JPS62209399A - 輝尽性螢光体粒子をマイクロカプセル化した放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは、長期間にわたり良
好な状態で使用が可能な放射線画像変換パネルに関する
ものである。

（従来技術） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸｄを螢光体層（螢光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。更
に銀塩を塗布したフィルムを使用しないで螢光体層から
直接画像を取り出す方法が知られている。

この方法としては、被写体を透過した放射線を螢光体に
吸収せしめ、しかる後、この螢光体を例えば光又は熱エ
ネルギーで励起することによりこの螢光体が上記吸収に
より蓄積している放射線エネルギーを螢光として放射せ
しめ、この螢光を検出して画像化する方法がある。具体
的には、例えば、米国特許３，８５９，５２７号及び特
開昭５５−１２１４４号には輝尽性螢光体を用い可視光
線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が
示されている。この方法は、支持体上に輝尽性螢光体層
を形成した放射線画像変換パネルを使用するもので、こ
の放射、線画像変換パネルの輝尽性螢光体層に被写体を
透過した放射線を当てて被写体谷部の放射線透過度に対
応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、し
かる後にこの輝尽性螢光体層を輝尽励起光で走査するこ
とによって各部の蓄積・された放射線エネルギーを放射
させてこれを光に変換し、この光の強弱による光信号に
より画像を得るものである。この最終的な画像はハード
コピーとして再生してもよいし、ＣＲＴ上に再生しても
よい。

この放射線画像変換方法において使用される放射線画像
変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後励起光の走
査によって蓄積エネルギーを放出するので走査後再度放
射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能
である。

そこで、前記放射線画像変換パネルにおいて、得られる
画像の高画質化が望まれるのは当然のことであるが、さ
らに長期間あるいは多数回の繰り返しの使用に耐える性
能（耐用性）が要求される。

ところが、一般に輝尽性螢光体は吸湿性が大でろ５、通
常の気候条件の下で室内に放置すると、空気中の水分を
収着し、時間の経過とともにその性能が劣化する。具体
的には、放射線に対する感度が低下したり、放射線照射
により生成した潜像の視性速度が増大する現象が起こる
。

従来、輝尽性螢光体の吸湿によるこれらの劣化現象を防
止するためには、たとえば、特願昭６０＝１５４５５９
号に示されているように１透湿度の低い保護層を設けて
、前記輝尽性螢光体層に水分が到達するのを抑制する方
法がとられてきたが、さらに輝尽性螢光体層に防湿性を
付与するための技術が望まれている。

ところで、通常、放射線画像変換パネル中の輝尽性螢光
体層は、輝尽性螢光体粒子を適当な結着剤樹脂とともに
溶剤中に分散してなる塗布液を支持体上または保護層上
に塗布し、乾燥することによシ、作成される。ここで、
輝尽性螢光体は無機物でおるので、一般に前記結着剤お
よび前記溶剤に対する濡れ性が低く、分散液中で輝尽性
螢光体粒子が凝集しやすいため、分散性の制い輝尽性螢
光体分散液を得ることが困難である。とくに比重の大き
い輝尽性螢光体粒子を用いた場合、この傾向が著しい。

分散性の悪い輝尽性螢光体分散液を用いることは塗布膜
のムラを招き、結果的に得られる放射線画像の画質を低
下させていた。

（発明の目的） 本発明は、輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネル
における前述のような現状に鑑みてなされたものであり
、本発明の目的は、輝尽性螢光体層の耐湿性にすぐれ、
長期間忙わたり良好な状態で使用が可能な放射線画像変
換パネルを提供することにある。

本発明の他の目的は、輝尽性螢光体粒子の結着剤中への
分散性が良好であり、高画質の画像を得ることのできる
放射線画像変換パネルを提供することにある。

（発明の構成） 前記した本発明の目的は、輝尽性螢光体を結着カプセル
化されていることを有する放射線画像変換パネルによっ
て達成される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の放射線画像変換パネル（以下、意味明白な場合
には単に「パネル」と略称することがある）において、
輝尽性螢光体層は、７１２０（徽小）カプセル化された
輝尽性螢光体を適当な結着剤とともに溶剤中に分散して
塗布液を調製し、該塗布液を支持体上または保護層上に
塗布し乾燥することにより作成することができる。

ここで、輝尽性螢光体がマイクロカプセル化されている
状態とは少くとも１個の輝尽性螢光体粒子が核物質とな
シ、該核物質の表面が適当な壁膜物質からなる壁膜によ
り被包されて独立の微小体を形成している状態をいう。

前記壁膜物質を適当に選択することにより、輝尽性螢光
体粒子の吸湿を抑制することが可能となる。加えて、マ
イクロカプセル化された輝尽性螢光体粒子は分散液中に
おいて凝集しにくいため、輝尽性螢光体粒子の結着剤樹
脂への分散性が向上し、得られる画像の画質を改善する
ことができる。

更に、輝尽性螢光体粒子を被包したマイクロカプセルの
平均比重が小さくなるので、塗布液中の沈降が少くなり
、塗布液の停滞安定性が向上し生産技術上好ましい。

前記マイクロカプセルの断面図を模式的に表したものを
第２図に示す。第２図（１）において、２０はマイクロ
カプセルを、２１は核の螢光体粒子を、２２は核２１を
被包する壁膜を表している。前記マイクロカプセルはま
た、第２図（２）に示すように１カプセル中に複数個の
核を有する多核マイクロカプセル構造であってもよい。

前記マイクロカプセルは第２図（１）および（２）に示
した形状に限られるものではなく、核が壁膜により被包
されているカプセルであればいかなる形状であってもよ
い。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性螢光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、先約、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー
放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す螢光体を言う
が、実用的な面から好ましくは５００　ｎｍ以上の輝尽
励起光によって輝尽発光を示す螢光体である。本発明の
放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体として
は、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されている
ＢａＳＯ４：Ａｘ　（但しＡはＤｙ、’ｒｂ及びＴｍの
うち少なくとも１種であり、Ｘば０．００１≦ｘ　（１
モル％である。）で表わされる螢光体、特開昭４８−８
０４８８号記載のＭｇ５Ｏ，：　Ａｘ　（但しＡ　Ｆｉ
Ｈｏ或いはＤｙのうちいずれかであり、ｏ、ｏｏｉ≦Ｘ
≦　１モル％である）で表わされる螢光体、特開昭４８
−８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ４：　Ａｘ　
（但し　ＡはＤｙ、Ｔｈ及びＴｍのうち少なくとも１種
であり、Ｘは０．００１≦ｘ　（１モル％である。）で
表わされている螢光体、特開昭５１−２９８８９号に記
載されているＮａ２５ｏ、　、　ＣａＳＯ４及びＢａＳ
Ｏ４等にＭｎ、Ｄｙ　及びＴｂのうち少なくとも１種を
添加した螢光体、特開昭５２−３０４８７号に記載され
ているＢｅｄ、　ＬｉＦ。

ＭｇＳＯ４及びＣａＦ２等の螢光体、特開昭５３−３９
２７７号に記載されているＬｉ２１３．ｏ□：　Ｃｕ、
　Ａｇ等の螢光体、特開昭５４−４７８８３号に記載さ
れているＬｉ２Ｏ・（１１３２０□）ｘ　：　Ｃｕ（但
しＸは２　（ｘ≦３人及びＬ　ｉ、、Ｏ−（Ｂ２０２）
ｘ：　Ｃｕ、Ａｇ（但しＸは２くｘ≦３）等の螢光体、
米国特許３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ
　：Ｃｅ、Ｓｍ　、　　ＳｒＳ　：　Ｉｉ：ｕ、Ｓｍ　
、　　Ｌａ２０□Ｓ　：　Ｅｕ、　Ｓｍ　　及び（Ｚｎ
、Ｃｄ　）　Ｓ　：Ｍｎ、　Ｘ　（但しＸはハロゲン）
で表わされる螢光体が挙げられる。また、特開昭５５−
１２１４２号に記載されているＺｎＳ　：Ｃｕ、　Ｐｂ
螢光体、一般式がＢａ０−ｘＡｌ２Ｏ３：　ｍｕ　（但
し０．８≦Ｘ≦１０　）で表わされるアルミン酸バリウ
ム螢光体、及び一般式がＭ’Ｏ−ｘｓｉ０２　：　Ａ　
（但しＭｌはＭｇ、’Ｃａ、　Ｓ　ｒ。

Ｚｎ、　Ｃｄ又はＢａであり°ＡＦｉＣｅ　、　Ｔｂ　
、　Ｂｕ　、　Ｔｍ。

Ｐｂ、Ｔｌ、Ｂｉ及び当のうち少なくとも１種であり、
Ｘは０．５≦ｘ　＜　２．５である。）で表わされるア
ルカリ土類金属珪酸塩系螢光体が挙げられる。また、一
般式が （Ｂａｌ　−ｘ　−ｙＭｇｘＣａｙ）　ＦＸ　：　ｅｍ
ｕ”（但しＸはＢｒ及びＣ１の中の少なくとも１つであ
り、ｘ、ｙ及びｅはそれぞれＯ＜ｘ＋ｙ≦０．６、ｘｙ
〆０及び１０″≦ｅ≦５　Ｘ　１０−”なる条件を満た
す数である。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロゲン
化物螢光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されてい
る一般式が ＬｎＯＸ　：　ｘＡ （但しＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕの少なくとも１つ
を、ＸはＣ１及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又はＴ
ｂを、ＸはＯ（ｘ　（０，１を満足する数を表わす。）
で表わされる螢光体、特開昭５５−１２１４５号に記載
されている一般式が （Ｂａ、　−ｘＭ　ｘ）　ＦＸ　：　ｙＡ（但しＭＩは
、Ｍｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、　Ｚｎ及びＣｄのうち少なく
とも１つを、ＸはＣ１，Ｂｒ及び■のうちの少なくとも
１つを、ＡはＩ＋３ｕ　、　Ｔｂ　、　Ｃｅ　、　Ｔｍ
、　Ｄｙ　。

Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ及び１ｉａｒのうちの少
なく　とも１つを、Ｘ及びｙはＯ≦Ｘ≦０．６及び０≦
ｙ≦０．２なる条件を満たす数を表わす。）で表わされ
る螢光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている
一般式がＢａＦＸ　：　ｘＣｅ　、　　ｙＡ　（但し、
ＸはＣ４Ｂｒ及び■のうちの少なくとも１つ、ＡはＩｎ
　、　Ｔｌ　、　Ｇｄ。

Ｓｍ及びＺｒのうちの少なくとも１つであり、Ｘ及びｙ
はそれぞれＯ（ｘ≦２　Ｘ　１０−’及びＯ＜ｙ≦５×
１０−２である。）で表わされる螢光体、特開昭５５−
１６００７８号に記載されている一般式がＭ　ＦＸ　−
ｘＡ　：　ｙＬｎ （但しＭｌはＭｇ、　Ｃａ、　Ｂａ、　Ｓｒ、　Ｚｎ及
びＣｄのうちの少なくとも１種、ＡはＢｅｄ、　ＭｇＯ
，Ｃａｂ、　Ｓ　ｒｏ、　Ｂａｄ。

ＺｎＯ，Ａ４０３．Ｙ２Ｏ３＋　Ｌａ、、０３．Ｉｎ２
Ｏ３，Ｓｉｎ□、ＴｉＯ２，ＺｒＯ２゜ＧｅＯ２、Ｓｎ
Ｏ２，Ｎｂ２Ｏ’５　、　Ｔａ２Ｏ，及びＴｈ０２　の
うちの少なくとも１種、ＬｎはＥｕ　、　Ｔｂ、　Ｃｅ
、　Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ。

Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ、　Ｓｍ及び（ト）のう
ちの少なくとも１種でろり、ＸはＣ１，Ｂｒ及びＩのう
ちの少なくとも１種であり、Ｘ及びｙはそれぞれ５　Ｘ
　１０−’≦Ｘ≦０．５及びＯ＜ｙ≦０．２なる条件を
満念す数である。）で表わされる希土類元素付活２価金
属フルオロハライド螢光体、一般式がＺｎＳ　：　Ａ　
、　Ｃｄ８：Ａ、’　（Ｚｎ、Ｃｄ）ＳＥＡＳＺｎＳ：
Ａ、Ｘ及びＣｄＳ：Ａ、Ｘ（但しＡはＣｕ、Ａｇ、Ａｕ
、又はＭｎで、ｓｐ、ｘはハロゲンである。）で表わさ
れる螢光体、特開昭５７−１４８２８５号に記載されて
いる下記いずれかの一般式 ％式％： （式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ。

Ｂａ、Ｚｎ及びＣｄのうち少なくとも１種、ＸはＦ・Ｃ
Ｉ、Ｂｒ及び■のうち少なくとも１種、ＡはＥｕ　。

Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎ
ｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ。

Ｓｂ、Ｔｌ、Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１種を表わ
す。また、Ｘ及びｙはＯくＸ≦６．０≦ｙ≦１なる条件
を満たす数である。）で表わされる螢光体、下記いずれ
かの一般式 ％式％： （式中、ＲｅはＬａ、Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕのうち少なくとも
１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ　、　Ｓｒ　、　Ｃ
ａのうち少なくとも１種、Ｘ及びＸｌはＦ、（Ｊ、Ｂｒ
のうち少なくとも１種を表わす。また、Ｘ及びｙは、１
×１０″′４ぐｘ　（３Ｘ　１０−’、ｌＸｌ０−’（
ｙ（１×１０１なる条件を満たす数でろ９、ｎ７ｍは１
×１Ｏ−ｓ（ｎ　／　ｍ　（７Ｘ　１０−’なる条件を
満たす。）で表わされる螢光体、及び下記一般式 ％式％： （但し、ＭｌはＬｉ　、　Ｎａ、　Ｋ、　Ｒｂ及びＣ５
から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ
ＩｌはＢｅ、　Ｍｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、　Ｂａ、　Ｚｎ
、　Ｃｄ　、　Ｃｕ及びＮｉから選ばれる少なくとも１
種の二価金属である。ＭＩｉＦｉＳｃ、　Ｙ、　　Ｌａ
、　　Ｃｅ、　　Ｐｒ、　　Ｎｄ、　　Ｐｍ。

Ｓｍ、　ＦＪｕ、　Ｇｄ　、　Ｔｂ　、　Ｄｙ、　Ｈｏ
、　Ｅｒ、　Ｔｍ、　Ｙｂ。

Ｌｕ、Ａｇ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種
の三価金属である。ｘ、ｘ’及びＸ“はＦ、Ｃ１゜Ｂｒ
及びｒから選ばれる少なくとも１種の）・ロゲンである
。ＡはＥｕ、　Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ
。

Ｈｏ、　Ｎｄ　、　Ｙｂ、、　Ｅｒ　、　Ｇｄ、　Ｌｕ
、　８ｍ、　Ｙ、　Ｔｌ。

Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種
の金属である。またａは、０≦ａ　（０，５の範囲の数
値であり、ｂは０≦ｂ　（０，５の範囲の数値であり、
Ｃは０くＣ≦０．２の範囲の数値である。）で表わされ
るアルカリハライド螢光体等が挙げられる。

特にアルカリハライド螢光体は、放射線感度などの点か
らみて好ましい。

しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性螢光体は、前述の螢光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に輝尽
発光を示す螢光体であればいかなる螢光体であってもよ
い。

使用する輝尽性螢光体の平均粒子径は放射線画像変換パ
ネルの感度と粒状性を考慮して平均粒子径０．１乃至１
００μｍ゛の範囲に於て適宜選択される。

さらに好ましくは平均粒径が０．５乃至４０μｍのもの
が使用される。゛ 前記輝尽性螢光体粒子を被包せしめるために用いられる
壁膜物質としては樹脂が好ましく、その具体例としては
、たとえばポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリイソブチレン、ポリアクリロニトリル、ポリ
スチレン、ポリウレタン、ポリアミド、塩酸ゴムなどが
挙げられる。

前記輝尽性螢光体をマイクロカプセル化するには、まず
、前記壁膜物質を適当な溶剤に溶解せしめ、これに輝尽
性螢光体を混入し、ボールミル、超音波分散等の方法で
混合、粉砕し、ついで、相分離法あるいはスプレードラ
イング法などの方法でカプセルを形成させ、回収すれば
よい。前記溶剤としては、たとえば、メチルエチルケト
ン、キシレン、シクロヘキサン、ベンゼン、クロロホル
ム、トリクロルエチレン、エタノールなどが用いられる
。また、融解分散冷却法、気中懸濁被覆法などの方法を
用いて壁膜を設けてもよいし、壁膜物質の原料となるモ
ノマーあるいはオリゴマーをｉｎ　５ｉｔｕ重合法によ
り輝尽性螢光体粒子表面で重合反応させて壁膜を形成し
てもよい。

壁膜の厚さは０．０１μｍ〜５μｍ程度が好ましい。

本発明に用いられる結着剤としては、例えば、ゼラチン
の如きたんばく質、デキストランの如きポリサンカライ
ドまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢
酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化
ビニリデン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタク
リレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウ
レタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニル
アルコール等のような通常層構成に用いられる結着剤が
使用される。一般に結着剤は輝尽性螢光体１重量部に対
して０．０１乃至１重量部の範囲で使用される。しかし
ながら、得られる放射線画像変換パネルの感度と鮮鋭性
の点では結着剤は少ない方が好ましく、塗布の容易さと
の兼合いから０．０３乃至０．２重量部の範囲がよシ好
ましい。

輝尽性螢光体層用塗布液の調製に用いられる溶剤の例と
しては、メタノール、エタノール、インプロパツール、
ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキ
サンなどのケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−
ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル
、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエーテル
、エチレンクリコールモノメチルエーテルナトノエーテ
ル、トリオール、キジロールなどの芳香族化合物、メチ
レンクロライド、エチレンクロライドなどのハロゲン化
炭化水素およびそれらの混合物などが挙げられる。

なお、輝尽性螢光体層用塗布液中に、輝尽性螢光体層螢
光体粒子の分散性を向上させる目的で、ステアリン酸、
フタル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を
混合してもよい。また必要に応じて結着剤に対する可榎
剤を添加してもよい。

前記可塑剤の例としては、フタル酸ジエチル、フタル酸
ジプチル等のフタル酸エステル、燐酸トリクレジル、燐
酸トリフェニル等の燐酸エステル、コハク酸ジイソデシ
ル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪族２塩基酸エステル
、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブ
チルフタリルブチル等のグリコール酸エステル等が挙げ
られる。

輝尽性螢光体層用塗布液の調製は、ボールミル、サンド
ミル、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー
分散機、１（ａｄｙ　ミル、および超音波分散機などの
分散装置を用いて行なわれる。調製された塗布液をドク
ターブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどの
塗布機を用いて支持体上に塗布し、乾燥することによシ
輝尽性螢光体層が形成される。前記塗布液を保護層上に
塗布し、乾燥した後に輝尽性螢光体層と支持体とを接着
してもよい。

本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層の膜厚
は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性螢光
体の種類、結着剤と輝尽性螢光体との混合比等によって
異なるが、１０μｍ〜１０００μｍの範囲から選ばれる
のが好ましく、１０μｍ〜５００μｍの範囲から選ばれ
るのがより好ましい。尚、本発明の放射線画像変換パネ
ルの鮮鋭性向上を目的として、特開昭５５−１４６４４
７号に開示されているように放射線画像変換パネルの輝
尽性螢光体層中に白色粉末を分散させてもよいし、特開
昭５５−１６３５００号に開示されているように放射線
画像変換パネルの輝尽性螢光体層もしくは入射する輝尽
励起光に対して螢光体層底面にある支持体もしくは保護
層に輝尽励起光を吸収するような着色剤で着色してもよ
い。

また、特開昭５９−２０２１００号に開示されているよ
うに輝尽性螢光体層をハニカム構造としてもよい。ある
いは特願昭５９−１８６８５９号に述べられているよう
に１輝尽性螢光体粒子が輝尽性螢光体層の層厚方向に所
定の粒子大きさ分布をもつようにしてもよい。

本発明の放射線画像変換パネルは前述の輝尽性螢光体の
少くとも１種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性螢
光体層から成る輝尽性螢光体層群を有してもよい。それ
ぞれの輝尽性螢光体層に含まれる輝尽性螢光体は同一で
あってもよいし異っていてもよい。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて用いられる支持
体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用いられ
る。特に情報記録材料としての取υ扱い上可撓性のある
シートあるいはウェブに加工できるものが好適であり、
この点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリア
セテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラ
スチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の
金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シー
トが好ましい。

また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μｍ〜１０００μｍでｓ
ｐ、取り扱い上の点から、さらに好ましくは８０／１ｍ
〜５００μｍである。

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性螢
光体層との接着性を向上させる目的でマント面としても
よい。

さらに、これら支持体は、輝尽性螢光体層との接着性を
向上させる目的で輝尽性螢光体層が設けられる面に下引
層を設けてもよい。

本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性螢光体層が露呈する面に、輝尽性螢光体層群を
物理的にあるいは化学的に保護するための保護層を設け
ることが好ましい。この保護層は、保護層用塗布液を輝
尽性螢光体層上に直接塗布して形成してもよいし、ある
いはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性螢光体層上
に接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロー
ス、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート
、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン
、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩
化エチレン、四フッ化エチレン−六７フ化プロピレン共
重合体。

塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−アクリロニトリル共重合体等の保護層用材料が用いら
れる。

本発明の放射線画像変換パネルは第１図に概略的に示さ
れた放射線画像変換方法に用、いられた場合、優れた鮮
鋭性と感度を与える。すなわち、第１図において、１１
は放射線発生装置、Ｉｌｊ：被写体、１３は本発明の放
射線画像変換パネル、１４は輝尽励起光源、１５は該放
射線画像変換パネルより放射された輝尽発光を検出する
光電変換装置、１６は１５で検出された信号を画像とし
て再生する装置、１７は再生された画像を表示する装置
、１８は輝尽励起と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみ
を透過させるフィルターである。伺１５以降は１３から
の光情報を何らかの形で画像として再生できるものであ
ればよく、上記に限定されるものではない。

第１図に示されるように、放射線発生装置１１からの放
射線は被写体１２を通して本発明の放射線画像変換パネ
ル１３に入射する。この入射した放射線は放射線画像変
換パネル］３の輝尽性螢光体層に吸収され、そのエネル
ギーが蓄積てれ、放射線透過像の蓄積像が形成される。

次にこの蓄積像を輝尽励起光源１４からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光として放出せしめる。

放射される輝尽廃光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー景に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置１５で光電変換し、画像表示装置１７
によって表示することにより、被写体の放射線透過像を
観察することができる。

〔実施例〕

次に実施例によって本発明を説明する。

実施例 ポリエチレン１重量部をキシレン３０重量部に加温しな
がら溶解した溶液に、ＲｂＢｒ　：　０．０００２　Ｔ
ｌ輝尽性螢光体粒子８重量部を加えて懸濁させた。この
懸濁液に塩化アミルを少量ずつ添υ口し、相分離を起こ
させて、ポリエチレン濃厚液相が輝尽性螢光体粒子を被
包したマイクロカプセルを形成させた。次に相全体を室
温まで冷却後、前記マイクロカプセルを遠心分離により
回収し、乾燥して、ポリエチレン壁膜な有する輝尽性螢
光体マイクロカプセル粉末を得た。

下記の成分をサンドミルによυ混合分散して輝尽性螢光
体層用塗布液を調製した。

前記塗布液を２５０μｍ厚のポリエチレンテレフタレー
トフィルム上にドクターブレードを用いて塗布し、４０
°Ｃで乾燥して、約３００μｍ厚の輝尽性螢光体層を有
する本発明の放射線画像変換パネルＡを製造した。

このようにして得られた本発明のパネルＡを乾燥ボック
ス内に２日間放置して水分を除去した後、以下に述べる
評価を行なった。

本発明のパネルＡに管電圧８０ＫＶｐのＸ線を１０　ｍ
Ｒ照射した後、半導体レーザ光（波長７８０ｎｍ）で輝
尽励起し、輝尽性螢光体層から放射される輝尽発光を光
検出器（光電子増倍管）で光電変換し、この信号の大き
さよりＸ線に対する感度を調べた。

ここでＸ線照射から半導体レーザ光照射までの時間を５
秒および２分と変えてそれぞれ感度を測定した。前者の
結果を５ｏ（５ｓｅｃ　）、　後者の結果をＳｏ（２ｍ
１ｎ）と表わす。次にパネルＡを４０℃８０％ＲＨの恒
温恒湿槽内に４８時間放置して強制劣化させた後再び５
秒後の感度および２分後の感度を測定し、その値をそれ
ぞれＳｒ　（５５ｅｃ）、　ｓ、　（２ｍｉｎ　）とし
た。

５ｏ（５ｓｅｃ　）　、Ｓｒ　（５５ｅｃ）／Ｓｏ　（
５５ｅｃ）および（８１（２ｍｉｎ　）　／　Ｓ、　（
５５ｅｃ）　〕／［Ｓｏ（２ｍ１ｎ）／Ｓｏ（５５ｅｃ
）　）の値を第１表に示す。ここで、Ｓ、　（５５ｅｃ
）　／Ｓｏ（５ｓｅｃ）およびＣ８１Ｃ２ｍｉｎ　）／
Ｓ＋（５５ｅｃ）　］／（Ｓｏ（２ｍ１ｎ　）　／　Ｓ
ｏ　（５５ｅｃ）　：］はそれぞれ強制劣化後の感度劣
化の目安および層像視性速度の増大の目安となる値であ
る。また、第１表において５ｏ（５ｓｅｃ）は本発明の
パネルＡを１００として相対値で示しである〇 一方、本発明のパネルＡは、輝尽性螢光体層中に、輝尽
性螢光体が凝集固化してできたムラは観察されず、本発
明のパネルＡを用いて得られた放射線画像にもムラは現
われなかった。

比較例 実施例において、輝尽性螢光体のマイクロカプセル化の
工程を省き、マイクロカプセル化された輝尽性螢光体の
かわりにマイクロカプセル化されていない輝尽性螢光体
を用いる以外は実施例と同様；にして混合分散、塗布お
よび乾燥の作業を行って比較のパネルＢを製造した。

このようにして得られた比較のパネルＢは、実施例と同
様にして強制劣化試験を行い、結果を第１表に併記した
。

また、比較のパネルＢは、輝尽性螢光体層中に、輝尽性
螢光体が凝集固化して結着剤中への分散が不均一である
ために生じたムラが観察でれた。比較のパネルＢを用い
て得られた放射線画像には、前記ムラが原因である両像
ムラが生じた。

第１表より明らかなように、輝尽性螢光体がマイクロカ
プセル化された本発明のパネルＡは、輝尽性螢光体がマ
イ、クロカプセル化されていない比較のパネルＢに比べ
て、強制劣化後においても感度劣化の程度−および潜像
槌打速度の増大の程度が小さい。すなわち、本発明のパ
ネルＡにおいては、輝尽性螢光体層の吸湿による障害が
抑制されている。゛ また、本発明のパネルＡは、比較のパネルＢと異なり、
輝尽性螢光体の結着剤への分散性が良好でろジ、高画質
の画像が得られる。

（発明の効果） 本発明のｐｏ　＜　、輝尽性螢光体を独立した微小カプ
セル中に閉込めて外部環境から隔絶すること建よって輝
尽性螢光体を直接囲繞する環境を該螢光体に最適に、か
つ、結着剤中に環境付与物質を浪。

費するこ゛となく整えることができ、また、結着剤も螢
光体への影響を考慮することなく、結着剤として最適の
ものが選択できる。

その効果は既に述べたようなパネルの耐湿性、螢光体粒
子の分散性などから来る耐久性及び耐用性、パネルの高
画質化、高感度化等、生産技術上の利得等に限らす粂件
の選び方によって自由に性能制御ができ、本発明の効果
は爾後ますます発揮されてくる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の放射線画像変換パネルを使用する放
射線画像変換方法を説明する概要図である。 第２図は、本発明の放射線画像変換パネルに関わるマイ
クロカプセルの断面の例を示す模式図である。 出願人　小西六写真工業株式会社 第１図 １１−ｍ−襲（ＩＪす見１を主意こ」１１２−・搗′Ｊ
−木 １３−、−扱ｗ／Ｌ画泉良識パネル １４−・−＃、励匙ｔ５ｆｆ、。 １５−　　充電ＪＬ模狡装 １６−・・旅財牒画嵌＃）主執五 １７・−・　万ダｊづ一岩灸画舖Ｌｔｂ−ｈ　＃五１８
・・−フィルクー 第２図 ２〇 ２０−−−−”イクロカづ９１し ２１−暉胡踵しａチ ２２−ヱ腺

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　輝尽性螢光体を結着剤中に分散してなる輝尽性螢光体
   層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性螢
   光体がマイクロカプセル化されていることを特徴とする
   放射線画像変換パネル。