JPS62208627A - 荷電粒子線描画におけるマ−ク位置検出方法 - Google Patents
荷電粒子線描画におけるマ−ク位置検出方法Info
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- JPS62208627A JPS62208627A JP5016686A JP5016686A JPS62208627A JP S62208627 A JPS62208627 A JP S62208627A JP 5016686 A JP5016686 A JP 5016686A JP 5016686 A JP5016686 A JP 5016686A JP S62208627 A JPS62208627 A JP S62208627A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野１
本発明は電子線露光等において、半導体ウェハー等に形
成されたマークを検出するための方法に関する。
成されたマークを検出するための方法に関する。
［従来技術１
半導体ウーｌバーに電子線を照用してつ■バーのｌ′ｌ
！１接露光等全露光うに際し、ウェハーのスＴ−ジーＬ
１＼の装着の精１食を向トさせるには限Ｗがある。
！１接露光等全露光うに際し、ウェハーのスＴ−ジーＬ
１＼の装着の精１食を向トさせるには限Ｗがある。
そのため、通常は第２図に示すＪ、うに、つ１バー１の
周辺部に形成された十字型のウ−［バーマーク（以トン
ークと称？ｌ）、例えばＮ−Ｉｔ 、 Ｍ、： 、 Ｍ
３゜Ｍ４を形成し、これらのマークを電子線に、Ｊ、り
走査してマークの位置座標を求め、この求められた位１
ｄによりウェハー１の理想状態のン−り（ｉ’７ Ｆ（
、−）よりステージに誤差なく装着した場合のマーク位
置×１と、実際に装着した際のマーク位置×２の平行移
動ずれや回転等の所謂位置ずれを求め、電子線描画等の
場合の照用位置の位置ずれを修正するようにしている。
周辺部に形成された十字型のウ−［バーマーク（以トン
ークと称？ｌ）、例えばＮ−Ｉｔ 、 Ｍ、： 、 Ｍ
３゜Ｍ４を形成し、これらのマークを電子線に、Ｊ、り
走査してマークの位置座標を求め、この求められた位１
ｄによりウェハー１の理想状態のン−り（ｉ’７ Ｆ（
、−）よりステージに誤差なく装着した場合のマーク位
置×１と、実際に装着した際のマーク位置×２の平行移
動ずれや回転等の所謂位置ずれを求め、電子線描画等の
場合の照用位置の位置ずれを修正するようにしている。
ところで、比較的大ぎい半導体ウ−［ハーオに（Ｊ−ブ
ミク【二］ンオーダで微細加工を行なう電子線露光装量
等では、第３図に示すように露光のための電子線走査幅
１’では露光領域２となるが、このような装置Ｎでは半
導体つ王バーの露光のための電子線走査幅Ｌ′ とン一
り検出のための電子線走査幅（とを１’；ｇ＋−にしで
、電子線の偏向歪みによる影ソち５を少イ丁くシＩこ状
態と覆ることにより、これらマークのイＣ装置座標を１
１］確に検出ｉノ、前記電子線のｌｆＭ両の！こめの照
Ｑ１位■の修正をより正確に行なう」、う（、−シてい
る。
ミク【二］ンオーダで微細加工を行なう電子線露光装量
等では、第３図に示すように露光のための電子線走査幅
１’では露光領域２となるが、このような装置Ｎでは半
導体つ王バーの露光のための電子線走査幅Ｌ′ とン一
り検出のための電子線走査幅（とを１’；ｇ＋−にしで
、電子線の偏向歪みによる影ソち５を少イ丁くシＩこ状
態と覆ることにより、これらマークのイＣ装置座標を１
１］確に検出ｉノ、前記電子線のｌｆＭ両の！こめの照
Ｑ１位■の修正をより正確に行なう」、う（、−シてい
る。
［発明が解決しようと覆る問題点１
従って、例えばマークＭ１を検出する場合、マー）／
（マ！ｊｆ’ｌ ｘ 、 と装着前のマークｌ＜！買
Ｘ ２のイ装置ずれがマー／７検出のための電子線走査
幅ＬのＬ／２１２内のＫ（差で装着されている場合には
、１回の電子線走査でマークを検出することができるた
め問題となることはない。
（マ！ｊｆ’ｌ ｘ 、 と装着前のマークｌ＜！買
Ｘ ２のイ装置ずれがマー／７検出のための電子線走査
幅ＬのＬ／２１２内のＫ（差で装着されている場合には
、１回の電子線走査でマークを検出することができるた
め問題となることはない。
しかし／、−Ｋがら、比較的大ぎい半導体つ王バーをス
フ−−ジに装着した場合、前記した位置ずれを電子線走
査幅りの１／２以内の誤差範囲で装着づること（ま極め
て囲動である。
フ−−ジに装着した場合、前記した位置ずれを電子線走
査幅りの１／２以内の誤差範囲で装着づること（ま極め
て囲動である。
そのため、位置ずれがＬ／２上り人ぎい場合には、１回
の電子線走査ではマークを検出づることが（２〜イｆい
ことどイｆる３、従って、その都電、手動にＪ、←）ス
テージを適宜移動して、ノー′ノ１１″（ｊＱ７ ｘ
２の位］ｄが１７２以内に入るよう移動しでマー９検出
をしくいるため、マーク検出の操作が緊着１に４すると
共に、ノーり検出のために時間を要りる欠点かあつ Ｉ
こ 。
の電子線走査ではマークを検出づることが（２〜イｆい
ことどイｆる３、従って、その都電、手動にＪ、←）ス
テージを適宜移動して、ノー′ノ１１″（ｊＱ７ ｘ
２の位］ｄが１７２以内に入るよう移動しでマー９検出
をしくいるため、マーク検出の操作が緊着１に４すると
共に、ノーり検出のために時間を要りる欠点かあつ Ｉ
こ 。
本ブを明は以トの点に鑑みイ丁されたもの（・、装着時
のン−りの位置ずれがマーク検出のための電子線走査幅
ＬのＬ／２より大きい場合でも、マーク検出の操作を簡
単にすると其にマーク検出ｌ″５間をシ、０縮した電子
線露光等におＩするマーク位置検出方法を提供すること
を目的としている１、 １問題貞を解決りるための手段］ 本目的を達成づるための本発明は、ステージ上に装着さ
れＩこ半導体ウェハーの周辺部に形成されたウェハーマ
ークを電子線で走査してマークの位ｊＮを検出する方法
において、所定の走査幅（−で荷電粒子線を繰Ｖ）返し
走査すると共に、該荷電粒子線の繰り返し走査の間に該
スェージを移動さく！−るにうにし、該ステージの移動
を走査幅Ｉ−とマーク幅とに関連づけて行なうようにし
たことを特徴としでいる。
のン−りの位置ずれがマーク検出のための電子線走査幅
ＬのＬ／２より大きい場合でも、マーク検出の操作を簡
単にすると其にマーク検出ｌ″５間をシ、０縮した電子
線露光等におＩするマーク位置検出方法を提供すること
を目的としている１、 １問題貞を解決りるための手段］ 本目的を達成づるための本発明は、ステージ上に装着さ
れＩこ半導体ウェハーの周辺部に形成されたウェハーマ
ークを電子線で走査してマークの位ｊＮを検出する方法
において、所定の走査幅（−で荷電粒子線を繰Ｖ）返し
走査すると共に、該荷電粒子線の繰り返し走査の間に該
スェージを移動さく！−るにうにし、該ステージの移動
を走査幅Ｉ−とマーク幅とに関連づけて行なうようにし
たことを特徴としでいる。
［実施例１
以Ｆ本弁明の実施例を図面に基づき詳述する。
第１図は本発明の一実施例を説明するだめの図（′、第
１図において、Ｍｌはウェハーマーク、露光時の電子線
走査幅は１′、マーク検出の場合の電子線走査幅はＩ−
１ΔＬはマーク幅で、本実施例ではン一りが検出されな
いことが＜ｒいようにマーク幅ΔＬだ（］小ねで走査す
るようにしている。×１は理想状態のマーク位置、×２
は実際に装着した際のマーク位置である。
１図において、Ｍｌはウェハーマーク、露光時の電子線
走査幅は１′、マーク検出の場合の電子線走査幅はＩ−
１ΔＬはマーク幅で、本実施例ではン一りが検出されな
いことが＜ｒいようにマーク幅ΔＬだ（］小ねで走査す
るようにしている。×１は理想状態のマーク位置、×２
は実際に装着した際のマーク位置である。
このようにステージに装着されたウェハーのマークＮ・
１１のマーク検出方法は、先ず、マーク位置ＸＩＣ最初
の電子線走査ａが行なわれるようにステージ（図示せず
）を移動Ｌる。この最初の電子線走査ａで、マークＭ１
が検出されない場合には、スＬシを（＋）方向に（走査
幅１ ）−（マーク幅へＬ）だけ移１１ Ｌ −’（、
マーク検出のための２回目の走査すを行なう（実際の走
査は電子線走査ａの延艮線十を走査りる。以ト１ｎｌ
Ｌ” 、 ）。す、ｉに、この２回目の走査すに」、−
） ＣｆハノークＭ ｔが検出さねイ丁い場合は、スＪ
−ジを前回とは逆Ｉｊ向（・ある（−）の方向に−（２
×定走査り、 ） −Ｌ （２Ｘマーク幅△１）だ（Ｊ
移動して電子線走査Ｃを行う。このように順次マークＭ
１が検出されるまでマーク位置×１を中心に左右交互に
走査ａ、ｂ、ｃ、ｄ。
１１のマーク検出方法は、先ず、マーク位置ＸＩＣ最初
の電子線走査ａが行なわれるようにステージ（図示せず
）を移動Ｌる。この最初の電子線走査ａで、マークＭ１
が検出されない場合には、スＬシを（＋）方向に（走査
幅１ ）−（マーク幅へＬ）だけ移１１ Ｌ −’（、
マーク検出のための２回目の走査すを行なう（実際の走
査は電子線走査ａの延艮線十を走査りる。以ト１ｎｌ
Ｌ” 、 ）。す、ｉに、この２回目の走査すに」、−
） ＣｆハノークＭ ｔが検出さねイ丁い場合は、スＪ
−ジを前回とは逆Ｉｊ向（・ある（−）の方向に−（２
×定走査り、 ） −Ｌ （２Ｘマーク幅△１）だ（Ｊ
移動して電子線走査Ｃを行う。このように順次マークＭ
１が検出されるまでマーク位置×１を中心に左右交互に
走査ａ、ｂ、ｃ、ｄ。
ｅの順にマークを検出を行なって行く（実際には電子線
走査ｄにおいてマークＭ１が検出されるため電子線走査
ｅは行なわれていない）。このＪ：うに、電子線走査幅
りを基準に左右交りに電子線走査を行なわせることによ
って、第１図の全走査幅Ｎで示Ｊような広い範囲のマー
ク検出を行なったことと同じになる。ここで、ｎ回の走
査Ｃマーク検出を行なうと全走査幅Ｗは Ｗ−ｎｌ−−−Δ１ｘ（ｎ−１）となる。
走査ｄにおいてマークＭ１が検出されるため電子線走査
ｅは行なわれていない）。このＪ：うに、電子線走査幅
りを基準に左右交りに電子線走査を行なわせることによ
って、第１図の全走査幅Ｎで示Ｊような広い範囲のマー
ク検出を行なったことと同じになる。ここで、ｎ回の走
査Ｃマーク検出を行なうと全走査幅Ｗは Ｗ−ｎｌ−−−Δ１ｘ（ｎ−１）となる。
従って、この」−うなマーク検出方法においては、実際
に装着した際のマーク位置×２がＬ７２以内にない場合
（露光領域外）でもマークを自動的に検出覆ることがで
きるため、マーク検出の操作が簡単（−７−り検出のた
めにＯＮ ｒｊｌを廿することもイ↑い、１ 尚、１配実施例は例示であり、他の態様で実施Ｉること
））１でさる。Ｉ記実施例ｒｔ、ｔｌ、マーク検出の１
、−めの電子線７１杏を水平方向に走査ηる場合を例（
二し’（ＲＩ２明１． ｔ、：か、電子線を垂直り向に
走査してζマーク検出を行なう場合に通用（］ても良い
。
に装着した際のマーク位置×２がＬ７２以内にない場合
（露光領域外）でもマークを自動的に検出覆ることがで
きるため、マーク検出の操作が簡単（−７−り検出のた
めにＯＮ ｒｊｌを廿することもイ↑い、１ 尚、１配実施例は例示であり、他の態様で実施Ｉること
））１でさる。Ｉ記実施例ｒｔ、ｔｌ、マーク検出の１
、−めの電子線７１杏を水平方向に走査ηる場合を例（
二し’（ＲＩ２明１． ｔ、：か、電子線を垂直り向に
走査してζマーク検出を行なう場合に通用（］ても良い
。
■、１９１え＋Ｊ電子線を水平方向に一定距〜１走査し
く、・一つが検出され／ｊか−）だ場合には、垂直方向
の走査を行なうように、水１１走査と垂直走査を絹み合
Ｕた走査り払としくｂｉ、ｊい。
く、・一つが検出され／ｊか−）だ場合には、垂直方向
の走査を行なうように、水１１走査と垂直走査を絹み合
Ｕた走査り払としくｂｉ、ｊい。
史に、Ｌ記実施例Ｃ・はマーク検出のための電工線走査
幅１を露光のたＶ）の電子線走査幅１′ と同一幅とし
て説明したが、本発明ＩＬマーク検出のための電工線走
査幅１を１＝−１にしてマーク検出かＣ゛きることはい
うまでもない。
幅１を露光のたＶ）の電子線走査幅１′ と同一幅とし
て説明したが、本発明ＩＬマーク検出のための電工線走
査幅１を１＝−１にしてマーク検出かＣ゛きることはい
うまでもない。
史に又、Ｌ記実施例は電子線売先を例に説明したが、本
発明は電子線による１ｌｌ１１良やイΔンビーム描両に
おけるマーク（１′ｌ防の検出にも用いることが（’−
きる。
発明は電子線による１ｌｌ１１良やイΔンビーム描両に
おけるマーク（１′ｌ防の検出にも用いることが（’−
きる。
［発明の９１宋１
以１詳述した如く、本発明にＪｉい（は、マーク検出の
精度を＾めるｌこめに電子線の走査幅（！狭くしたにし
かかわらず、マークの検出を９．ｉｉ ＋＋″１間に自
動的（こ行うことができ、マーク検出の操作を筒中にす
ることができる。
精度を＾めるｌこめに電子線の走査幅（！狭くしたにし
かかわらず、マークの検出を９．ｉｉ ＋＋″１間に自
動的（こ行うことができ、マーク検出の操作を筒中にす
ることができる。
第１図は本発明の一実施例を説明でるだめの図、第２図
はウェハー等に形成されるマークを説明するための図、
第３図は従来例を説明するための図（・・ある。 １：つ十バー、２：露光領域、Ｍ＋ 、Ｍ２．Ｍｇ、Ｍ
４ ：つ丁バーマーク、Ｌ′、露光時の電子線走査幅、
１ ：マーク検出の揚台の電子線走査幅。 △Ｌ；ンーり幅、×１ ：理想状態のマークＩｒ装置、
Ｘ２．：実際に装着した際のマークｔｒＩｆＦ７゜特ｒ
Ｉ出願人 日本電子株式金相 代表者 伊睦 −夫 第１図 ΔＬ ｆｌ＋ ×１×ｚ 第２図 第３図 手続補正書く自発） 昭和６１年９月１９日 特許庁長官 黒ｆｌｌ 明相 殿 艶１、事
ｆ１の表示 ａＨｆ１１６１ 年！４ ｉｉＴ １ｉｆｔ 第５０１
６６ 号２、発明の名称 荷電粒子線描画におｌするマーク位置検出り仏３、補正
をする者 事件どの関係 特許出願人 住所 東京都昭島市中神町１４１８番地（Ｔｌヨ １．
−０４２５ （４３） １１６５）４、補正の対象 ４〜凶結弔の６９ ＩＩ＋ ５、補正の内容 明細山中第１頁に記載の特許請求の範囲を別紙の通り補
正する。 以−１ニ 〈１）ステージＬに装着されたｌ’ ｉ＃１ホウ１バー
の周辺部に形成されたつ丁バーマークを電Ｌ線で走査し
てン−りの位置を検出づる方法において、所定の走査幅
１で荷電粒子線を繰り返し走査４るどＪ（に、該荷電粒
子線の繰り返し走査の間に該ステージを移動させるよう
にし、該ステージの移動を走査幅１どマーク幅とに関連
づ（」−０行な・）ようにしｌこ荷電粒子線描画におけ
るマーク位置検出方法。 く２）荷電粒子線の走査によってマークが検出されたら
、その後の荷電粒子線の繰り返し走査を停止１するよう
にしたトリ請求の範囲第１項に記載の荷電粒子線描画に
お（）るマークイ０置検出方法。
はウェハー等に形成されるマークを説明するための図、
第３図は従来例を説明するための図（・・ある。 １：つ十バー、２：露光領域、Ｍ＋ 、Ｍ２．Ｍｇ、Ｍ
４ ：つ丁バーマーク、Ｌ′、露光時の電子線走査幅、
１ ：マーク検出の揚台の電子線走査幅。 △Ｌ；ンーり幅、×１ ：理想状態のマークＩｒ装置、
Ｘ２．：実際に装着した際のマークｔｒＩｆＦ７゜特ｒ
Ｉ出願人 日本電子株式金相 代表者 伊睦 −夫 第１図 ΔＬ ｆｌ＋ ×１×ｚ 第２図 第３図 手続補正書く自発） 昭和６１年９月１９日 特許庁長官 黒ｆｌｌ 明相 殿 艶１、事
ｆ１の表示 ａＨｆ１１６１ 年！４ ｉｉＴ １ｉｆｔ 第５０１
６６ 号２、発明の名称 荷電粒子線描画におｌするマーク位置検出り仏３、補正
をする者 事件どの関係 特許出願人 住所 東京都昭島市中神町１４１８番地（Ｔｌヨ １．
−０４２５ （４３） １１６５）４、補正の対象 ４〜凶結弔の６９ ＩＩ＋ ５、補正の内容 明細山中第１頁に記載の特許請求の範囲を別紙の通り補
正する。 以−１ニ 〈１）ステージＬに装着されたｌ’ ｉ＃１ホウ１バー
の周辺部に形成されたつ丁バーマークを電Ｌ線で走査し
てン−りの位置を検出づる方法において、所定の走査幅
１で荷電粒子線を繰り返し走査４るどＪ（に、該荷電粒
子線の繰り返し走査の間に該ステージを移動させるよう
にし、該ステージの移動を走査幅１どマーク幅とに関連
づ（」−０行な・）ようにしｌこ荷電粒子線描画におけ
るマーク位置検出方法。 く２）荷電粒子線の走査によってマークが検出されたら
、その後の荷電粒子線の繰り返し走査を停止１するよう
にしたトリ請求の範囲第１項に記載の荷電粒子線描画に
お（）るマークイ０置検出方法。
Claims (2)
- （１）ステージ上に装着された半導体ウエハーの周辺部
に形成されたウェハーマークを電子線で走査してマーク
の位置を検出する方法において、所定の走査幅Ｌで荷電
粒子線を繰り返し走査すると共に、該荷電粒子線の繰り
返し走査の間に該ステージを移動させるようにし、該ス
テージの移動を走査幅Ｌとマーク幅とに関連づけて行な
うようにした荷電粒子線描画におけるマーク位置検出方
法。 - （２）荷電粒子線の走査によってマークが検出されたら
、その後の荷電粒子線の繰り返し走査を停止するように
した荷電粒子線描画におけるマーク位置検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5016686A JPS62208627A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 荷電粒子線描画におけるマ−ク位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5016686A JPS62208627A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 荷電粒子線描画におけるマ−ク位置検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62208627A true JPS62208627A (ja) | 1987-09-12 |
Family
ID=12851617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5016686A Pending JPS62208627A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 荷電粒子線描画におけるマ−ク位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62208627A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5773935A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-08 | Toshiba Corp | Detecting method for alignment mark for electron beam exposure |
| JPS5960306A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Fujitsu Ltd | 位置決定用チップを備えた試料 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP5016686A patent/JPS62208627A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5773935A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-08 | Toshiba Corp | Detecting method for alignment mark for electron beam exposure |
| JPS5960306A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Fujitsu Ltd | 位置決定用チップを備えた試料 |
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