JPS6220687B2 - - Google Patents
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- JPS6220687B2 JPS6220687B2 JP60056908A JP5690885A JPS6220687B2 JP S6220687 B2 JPS6220687 B2 JP S6220687B2 JP 60056908 A JP60056908 A JP 60056908A JP 5690885 A JP5690885 A JP 5690885A JP S6220687 B2 JPS6220687 B2 JP S6220687B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- soaking
- tube
- ppm
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/90—Thermal treatments, e.g. annealing or sintering
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体材料の汚染を生じないよう
にしたガス不透過性半導体製造用SiC−Si系均熱
管の製造方法に関するものである。 〔発明の技術的背景およびその問題点〕 一般に半導体製造用均熱管は、半導体製造用の
拡散炉内に設置され、拡散炉の熱をこの均熱管内
側に装填された操管としての石英管へ均一に放射
し、その石英管内の半導体材料を均一に焼成する
部材である。 ところで従来の均熱管としては、アルミナやム
ライト等の酸化物焼結管が使用されていたが、こ
れらの均熱管は熱伝導性や耐スポーリング性が低
いため、昇温および降温速度が遅く半導体の製造
能率を阻害するものであつた。またこれらの均熱
管は気孔率が高いため、操業時、高温度になつて
炉壁から蒸発したアルカル物質が、この均熱管を
容易に通過してその内側の石英管に混入してい
た。そしてこのアルカル物質が石英管に混入する
ことによつて、石英ガラスが結晶化しいわゆる失
透化が生じてガラス組織が劣化しさらには亀裂が
発生して石英管の機械的強度が低下してもろくな
るという問題が生じていた。また炉壁から蒸発し
均熱管を容易に通過したアルカリ物質の一部が、
その内側の石英管をも通過して半導体材料を汚染
するという欠点もあつた。 このようなことから、最近、均熱管として再結
晶炭化珪素管が考えられている。この均熱管は、
熱伝導率が大きくかつ耐スポーリング性に優れて
いるため、半導体材料への均熱が安定的に行な
え、また昇温および降温速度が速く効率よく半導
体を製造できるという利点を有している。しかし
その反面20％前後の見掛け気孔率を有するので、
操業時に蒸気化したアルカリ物質が通過し易い点
で上記酸化物焼結管の均熱管と同様な問題点が以
前として残つている。 これに対し、かかる欠点を改善するため、再結
晶炭化珪素管に溶融した金属シリコンを含浸して
通気性を低くした金属SiC−Si系均熱管が提案さ
れている。しかしながら、この均熱管は炭化珪素
の焼結体を再結晶化する工程および金属シリコン
を含浸処理する工程とくに金属シリコンの含浸工
程で不純物の銅などが混入するため、操業時、高
温度になつた均熱管自体から銅が揮散し、その銅
が均熱管の内側の石英管を通過して半導体材料を
汚染して、ライフタイムが短くかつエツチピツト
結晶転移が多数発生した半導体しか得ることがで
きなかつた。そしてこのエツチピツトの発生が特
にバイポーラ、リニア等の接合半導体の製造にお
いて致命的な欠点となつていた。 本発明者はこのような種々の問題を鑑み、操業
時の高温度下でもSiC−Si系均熱管から銅が揮散
して半導体材料が汚染されることのないSiC−Si
系均熱管を製造しようと鋭意研究を重ねた。その
結果、SiC−Si系均熱管からの銅の揮散化は、そ
の均熱管中の銅の含有量に関与することは勿論で
あるが、この含有量が微量であつても条件によつ
ては揮散化が進行することがわかり、均熱管中の
他の不純物については種々調べたところ、銅の揮
散化を促進するのは混入したアルカリ金属である
ことを究明した。 そこでさらに銅とアルカリ金属との含有割合の
関係を種々模索した結果、銅の含有量が20ppm
を越えると、アルカリ金属の混入に関係なく均熱
管からの銅の揮散化が進行するが、銅の含有量を
20ppm以下にしてもアルカリ金属の含有量が
100ppmを越えると銅の揮散化が進行することを
見出した。なお銅イオンの移動を助長するのはア
ルカリ金属の影響がもつとも大きく、鉄、アルミ
ニウム等の場合は比較的小さいから銅含有量の少
ない場合にはその存在を考慮する必要はない。ま
た、銅の含有量のみを限定しても銅の揮散化を防
止することはできない。すなわち、上記のように
アルカリ金属が過剰の場合には銅の含有量が少な
くても均熱管からの銅の揮散化が進行する。した
がつて、銅とアルカリ金属との両方を限定するこ
とにより、初めて均熱管からの銅の揮散化を阻止
することができる。 こうして、ガス不透過性のSiC−Si系均熱管に
おいて、銅の含有量を20ppm以下に限定し、か
つアルカリ金属の含有量を100ppm以下に限定す
ることによつて、その均熱管からの銅の揮散化が
阻止され、極めてライフタイムが長くかつエツチ
ピツトの発生が全くない半導体を製造できる。さ
らに均熱管からアルカリ物質が蒸発することがな
いので、前記のようにアルカリ金属が石英管に混
入することによつて発生していた石英管の失透、
亀裂も防止される。 しかし従来の製造方法によると前述のように金
属シリコンの炭化珪素再結晶体への含浸工程にお
いて銅などが混入するため、このような高純度の
SiC−Si系均熱管を製造することは困難である。 〔発明の目的〕 したがつて本発明の目的は、銅とアルカリ金属
がそれぞれ上記の許容濃度まで減少されたSiC−
Si系均熱管が得られるように精製工程を改良した
SiC−Si系均熱管の製造方法を提供することであ
る。 〔発明の概要〕 すなわち本発明に係るガス不透過性半導体製造
用SiC−Si系均熱管の製造方法は、窒化珪素又は
炭化珪素を硝酸と弗酸とを含む混酸で処理するこ
とにより銅およびアルカリ金属を選択的に除去し
て、均熱管中の銅の含有量を20ppm以下にし、
かつアルカリ金属の含有量を100ppm以下とする
ものである。 〔発明の実施例〕 以下本発明に係るガス不透過性SiC−Si系均熱
管の製造方法について、一例を示して説明する
が、この方法に限定されるものではないことは勿
論である。 まず、市販の窒化珪素粉を硝酸と弗酸と水とを
等容量で混合した混酸にて60℃の温度下で処理
し、不純物の銅およびアルカリ金属をそれぞれ除
去せしめ、詰粉としての高純度の窒化珪素を造
る。 次いで市販の炭化珪素も上記窒化珪素の場合と
同様に混酸処理して、銅およびアルカリ金属を選
択的に除去し、高純度の炭化珪素粉とする。そし
てこの高純度の炭化珪素を主成分とする粉体にタ
ールピツチ等の粘結剤を添加混合し、通常の成形
機によりパイプ状に成形した後、この成形体中の
粘結剤を約800℃の温度下で焼成炭化して焼成体
を造る。 それからこの焼成体を、上記の主として高純度
の窒化珪素よりなる詰粉の中に埋め込み、2000℃
程度の高温度下において加熱処理する。この高温
加熱処理工程において、窒化珪素は分解して珪素
ガスを発生する。この珪素ガスにより、焼成体中
の炭素を珪素化せしめて炭化珪素を生成するとと
もに、その焼成体中の気孔に珪素ガスを浸透、沈
着せしめる。こうして銅の含有量が20ppm以下
で、かつアルカリ金属の含有量が100ppm以下の
ガス不透過性のSiC−Si系均熱管を造る。 なお、本発明の均熱管の組成は、通常、炭化珪
素70〜95重量％、遊離珪素30〜５重量％からなる
もので、その気孔率は炭化珪素体の製造時におけ
る気孔状態によつて一概に限定できないが、非連
通気孔の場合、その気孔率を３％以下にすればガ
ス不透過性を十分保持できるものである。 また、均熱管中の銅、アルカリ金属以外の不純
物例えば鉄、マンガン、クロム等が多量混入し半
導体材料に悪影響を及ぼす場合は、これら不純物
の混入を抑制することが望ましく、とくに他の不
純物中の鉄の混入量を2000ppm以下に抑えるこ
とが望ましい。 次にこの発明の一実施例を説明する。 実施例 まず、市販の粒径１〜３mmの窒化珪素粉を、硝
酸と弗酸と水とを等容量で混合した温度60℃の混
酸にて処理し、詰粉としての窒化珪素粉（銅
1ppm、ナトリウム5ppm含有）を用意した。次
いで、炭化珪素粉を上記混酸で同様に処理して銅
1ppm以下、ナトリウム4ppm含有の炭化珪素粉
を得た。そしてこの炭化珪素粉とランプブラツク
（銅5ppm、ナトリウム40ppm含有）とにフエノ
ールレジンを加えて混練した後、造粒および乾燥
し、次いでこれをラバープレスにて成形し、外径
120mm、内径105mm、長さ1500mmの成形体を造つ
た。つづいて、この成形体を800℃で焼成した
後、さらに上記窒化珪素の詰粉に埋め込んで1500
〜2100℃の温度下で加熱し再結晶化してSiC−Si
系均熱管を得た。この均熱管は遊離珪素を16.4重
量％含有し、かつ気孔率は0.7％でガス不透過性
であつた。またこの均熱管中の銅の含有量は
3ppm、ナトリウムは10ppm、鉄は200ppmであ
つた。 次に上記実施例に対して比較例として行つた３
種の実験例を説明する。 市販の炭化珪素粉（銅18ppm、ナトリウム
70ppm含有）とランプブラツク（銅4ppm、ナト
リウム20ppm含有）とにフエノールレンジを添
加混合した後、前記実施例と同様な方法で成形、
焼成して焼結体を得た。次いで、この焼結体を珪
石粉と炭粉とからなる混合粉（銅10ppm、ナト
リウム30ppm含有）に埋め込み、1500〜2050℃
に加熱再結晶化して、遊離珪素を3.0重量％含有
する気孔率15％のガス透過性SiC−Si系再結晶体
（銅16.5ppm、ナトリウム60.3ppm含有）を得
た。つづいてこの再結晶体を銅20ppm、ナトリ
ウム400ppm含有する珪素粉（比較例１）、銅
40ppm、ナトリウム200ppm含有する珪素粉（比
較例２）、および銅60ppm、ナトリウム600ppm
含有する珪素粉（比較例３）にそれぞれ埋め込み
1500〜2100℃で加熱し、その気孔中に珪素を含浸
させて、遊離珪素を15.7重量％含有し、かつその
気孔率が0.7％の３種のSiC−Si系均熱管を得た。
これらの均熱管中の銅およびナトリウムの含有量
は、比較例１が銅19.5ppm、ナトリウム
125ppm、比較例２が銅22ppm、ナトリウム
90ppm含有、また比較例３が銅26ppm、ナトリ
ウム151ppm含有であつた。 さて、こうして実施例および比較例１〜３で得
た４種類のSiC−Si系均熱管について、次の試験
を行つた。すなわち、まずこれらのSiC−Si系均
熱管を拡散炉に取付けた後、これらの均熱管内
に、バイポーラ素材を内装した石英管を挿入し
た。そして1250℃に加熱して半導体を製造する作
業を１カ年続け、各石英管の状態および製造した
半導体のエツチピツトの発生を観察した。これら
の結果を次表に示す。
にしたガス不透過性半導体製造用SiC−Si系均熱
管の製造方法に関するものである。 〔発明の技術的背景およびその問題点〕 一般に半導体製造用均熱管は、半導体製造用の
拡散炉内に設置され、拡散炉の熱をこの均熱管内
側に装填された操管としての石英管へ均一に放射
し、その石英管内の半導体材料を均一に焼成する
部材である。 ところで従来の均熱管としては、アルミナやム
ライト等の酸化物焼結管が使用されていたが、こ
れらの均熱管は熱伝導性や耐スポーリング性が低
いため、昇温および降温速度が遅く半導体の製造
能率を阻害するものであつた。またこれらの均熱
管は気孔率が高いため、操業時、高温度になつて
炉壁から蒸発したアルカル物質が、この均熱管を
容易に通過してその内側の石英管に混入してい
た。そしてこのアルカル物質が石英管に混入する
ことによつて、石英ガラスが結晶化しいわゆる失
透化が生じてガラス組織が劣化しさらには亀裂が
発生して石英管の機械的強度が低下してもろくな
るという問題が生じていた。また炉壁から蒸発し
均熱管を容易に通過したアルカリ物質の一部が、
その内側の石英管をも通過して半導体材料を汚染
するという欠点もあつた。 このようなことから、最近、均熱管として再結
晶炭化珪素管が考えられている。この均熱管は、
熱伝導率が大きくかつ耐スポーリング性に優れて
いるため、半導体材料への均熱が安定的に行な
え、また昇温および降温速度が速く効率よく半導
体を製造できるという利点を有している。しかし
その反面20％前後の見掛け気孔率を有するので、
操業時に蒸気化したアルカリ物質が通過し易い点
で上記酸化物焼結管の均熱管と同様な問題点が以
前として残つている。 これに対し、かかる欠点を改善するため、再結
晶炭化珪素管に溶融した金属シリコンを含浸して
通気性を低くした金属SiC−Si系均熱管が提案さ
れている。しかしながら、この均熱管は炭化珪素
の焼結体を再結晶化する工程および金属シリコン
を含浸処理する工程とくに金属シリコンの含浸工
程で不純物の銅などが混入するため、操業時、高
温度になつた均熱管自体から銅が揮散し、その銅
が均熱管の内側の石英管を通過して半導体材料を
汚染して、ライフタイムが短くかつエツチピツト
結晶転移が多数発生した半導体しか得ることがで
きなかつた。そしてこのエツチピツトの発生が特
にバイポーラ、リニア等の接合半導体の製造にお
いて致命的な欠点となつていた。 本発明者はこのような種々の問題を鑑み、操業
時の高温度下でもSiC−Si系均熱管から銅が揮散
して半導体材料が汚染されることのないSiC−Si
系均熱管を製造しようと鋭意研究を重ねた。その
結果、SiC−Si系均熱管からの銅の揮散化は、そ
の均熱管中の銅の含有量に関与することは勿論で
あるが、この含有量が微量であつても条件によつ
ては揮散化が進行することがわかり、均熱管中の
他の不純物については種々調べたところ、銅の揮
散化を促進するのは混入したアルカリ金属である
ことを究明した。 そこでさらに銅とアルカリ金属との含有割合の
関係を種々模索した結果、銅の含有量が20ppm
を越えると、アルカリ金属の混入に関係なく均熱
管からの銅の揮散化が進行するが、銅の含有量を
20ppm以下にしてもアルカリ金属の含有量が
100ppmを越えると銅の揮散化が進行することを
見出した。なお銅イオンの移動を助長するのはア
ルカリ金属の影響がもつとも大きく、鉄、アルミ
ニウム等の場合は比較的小さいから銅含有量の少
ない場合にはその存在を考慮する必要はない。ま
た、銅の含有量のみを限定しても銅の揮散化を防
止することはできない。すなわち、上記のように
アルカリ金属が過剰の場合には銅の含有量が少な
くても均熱管からの銅の揮散化が進行する。した
がつて、銅とアルカリ金属との両方を限定するこ
とにより、初めて均熱管からの銅の揮散化を阻止
することができる。 こうして、ガス不透過性のSiC−Si系均熱管に
おいて、銅の含有量を20ppm以下に限定し、か
つアルカリ金属の含有量を100ppm以下に限定す
ることによつて、その均熱管からの銅の揮散化が
阻止され、極めてライフタイムが長くかつエツチ
ピツトの発生が全くない半導体を製造できる。さ
らに均熱管からアルカリ物質が蒸発することがな
いので、前記のようにアルカリ金属が石英管に混
入することによつて発生していた石英管の失透、
亀裂も防止される。 しかし従来の製造方法によると前述のように金
属シリコンの炭化珪素再結晶体への含浸工程にお
いて銅などが混入するため、このような高純度の
SiC−Si系均熱管を製造することは困難である。 〔発明の目的〕 したがつて本発明の目的は、銅とアルカリ金属
がそれぞれ上記の許容濃度まで減少されたSiC−
Si系均熱管が得られるように精製工程を改良した
SiC−Si系均熱管の製造方法を提供することであ
る。 〔発明の概要〕 すなわち本発明に係るガス不透過性半導体製造
用SiC−Si系均熱管の製造方法は、窒化珪素又は
炭化珪素を硝酸と弗酸とを含む混酸で処理するこ
とにより銅およびアルカリ金属を選択的に除去し
て、均熱管中の銅の含有量を20ppm以下にし、
かつアルカリ金属の含有量を100ppm以下とする
ものである。 〔発明の実施例〕 以下本発明に係るガス不透過性SiC−Si系均熱
管の製造方法について、一例を示して説明する
が、この方法に限定されるものではないことは勿
論である。 まず、市販の窒化珪素粉を硝酸と弗酸と水とを
等容量で混合した混酸にて60℃の温度下で処理
し、不純物の銅およびアルカリ金属をそれぞれ除
去せしめ、詰粉としての高純度の窒化珪素を造
る。 次いで市販の炭化珪素も上記窒化珪素の場合と
同様に混酸処理して、銅およびアルカリ金属を選
択的に除去し、高純度の炭化珪素粉とする。そし
てこの高純度の炭化珪素を主成分とする粉体にタ
ールピツチ等の粘結剤を添加混合し、通常の成形
機によりパイプ状に成形した後、この成形体中の
粘結剤を約800℃の温度下で焼成炭化して焼成体
を造る。 それからこの焼成体を、上記の主として高純度
の窒化珪素よりなる詰粉の中に埋め込み、2000℃
程度の高温度下において加熱処理する。この高温
加熱処理工程において、窒化珪素は分解して珪素
ガスを発生する。この珪素ガスにより、焼成体中
の炭素を珪素化せしめて炭化珪素を生成するとと
もに、その焼成体中の気孔に珪素ガスを浸透、沈
着せしめる。こうして銅の含有量が20ppm以下
で、かつアルカリ金属の含有量が100ppm以下の
ガス不透過性のSiC−Si系均熱管を造る。 なお、本発明の均熱管の組成は、通常、炭化珪
素70〜95重量％、遊離珪素30〜５重量％からなる
もので、その気孔率は炭化珪素体の製造時におけ
る気孔状態によつて一概に限定できないが、非連
通気孔の場合、その気孔率を３％以下にすればガ
ス不透過性を十分保持できるものである。 また、均熱管中の銅、アルカリ金属以外の不純
物例えば鉄、マンガン、クロム等が多量混入し半
導体材料に悪影響を及ぼす場合は、これら不純物
の混入を抑制することが望ましく、とくに他の不
純物中の鉄の混入量を2000ppm以下に抑えるこ
とが望ましい。 次にこの発明の一実施例を説明する。 実施例 まず、市販の粒径１〜３mmの窒化珪素粉を、硝
酸と弗酸と水とを等容量で混合した温度60℃の混
酸にて処理し、詰粉としての窒化珪素粉（銅
1ppm、ナトリウム5ppm含有）を用意した。次
いで、炭化珪素粉を上記混酸で同様に処理して銅
1ppm以下、ナトリウム4ppm含有の炭化珪素粉
を得た。そしてこの炭化珪素粉とランプブラツク
（銅5ppm、ナトリウム40ppm含有）とにフエノ
ールレジンを加えて混練した後、造粒および乾燥
し、次いでこれをラバープレスにて成形し、外径
120mm、内径105mm、長さ1500mmの成形体を造つ
た。つづいて、この成形体を800℃で焼成した
後、さらに上記窒化珪素の詰粉に埋め込んで1500
〜2100℃の温度下で加熱し再結晶化してSiC−Si
系均熱管を得た。この均熱管は遊離珪素を16.4重
量％含有し、かつ気孔率は0.7％でガス不透過性
であつた。またこの均熱管中の銅の含有量は
3ppm、ナトリウムは10ppm、鉄は200ppmであ
つた。 次に上記実施例に対して比較例として行つた３
種の実験例を説明する。 市販の炭化珪素粉（銅18ppm、ナトリウム
70ppm含有）とランプブラツク（銅4ppm、ナト
リウム20ppm含有）とにフエノールレンジを添
加混合した後、前記実施例と同様な方法で成形、
焼成して焼結体を得た。次いで、この焼結体を珪
石粉と炭粉とからなる混合粉（銅10ppm、ナト
リウム30ppm含有）に埋め込み、1500〜2050℃
に加熱再結晶化して、遊離珪素を3.0重量％含有
する気孔率15％のガス透過性SiC−Si系再結晶体
（銅16.5ppm、ナトリウム60.3ppm含有）を得
た。つづいてこの再結晶体を銅20ppm、ナトリ
ウム400ppm含有する珪素粉（比較例１）、銅
40ppm、ナトリウム200ppm含有する珪素粉（比
較例２）、および銅60ppm、ナトリウム600ppm
含有する珪素粉（比較例３）にそれぞれ埋め込み
1500〜2100℃で加熱し、その気孔中に珪素を含浸
させて、遊離珪素を15.7重量％含有し、かつその
気孔率が0.7％の３種のSiC−Si系均熱管を得た。
これらの均熱管中の銅およびナトリウムの含有量
は、比較例１が銅19.5ppm、ナトリウム
125ppm、比較例２が銅22ppm、ナトリウム
90ppm含有、また比較例３が銅26ppm、ナトリ
ウム151ppm含有であつた。 さて、こうして実施例および比較例１〜３で得
た４種類のSiC−Si系均熱管について、次の試験
を行つた。すなわち、まずこれらのSiC−Si系均
熱管を拡散炉に取付けた後、これらの均熱管内
に、バイポーラ素材を内装した石英管を挿入し
た。そして1250℃に加熱して半導体を製造する作
業を１カ年続け、各石英管の状態および製造した
半導体のエツチピツトの発生を観察した。これら
の結果を次表に示す。
以上詳述したように、この発明にしたがつて製
造された半導体製台用SiC−Si系均熱管は、特に
銅およびアルカリ金属等の不純物の濃度が低いの
で、操業時に高温度になつても従来のように銅が
均熱管自体から揮散することはない。その結果こ
こで製造される半導体は、ライフタイムが長くか
つエツチピツトの発生が全くない極めて高品質の
ものであり、とくにバイポーラ、リニア等の接合
半導体の製造に対して顕著な効果を示す。またこ
の発明によつて製造される均熱管はアルカリ金属
の濃度も低いので、均熱管自体からアルカリ物質
が蒸発することもなく、均熱管に内装される石英
ガラス管は失透しない。さらに従来のSiC−Si系
均熱管と同様な高熱伝導性および高耐熱性も確保
されているので半導体の製造効率も良好である。
しかもこの発明の方法は硝酸と弗酸とを含む混酸
で処理するだけであるから、容易に従来の工程に
付加することができる。
造された半導体製台用SiC−Si系均熱管は、特に
銅およびアルカリ金属等の不純物の濃度が低いの
で、操業時に高温度になつても従来のように銅が
均熱管自体から揮散することはない。その結果こ
こで製造される半導体は、ライフタイムが長くか
つエツチピツトの発生が全くない極めて高品質の
ものであり、とくにバイポーラ、リニア等の接合
半導体の製造に対して顕著な効果を示す。またこ
の発明によつて製造される均熱管はアルカリ金属
の濃度も低いので、均熱管自体からアルカリ物質
が蒸発することもなく、均熱管に内装される石英
ガラス管は失透しない。さらに従来のSiC−Si系
均熱管と同様な高熱伝導性および高耐熱性も確保
されているので半導体の製造効率も良好である。
しかもこの発明の方法は硝酸と弗酸とを含む混酸
で処理するだけであるから、容易に従来の工程に
付加することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 窒化珪素又は炭化珪素を硝酸と弗酸とを含む
混酸で処理してこの窒化珪素又は炭化珪素中の銅
およびアルカル金属を選択的に除去する工程と、 上記の処理を施された窒化珪素又は炭化珪素を
原料として使用して銅の含有量が20ppm以下で
あつてかつアルカル金属の含有量が100ppm以下
であるガス不透過性SiC−Si系均熱管を製造する
工程とを有することを特徴とするガス不透過性半
導体製造用SiC−Si系均熱管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60056908A JPS60258918A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | ガス不透過性半導体製造用ＳｉＣ−Ｓｉ系均熱管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60056908A JPS60258918A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | ガス不透過性半導体製造用ＳｉＣ−Ｓｉ系均熱管の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9823075A Division JPS5222477A (en) | 1975-08-13 | 1975-08-13 | Sic-si type equalizing tube for manufacturing gas impermeable semi conductors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60258918A JPS60258918A (ja) | 1985-12-20 |
| JPS6220687B2 true JPS6220687B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=13040552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60056908A Granted JPS60258918A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | ガス不透過性半導体製造用ＳｉＣ−Ｓｉ系均熱管の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60258918A (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5075600A (ja) * | 1973-11-08 | 1975-06-20 | ||
| US3951587A (en) * | 1974-12-06 | 1976-04-20 | Norton Company | Silicon carbide diffusion furnace components |
| JPS5222477A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Sic-si type equalizing tube for manufacturing gas impermeable semi conductors |
| JPS5722914A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-06 | Nissan Motor Co Ltd | Engine mount for auto-vehicle |
| JPS5745708A (en) * | 1980-09-03 | 1982-03-15 | Hitachi Ltd | Amplifying circuit |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60056908A patent/JPS60258918A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60258918A (ja) | 1985-12-20 |
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