JPH0535399B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換
方法に関するものである。

（従来技術） Ｘ線画像のような放射線画像は医療用として多
く用いられている。従来、この放射線画像を得る
ためには、銀塩感光材料からなる放射線写真フイ
ルムと増感紙とを組合せた、いわゆる放射線写真
法が利用されている。しかし、近年放射線画像診
断技術の進歩にともない銀塩感光材料からなる放
射線写真フイルムを使用しないで放射線画像を得
る方法が工夫されるようになつた。

このような方法としては、被写体を透過した放
射線をある種の螢光体に吸収せしめ、しかる後こ
の螢光体を例えば光又は熱エネルギーで励起する
ことにより、この螢光体が前記吸収により蓄積し
ている放射線エネルギーを螢光として放射せし
め、この螢光を検出して画像化する方法がある。
具体的には、例えば英国特許1462769号及び特開
昭51−29889号には、螢光体として熱輝尽性螢光
体を用いる方法が示されている。この方法は支持
体上に熱輝尽性螢光体層を形成した放射線画像変
換パネルを使用するもので、この放射線画像変換
パネルの熱輝尽性螢光体層に被写体を透過した放
射線を吸収させて被写体各部の放射線透過度に対
応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成
し、しかる後にこの熱輝尽性螢光体層を加熱する
ことによつて輝尽励起し、パネルの各部に蓄積さ
れた放射線エネルギーを光の信号として取り出
し、この光の強弱によつて放射線画像を得るもの
である。

また、例えば米国特許3859527号及び特開昭55
−12144号には、螢光体として光輝尽性螢光体を
用いる方法が示されている。この方法は支持体上
に光輝尽性螢光体層を形成した放射線画像変換パ
ネルを使用するもので、上述のように潜像を形成
した後、この光輝尽性螢光体層を輝尽励起光で走
査することによつて、パネル各部に蓄積された放
射線エネルギーを光の信号として取り出し、放射
線画像を得るものである。この最終的な画像はハ
ードコピーとして再生しても良いし、CRT上に
再生しても良い。

ところで、このような放射線画像変換方法に用
いられる放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層
に関する記述はほとんどないのが現状であるが、
一般的には、前記特開昭55−12144号中に示され
ているように、ただ１層の輝尽性螢光体層から成
つている。しかしながら、輝尽性螢光体層が１層
である場合には、ただ１回の輝尽励起によつて蓄
積された放射線エネルギーの大部分が放出されて
しまい、１回の放射線照射によつて複数枚の放射
線画像データを得ることは不可能であつた。

一方これに対し１回の放射線照射によつて複数
枚の放射線画像データを得る方法がいくつか知ら
れている。具体的な方法としては、例えば特開昭
56−11399号には、複数枚の放射線画像変換パネ
ルを重ねて同時に放射線照射を行ない、この複数
枚の放射画像変換パネルを順次に輝尽励起するこ
とによつて複数枚の放射線画像データを得る方法
が示されている。しかし、この方法は、放射線画
像変換パネルが複数枚となるため、放射線照射の
際に取りあつかいが面倒であつたり、放射線画像
データを得るための読取り装置が複雑で大がかり
になる欠点を有していた。

（本発明の目的） 本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換
パネルにおける前述のような欠点に鑑みてなされ
たものでり、本発明の目的は、１回の放射線照射
によつて複数枚の放射線画像データの得られる放
射線画像変換方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、重ね合わせ処理等で像の
ズレを生じない放射線画像変換方法を提供するこ
とにある。

さらに本発明の他の目的は、くり返し使用して
も輝尽性螢光体層の傷による画質低下の少ない放
射線画像変換方法を提供することにある。

（発明の構成） 本発明者は前記目的を達成するために、輝尽性
螢光体を用いた放射線画像変換方法について鋭意
研究を重ねてきた。その結果、個々の輝尽性螢光
体はそれぞれ固有の輝尽励起エネルギー分布を有
しており、輝尽発光効率は個々の輝尽性螢光体に
マツチングした輝尽励起エネルギーで励起した時
に最大となることを見い出した。すなわち、前記
現象を利用すれば輝尽発光効率の輝尽励起エネル
ギー依存性の異なつた少なくとも２種類の輝尽性
蛍光体を含有する輝尽性螢光体層を、それぞれの
輝尽性螢光体にマツチングした輝層励起エネルギ
ーで複数回励起することにより、１回のＸ線照射
で複数の放射線画像が得られる。

本発明の目的は、かかる知見に基づいて、輝尽
発光率の輝尽励起エネルギー依存性の互いに異な
る少なくとも２種類の輝尽性蛍光体を含有する輝
尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを、
前記それぞれの輝尽性蛍光体に対応した異なる輝
尽励起エネルギーによつて励起し、それぞれ別々
の画像として複数の放射線画像の読み出しを行う
ことを特徴とする放射線画像変換方法によつて達
成される。

尚前記輝尽性螢光体の少くとも１種類の熱輝尽
性螢光体を用いれば好しい本発明の実施態様の１
つとなる。

本発明において輝尽性螢光体とは、最初の光も
しくは高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激
（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネル
ギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す螢
光体を言う。特に輝尽励起が光的に起こるものを
光輝尽性蛍光体、輝尽励起が熱的に起こるものを
熱輝尽性螢光体と言う。

ここで光とは電磁放射線のうち可視光、紫外
光、赤外光を含み、高エネルギー放射線とはＸ
線、ガンマ線、ベータ線、アルフア線、中性子線
を含む。

また、本発明において輝尽発光効率の輝尽励起
エネルギーが異なる輝尽性螢光体とは、広くは輝
尽性蛍光体に輝尽発光させるための刺激エネルギ
ーの種類が互いに異なる螢光体であり、狭くは輝
尽励起スペクトルのピークが50nｍ以上互いに異
なる螢光体を言う。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性螢光体は、先に述べたように放射線を照射し
た後輝尽励起すると輝尽発光を示す螢光体であ
り、その中の少なくとも２種類は互いに輝尽発光
率の輝尽励起エネルギー依存性が異なつていれば
いかなる螢光体であつてもよい。

輝尽励起エネルギー依存性の異なる輝尽性蛍光
体の組み合わせとしては、例えば光輝尽性螢光体
と熱輝尽性螢光体、光輝尽性螢光体の中では輝尽
励起スペクトルのピークが50nｍ以上互いに異な
る螢光体、熱輝尽性螢光体中では輝尽励起温度の
互いに異なる螢光体等が挙げられるが、これに限
定されるものではない。

本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性螢光体としては、例えば特開昭48−80487号
に記載されているBaSO₄：A_x（但しＡはD_y、Tb
及びTmのうち少なくとも１種であり、ｘは0.001
≦ｘ＜１モル％である）で表わされる螢光体、特
開昭48−80488号記載のMgSO₄：A_x（但しＡはH₀
或いはDyのうちいづれかであり、0.001≦ｘ≦１
モル％である）で表わされる螢光体、特開昭48−
80489号に記載されているSrSO₄：Ax（但しＡは
Dy、Tb及びTmのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.001≦ｘ＜１モル％である）で表わされる
螢光体、特開昭51−29889号に記載されている
Na₂SO₄、CaSO₄及びBaSO₄等にMn、Dy及びTb
のうち少なくとも１種を添加した螢光体、特開昭
52−30487号に記載されているBeO、LiF、
MgSO₄及びCaF₂等の螢光体、特開昭53−39277
号に記載されているLi₂B₄O₇：Cu、Ag等の螢光
体、特開昭54−47883号に記載されているLi₂O・
（B₂O₂）_x：Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及び
Li₂O・（B₂O₂）_x：Cu、Ag（但しｘは２＜ｘ≦３）
等の螢光体、米国特許3859527号に記載されてい
るSrS：Ce、Sm、SrS：Eu、Sm、La₂O₂S：Eu、
Sm及び（Zn、Cd）Ｓ：Mn、Ｘ（但しＸはハロゲ
ン）で表わされる螢光体が挙げられる。また、特
開昭55−12142号に記載されているZnS：Cu、Pb
螢光体、一般式がBaS・_xAl₂O₃：Eu（但し0.8≦ｘ
≦10）で表わされるアルミン酸バリウム螢光体、
及び一般式がM〓Ｏ・_xSiO₂：Ａ（但しM〓はMg、
Ca、Sr、Xn、Cd又はBaでありＡはCe、Tb、
Eu、Tm、Pb、Tl、Bi及びMnのうち少なくとも
１種であり、ｘは0.5≦ｘ≦2.5である）で表わさ
れるアルカリ土類金属珪酸塩系螢光体が挙げられ
る。また、一般式が （Ba_1-x-yMg_xCa_y）FX：_lEu （但しＸはBr及びClの中の少なくとも１つであ
り、ｘ、ｙおよびｌはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、
xy≠０及び10^-6≦ｌ≦５×10^-2なる条件を満たす
数である）で表わされるアルカリ土類弗化ハロゲ
ン化物螢光体、特開昭55−12144号に記載されて
いる一般式が LnOX：_xＡ （但しLnはLa、Ｙ、Gd及びLuの少なくとも１
つを、ＸはCl及び／又はBrを、ＡはCe及び／又
はTbを、ｘは０＜ｘ＜0.1を満足する数を表わ
す。）で表わされる螢光体、特開昭55−12145号に
記載されている一般式が （Ba_1-xM〓_x）FX：_yＡ （但しM〓はMg、Ca、Sr、Zn及びCdのうちの少
なくとも１つを、ＸはCl、Br及びＩのうちの少
なくとも１つを、ＡはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、
Pr、Ho、Nd、Yd及びErのうちの少なくとも１
つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2な
る条件を満たす数を表わす。）で表わされる螢光
体、特開昭55−84389号に記載されている一般式
がBaFX：_xCe、_yＡ（但し、ＸはCl、Br及びＩのう
ちの少なくとも１つ、ＡはIn、Al、Gd、Sm及び
Srのうちの少なくとも１つであり、ｘ及びｙは
それぞれ０＜ｘ≦２×10^-1及び０＜ｙ≦５×10^-2
である。）で表わされる螢光体、特開昭55−
160078号に記載されている一般式が M〓FX・_xＡ：_yLn （但しM〓はMg、Ca、Br、Zn及びCdのうちの少
なくとも１種、ＡはBeO、MgO、CaO、SrO、
BaO、ZnO、Al₂O₃、Y₂O₃、La₂O₃、In₂O₃、
SiO₂、TiO₂、ZrO₂、GeO₂、SnO₂、Nb₂O₅、
TTa₂O₅及びThO₂のうちの少なくとも１種、Ln
はEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、
Er、Sm及びGdのうちの少なくとも１種であり、
ＸはCl、BrおよびＩのうちの少なくとも１種で
あり、ｘ及びｙはそれぞれ５×10^-5≦ｘ≦0.5及
び０＜ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）で表
わされる希土類元素付活２価金属フルオロハライ
ド螢光体、一般式がZnS：Ａ、CaS：Ａ、（Zn、
Cd）Ｓ：Ａ、ZnS：Ａ、Ｘ及びCdS：Ａ、Ｘ（但
しＡはCu、Ag、Au、又はMnであり、Ｘはハロ
ゲンである。）で表わされる螢光体、特開昭57−
148285号に記載されている一般式〔〕又は
〔〕、 一般式〔〕 _xM₃（PO₄）₂・NX₂：_yＡ 一般式〔〕 M₃（PO₄）₂：_yＡ （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg、Ca、Sr、Ba、
Zn及びCdのうち少なくとも１種、ＸはＦ、Cl、
Br及びＩのうち少なくとも１種、ＡはEu、Tb、
Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Sb、
Tl、Mn及びSnのうち少なくとも１種を表わす。
また、ｘ及びｙは０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条
件を満たす数である。）表わされる螢光体、及び
一般式〔〕又は〔〕 一般式〔〕 nReX₃・mAX′₂：_xEu 一般式〔〕 nReX₃・mAX′₂：_xEu、ySm （式中、ReはLa、Gd、Ｙ、Luのうち少なくと
も１種、Ａはアルカリ土類金属、Ba、Sr、Caの
うち少なくとも１種、Ｘ及びX′はＦ、Cl、Brの
うち少なくとも１種を表わす。また、ｘ及びｙ
は、１×10^-4＜ｘ＜３×10^-1、１×10^-4＜ｙ＜１
×10^-1なる条件を満たす数であり、ｎ／ｍは１×
10^-3＜ｎ／ｍ＜７×10^-1なる条件を満たす。）で
表わされる螢光体等が挙げられる。しかし本発明
の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光
体は、前述の螢光体に限られるものではなく、放
射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝
尽発光を示す螢光体であればいかなる螢光体であ
つてもよい。

使用する輝尽性螢光体の平均粒子径は放射線画
像変換パネルの感度に粒状性を考慮して平均粒子
径0.1乃至100μｍの範囲に於て適宜選択される。
さらに好ましくは平均粒径が１乃至30μｍのもの
が使用される。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて、輝尽
性螢光体層は少なくとも２種類の輝尽発光効率の
輝尽励起エネルギー依存性の異なる輝尽性螢光体
を含有していればよく、本発明の実施態様として
は例えば以下に示すような層構成の放射線画像変
換パネルが挙げられる。

(1) １層の輝尽性螢光体層中に少なくとも２種類
の輝尽発光効率の輝尽励起エネルギー依存性の
異なる輝尽性螢光体を含有して成る放射線画像
変換パネル。

(2) 輝尽性螢光体層が少なくとも２層から成り、
この輝尽性螢光体層の少くとも２層が輝尽発光
効率の輝尽励起エネルギー依存性の互に異る輝
尽性螢光体から成る放射線画像変換パネル。

第１図に前記本発明実施態様に基く例を掲げ
た。第１図に於て１，２、及び３は夫々輝層発光
効率の輝尽励起エネルギー依存性を異にする輝尽
性螢光体、１２は前記輝尽性螢光体の混合体、４
は保護膜、５は支持体である。６は輝尽励起光遮
断層である。

尚本発明のパネルに於ては上記した例に限るも
のではなく例えば輝尽性螢光体層或いは輝尽励起
光遮断層の構造強度が充分ならば支持体はあつて
もよく、なくてもよい。

また、熱輝尽励起を行う態様の場合には結着
剤、支持体等のパネル構成物には耐熱性のものを
用いることが好ましい。

更に輝尽発光効率の輝尽励起依存性の異る２種
類の輝尽蛍光体を用いる場合その使用割合は、使
用目的によつて異るけれども１：１〜１：0.05
（重量比）の範囲が好しい。

一般的に、前記輝尽性螢光体層は、輝尽性螢光
体を適当な結着剤中に分散して塗布液を調製し、
これを従来の塗布方法を用いて塗布し、均一な層
とすることによつて作製される。結着剤として
は、例えばゼラチンの如きタンパク質、デキスト
ランの如きポリサツカライドまたはアラビアゴ
ム、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニ
トロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニリ
デン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタク
リレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、
ポリウレタン、セルロースアセテートブチレー
ト、ポリビニルアルコール、シリコン樹脂、ポリ
シロキサン系樹脂等のような通常層構成に用いら
れる結着剤が使用される。一般に結着剤は輝尽性
螢光体１重量部に対して0.01乃至１重量部の範囲
で使用される。しかしながら得られる放射線画像
変換パネルの感度と鮮鋭性の点では結着剤は少な
い方が好ましく、塗布の容易さとの兼合いから
0.03乃至0.2重量部の範囲がより好ましい。

本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体
層の膜厚は目的とする放射線画像変換パネルの特
性、輝尽性螢光体の種類、結着剤と輝尽性螢光体
との混合比等によつて異なるが、一般的には、輝
尽性螢光体層が１層から成る場合には10μｍ〜
1200μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、さら
には10μｍ〜800μｍの範囲から選ばれるのがより
好ましい。また、輝尽性螢光体層が２層以上から
成る場合には、１層当りの膜厚は10μｍ〜800μｍ
の範囲から選ばれるのが好ましく、それぞれの輝
尽性螢光体層から得られる放射線画像のズレを小
さくするためには、10μｍ〜600μｍの範囲から選
ばれるのがより好ましい。尚、本発明の放射線画
像変換パネルの鮮鋭性向上を目的として、特開昭
55−146447号に開示されているように放射線画像
変換パネルの輝尽性螢光体層中に白色粉末を分散
させてもよいし、特開昭55−163500号に開示され
ているように放射線画像変換パネルの輝尽性螢光
体層を輝尽励起光を吸収するような着色剤で着色
してもよい。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて、前記
輝尽性螢光体層を支持する支持体としては輝尽励
起光および輝尽発光に対して透明である各種高分
子材料、ガラス等が用いられるが、特に情報記録
材料としての取扱い上可撓性のあるシートあるい
はロールに加工できるものが好適であり、この点
から例えばセルロースアセテートフイルム、ポリ
エステルフイルム、ポリエチレンテレフタレート
フイルム、ポリアミドフイルム、ポリイミドフイ
ルム、トリアセテートフイルム、ポリカーボネイ
トフイルム等のプラスチツクフイルム等が特に好
ましい。これら支持体は、輝尽性螢光体層との接
着性を向上させる目的で輝尽性螢光体層が設けら
れる面に下引層を設けてもよい。また、これ支持
体の膜厚は用いる支持体の材質等によつて異なる
が、一般的には80μｍ〜1000μｍであり、取扱い
上の点からさらに好ましくは80μｍ〜500μｍであ
る。

本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一
般的には前記輝尽性螢光体層の支持体が設けられ
る面とは反対側の面に、輝尽性螢光体層を物理的
にあるいは化学的に保護するための保護層が設け
られる。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性
螢光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あ
るいはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性螢
光体層上に接着してもよい。保護層の材料として
は酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリ
ビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエス
テル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ン、塩化ビニリデン、ナイロン等の通常の保護膜
用材料が用いられる。これら保護膜の膜厚は一般
には1μｍ〜40μｍ程度が好ましい。

本発明の放射線画像変換パネルに必要に応じて
用いられる輝尽励起光遮断層は、輝尽励起光は反
射および／または吸収する材料であればどのよう
なものであつても使用できるが、放射線画像変換
パネルとしての取扱い上可撓性のあるものが好ま
しい。この点から、例えばAl、Pb、Ni、Cu、
Zn、Ag、Pt、Au、Fe等の金属およびこれらの
合金から成る金属シート、セルロースアセテート
フイルム、ポリエステルフイルム、ポリエチレン
テレフタレートフイルム、ポリアミドフイルム、
ポリイミドフイルム、トリアセテートフイルム、
ポリカーボネートフイルム等のプラスチツクフイ
ルムシート、および紙など種々のシート状材料が
挙げられる。ただし、輝尽励起光遮断層としてプ
ラスチツクフイルムシートおよび紙を用いる場合
には、これらシート自体には輝尽励起光を遮断す
る能力がほとんどないため、前記シートが輝尽励
起反射層あるいは吸収層となるように、前記シー
ト自体を着色する必要がある。前記シートが輝尽
励起光反射層となるようにするには、前記シート
を白色顔料等で着色すればよいし、輝尽励起光吸
収層となるようにするには、前記シートを輝尽励
起光を吸収する顔料あるいは黒色顔料等で着色す
ればよい。

前記シート自体を着色する代わりに前記シート
の片面あるいは両面に輝尽励起光反射層あるいは
吸収層を設けてもよい。輝尽励起光反射層として
は前記シートの表面に金属反射層を蒸着、スパツ
タ等の方法で設けてもよいし、白色顔料層等を塗
布等の方法で設けてもよい。輝尽励起光吸収層と
しては輝尽励起光を吸収する顔料あるいは黒色顔
料等を前記シートの表面に塗布等の方法で設けれ
ばよい。

さらに、必要に応じて前記シートを着色した
後、その表面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層
を設けてもよいし、前記シートの片面に輝尽励起
光反射層を設け、他方に輝尽励起光吸収層を設け
てもよい。

また、前記輝尽励起光遮断層は前記シート状材
料以外にも白色粉体あるいは黒色粉体等を樹脂中
に分散し、塗布したものであつてもよい。

本発明の放射線画像変換パネルの輝尽励起光遮
断層の膜厚は、薄いほど好ましいが実用的には
1000μｍ以下、さらに好ましくは400μｍ以下であ
る。前記輝尽励起光遮断層の膜厚が1000μｍをこ
える場合には放射線画像変換パネル全体の膜厚自
体が大きくなり、取り扱いが困難となる。尚、こ
れら輝尽励起光遮断層は、輝尽性螢光体層との接
着性を向上させる目的で輝尽励起光遮断層の片面
又は両面に下引き層を設けてもよい。

本発明の放射線画像変換パネルは、例えば第２
図に概略的に示される放射線画像変換方法を用い
られた場合優れた放射線画像を与える。すなわ
ち、第２図において１０は撮影部、２０は第１の
輝尽性螢光体の放射線画像を読み取るための第１
読み取り部、３０は第２の輝尽性螢光体の放射線
画像を読み取るための第２読み取り部をそれぞれ
示している。

撮影部１０においては放射線源１０１から被写
体１０２に向けて照射された放射線は被写体１０
２を透過した後、放射線画像変換パネル１０３の
輝尽性螢光体層１０４に含まれる輝尽発光効率の
輝尽励起エネルギー依存性の互いに異なる第１の
輝尽性螢光体１０５および第２の輝尽性螢光体１
０６に吸収され、被写体の放射線画像が蓄積記録
される。次いでこの放射線画像変換パネル１０３
は第１読み取り部２０へ送られる。

第１読み取り部２０においては、読み取り光源
２０１からの第１の輝尽励起光２０２はガルバノ
ミラー等の光偏向器により放射線画像変換パネル
１０３の輝尽性螢光体層１０４上に一次元的に偏
向されて、放射線画像変換パネル１０３が副走査
されることにより、輝尽性螢光体層１０４の全面
にわたつて輝尽励起光２０２が照射される。この
ように輝尽励起光２０２が照射されると、放射線
画像変換パネル１０３の輝尽性螢光体層１０４に
含まれる第１の輝尽励起光２０２にマツチングし
た輝尽励起エネルギー分布をもつ第１の輝尽性螢
光体１０５は、これに蓄積記録されている放射線
エネルギーに比例する輝尽発光を発する。この発
光は輝尽励起光２０２のみをカツトするフイルタ
ー２０３を透過した後、光電変換器２０４に入射
し、光電変換される。光電変換器２０４の出力は
増幅器２０５によつて増幅される。第１の輝尽性
螢光体１０５の読み取りを終了した放射線画像変
換パネル１０３は、第２読み取り部３０へ送られ
る。

第２読み取り部３０においては、第１読み取り
部２０の場合と同様にして読み取り光源３０１か
らの第２の輝尽励起光３０２はカルバノミラー等
の光偏光器により放射線画像変換パネル１０３の
輝尽性螢光体層１０４上に一次元的に偏向され
て、放射線画像変換パネル１０３が副走査さえる
ことにより、輝尽性螢光体層１０４の全面にわた
つて輝尽励起光３０２が照射される。このように
輝尽励起光３０２が照射されると、放射線画像変
換パネル１０３の輝尽性螢光体層１０４に含まれ
る第２の輝尽励起光３０２にマツチングした輝尽
励起エネルギー分布をもつ第２の輝尽性螢光体１
０６は、これに蓄積記録されている放射線エネル
ギーに比例する輝尽発光を発し、この発光は輝尽
励起光３０２のみをカツトするフイルター３０３
を透過した後、光電変換器３０４に入射し、光電
変換され、増幅器３０５によつて増幅される。

第１読み取り部２０の最終出力２０６および第
２読み取り部３０の最終出力３０６は、それぞれ
別々にハードコピーあるいはCRT等に可視画像
として出力してもよいし、電気的に重ね合わせ処
理あるいは減算処理等を施して１枚の可視画像と
してハードコピーあるいはCRT等に出力しても
よい。

さらに第１読み取り部２０の最終出力２０６か
ら放射線画像変換パネル１０３に蓄積記録されて
いる放射線情報を把握し、この情報を基にして第
２読み取り部３０の光電変換器３０４の感度、増
幅器３０５の増幅率等を設定するようにしてもよ
い。

放射線画像変換パネル１０３の輝尽性螢光層１
０４に含まれる第１の輝尽性螢光体１０５と第２
の輝尽性螢光体１０６はこの順に読み取る必要は
なく、逆であつてもまた同時であつてもよい。

（実施例） 次に本発明を実施例により説明する。

実施例 １ BaFBr：Eu輝尽性螢光体４重量部、BaSO₄：
Mn輝尽性螢光体４重量部およびシリコン樹脂１
重量部とを溶剤（トルエン）５重量部を用いて混
合、分散し、輝尽性螢光体層用塗布液を調整し
た。次にこの塗布液を水平に置いた200μｍ厚の
支持体としてのポリイミドアミド系樹脂上に均一
に塗布し、自然乾燥させて約400μｍ厚の輝尽性
螢光体層を形成し、本発明の放射線画像変換パネ
ルＡを作成した。

この放射線画像変換パネルＡを用いて
100KVp、100ｍＡの条件のＸ線で胸部単純撮影
を行なつたのち、第２図に示した放射線画像変換
方法に用いられる装置で読み取つて２枚の放射線
画像データを得た。本実施例では第１読み取り光
源２０１としては500ｍＷのCO₂レーザ（10600n
ｍ）を用い、第２読み取り部の読み取り光源３０
１としては50ｍＷのHe−Neレーザ（633nｍ）を
用いた。

得られた２枚の画像データは電気的に重ね合わ
せ処理して１枚の画像として再構成した。得られ
た画像は被写体のわずかなコントラストの差も再
現しており、極めて診断価値の高いものであつ
た。

実施例 ２ 実施例１においてBaFBr：Eu輝尽性螢光体の
代わりにBaF_0.95Br_1.05：Eu輝尽性螢光体４重量
部と、BaSO₄：Mn輝尽性螢光体の代わりに
ZnS：Cu、Pb輝尽性螢光体４重量部とを用いた
以外は実施例１と同様にして本発明の放射線画像
変換パネルＢを作成した。

この放射線画像変換パネルＢを用いて実施例１
において第１読み取り部の読み取り光源２０１を
50ｍＷのAr レーザ（515nｍ）とし、第２読み
取り部の読み取り光源３０１を50ｍＷの半導体レ
ーザ（800nｍ）とした以外は実施例１と同様に
して放射線画像を得た。得られた画像は被写体の
わずかなコントラスト差も再現しており、極めて
診断価値の高いものであつた。

実施例 ３ 実施例１においてBaSO₄：Mn輝尽性螢光体の
代わりにBaFCl：Tb、Eu輝尽性螢光体を用いた
以外は実施例１と同様にして本発明の放射線画像
変換パネルＣを作成した。

この放射線画像変換パネルＣを用いて、実施例
１と同様にして放射線画像を得た。得られた画像
は被写体のわずかなコントラスト差も再現してお
り、極めて診断価値の高いものであつた。

比較例 １ 実施例１においてBaSO₄：Mn輝尽性螢光体を
用いる代わりにBaFI：Eu輝尽性螢光体を用いた
以外は実施例１と同様にして比較の放射線画像変
換パネルＰを作成した。

この比較の放射線画像変換パネルＰを用いて、
実施例１において第１読み取り部の読み取り光源
２０１を50ｍＷのHe−Neレーザ（633nｍ）と
し、第２読み取り部の読み取り光源３０１を50ｍ
ＷのKr⁺レーザ（6471nｍ）とした以外は実施例
１と同様にして２枚の放射線画像データを得よう
と試みたが、２枚目の画像データはＳ／Ｎ比が悪
く実用に供さなかつた。

実施例 ４ ZnS：Cu、Pb輝尽性螢光体８重量部とポリビ
ニルブチラール樹脂１重量部とを溶剤（シクロヘ
キサノン）５重量部を用いて混合・分散し、輝尽
性螢光体層用塗布液を調整した。次にこの塗布液
を水平に置いた300μｍ厚の透明ポリエチレンテ
レフタレート上に均一に塗布し、自然乾燥させて
約150μｍ厚の第１の輝尽性螢光体層を形成した。
同様にして、BaFBr：Eu輝尽性螢光体８重量部
とポリビニルブチラール樹脂１重量部とを溶剤
（シクロヘキサノン）５重量部を用いて混合分散
し、輝尽性螢光体層用塗布液を調整し、前記の第
１の輝尽性螢光体層上に均一に塗布し、自然乾燥
させて約150μｍ厚の第２の輝尽性螢光体層を形
成し、本発明の放射線画像Ｄを作成した。

この放射線画像変換パネルＤを用いて、実施例
１において第１読み取り部の読み取り光源２０１
を50ｍＷの半導体レーザ（800nｍ）として、支
持体側から輝尽励起し、支持体側で光電変換する
ようにしたことと、第２読み取り部の読み取り光
源３０１を50ｍＷのHe−Neレーザ（633nｍ）と
したこと以外は実施例１と同様にして放射線画像
を得た。得られた画像は被写体のわずかなコント
ラスト差も再現しており、極めて診断価値の高い
ものであつた。

比較例 ２ 実施例４において、支持体を300μｍ厚の黒色
ポリエチレンテレフタレートとしたことと、支持
体の下側にZnS：Cu、Pb輝尽性螢光体を塗布し、
第１の輝尽性螢光体層とし、上側にBaFBr：Eu
輝尽性螢光体を塗布し、第２の輝尽性螢光体層と
した以外は実施例４と同様にして比較の放射線画
像変換パネルＱを作成した。

この比較の放射線画像変換パネルＱを用いて、
実施例４と同様にして第１読み取り部において50
ｍＷの半導体レーザで第１の輝尽性螢光体層を読
み取り、第２読み取り部において50ｍＷのHe−
Neレーザで第２の輝尽性螢光体層を読み取つて
２枚の放射線画像データを得た。

得られた２枚の画像データは電気的に重ね合わ
せ処理して１枚の画像として再構成したが、２枚
の画像にはズレがあり、再構成することによつて
かえつて鮮鋭性が低下した。

実施例 ５ 実施例１においてBaFBr：Eu輝尽性螢光体６
重量部とBaSO₄：Mn輝尽性螢光体２重量部とを
この割合で使用する以外は実施例１と同様にして
本発明の放射線画像変換パネルＥを作成した。

この放射線画像変換パネルＥを用いて、実施例
１と同様にして胸部単純撮影を行なつたのち、第
２図に示した放射線画像変換方法に用いられる装
置で読み取つて２枚の放射線画像データを得た。

本実施例では第１読み取り部の読み取り光源２
０１の代わりにサーマルヘツドを用い、第２読み
取り部の読み取り光源３０１としては50ｍＷの
He−Neレーザ（633nｍ）を用いた。また本実施
例では、第１読み取り部で得られた放射線画像デ
ータにより、本発明の放射線画像変換パネルＥに
蓄積記録されている放射線画像情報を把握し、第
２読み取り部の光電変換器および増幅器のゲイン
を調整したのち、第２読み取り部において画像を
読み取つた。得られた画像は、ゲイン設定が最適
であり、診断価値の高いものであつた。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明の放射線画像変換
方法によれば、１回の放射線照射によつて複数枚
の放射線画像データを得ることが可能となる。

また、本発明の放射線画像交換方法によれば、
複数枚の放射線画像間の画像のズレがほとんどな
く、重ね合わせ処理等で高品位な放射線画像を得
ることが可能となる。

また、本発明の放射線画像変換方法によれば、
複数枚の放射線画像データを得るに当つて、最初
の１枚の画像情報から２枚目以降の読み取り条件
をコントロールできるので高品位な放射線画像を
得ることが可能となる。

本発明は、前述のような多数の効果があり、工
業的に非常に有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の放射線画像変換パネルの１例
であり、第２図は本発明の放射線画像変換パネル
を用いた放射線画像変換方法の概略説明図であ
る。 １０……撮影部、１０１……放射線源、１０２
……被写体、１０３……放射線画像変換パネル、
１０４……輝尽性螢光体層、１０５……第１の輝
尽性螢光体、１０６……第２の輝尽性螢光体、１
０７……支持体、２０……第１読み取り部、２０
１……輝尽励起光源、２０２……輝尽励起光、２
０３……フイルター、２０４……光電変換器、２
０５……増幅器、２０６……出力、３０……第２
読み取り部、３０１……輝尽励起光源、３０２…
…輝尽励起光、３０３……フイルター、３０４…
…光電変換器、３０５……増幅器、３０６……出
力。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 輝尽発光効率の輝尽励起エネルギー依存性の
   互いに異なる少なくとも２種類の輝尽性蛍光体を
   含有する輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
   パネルを、前記それぞれの輝尽性蛍光体に対応し
   た異なる輝尽励起エネルギーによつて励起し、そ
   れぞれ別々の画像として複数の放射線画像の読み
   出しを行うことを特徴とする放射線画像変換方
   法。 ２ 前記輝尽性蛍光体の少なくとも１種類が熱輝
   尽性蛍光体であることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の放射線画像変換方法。