JPS62204609A - プリセツトチユ−ナ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はプリセットチューナに関するものである。

従来の技術 近年、半導体技術の進歩と低コスト化は著しく、受信機
の分野でも、確実な選局を行うため、スーパーヘテロダ
イン型受信機の局部発振信号を周波数合成技術により作
り出すいわゆる電子チューナが主流を占めはじめた。

この電子チューナでは一般に、その逆方向電圧によりそ
の容量値が変えられるバラクタ−ダイオードが局部発振
回路および高周波同調回路部に多用され、上記周波数合
成技術により発生される局部発振回路用バラクターダイ
オードの制御電圧はそのまま、高周波同調回路用バラク
タ−ダイオードにも加えられていたしかし、このような
構成の受信機では一般にバラクタ−ダイオードの特性ば
らつきが大きいためトラッキング調整作業がやっかいで
あること、トラッキング調整は全受信周波数帯にわたっ
て本質的になし得ないため高周波同調回路を単に完全な
状態で使用し得ないこと、などの問題を有していた。

上記の問題に対処するため、全受信周波数帯にわたって
高周波同調回路用可変リアクタンス素子の制御信号情報
を不揮発性メモリに記憶させ９１選局時に、上記メモリ
の番地を指定して、その受信周波数における上記の制御
信号情報を読み出し、Ｄ／Ａ変換によりアナログの制御
信号とする方式がたとえば公開特許公報昭５６−３２８
２０“チューナの同調方式”に示されている。

第２図はその基本部を示すものであり、ＩＡ〜ＩＩｌは
可変リアクタンス素子を含む同調回路、２Ａ〜２ＤはＤ
Ａコンバータ（以下Ｄ／Ａと称す）、３は不揮発性メモ
リ、４はメモリ番地を指定する選局部である。

第２図において、不揮発性メモリ３に蓄えられた同調用
情報は、選局部４にて選択され、Ｄ／Ａを介して各同調
回路の可変リアクタンス素子を制御し、完全な同調回路
の調整がなされる。

発明が解決しようとする問題点 上記のような構成で可変リアクタンス素子として使用し
うるものに、前述のバラクタ−ダイオードあるいは、直
流重畳電流によりその特性値が変えられるバリミューイ
ンダクターがある。しかし、これらの素子はいずれも温
度変化によりその特性値が変わるいわゆる温度特性を有
している、たとえば、バラクタ−ダイオードではその値
は大略３００ｐｐｍ／　’ｃである。

このため、以上のような構成では、温度変化に伴い同調
周波数がずれると云う問題がある。

また、上記の構成ではＤ／Ａに要するビット数が大きく
なり、ＩＣ化に対して不利と云う別の問題も存する。

たとえば、ＦＭ放送状帯を考えると、我が国では７６Ｍ
Ｈｚ〜９０ＭＨｚが受信受波数帯となるが一般には少な
くとも１００ＫＨｚ毎に受信周波数を調整しうるのが望
ましい。したがって７６ＭＨｚ〜９０ＭＨｚ帯では１４
０チヤンネルｊの選択が要望されるが、バラクタ−ダイ
オードの電圧対容量特性の非直線性を配慮するとＤ／Ａ
は少なくとも１０ビット程度のものが要望される。現状
の技術で、出力側にリップル成分を含まない上記のよう
なり／Ａを、合理的コストすなわち、１チツプ化された
低コストＩＣとして実現するのはむつかしい。

本発明は上記の２つの問題点を解決し、温度特性が良好
で、よりビット数の少ないＤ／Ａを使用しうるプリセッ
トチューナを実現せんとするものである。

問題点を解決するための手段 スーパーヘテロダイン式受信機高周波同調回路の同調周
波数を制御するため、それに含まれた可変リアクタンス
素子を、あらかじめ各受信周波数に応じてトラッキング
誤差補正信号として不揮発性メモリに記憶されている信
号と、周波数合成技術により発生する局部発振回路用可
変リアクタンス素子の制御信号から合成された信号によ
り制御する。

作用 本発明は上記の構成により、高周波同調回路に含まれる
可変リアクタンス素子の温度特性を、上記同調回路と、
局部発振回路に同種の可変リアクタンス素子を使用する
ことを前提として局部発振回路に適用される周波数合成
技術により補償し、さらに、上記局発循回路用可変リア
クタンス素子の制御信号を同調回路の粗調整用信号とみ
なしうろことから、不揮発性メモリからの読み出し信号
で制御する同調回路の周波数調整範囲を大幅にわるくな
しうるため、Ｄ／Ａに要望されるビット数を大幅に削減
することができ、低コスト化のための１チツプＩＣ化を
可能ならしめる。

実施例 以下、本発明のプリセットチューナの一実施例につき図
面を参照しながら説明する。

第１図は本発明のプリセットチューナの一実施例を示す
ブロック図である。第１図において、１）は高周波信号
入力端子、１２は中間周波信号出力端子、１３は選局信
号入力端子、１４．１５．１６は夫々高周波増幅回路お
よびその前後に配置され、その内部にバラクタ−ダイオ
ードが含まれた同調回路、１７はミキサー回路、１８．
１９は一体となって局部発振回路を構成し、１９はその
発振周波数を定めるための、内部にバラクタ−ダイオー
ドが含まれた同調回路、２０は上記局部発振回路からの
信号を受は局部発振回路の周波数を精度良く制御するた
めの、一般的には水晶発振器、プログラマブル分周器、
位相比較器などから構成される位相制御ループを主とす
る周波数合成回路、２１．２２は上記周波数合成回路か
ら得られる制御信号と、不揮発性メモリから得られるト
ラッキング誤差補正用ディジタル信号をＤ／Ａによりア
ナログ信号に変換した信号を加算するための加算回路、
２３−、２４は上記Ｄ／Ａ。

２５は上記の不揮発性メモリである。

第３図において高周波信号入力端子１）に加えられた高
周波信号は、加算回路２１からの出力信号で制御される
同調回路１４により周波数選択がなされた後、増幅され
、再度、加算回路２２からの出力信号により制御される
同調回路１６にて周波数選択がなされ、ミキサー１７に
加えられる、ミキサー１７にはさらに、１８．１９で構
成される局部発振回路から得られる局部発振信号が加え
られ、中間周波信号出力端子から、中間周波数信号が得
られる。

上記の局部発振回路の発振周波数設定は、従来の電子同
調用チューナと同様であり、選局信号入力端子１３に加
えられるディジタル信号により、周波数合成回路２０に
含まれるプログラマブル分周器の分周比が設定されるこ
とによりなされる。

周波数合成回路２０から得られる局部発振回路用のりア
クタンス素子を制御する信号は加算回路２１゜２２を介
して高周波同調回路１４．１６に加えられるが、この信
号り上記同調回路に含まれるバラクタ−ダイオードを粗
調整するために用いられる。不揮発性メモリから得られ
るトラッキング誤差補正用ディジタル信号は、選局信号
入力端子１３に加えられる信号により受信周波数に適合
する番地が選択されて読み出され、Ｄ／Ａ　（２３，２
４）を介して同調回路１４．１６に含まれたバラクタ−
ダイオードの容量を必要な値に正確に調整する。

不揮発性メモリ２５に必要なトラッキング誤差補正用デ
ィジタル信号を記憶させる手段は、通常のトラッキング
調整技術を利用して容易に実現できるため、詳述は省略
する。

以上の実施例において温度が変化した場合を考慮する。

温度が変化すると前述のようにバラクタ−ダイオードは
３００ｐｐｍ／　’Ｃ程度の温度特性を有しているため
、このバラクタ−ダイオードに一定の制御電圧を印加し
ている場合には、その同調周波数、発振周波数は変化す
る。しかし、ここでは周波数合成回路、局部発振回路は
閉ループを構成しているため、そのループがリニアーな
動作領域にある限り温度変化に基づく、局部発振周波数
の変化は生じ得ない。これは結局、バラクタ−ダイオー
ドに、温度変化の影響をなくする補正電圧が加えられて
いることを意味する。第１図の実施例では、この補正電
圧はそのまま、加算回路を介して高周波同調回路に加え
られているため、その中に含まれるバラクタ−ダイオー
ドについても温度補償がなされることになる。

次にＤ／Ａの必要なビット数について考察する。

前述のように局部発振回路に含まれるバラクタ−ダイオ
ード制御電圧は高周波同調回路の粗調整用として利用し
うる。

したがって、不揮発性メモリから得られる信号により上
記同調回路の同調周波数を調整する範囲はわずかでよい
、たとえば、我が国のＦＭ放送波帯を考えるとせいぜい
２Ｍ１ｌｚもあれば十分である。

したがって、前述のように１００ＫＨｚ単位の調整と行
おうとすれば、バラクタ−ダイオードの電圧対容量特性
の非直線性を考慮しても６〜８ビツトもあれば十分であ
る。このことは、Ｄ／Ａ入りの１チツプＩＣの実現を容
易にする。

以上の説明では、可変リアクタンス素子としてバラクタ
−ダイオードを用いた場合を示したが、バリミューイン
ダクターを全く同様に用いうろことは云うまでもない。

また、コストを配慮した場合、不揮発性メモリの容量が
わるい方が良いのは当然であるが、このためにはたとえ
ば全受信チャンネルに対し独立のトラッキング誤差補正
信号用メモリを設けるのでなく受信周波数帯を数ブロッ
クに分け、この各ブロックに対しトラッキング誤差補正
用信号用メモリを設けてもよいのは云うまでもない。

発明の効果 以上のように本発明は周波数合成技術により発生する局
部発振回路用可変リアクタンスを制御する信号と、不揮
発性メモリに記憶されたトラッキング誤差補正信号を用
いて高周波同調回路を制御するため、可変リアクタンス
素子の温度特性による同調周波ずれの問題を除去し得、
さらに、トラッキング誤差補正信号をＤ／Ａするときの
ビット数も削減すくことができ、■チップＩＣ化も可能
となるなど極めて実用的効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のプリセットチューナ構成を示すブロッ
ク図、第２図は、従来の不揮発性メモリを用いたプリセ
ットチューナの一構成例を示すブロック図である。 ＩＡ〜ＩＤ・・・・・・同調回路、２Ａ〜２゜・・・・
・・Ｄ／Ａ、３・・・・・・不揮発性メモリ、４・・・
・・・選局部、１）・・・・・・高周波信号入力端子、
１２・・・・・・中間周波信号出力端子、１３・・・・
・・選局信号入力端子、１４．１６・・・・・・同調回
路、１５・・・・・・高周波増幅回路、１７・・・・・
・ミキサー、１８・・・・・・局部発振回路、１９・・
・・・・局部発振回路用同調回路、２０・・・・・・周
波数合成回路、２１．２２・・・・・・加算回路、２３
．２４・・・・・・ＤＡ変換器（Ｄ／Ａ）　、２５・・
・・・・不揮発性メモリ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）スーパーヘテロダイン式受信機の局部発振信号を
   、電子的手段によりその特性値が変えられる可変リアク
   タンス素子を用い、周波数合成技術により発生させる受
   信機において、高周波回路の同調周波数を、電子的手段
   によりその特性値が変えられる可変リアクタンス素子を
   用いて調整するようになし、その調整用制御信号を、あ
   らかじめ各受信周波数に応じてトラッキング誤差補正信
   号として不揮発性メモリに記憶されている信号と、周波
   数合成技術により発生する局部発振回路用可変リアクタ
   ンス素子の制御信号から合成することを特徴とするプリ
   セットチューナ。
2. （２）受信周波数帯を細分化し、各細分化された周波数
   帯の中の１つの代表的受信周波数に対応してトラッキン
   グ誤差補正信号を不揮発性メモリに記憶させ、上記各細
   分化された周波数帯の中でその代表的受信周波数と異な
   る受信周波数の信号を受信する際、そのトラッキング誤
   差補正信号として、上記の代表的受信周波数に対応して
   記憶されているトラッキング誤差補正信号を用いること
   を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のプリセッ
   トチューナ。