JPS62205662A - 電荷転送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔腫業上の利用分野〕 本発明は電荷転送装置、特に浮遊拡散層法出力増幅器（
以下、Ｆ、Ｊアンプという）を利用した電荷転送装置に
関する。

〔従来の技術〕

従来、電荷転送装置の信号出力手段としては、転送電荷
を浮遊拡散層に送り込みそれによる浮遊拡散層の電位変
動をソースフォロワ増幅器を通して出力するＦ−Ｊアン
プが一般的に用いられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した浮遊拡散層は、通常一導電型拡散ノψから成シ
、その周囲では高績度の他導電型チャネルストッパ領域
と、底部では他４電型基板との接合によるそれぞれの容
量を有している。上述した浮遊拡散層の電位変動とは即
ちこれら容量の電位変動である。上述した容量は、微小
な転送電荷をも増幅出来る様に小さい方が望ましい。し
、かじ、浮遊拡散層の面積を５０％に縮小したとしても
、周囲長は７０チ以下には出来ない為、浮遊拡散層の容
量を小さくする事が困難であった。

〔問題点ｋｍ決するための手段〕

本発明の゛電荷転送装置は、予め充電しておいた一導電
型拡散層領域の接合容−を転送電荷によって放電し、そ
れによる接合容量の電位変動を増幅して出力する信号出
力手段を有［７ており、前記−２８電型拡散層領域を他
４憲型チャネルストッパ領域から隔離して設けたことを
特徴とするものである。

〔実施例〕

次に図面を参照して説明する。第１図において。

１は′ば荷転送素子、２は電荷転送素子の最終ゲート電
極、３は一導イ型浮改拡散層、４はリセットゲート電極
、５は一４４型拡散層、６は高磯度他４電型チャネルス
トッパ領域、７及び８はソースフォロワ増幅器を構成す
るＭＯＳ）ランジスタと抵抗、９は出力端子、１０は低
譲度他導寛型領域で浮遊拡散層３はＭＯＳ　トランジス
タのゲート電極と接続し又いる。これらは全て他導電型
半導体基板の表面にｔ成されている。

動作は次のとおりである。一導電型拡散層５に予め一定
の電圧を印加しておき、リセットゲート電極４をオンす
ると浮遊拡散層３は一専電型拡散ｆｔｆｔ　５と同′叱
位に光′屯される。次にリセットゲート電極がオフした
後、電荷転送素子１による転送電荷が最終ゲート′ル極
２の下を通って浮遊拡散層３に転送され、浮遊拡散層３
は放電する。この時の電位変動をＭＯＳトランジスタ７
及び８によυ信号として端子９から出力する。

〔発明の効果〕

本発明によれば、浮遊拡散層３はチャネルストッパ領域
６とは接合を形成していない。従って浮遊拡散層６の容
積は底部における他導電型半導体基板との接合及び周囲
における低曖度他導電ｍ領域１０（補導′１型半導体基
板でもよい）との接合によるものであるから非常に小さ
くなシ、微小な転送・電荷に対しても充分に応答出来る
様になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。 １・・・・・・電荷転送素子、２・・・・・・最終ゲー
ト電極、３・・・・・・−専電型浮遊拡散層、４・・・
・・・リセットゲート′屯極、５・・・・・・一導電型
拡散層、６・・・・・・昼磯度他導′厄型チャネルスト
、パ領域、７・・・・・・ＭＯＳトランジスタ、８・・
・・・・抵抗、９・・・・・・出力端子、１０・・・・
・・低磯度他２４″ｔＪＬ型領域。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷転送装置の信号出力手段として、予め充電しておい
   た一導電型拡散層領域の接合容量を転送電荷によって放
   電し、それによる前記容量の電位変動を増幅して出力す
   る電荷転送装置において、前記一導電型拡散層領域は他
   導電型チャネルストッパ領域から隔離して設けられてい
   る事を特徴とする電荷転送装置。