JPS6220660B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は少なくとも１本の電子ビームを射出す
る電子銃構体に関するものである。

例えば多電子ビームを射出する電子銃構体を内
装する通常のカラー受像管に於ては各電子ビーム
が、それぞれ別個の主電子レンズを通過したのち
ターゲツト上の１点に集束される。この主電子レ
ンズは一般に静電界で形成されており、電子ビー
ムがこの静電界を通過する間に集束されることに
なる。

そして、この静電界で形成された主電子レンズ
は電子ビームの経路に直角に配設され、かつ電子
ビームが通過する開孔部の穿設された少なくとも
２個の電極間に形成され、この主電子レンズの特
性は対設する電極間に印加される電圧開孔部の形
状、大きさ、電極間の距離などにより変化させる
ことが可能である。

また電子銃構体の性能は前述した主電子レンズ
の倍率と球面収差が少ない程良いとされており、
このため長焦点距離の電子レンズとすることが必
要であるが、最も効果的な電圧を電子銃構体に印
加する場合、一般には受像管のステム部で放電を
起さない範囲としなければならず、また開孔部の
形状、大きさも受像管のネツク直径が他の電気的
条件から制約を受けるため、任意に大きく設計す
ることは不可能であり、更に電極間の距離を大き
くすることは、受像管のネツク内面に発生する浮
遊電界と、電子銃構体内の他の不所望な電界によ
つて主電子レンズの特性が影響を受けるためこれ
も適当な手段とはならない。いずれにせよ、主電
子レンズの設計は受像管の設計から定められる物
理的条件により制約を受けることになる。特にカ
ラー受像管の場合には多電子ビームをそれぞれ射
出する電子銃構体をネツクに内装する必要があ
り、前述した制約は更にきびしくなる。

前述した制約を回避するための一般的な構造は
長焦点距離の電子レンズを作るために電極電圧お
よび電極数を許容される範囲内で組合わせること
である。例えば特開昭51−76072号公報、特開昭
51−77061号公報に述べられている電子銃構体が
その例である。

これらの例にみられるように電極の電圧及び種
類を組合わせる方法は一般に電子銃構体を複雑に
したり、電子レンズを形成させるのに更に他の電
圧を附与しなければならず耐電圧特性を劣化させ
る要因となつている。この要因の一つとしては電
子銃構体の絶縁部材からなる支持構体に不安定な
電荷が蓄積されること、他の一つとしては印加電
圧の異なる電極間及びこれら電極と電子銃構体を
装着する受像管のネツク内壁間に放電現象を起し
易くなることなどがあげられる。これら耐電圧特
性の劣化を防止するため、従来は前記電子銃構体
の約7K.V.程度の中電圧が印加される電極または
数百Ｖの低電圧が印加される電極と同電位のリン
グ状電極を電子銃構体とネツク間に設ける構造
や、同じく中電圧が印加される電極または低電圧
が印加される電極と同電位である導電体を支持構
体の断面方向に取り囲む構造などからなる所謂ガ
ードリング構造が考えられているが、これらガー
ドリング構造は電子銃構体を形成後、または形成
時点で取着しなければならず、電子銃構体の組立
工程が複雑となるばかりでなく、複雑な構造の電
子銃構体に於てはガードリングそのものの効果も
あまり期待出来ないと云う欠点があつた。

本発明は前記従来の欠点に鑑みなされたもので
あり耐電圧特性が優れ、かつ、製造工程の簡単な
電子銃構体を提供することを目的としている。

次に本発明の電子銃構体の一実施例を第１図乃
至第３図によつて説明する。

即ち、図に於て電子銃構体１は１対の支持構体
２にそれぞれ植設部を介して図示しないヒータを
内装する１列配設された３個の陰極３，４，５、
第１グリツド６、第２グリツド７、第３グリツド
８、第４グリツド９、第５グリツド１０、第６グ
リツド１１及びコンバーゼンス電極１２よりな
り、コンバーゼンス電極１２及び第６グリツド１
１にはネツク１３内壁の導電膜１４スプリング１
５を介して約25K.V.の高電圧が印加され、第５
グリツド１０及びこの電極１０にリード線１６に
より接続された第３グリツド８には約7K.V.の中
電圧、第４グリツド９には約500Vの低電圧が印
加されるようになつており、前記第３グリツド
８、第４グリツド９及び第５グリツト１０により
補助電子レンズとしてのユニポテンシヤルレンズ
が形成され、第５グリツド１０と第６グリツド１
１により主電子レンズとしてのバイポテンシヤル
レンズが形成され、図示しない螢光面上の電子ビ
ームの焦点を極めて小さくするようになされた複
合形主レンズ系を有するインライン形１体構造の
電子銃構体であるが、本実施例に於ては支持構体
２を第２図及び第３図に示すような構造に形成し
てある。

即ち、支持構体２は中央部に絶縁部材層２ｂを
全面に被着形成した抵抗体２ａと、この抵抗体２
ａの上下に絶縁体２ｃ，２ｄを有しており、第４
グリツド９の植設部９_１が植設される位置の絶縁
部材層２ｂが支持構体２の全周にわたつて除去さ
れている。本発明に於て全周とは支持構体２のほ
ぼ断面方向の周囲を云う。

前記支持構体２に各電極を植設する場合、陰極
３，４，５の支持体３_１，４_１，５_１第１グリツ
ド６の植設部６_１、第２グリツド７の植設部７_１
は絶縁体２ｄに植設され、第３グリツド８の植設
部８_１、第５グリツド１０の植設部１０_１は絶縁
部材層２ｂを介して抵抗体２ａ内にこの抵抗体２
ａと絶縁されるように植設され、第６グリツド１
１の植設部１１_１は絶縁体２ｃに植設され、第４
グリツド９の植設部９_１のみが抵抗体２ａに植設
されている。

この様な構造の電子銃構体１に於いて、25K.
V.の高電圧を導電膜１４、スプリング１５、コ
ンバーゼンス電極１２を介して第６グリツド１１
に印加し、第５グリツド１０と第３グリツド８に
約7K.V.の中電圧を印加し、第４グリツド９には
リード線１７、ステムピン１８を介して外部電源
から約500Vの低電圧を印加し、更に第２グリツ
ド７、第１グリツド６、陰極３，４，５に所定の
電圧を印加した場合、第４グリツド９の植設部９
_１が抵抗体２ａに植設されているので、この抵抗
体２ａ及び近傍の絶縁部材層２ｂの不安定な電荷
は第４グリツド９に流れ込みガードリングとして
の作用をするので電子銃構体１としての耐電圧向
上をさせることが出来るし、また支持構体２の作
成時に第２図及び第３図に示すようにしておけば
電子銃構体１を完成したのちガードリングを形成
する工程が不要となる。

前述した抵抗体２ａとしては例えば96％シリカ
ガラスにFe₂O₃、MnO₂、V₂O₅またはCu₂Oなどの
遷移金属酸化物を多量に混在させたガラス抵抗体
などが適しているが、これに限定されるものでは
ない。また抵抗体２ａの固有抵抗も10¹²Ω・cm乃
至10⁸Ω・cm程度が望ましい、絶縁部材層２ｂと
しては通常のガラス、その他の部材が使用出来る
し、厚さ約0.2mm程度にすることにより第３グリ
ツド８の植設部８_１及び第５グリツド１０の植設
部１０_１は抵抗体２ａに導設することがなかつ
た。

前記実施例に於ては抵抗体２ａの上下に絶縁体
２ｃ，２ｄを設けたが絶縁部材層２ｂの厚さを厚
くしたりすることにより支持構体全部を絶縁部材
層２ｂで被着した抵抗体２ａで形成することも可
能であるし、また上または下の絶縁体２ｃ，２ｄ
の一方のみを残すことも可能である。更に第４グ
リツド９を第６グリツド１１に接続した様な電子
銃構体に於ては少なくとも第３グリツド８の植設
される位置に抵抗体２ａ及び絶縁部材層２ｂを設
け前記実施例と同様にこの絶縁部材層２ｂを支持
構体２の全周にわたつて除去し、ガードリングを
形成しても同様な効果が得られることは説明する
までもない。

また前記実施例はユニポテンシヤルレンズとバ
イポテンシヤルレンズとの複合主レンズ系を有す
る電子銃構体について述べたが、これは単なる一
実施例であり、普通のユニポテンシヤル形、バイ
ポテンシヤル形、トライポテンシヤル形などの電
極構成を有する電子銃構体にもそのまま適用出来
ることは勿論である。

上述のように本発明の電子銃構体は簡単にかつ
効果的に耐電圧向上用のガードリングを形成する
ことが可能であり、その工業的価値は極めて大で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子銃構体の一実施例をネツ
ク内に装着した状態を示す説明用断面図、第２図
は第１図の要部拡大説明用断面図、第３図は支持
構体の斜視図である。 ２……支持構体、２ａ……抵抗体、２ｂ……絶
縁部材層、２ｃ，２ｄ……絶縁体、３，４，５…
…陰極、６……第１グリツド、７……第２グリツ
ド、８……第３グリツド、９……第４グリツド、
１０……第５グリツド、１１……第６グリツド、
１２……コンバーゼンス電極、１３……ネツク、
１４……導電膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 複数個の電極と、これら電極を支持する支持
   構体とからなる電子銃構体に於て、前記支持構体
   の所定部を絶縁部材層を全面に被着形成した抵抗
   体から形成し、かつ前記複数個の電極のうち、低
   電圧または中電圧の印加される電極の前記支持構
   体に植設される位置の前記絶縁部材層が前記支持
   構体の全周にわたつて除去されていることを特徴
   とする電子銃構体。