JPS62214953A - 静水圧ホツトプレス処理に使用するカプセル材 - Google Patents
静水圧ホツトプレス処理に使用するカプセル材Info
- Publication number
- JPS62214953A JPS62214953A JP61056880A JP5688086A JPS62214953A JP S62214953 A JPS62214953 A JP S62214953A JP 61056880 A JP61056880 A JP 61056880A JP 5688086 A JP5688086 A JP 5688086A JP S62214953 A JPS62214953 A JP S62214953A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capsule material
- hot press
- softening point
- capsule
- glass
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
静水圧ホー／ ）プレス法において高軟化点ガラスを含
むカプセル材を用い、セラミックスの接合、該ホットプ
レス処理を有効に行なう。
むカプセル材を用い、セラミックスの接合、該ホットプ
レス処理を有効に行なう。
本発明はカプセル法の静水圧ホットプレス法のカプセル
材に係り、特に例えば円筒形発熱体等の複雑形状の二種
類のセラミックの接合方法に関する。
材に係り、特に例えば円筒形発熱体等の複雑形状の二種
類のセラミックの接合方法に関する。
従来例えば二種類のセラミックスの接合は１８００〜２
３００℃程度の高温時に一軸方向に加圧するホットプレ
スを用いている。このホットプレスによるセラミックス
の接合の際、二種類のセラミックスの熱膨張率の違いに
よって破壊が生じる。それを防止するために従来は二種
類の被接合セラミックスの間に該二種類のセラミックの
ほぼ中間の熱膨張率を有する材料、例えばＴｉＮ 、
ＴｉＣ等を挿入していた。
３００℃程度の高温時に一軸方向に加圧するホットプレ
スを用いている。このホットプレスによるセラミックス
の接合の際、二種類のセラミックスの熱膨張率の違いに
よって破壊が生じる。それを防止するために従来は二種
類の被接合セラミックスの間に該二種類のセラミックの
ほぼ中間の熱膨張率を有する材料、例えばＴｉＮ 、
ＴｉＣ等を挿入していた。
しかしながら、このようなホットプレス法によってセラ
ミックスを接合する場合、例えば接合面が平面同志のよ
うな単純な形状のセラミックしか接合することができな
い。
ミックスを接合する場合、例えば接合面が平面同志のよ
うな単純な形状のセラミックしか接合することができな
い。
そこで被接合材の周囲をある材料例えばガラス等で包み
込んで加熱しながら均等に静水圧を加えてプレスするカ
プセル法、静水圧ホットプレス（ＨＩ Ｐ）処理が知ら
れている。しかしこのカプセル法ＨＩＰ処理の際にカプ
セル材であるガラス及び被接合材に亀裂が入ることが多
（問題であった。
込んで加熱しながら均等に静水圧を加えてプレスするカ
プセル法、静水圧ホットプレス（ＨＩ Ｐ）処理が知ら
れている。しかしこのカプセル法ＨＩＰ処理の際にカプ
セル材であるガラス及び被接合材に亀裂が入ることが多
（問題であった。
本発明はカプセル法ＨＩＰ処理、特に熱膨張率の異なっ
た二種類のセラミックスを接合する際に用いられる良好
なカプセル材を提供することを目的とする。
た二種類のセラミックスを接合する際に用いられる良好
なカプセル材を提供することを目的とする。
上記問題点は本発明によればカプセル法を用いた静水圧
ホットプレス処理に使用するカプセル材において、該カ
プセル材が高軟化点のガラスを含有することを特徴とす
る静水圧ホットプレス処理に使用するカプセル材によっ
て解決される。
ホットプレス処理に使用するカプセル材において、該カ
プセル材が高軟化点のガラスを含有することを特徴とす
る静水圧ホットプレス処理に使用するカプセル材によっ
て解決される。
以下本発明の詳細な説明する。
実施例１
炭化ケイ素９９重量％とホウ素１重量％からなる粉末１
００ｇを混合、調整し、これにアクリル系の樹脂を２重
量％添加したものと、炭化ホウ素１００ｇにアクリル系
の樹脂を２重量％添加したものをそれぞれ造粒した。金
型を用いてまず炭化ケイ素を１０００ｋｇ／ｃ＋Ｊの圧
力で加圧成形した。更にその上に炭化ホウ素を載せて２
０００ｋｇ／−で加圧し、成形体を作る。これをＮ２中
で充分に脱脂した後、窒化ホウ素の粉末をアセトンで溶
いたものをぬった。乾燥した後、窒化ホウ素のるつぼ内
に満たしたＳｉｎ、粉末中に埋め、この状態で１５３５
℃まで真空加熱することによって試料の周囲の５ｉ０４
を軟化させ、成形体を被覆させる。このように成形体を
窒化ホウ素及び軟化ＳｉＯ□で被覆した状態でＨＩＰ処
理を行なう。該ＨＩＰ条件は１５３５℃の温度迄は２０
〜１００ ｋｇ／−とし、１５３５℃で加圧を始め、１
８００℃の温度で２０００ ｋｇ ／ ｄとなるように
した。そして１８００℃、 ２０００ ｋｇ ／ ｃｄ
のＨＩＰ処理条件を１時間保持した。
００ｇを混合、調整し、これにアクリル系の樹脂を２重
量％添加したものと、炭化ホウ素１００ｇにアクリル系
の樹脂を２重量％添加したものをそれぞれ造粒した。金
型を用いてまず炭化ケイ素を１０００ｋｇ／ｃ＋Ｊの圧
力で加圧成形した。更にその上に炭化ホウ素を載せて２
０００ｋｇ／−で加圧し、成形体を作る。これをＮ２中
で充分に脱脂した後、窒化ホウ素の粉末をアセトンで溶
いたものをぬった。乾燥した後、窒化ホウ素のるつぼ内
に満たしたＳｉｎ、粉末中に埋め、この状態で１５３５
℃まで真空加熱することによって試料の周囲の５ｉ０４
を軟化させ、成形体を被覆させる。このように成形体を
窒化ホウ素及び軟化ＳｉＯ□で被覆した状態でＨＩＰ処
理を行なう。該ＨＩＰ条件は１５３５℃の温度迄は２０
〜１００ ｋｇ／−とし、１５３５℃で加圧を始め、１
８００℃の温度で２０００ ｋｇ ／ ｄとなるように
した。そして１８００℃、 ２０００ ｋｇ ／ ｃｄ
のＨＩＰ処理条件を１時間保持した。
このように窒化ホウ素と高軟化Ｓｉｎｇをカプセル材と
して得られた炭化ケイ素と炭化ホウ素との接合材におい
て、炭化ホウ素の体積抵抗率がｏ、１〜１Ω・備であり
、炭化ケイ素の熱伝導率は１６０ｗ ／ 情、 ｋ以上
と良好であり、すぐれたヒーター材として使用できる。
して得られた炭化ケイ素と炭化ホウ素との接合材におい
て、炭化ホウ素の体積抵抗率がｏ、１〜１Ω・備であり
、炭化ケイ素の熱伝導率は１６０ｗ ／ 情、 ｋ以上
と良好であり、すぐれたヒーター材として使用できる。
実施例２
実施例１からなる脱脂後の試料の周囲にＢＮを前述のよ
うにアセトンでといでぬった。一方、軟化点が８２１’
Ｃのガラスを８３０℃の温度のＮ２ガス雰囲気中で溶融
再凝固させた。
うにアセトンでといでぬった。一方、軟化点が８２１’
Ｃのガラスを８３０℃の温度のＮ２ガス雰囲気中で溶融
再凝固させた。
次に軟化点が１５３０℃のガラスを１５３５℃の温度の
Ｎ２ガス雰囲気中で溶融再凝固させた。
Ｎ２ガス雰囲気中で溶融再凝固させた。
この時に使用したガラスはいずれも粉末の状態から熱処
理する。
理する。
試料をＢＮ及び低軟化点のＢ、Ｏ，系ガラスとその外側
の高軟化点のＳｉＯ□系ガラスで被覆された状態でＨＩ
Ｐ処理を行なった。
の高軟化点のＳｉＯ□系ガラスで被覆された状態でＨＩ
Ｐ処理を行なった。
このＨＩＰ処理は室温から８００℃の温度迄はＡｒガス
を２０〜１００ ｋｇ／ｃｉの圧力で、且つ４００℃／
時間の割合で昇温する。 １６００℃の温度で１６００
〜１７００ｋｇ ／ ｃｄまで１００℃／時間で昇温す
る。１６００℃の温度で１６００〜１７００ｋｇ／ｃｊ
迄加圧し、１８００℃の温度で２０００ｋｇ／−の＾ｒ
ガス圧となるようにする。炉冷のあと周囲のガラスをダ
イヤモンドカッターで切り出し、中の試料を取り出す。
を２０〜１００ ｋｇ／ｃｉの圧力で、且つ４００℃／
時間の割合で昇温する。 １６００℃の温度で１６００
〜１７００ｋｇ ／ ｃｄまで１００℃／時間で昇温す
る。１６００℃の温度で１６００〜１７００ｋｇ／ｃｊ
迄加圧し、１８００℃の温度で２０００ｋｇ／−の＾ｒ
ガス圧となるようにする。炉冷のあと周囲のガラスをダ
イヤモンドカッターで切り出し、中の試料を取り出す。
ＢＮ、低軟化点の８２０．系ガラス及び高軟化点の５ｉ
Ｃｈ系ガラスをカプセル材として用いたＨＩＰ処理では
被ＨＩＰ処理材の試料にひび割れも生ぜず、またカプセ
ル材にも亀裂が生じない。本実施例で用いた低軟化点の
ガラスの粘度は１０００〜１５００℃の温度で約１０″
〜１０’ボイズとなり、高軟化点のガラスの粘度は１０
００〜１５００℃で約ＩＯａ〜１０１０ポイズとなり、
１８００℃程度の温度での粘度が１０”〜１０Ｓポイズ
となる。
Ｃｈ系ガラスをカプセル材として用いたＨＩＰ処理では
被ＨＩＰ処理材の試料にひび割れも生ぜず、またカプセ
ル材にも亀裂が生じない。本実施例で用いた低軟化点の
ガラスの粘度は１０００〜１５００℃の温度で約１０″
〜１０’ボイズとなり、高軟化点のガラスの粘度は１０
００〜１５００℃で約ＩＯａ〜１０１０ポイズとなり、
１８００℃程度の温度での粘度が１０”〜１０Ｓポイズ
となる。
以上説明したように本発明によれば複雑形状の熱膨張率
の異なった二種類のセラミックを接合することが可能で
あり、しかも例えば１５００〜１６００℃等の高温での
ＨＩＰ処理が試料及びカプセル材に割れ等の欠陥を発生
させないで実施することができる。
の異なった二種類のセラミックを接合することが可能で
あり、しかも例えば１５００〜１６００℃等の高温での
ＨＩＰ処理が試料及びカプセル材に割れ等の欠陥を発生
させないで実施することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、カプセル法を用いた静水圧ホットプレス処理に使用
するカプセル材において、 該カプセル材が高軟化点のガラスを含有することを特徴
とする静水圧ホットプレス処理に使用するカプセル材。 ２、前記高軟化点のガラスの他に窒化ホウ素を被静水圧
ホットプレス処理材周囲にカプセル材とすることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のカプセル材。 ３、前記カプセル材が内側に低軟化点ガラス、外側に高
軟化点ガラスからなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のカプセル材。 ４、前記静水圧ホットプレス処理材が熱膨張率の異なる
２種類のセラミックスであり、該セラミックスが接合さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のカプ
セル材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056880A JPS62214953A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 静水圧ホツトプレス処理に使用するカプセル材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056880A JPS62214953A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 静水圧ホツトプレス処理に使用するカプセル材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62214953A true JPS62214953A (ja) | 1987-09-21 |
Family
ID=13039726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61056880A Pending JPS62214953A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 静水圧ホツトプレス処理に使用するカプセル材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62214953A (ja) |
-
1986
- 1986-03-17 JP JP61056880A patent/JPS62214953A/ja active Pending
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