脂層である。43,44は第３図と同様の光磁気
記録層，誘電体膜である。しかし、プラスチツク基板、
紫外線硬化樹脂層は吸湿性およびガス透過度が高く、膜
側にSiO2等の保護膜はあつても光磁気記録層は非常に酸
化しやすいため基板側から酸化され、磁気特性の劣化，
膜バゲ等問題が大きかつた。そこで基板側にも誘電体膜
を形成し、光磁気記録層をサンドイツチした構造が第５
図で、51は第３図と同様のプラスチツク基板２は第４図
と同様の紫外線硬化樹脂付きガラス基板であり、その基
板上に52としてSiO2等の誘電体膜が成膜されており、5
3,54は第３図、第４図と同様の光磁気記録層、SiO2等誘
電体層である。
内溝がついたプラスチツク基板（PMMA、PC、エポキシ樹
脂等）31上に、TbFe,GdTbFe,GdTbFeCo,TbFeCo等の光磁
気記録層32が成膜されており、さらにその上に保護膜と
してSiO2等の誘電体膜33が成膜されている。また、プラ
スチツク基板以外にガラスを用いたものもあり、第４図
に示すような構造になつている。41はガラス基板で、42
はガラス基板上に案内溝を形成するために設けられた紫
外線硬化樹脂層である。43,44は第３図と同様の光磁気
記録層，誘電体膜である。しかし、プラスチツク基板、
紫外線硬化樹脂層は吸湿性およびガス透過度が高く、膜
側にSiO2等の保護膜はあつても光磁気記録層は非常に酸
化しやすいため基板側から酸化され、磁気特性の劣化，
膜バゲ等問題が大きかつた。そこで基板側にも誘電体膜
を形成し、光磁気記録層をサンドイツチした構造が第５
図で、51は第３図と同様のプラスチツク基板２は第４図
と同様の紫外線硬化樹脂付きガラス基板であり、その基
板上に52としてSiO2等の誘電体膜が成膜されており、5
3,54は第３図、第４図と同様の光磁気記録層、SiO2等誘
電体層である。
さらには第５図の構造に反射膜を設けた構造も見られ
る。その構造を示したのが第６図であるが、この反射膜
は耐候性向上も目的よりも、むしろ磁気光学効果のエン
ハンス効果を計つたものである。61が反射膜としてのア
ルミニウム、銅などである。しかしこのサンドイツチ構
造により、第３図，第４図に示す構造よりは耐候性は向
上したが、実用的にはまだまだ不十分である。これはSi
O2等の誘電体膜自身が酸化物であるため、遊離酸素が光
磁気記録層を酸化してしまうためである。そこで、遊離
酸素の発光しない非酸化系誘電体を用いれば良いが、プ
ラスチツク基板（PMMA、PC、エポキシ樹脂等）又は紫外
線硬化樹脂付きガラス基板にはSiO2，TiO2，Al2O3等酸
化物系誘電体膜しか付着せず、窒化シリコン，窒化アル
ミニウム，硫化亜鉛等の非酸化物系誘電体膜は、成膜中
にクラツクが発生するか、もしくは耐候性試験中にクラ
ツクが発生するかのどちらかでいずれにしても実用化で
きなかつた。そのため実用化に向けて耐候性の向上を計
るため光磁気記録層そのものに耐候性をもたせる（日本
応用磁気学会誌、Vo18、No.2、1984、P105、第８回日本
応用磁気学会学術講演概要集P125等）、あるいは保護膜
をAl,Ti等の金属にして耐候性をもたせる（第８回日本
応用磁気学会学術講演概要集P148）などがある。これら
の改良も基板側からの酸化を防止することは不可能であ
り、それ故基板そのものをガラスだけにすることも試み
られており、案内溝自身もガラスで作られている（第７
回日本応用挾持学会学術講演概要集P155、第８回日本応
用磁気学会学術講演概要集P239）。しかし、これは耐候
性も十分実用に耐えうるものの、ガラスに案内溝を作製
することが量産的でなく、コストが非常に高くつき実用
化できる手法でない。
る。その構造を示したのが第６図であるが、この反射膜
は耐候性向上も目的よりも、むしろ磁気光学効果のエン
ハンス効果を計つたものである。61が反射膜としてのア
ルミニウム、銅などである。しかしこのサンドイツチ構
造により、第３図，第４図に示す構造よりは耐候性は向
上したが、実用的にはまだまだ不十分である。これはSi
O2等の誘電体膜自身が酸化物であるため、遊離酸素が光
磁気記録層を酸化してしまうためである。そこで、遊離
酸素の発光しない非酸化系誘電体を用いれば良いが、プ
ラスチツク基板（PMMA、PC、エポキシ樹脂等）又は紫外
線硬化樹脂付きガラス基板にはSiO2，TiO2，Al2O3等酸
化物系誘電体膜しか付着せず、窒化シリコン，窒化アル
ミニウム，硫化亜鉛等の非酸化物系誘電体膜は、成膜中
にクラツクが発生するか、もしくは耐候性試験中にクラ
ツクが発生するかのどちらかでいずれにしても実用化で
きなかつた。そのため実用化に向けて耐候性の向上を計
るため光磁気記録層そのものに耐候性をもたせる（日本
応用磁気学会誌、Vo18、No.2、1984、P105、第８回日本
応用磁気学会学術講演概要集P125等）、あるいは保護膜
をAl,Ti等の金属にして耐候性をもたせる（第８回日本
応用磁気学会学術講演概要集P148）などがある。これら
の改良も基板側からの酸化を防止することは不可能であ
り、それ故基板そのものをガラスだけにすることも試み
られており、案内溝自身もガラスで作られている（第７
回日本応用挾持学会学術講演概要集P155、第８回日本応
用磁気学会学術講演概要集P239）。しかし、これは耐候
性も十分実用に耐えうるものの、ガラスに案内溝を作製
することが量産的でなく、コストが非常に高くつき実用
化できる手法でない。
そこで本発明はこのような上述してきた問題点を解決
するもので、その目的とするところは、プラスチツク基
板（PMMA、PC、エポキシ樹脂等）又は紫外線硬化樹脂付
きガラス基板に非酸化物系誘電体膜をクラツクの発生な
く付着せしめ、安価で耐候性に優れた光記録媒体を提供
することにある。
するもので、その目的とするところは、プラスチツク基
板（PMMA、PC、エポキシ樹脂等）又は紫外線硬化樹脂付
きガラス基板に非酸化物系誘電体膜をクラツクの発生な
く付着せしめ、安価で耐候性に優れた光記録媒体を提供
することにある。
本発明の光記録媒体は、円盤状基板に、少なくとも誘
電体膜と光磁気記録膜と反射膜とを積層してなる光記録
媒体であって、前記誘電体膜は、窒化アルミニウムと、
窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウムおよび
硫化亜鉛よりなる群から選択された少なくとも１つとの
複合膜であることを特徴とする。
電体膜と光磁気記録膜と反射膜とを積層してなる光記録
媒体であって、前記誘電体膜は、窒化アルミニウムと、
窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウムおよび
硫化亜鉛よりなる群から選択された少なくとも１つとの
複合膜であることを特徴とする。
従来、透明デイスク基板（特にプラスチツク基板）上
に非酸化物誘電体膜を成膜すれば、成膜中にクラツクが
発生するか、もしくは耐候性試験中にクラツクが発生し
てしまうために実用化できなかつた。しかし、膜厚が薄
ければ成膜中にはクラツクは発生せず、しかもクラツク
が発生した場合のクラツクの発生方向が、誘電体膜の成
分により、周方向の場合と径方向の場合があることが判
明した。
に非酸化物誘電体膜を成膜すれば、成膜中にクラツクが
発生するか、もしくは耐候性試験中にクラツクが発生し
てしまうために実用化できなかつた。しかし、膜厚が薄
ければ成膜中にはクラツクは発生せず、しかもクラツク
が発生した場合のクラツクの発生方向が、誘電体膜の成
分により、周方向の場合と径方向の場合があることが判
明した。
そこで、本発明の上記構成によれば、発生する方向
が、周方向になる場合の誘電体の成分と径方向になる場
合の誘電体の成分を少なくとも２成分以上混合した複合
誘電体膜を設けることにより、クラツクの発生しない耐
候性に優れた光記録媒体ができる。
が、周方向になる場合の誘電体の成分と径方向になる場
合の誘電体の成分を少なくとも２成分以上混合した複合
誘電体膜を設けることにより、クラツクの発生しない耐
候性に優れた光記録媒体ができる。
〔提案例１〕 第１図は、本発明の誘電体膜を３層に積層した光磁気
記録媒体の構造図であつて、１は溝付きPMMA基板で溝ピ
ツチ1.6μｍ、溝幅0.8μｍ、溝深さ700Åのものであ
る。このPMMA基板の溝側に誘電体膜を形成したのが２・
３・４で、本発明によるものである。２は窒化アルミニ
ウム膜250Å、３は窒化シリコン膜500Å、４は窒化アル
ミニウム膜250Åである。さらにその上５として光磁気
記録層GdTbFe膜300Åを成膜し、６は非晶質シリコン膜1
50Åで光磁気記録層５を通つてきたレーザ光の偏光面を
エンハンスさせている。そして反射膜としてアルミニウ
ム膜７を300Å形成した。
記録媒体の構造図であつて、１は溝付きPMMA基板で溝ピ
ツチ1.6μｍ、溝幅0.8μｍ、溝深さ700Åのものであ
る。このPMMA基板の溝側に誘電体膜を形成したのが２・
３・４で、本発明によるものである。２は窒化アルミニ
ウム膜250Å、３は窒化シリコン膜500Å、４は窒化アル
ミニウム膜250Åである。さらにその上５として光磁気
記録層GdTbFe膜300Åを成膜し、６は非晶質シリコン膜1
50Åで光磁気記録層５を通つてきたレーザ光の偏光面を
エンハンスさせている。そして反射膜としてアルミニウ
ム膜７を300Å形成した。
この本発明による構造の光磁気記録媒体と従来の構造
つまり、第１図における２・３・４の誘電体がSiO21000
Åで置き換つたものや、さらには窒化シリコン1000Åで
置き換つたものを作成し、60℃90％RHの恒温槽中での加
速試験結果を第７図に示す。縦軸は反射率の平方根と力
−回転角の積で一般に性能指数と呼ばれ、媒体のC/Nに
ほぼ比例するものであり、高いほど良い。横軸は加速試
験を行なつた時間である。80は本発明の光磁気記録媒
体、81は誘電体に窒化シリコンのみを用いたもの、82は
誘電体に窒化アルミニウムのみを用いたもの、83は誘電
体にSiO2のみを用いたものである。この図から解る様に
本発明による光磁気記録媒体は、性能が全く劣化せず実
用に耐えうるものである。一方誘電体がSiO2はずぐに酸
化されてしまい、実用できない。そして誘電体に窒化物
を用いた81・82の媒体でも性能の劣化がかなりあり実用
には問題があり、さらに今までにも述べたように窒化物
はプラスチツク基板には付着しにくくクラツクが発生し
やすく、この耐候性の実験においても10時間ほど経過し
てからクラツクが発生し始め、性能指数はSiO2ほど悪く
ならないもののすぐクラツクが発生するため実用できな
い。一方、当然のことながら本発明の媒体80は1000時間
を超えてもクラツクの発生はない。
つまり、第１図における２・３・４の誘電体がSiO21000
Åで置き換つたものや、さらには窒化シリコン1000Åで
置き換つたものを作成し、60℃90％RHの恒温槽中での加
速試験結果を第７図に示す。縦軸は反射率の平方根と力
−回転角の積で一般に性能指数と呼ばれ、媒体のC/Nに
ほぼ比例するものであり、高いほど良い。横軸は加速試
験を行なつた時間である。80は本発明の光磁気記録媒
体、81は誘電体に窒化シリコンのみを用いたもの、82は
誘電体に窒化アルミニウムのみを用いたもの、83は誘電
体にSiO2のみを用いたものである。この図から解る様に
本発明による光磁気記録媒体は、性能が全く劣化せず実
用に耐えうるものである。一方誘電体がSiO2はずぐに酸
化されてしまい、実用できない。そして誘電体に窒化物
を用いた81・82の媒体でも性能の劣化がかなりあり実用
には問題があり、さらに今までにも述べたように窒化物
はプラスチツク基板には付着しにくくクラツクが発生し
やすく、この耐候性の実験においても10時間ほど経過し
てからクラツクが発生し始め、性能指数はSiO2ほど悪く
ならないもののすぐクラツクが発生するため実用できな
い。一方、当然のことながら本発明の媒体80は1000時間
を超えてもクラツクの発生はない。
ここで、81,82の媒体の窒化シリコン、窒化アルミニ
ウムを1000Å厚としたのは、本発明媒体80の誘電体層の
総厚と同じとする目的以外に、窒化シリコン，窒化アル
ミニウムともプラスチツク基板（PMMA、PC、エポキシ樹
脂等）及び紫外線硬化樹脂付きガラス基板には膜厚が20
00Åを超えると、その時点でクラツクが発生するためで
ある。
ウムを1000Å厚としたのは、本発明媒体80の誘電体層の
総厚と同じとする目的以外に、窒化シリコン，窒化アル
ミニウムともプラスチツク基板（PMMA、PC、エポキシ樹
脂等）及び紫外線硬化樹脂付きガラス基板には膜厚が20
00Åを超えると、その時点でクラツクが発生するためで
ある。
尚、本実験以外に81,82の媒体で窒化シリコン、窒化
アルミニウムの膜厚を1500Å,2000Åとしたものも60℃9
0％RHの恒温恒湿槽中の加速試験で第７図と同様すぐク
ラツクが発生し、実用できるものではなかつた。
アルミニウムの膜厚を1500Å,2000Åとしたものも60℃9
0％RHの恒温恒湿槽中の加速試験で第７図と同様すぐク
ラツクが発生し、実用できるものではなかつた。
第８図（ａ），（ｂ），（ｃ）に、第７図で示した加
速試験後の媒体80′,81′,82′の様子を模式的に示す。
80′,81′,82′はそれぞれ80,81,82に対応する。80′は
本発明による誘電体に窒化アルミニウムと窒化シリコン
の積層膜を用いた媒体で、クラツクは全く発生していな
い（ａ）。81′は誘電体に窒化シリコンのみを用いた媒
体で、周方向にクラツクが発生している（ｂ）。82′は
誘電体に窒化アルミニウムのみを用いた媒体で、径方向
にクラツクが発生している（ｃ）。本実験の基板は、直
径12cmサイズのものであり、1/4にカツトしたものを用
いた。さらに耐候性試験（60℃90％RH）によりBit Erro
r Rateがどのように増加するのかを調べた効果が第９図
であり、80″,81″,82″,83″は80,81,82,83に対応する
構造で80″は本発明による第１図に示す構造の媒体で、
81″は誘電体に窒化シリコンを用いたもの、82″は誘電
体に窒化アルミニウムを用いたもの、83″は誘電体にSi
O2を用いたものである。縦軸はBit Error Rate、横軸は
耐候性試験経過時間である。この図から明らかなように
本発明による媒体80″には、BERの増加は見られない
が、他の構造による媒体ではBERの増加が激しく、特に8
3″に示す媒体の劣化が激しく、破線で示している所
は、測定不可能なぼどBERが増加したことを示してい
る。この加速試験結果による本発明媒体は、10年以上の
信頼性を保障できるものである。
速試験後の媒体80′,81′,82′の様子を模式的に示す。
80′,81′,82′はそれぞれ80,81,82に対応する。80′は
本発明による誘電体に窒化アルミニウムと窒化シリコン
の積層膜を用いた媒体で、クラツクは全く発生していな
い（ａ）。81′は誘電体に窒化シリコンのみを用いた媒
体で、周方向にクラツクが発生している（ｂ）。82′は
誘電体に窒化アルミニウムのみを用いた媒体で、径方向
にクラツクが発生している（ｃ）。本実験の基板は、直
径12cmサイズのものであり、1/4にカツトしたものを用
いた。さらに耐候性試験（60℃90％RH）によりBit Erro
r Rateがどのように増加するのかを調べた効果が第９図
であり、80″,81″,82″,83″は80,81,82,83に対応する
構造で80″は本発明による第１図に示す構造の媒体で、
81″は誘電体に窒化シリコンを用いたもの、82″は誘電
体に窒化アルミニウムを用いたもの、83″は誘電体にSi
O2を用いたものである。縦軸はBit Error Rate、横軸は
耐候性試験経過時間である。この図から明らかなように
本発明による媒体80″には、BERの増加は見られない
が、他の構造による媒体ではBERの増加が激しく、特に8
3″に示す媒体の劣化が激しく、破線で示している所
は、測定不可能なぼどBERが増加したことを示してい
る。この加速試験結果による本発明媒体は、10年以上の
信頼性を保障できるものである。
〔提案例２〕 次に、種々の誘電体膜をPMMA基板に1000Å成膜し、耐
候性試験をおこなつた結果のクラツクの発生方法を調べ
た。その結果が表１である。
候性試験をおこなつた結果のクラツクの発生方法を調べ
た。その結果が表１である。
そこで径方向にクラツクの発生する誘電体と、周方向
にクラツクの発生する誘電体を、PMMA上に500Åずつ積
層し、60℃90％RH1000時間の加速試験でクラツクが発生
するかどうか調べた。その結果が表２である。
にクラツクの発生する誘電体を、PMMA上に500Åずつ積
層し、60℃90％RH1000時間の加速試験でクラツクが発生
するかどうか調べた。その結果が表２である。
以上の結果から、径方向にクラツクの発生する誘電体
と周方向にクラツクの発生する誘電体を積層することに
より、クラツクの発生しない誘電体が出来ることがわか
つた。そして、表２に示す積層誘電体膜を用いた光磁気
記録媒体は、性能指数、BERとも加速試験で劣化がなく1
0年以上の信頼性を保障できるものであつた。又、当然
のことながら３層,4層と多層化しても何ら問題なく、さ
らにこの実施例２では最初にクラツクの発生する方向が
径方向の誘電体膜を成膜しているが、これを周方向にク
ラツクの発生する誘電体膜にしても何らさしつかえな
い。又、本発明はPMMA基板以外に、PC基板、エポキシ樹
脂基板、紫外線硬化樹脂付きガラス基板でも有効であ
る。
と周方向にクラツクの発生する誘電体を積層することに
より、クラツクの発生しない誘電体が出来ることがわか
つた。そして、表２に示す積層誘電体膜を用いた光磁気
記録媒体は、性能指数、BERとも加速試験で劣化がなく1
0年以上の信頼性を保障できるものであつた。又、当然
のことながら３層,4層と多層化しても何ら問題なく、さ
らにこの実施例２では最初にクラツクの発生する方向が
径方向の誘電体膜を成膜しているが、これを周方向にク
ラツクの発生する誘電体膜にしても何らさしつかえな
い。又、本発明はPMMA基板以外に、PC基板、エポキシ樹
脂基板、紫外線硬化樹脂付きガラス基板でも有効であ
る。
次に示す第２図は、本発明における光磁気記録層と透
明基板の間に複合誘電体膜を設けた光磁気記録媒体の断
面図である。８は溝付きPC基板で溝ピツチ1.6μｍ、溝
幅0.8μｍ、溝深さ700Åのものである。このPC基板の溝
側に複合誘電体膜を1000Å形成したのが９で、窒化アル
ミニウムと硫化亜鉛の複合である。その上に10として光
磁気記録層GdTbFeCo膜300Åを成膜し、11は非晶質シリ
コン150Åで、12は反射膜としてアルミニウム膜300Åを
作成した。この媒体で60℃90％RHの加速試験をおこなつ
た結果、多層誘電体膜を用いた媒体と同様に1000時間経
過後もクラツクの発生もなく、性能指数、BERとも変化
がなかつた。
明基板の間に複合誘電体膜を設けた光磁気記録媒体の断
面図である。８は溝付きPC基板で溝ピツチ1.6μｍ、溝
幅0.8μｍ、溝深さ700Åのものである。このPC基板の溝
側に複合誘電体膜を1000Å形成したのが９で、窒化アル
ミニウムと硫化亜鉛の複合である。その上に10として光
磁気記録層GdTbFeCo膜300Åを成膜し、11は非晶質シリ
コン150Åで、12は反射膜としてアルミニウム膜300Åを
作成した。この媒体で60℃90％RHの加速試験をおこなつ
た結果、多層誘電体膜を用いた媒体と同様に1000時間経
過後もクラツクの発生もなく、性能指数、BERとも変化
がなかつた。
このことより複合誘電体膜を用いても媒体の信頼性を
10年保障できることがわかつた。さらに、その他の複合
誘電体膜をPC基板上に1000Å成膜し、加速試験1000時間
後のクラツク発生の有無を調べた。
10年保障できることがわかつた。さらに、その他の複合
誘電体膜をPC基板上に1000Å成膜し、加速試験1000時間
後のクラツク発生の有無を調べた。
その結果が表３である。
の結果から、径方向にクラツクの発生する誘電体と周方
向にクラツクの発生する誘電体を複合化させることによ
り、クラツクの発生しない誘電体が出来ることがわかつ
た。これらの複合誘電体膜の作成は、同時スパツタリン
グ、もしくは共蒸着、もしくは複合誘電体をターゲツト
としたスパツタあるいは反応性スパツタのいずれでもさ
しつかえない。さらに、基板もPC基板以外に、PMMA基
板、エポキシ樹脂基板を用いてもよく、紫外線硬化樹脂
付きガラス基板を用いても何らさしつかえない。そし
て、表３に示す複合誘電体膜を用いた光磁気記録媒体
は、性能指数、BERとも加速試験で劣化がなく、10年以
上の信頼性を保障できるものであつた。
向にクラツクの発生する誘電体を複合化させることによ
り、クラツクの発生しない誘電体が出来ることがわかつ
た。これらの複合誘電体膜の作成は、同時スパツタリン
グ、もしくは共蒸着、もしくは複合誘電体をターゲツト
としたスパツタあるいは反応性スパツタのいずれでもさ
しつかえない。さらに、基板もPC基板以外に、PMMA基
板、エポキシ樹脂基板を用いてもよく、紫外線硬化樹脂
付きガラス基板を用いても何らさしつかえない。そし
て、表３に示す複合誘電体膜を用いた光磁気記録媒体
は、性能指数、BERとも加速試験で劣化がなく、10年以
上の信頼性を保障できるものであつた。
尚、本発明による複合誘電体膜を用いた実施例は、光
磁気記録層にGdTbFeCoを用いたが、TbFe,TbFeCo,GdFe,G
dCo,TbCo,TbDyFeCo等の重希士類遷移金属型光磁気記録
層を用いても何ら本発明をそこなわせるものでなく、さ
らにSm,Nd等の軽希士類を添加してもさしつかえない。
又、本実施例では光磁気記録媒体を述べたが、記録層の
結晶構造を変化させ（結晶から非晶質、又はその逆、あ
るいは六方晶から立方晶又はその逆など）つまり相変態
をおこさせて反射率差を信号とする書き換え可能型光記
録媒体あるいは記録層に穴を開ける。バブルを形成す
る、相変態をおこさせるなどによる追記型光記録媒体に
も本発明は有効である。
磁気記録層にGdTbFeCoを用いたが、TbFe,TbFeCo,GdFe,G
dCo,TbCo,TbDyFeCo等の重希士類遷移金属型光磁気記録
層を用いても何ら本発明をそこなわせるものでなく、さ
らにSm,Nd等の軽希士類を添加してもさしつかえない。
又、本実施例では光磁気記録媒体を述べたが、記録層の
結晶構造を変化させ（結晶から非晶質、又はその逆、あ
るいは六方晶から立方晶又はその逆など）つまり相変態
をおこさせて反射率差を信号とする書き換え可能型光記
録媒体あるいは記録層に穴を開ける。バブルを形成す
る、相変態をおこさせるなどによる追記型光記録媒体に
も本発明は有効である。
本発明の光記録媒体は、クラツクが発生しない誘電体
を形成することができ、信頼性の高い光記録媒体を提供
できるという効果を奏する。
を形成することができ、信頼性の高い光記録媒体を提供
できるという効果を奏する。
第１図は多層誘電体膜を用いた光磁気記録媒体の断面図
である。第２図は複合誘電体膜を用いた光磁気記録媒体
の断面図である。第３図は従来の光磁気記録媒体の断面
図である。第４図はガラス基板を用いた従来の光磁気記
録媒体の断面図である。第５図は光磁気記録層を誘電体
膜でサンドイツチした従来の光磁気記録媒体の断面図で
ある。第６図は反射膜を設けた従来の光磁気記録媒体の
断面図である。第７図は60℃90％RHの恒温恒湿槽中での
加速試験図である。第８図（ａ）は誘電体に窒化アルミ
ニウムと窒化シリコンの積層膜を用いた加速試験後の媒
体の模式図で、第８図（ｂ）は誘電体に窒化シリコンを
用いた加速試験後の媒体の模式図、そして第８図（ｃ）
は誘電体に窒化アルミニウムを用いた加速試験後の媒体
の模式図である。第９図は60℃90％RHの耐候性試験によ
るBERの経時変化図である。 １……溝付きPMMA基板 ２……窒化アルミニウム膜250Å ３……窒化シリコン膜500Å ４……窒化アルミニウム膜250Å ５……光磁気記録層GaTbFe膜300Å ６……非晶質シリコン膜150Å ７……反射膜アルミニウム膜300Å ８……溝付きPC基板 ９……窒化アルミニウムと硫化亜鉛の複合誘電体膜1000
Å 10……光磁気記録層GdTbFeCo膜300Å 11……非晶質シリコン150Å 12……反射膜アルミニウム膜300Å 31……案内溝付きプラスチツク基板（PMMA、PC、エポキ
シ樹脂等） 32……光磁気記録層 33……SiO2等誘電体膜 41……ガラス基板 42……紫外線硬化樹脂層 43……光磁気記録層 44……誘電体層 51……プラスチツク基板又は紫外線硬化樹脂付きガラス
基板 52……SiO2等誘電体膜 53……光磁気記録層 54……SiO2等誘電体層 61……反射膜アルミニウム、銅など 80……本発明の光磁気記録媒体 81……誘電体に窒化アルミニウムのみを用いたもの 82……誘電体に窒化アルミニウムのみを用いたもの 83……誘電体にSiO2のみを用いたもの 80′……80に対応 81′……81に対応 82′……82に対応 80″……80に対応 81″……81に対応 82″……82に対応 83″……83に対応
である。第２図は複合誘電体膜を用いた光磁気記録媒体
の断面図である。第３図は従来の光磁気記録媒体の断面
図である。第４図はガラス基板を用いた従来の光磁気記
録媒体の断面図である。第５図は光磁気記録層を誘電体
膜でサンドイツチした従来の光磁気記録媒体の断面図で
ある。第６図は反射膜を設けた従来の光磁気記録媒体の
断面図である。第７図は60℃90％RHの恒温恒湿槽中での
加速試験図である。第８図（ａ）は誘電体に窒化アルミ
ニウムと窒化シリコンの積層膜を用いた加速試験後の媒
体の模式図で、第８図（ｂ）は誘電体に窒化シリコンを
用いた加速試験後の媒体の模式図、そして第８図（ｃ）
は誘電体に窒化アルミニウムを用いた加速試験後の媒体
の模式図である。第９図は60℃90％RHの耐候性試験によ
るBERの経時変化図である。 １……溝付きPMMA基板 ２……窒化アルミニウム膜250Å ３……窒化シリコン膜500Å ４……窒化アルミニウム膜250Å ５……光磁気記録層GaTbFe膜300Å ６……非晶質シリコン膜150Å ７……反射膜アルミニウム膜300Å ８……溝付きPC基板 ９……窒化アルミニウムと硫化亜鉛の複合誘電体膜1000
Å 10……光磁気記録層GdTbFeCo膜300Å 11……非晶質シリコン150Å 12……反射膜アルミニウム膜300Å 31……案内溝付きプラスチツク基板（PMMA、PC、エポキ
シ樹脂等） 32……光磁気記録層 33……SiO2等誘電体膜 41……ガラス基板 42……紫外線硬化樹脂層 43……光磁気記録層 44……誘電体層 51……プラスチツク基板又は紫外線硬化樹脂付きガラス
基板 52……SiO2等誘電体膜 53……光磁気記録層 54……SiO2等誘電体層 61……反射膜アルミニウム、銅など 80……本発明の光磁気記録媒体 81……誘電体に窒化アルミニウムのみを用いたもの 82……誘電体に窒化アルミニウムのみを用いたもの 83……誘電体にSiO2のみを用いたもの 80′……80に対応 81′……81に対応 82′……82に対応 80″……80に対応 81″……81に対応 82″……82に対応 83″……83に対応
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−80640（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−92459（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−92456（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−22458（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】円盤状基板に、少なくとも誘電体膜と光磁
気記録膜と反射膜とを積層してなる光記録媒体であっ
て、 前記誘電体膜は、窒化アルミニウムと、窒化チタン、窒
化ジルコニウム、窒化ハフニウムおよび硫化亜鉛よりな
る群から選択された少なくとも１つとの複合膜であるこ
とを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181351A JPH0831220B2 (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 光記録媒体 |
| US06/819,659 US4801499A (en) | 1985-01-24 | 1986-01-17 | Optical recording medium |
| US07/855,442 US6077585A (en) | 1985-01-24 | 1992-03-19 | Optical recording medium and method of preparing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181351A JPH0831220B2 (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 光記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2387395A Division JPH07254181A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242350A JPS6242350A (ja) | 1987-02-24 |
| JPH0831220B2 true JPH0831220B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=16099189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60181351A Expired - Lifetime JPH0831220B2 (ja) | 1985-01-24 | 1985-08-19 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831220B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69208484T2 (de) * | 1991-02-06 | 1996-06-13 | Honda Motor Co Ltd | Regelverfahren für eine Kraftfahrzeugrüttelung |
| JP3131295B2 (ja) * | 1992-08-06 | 2001-01-31 | 本田技研工業株式会社 | ロードシミュレーション装置 |
| JPH07254181A (ja) * | 1995-02-13 | 1995-10-03 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6011355A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-21 | 日東電工株式会社 | オ−バ−レイ合板の製造方法 |
| JP2551403B2 (ja) * | 1984-07-09 | 1996-11-06 | 京セラ株式会社 | 光磁気記録素子 |
| JPS6174797A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-17 | Nippon Steel Corp | サブマ−ジア−ク溶接用焼成型フラックス |
| JPS6180640A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6192459A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6192456A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP60181351A patent/JPH0831220B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242350A (ja) | 1987-02-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |