JPS62205601A - 薄膜抵抗体 - Google Patents
薄膜抵抗体Info
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- JPS62205601A JPS62205601A JP61049098A JP4909886A JPS62205601A JP S62205601 A JPS62205601 A JP S62205601A JP 61049098 A JP61049098 A JP 61049098A JP 4909886 A JP4909886 A JP 4909886A JP S62205601 A JPS62205601 A JP S62205601A
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕・
本発明は高温熱安定性に優れた薄膜抵抗体に関するもの
である。
である。
窒化タンタル薄膜抵抗体は固有抵抗が小さいことと、耐
熱性が悪い欠点があった。
熱性が悪い欠点があった。
これらの欠点を改善する目的で、シリコンとニオブの合
金薄１１Ｑが提案されている。例えば特公昭５４−２８
５９８号の１薄映低抵抗およびその製造方法」にボされ
ているものもその一例である。
金薄１１Ｑが提案されている。例えば特公昭５４−２８
５９８号の１薄映低抵抗およびその製造方法」にボされ
ているものもその一例である。
シリコン、タンタル、シリコン、タンタル９炭素、シリ
コン、チタン、シリコン、クンタル、°フルミや各種の
金属の硼化物、炭化物、珪化物の研究がなされてきた。
コン、チタン、シリコン、クンタル、°フルミや各種の
金属の硼化物、炭化物、珪化物の研究がなされてきた。
しかし乍ら実用膜厚に対する面積抵抗はいずれも５０〜
３００オ一ム／口にすぎず、これ以上の面積抵抗値にな
ると抵抗温度特性や耐熱性が著しく劣化し、実用に供し
得るものはなかった。
３００オ一ム／口にすぎず、これ以上の面積抵抗値にな
ると抵抗温度特性や耐熱性が著しく劣化し、実用に供し
得るものはなかった。
」二連したシリコンとニオブとの合金薄膜抵抗体は、シ
リコンの含有率が多（なるに・つれて固有抵抗にかなり
の増大がみられ、ごの目的は達成されている。しかし乍
ら合金薄１１突の耐熱性が悪＜ 、）ｉｌｉ抗値を安定
させるための大気中の熱処理に耐えられず、真空中又は
不活性ガス中での処理を必要としている。
リコンの含有率が多（なるに・つれて固有抵抗にかなり
の増大がみられ、ごの目的は達成されている。しかし乍
ら合金薄１１突の耐熱性が悪＜ 、）ｉｌｉ抗値を安定
させるための大気中の熱処理に耐えられず、真空中又は
不活性ガス中での処理を必要としている。
本発明はこれらの問題を解決するために提案されたもの
で、大気中の品温の熱処理に耐えられる合金ＩＩカを得
るものである。
で、大気中の品温の熱処理に耐えられる合金ＩＩカを得
るものである。
シリコン、ニオブ合金薄膜ば大気中の熱処理を行うと抵
抗値が著しく増加し、抵抗体としての安定性を失うもの
である。これは熱処理によりシリコン、ニオブ合金薄膜
の膜組成に変化が起り、爾熱性を：ＩＬ）化させている
ものとＩＩＬ測される。
抗値が著しく増加し、抵抗体としての安定性を失うもの
である。これは熱処理によりシリコン、ニオブ合金薄膜
の膜組成に変化が起り、爾熱性を：ＩＬ）化させている
ものとＩＩＬ測される。
本発明はこの解決方法として、シリコン、ニオブ合金に
りし！−ム、ニッゲル、シリコン、マンガン。鉄よりな
る合金を添加し、膜中の組成変動を押え、耐熱性の改善
に寄与、させるものである。
りし！−ム、ニッゲル、シリコン、マンガン。鉄よりな
る合金を添加し、膜中の組成変動を押え、耐熱性の改善
に寄与、させるものである。
シリコン、ニオブ合金に、クローム、ニッケル。
シリコン、マンガン、鉄よりなる合金を加えるとなぜ大
気中高温の熱処理に耐えられるか、その理由は明確でな
いが、シリコン、ニオブ合金薄膜のｊｊ史内の組成分布
の熱による変化を叩さえる働きがあるものとｆＩＬ測さ
れる。
気中高温の熱処理に耐えられるか、その理由は明確でな
いが、シリコン、ニオブ合金薄膜のｊｊ史内の組成分布
の熱による変化を叩さえる働きがあるものとｆＩＬ測さ
れる。
本発明に３１：るンツ映抵抗体を、その製造方法の一実
施例につい゛ζ説明する。
施例につい゛ζ説明する。
試料作成のスパッタリング条件は、ペルジャー内をｌｘ
１ｏ−ｓ Ｔｏｒｒまで排気したのち、商純度アルゴ
ンガスを導入し、ペルジャー内を７ｘ １ｏ−’ Ｔｏ
ｒｒに６周整する。
１ｏ−ｓ Ｔｏｒｒまで排気したのち、商純度アルゴ
ンガスを導入し、ペルジャー内を７ｘ １ｏ−’ Ｔｏ
ｒｒに６周整する。
基体として、 １．５ψｘ６ｍｍのアルミナ棒を６万個
用意し、これを回転ドラム内に挿入し、毎分８回の撹伴
を与えた。カソードはマグネトロン方式として、 １０
０ψのシリコン９０ａ Ｌ％、ニオブ１ｌ）ａｔ％より
なる合金のターゲット表面に、後述する添加ずべき合金
板を装着した。
用意し、これを回転ドラム内に挿入し、毎分８回の撹伴
を与えた。カソードはマグネトロン方式として、 １０
０ψのシリコン９０ａ Ｌ％、ニオブ１ｌ）ａｔ％より
なる合金のターゲット表面に、後述する添加ずべき合金
板を装着した。
添加ずべき合金板は、１１ｊ４ｍｍ 、厚みｌｌＴｌｌ
１１のものを２枚使用し、これらを十文字に交差させた
ターゲット表面に置いた。この寸法の場合、添加すべき
合金板のターゲットに対する面積比率は５．５％と計算
される。而、この添加すべき合金板の面積を変更するこ
とで、成分比をｉｔｌ！１１整出来ることは公知である
。
１１のものを２枚使用し、これらを十文字に交差させた
ターゲット表面に置いた。この寸法の場合、添加すべき
合金板のターゲットに対する面積比率は５．５％と計算
される。而、この添加すべき合金板の面積を変更するこ
とで、成分比をｉｔｌ！１１整出来ることは公知である
。
電源は高周波（苦号を用いた。印加電力とスパッタ時間
とのＩ！１１５Ｍで、任εのＩＩＱ Ｐｌ−が得られる
。たとえば、４５０−１３０分の条件では、３．５にΩ
の抵抗値となり、ニクローム糸や、窒化タンタルに比べ
°（も１桁近い商い値をボした。
とのＩ！１１５Ｍで、任εのＩＩＱ Ｐｌ−が得られる
。たとえば、４５０−１３０分の条件では、３．５にΩ
の抵抗値となり、ニクローム糸や、窒化タンタルに比べ
°（も１桁近い商い値をボした。
第１図はこのようにし°ζ基体上にスパッタ薄膜を形成
し、これを大気で熱処理した場合の抵抗温度特性を示し
、第２図は各温度で３０分間保った場合の１１（抗イ１
♂（変化をボしたものである。
し、これを大気で熱処理した場合の抵抗温度特性を示し
、第２図は各温度で３０分間保った場合の１１（抗イ１
♂（変化をボしたものである。
以１・添加すべき合金板としてクローム１８ｗＬ％、ニ
ッケル８ｗＬ％、マンガン２ｗｔ％、シリコン１ｓｖＬ
％、ＺＪｑ７１ｗｔ％よりなる合金を使用し、そのシリ
コン・ニオブ合金のターゲット表面に対する面積比ｉシ
を変え゛ζ実験した。
ッケル８ｗＬ％、マンガン２ｗｔ％、シリコン１ｓｖＬ
％、ＺＪｑ７１ｗｔ％よりなる合金を使用し、そのシリ
コン・ニオブ合金のターゲット表面に対する面積比ｉシ
を変え゛ζ実験した。
図中、曲線Ａは面積比率５．５％の場合、Ｂは１２％の
場合、Ｃは０％即ら添加合金のない場合、Ｄは２５％の
場合を刀くしでいる。
場合、Ｃは０％即ら添加合金のない場合、Ｄは２５％の
場合を刀くしでいる。
」二連した第１図及び第２図より明らかなように、本発
明による場合、即ち曲線へ及びＢによる場合では、５０
０℃以トの熱処理では狛の温度係数符ｊ・すＣ１その値
も大きいが８００℃を越えると零に古すき、１０００℃
では正の符号で値も小さい。実施例では、シリコン・ニ
オブ合金をベースにし、添加すべき合金を別途追加する
いわゆるターゲット構成としたが、上述したすべての金
属材を予め混合調整した１体型ターゲットとし°ζもそ
の効果は同じである。
明による場合、即ち曲線へ及びＢによる場合では、５０
０℃以トの熱処理では狛の温度係数符ｊ・すＣ１その値
も大きいが８００℃を越えると零に古すき、１０００℃
では正の符号で値も小さい。実施例では、シリコン・ニ
オブ合金をベースにし、添加すべき合金を別途追加する
いわゆるターゲット構成としたが、上述したすべての金
属材を予め混合調整した１体型ターゲットとし°ζもそ
の効果は同じである。
またスパッタリング以外の方法で作成したものであって
も、合金薄膜の組成に大巾な変化がなければ、その特性
に差はないので、その製造方法は、上述した実施例に限
定されるものでない。
も、合金薄膜の組成に大巾な変化がなければ、その特性
に差はないので、その製造方法は、上述した実施例に限
定されるものでない。
又シリコンとニオブとの含有率で、シリコン６７ａ Ｌ
％以上とした理由は、５ｉ２Ｎｂの組成以下のシリニ１
ン含有率では固有＋ＩＥ抗も１０００マイクロオームｃ
ｍ以ドで高抵抗値という特徴からはずれるためである。
％以上とした理由は、５ｉ２Ｎｂの組成以下のシリニ１
ン含有率では固有＋ＩＥ抗も１０００マイクロオームｃ
ｍ以ドで高抵抗値という特徴からはずれるためである。
本発明によって大気中高温での熱処理に対して優れた耐
熱性を有する８膜抵抗体が得られ、その応用としてサー
マルプリンタのヘッドや、超小形高電力抵抗体、及び各
種センサーの発熱体等の用途がある。
熱性を有する８膜抵抗体が得られ、その応用としてサー
マルプリンタのヘッドや、超小形高電力抵抗体、及び各
種センサーの発熱体等の用途がある。
第１図は熱処理温度と抵抗温度係数の関係を丞す特性図
、第２図は熱処理温度と抵抗値変化の関係を不ず特性図
である。
、第２図は熱処理温度と抵抗値変化の関係を不ず特性図
である。
Claims (1)
- シリコン６７〜９９ａｔ％を含むニオブ合金を１００
としたものに、クローム１８〜２０ｗｔ％、ニッケル８
〜１０ｗｔ％、残り鉄よりなる合金を２〜１５ｗｔ％加
えた合金で、抵抗体薄膜を構成することを特徴とする薄
膜抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049098A JPS62205601A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 薄膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049098A JPS62205601A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 薄膜抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62205601A true JPS62205601A (ja) | 1987-09-10 |
Family
ID=12821617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61049098A Pending JPS62205601A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 薄膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62205601A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441718A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Pioneer Electronic Corp | Preparation of diaphragm for speaker |
| JPS6034241A (ja) * | 1983-08-06 | 1985-02-21 | Nippon Denso Co Ltd | 処理搬送方法及び装置 |
-
1986
- 1986-03-06 JP JP61049098A patent/JPS62205601A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441718A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Pioneer Electronic Corp | Preparation of diaphragm for speaker |
| JPS6034241A (ja) * | 1983-08-06 | 1985-02-21 | Nippon Denso Co Ltd | 処理搬送方法及び装置 |
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