JPS6222079A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS6222079A
JPS6222079A JP60161120A JP16112085A JPS6222079A JP S6222079 A JPS6222079 A JP S6222079A JP 60161120 A JP60161120 A JP 60161120A JP 16112085 A JP16112085 A JP 16112085A JP S6222079 A JPS6222079 A JP S6222079A
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JP
Japan
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test mode
input
terminals
signal
high voltage
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JP60161120A
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JPH0644032B2 (ja
Inventor
Yoshiki Kuwata
桑田 良樹
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Denso Corp
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NipponDenso Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、通常に設定されている入力端子に対して供
給される信号によって、ユーザの使用する通常モードと
共に、テストモードが設定制御できるようにする半導体
集積回路装置に関する。
[背景技術] 半導体集積回路装置を構成する1チツプに集積される回
路機能数は、非常に増加する傾向にあるものであるが、
これらの回路機能は、それぞれ設定されたテストパター
ンによってその回路動作状態を評価する必要がある。
このような集積回路装置の評価を実行するには、この集
積回路装置に対して特別に設定されるテストモード設定
指令を与え、設定されたテストパターンによって回路機
能の動作状態を確認するものである。
具体的には、この集積回路装置に対して特別にテストモ
ード用の入力端子を設定し、この特別の入力端子に対し
てテストモード設定指令を与えるようにしている。
しかしながら、集積回路装置にあっては上述したように
多数の回路機能が設定されているものであり、これら回
路機能にそれぞれ対応する状態で多数の入出力端子が存
在する。したがって、これに対してさらにテストモード
用の通常には使用されない端子を設定することは、この
集積回路装置の設計上で大きな問題となる。
このような点を考慮して、例えば特開昭55−1100
67号公報、特公昭59−28986号公報等に示され
るように、入力端子に対して例えば通常の電源電圧を越
える特別の電源電圧を印加設定し、この特別の電圧信号
によってテストモードを起動するようにすることが考え
られている。
しかしながら、このように高電圧信号によってテストモ
ードが設定することができたとしても、このような手段
によってテストモードが確実に設定されたか否かをテス
トすることができない。すなわち、上記テストモード設
定指令となる高電圧信号は、通常モードで使用される入
力端子から供給されるものどあるが、この高電圧信号を
供給する端子に関するテストは実行できないものである
[発明が解決しようとする問題点] この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、通常
モードで使用される入力端子を用いてテストモードの設
定指令が行われ、特別のテスト用端子を設定することな
く回路機能のテストが実行されるようにするものであ、
す、この場合上記テストモードの設定指令を行なった入
力端子のテストも効果的に実行されるようにした半導体
集積回路装置を提供しようとするものである。
[問題点を解決するための手段] すなわち、この発明に係る半導体集積回路装置は・例え
ば2組0入力端子に対してそれぞれ通常    「モー
ドで使用される電源電圧より高い電圧の入力を検出する
高電圧検出回路を接続設定し、上記入力端子の少なくと
も一方に高電圧が入力されたことを検出させるようにす
ると共に、この電圧検出回路の少なくとも一方の高電圧
入力検出信号によってテストモード設定指令が発生され
るようにする。そして、このとき上記高電圧の入力され
た端子以外の入力端子に対して、テスト用の入力信号が
供給されるようにするものである。
[作用] 上記のように構成される半導体集積回路装置にあっては
、上記高電圧検出回路の接続設定される入力端子の少な
くとも1つに対して、通常モードにおける電源電圧より
高い電圧信号を供給設定することによって、この半導体
集積回路装置のテストモードが起動されるようになる。
したがって、このテストモードの起動設定される状態で
は、上記高電圧信号を供給設定した端子以外の入力端子
のテストが実行されるようになるものであり、上記高電
圧を供給した入力端子のテストも、他の高電圧検出回路
の接続された入力端子に対して高電圧信号を供給するこ
とによって、実行されるようになる。
[発明の実施例] 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第1図はその構成を説明するもので、入力端子11aお
よびllbは、この半導体集積回路装置に設定されるも
のであり、それぞれ通常モードにおいて異なる外部との
接続端子として使用される。
すなわち、この入力端子11aおよびflbに対しては
、それぞれ入力信号AおよびBが供給されるようになる
ものであり、これら入力信号は、それぞれインバータ1
2aおよび12b 、さらに13aおよび13bを直列
に介してこの半導体集積回路の内部回路に駆動信号とし
て供給されるようになっている。
また、上記入力端子11aおよびllbに対しては、そ
れぞれ高電圧検出回路14aおよび14bが接続設定さ
れている。この高電圧検出回路L4aおよび14bは、
それぞれこの半導体集積回路装置の通常−モード動作時
の電源電圧を越える高電圧信号が、入力端子11aおよ
びllbに対して供給されたときにこれを検出するもの
であり、この高電圧検出回路14aおよび14bからの
高電圧検出信号は、ノア回路15に対して供給する。す
なわち、入力端子11aおよびllbの両方あるいはい
ずれか一方に、上記電源電圧を越える高電圧信号が供給
されると、上記ノア回路15の出力がローレベルとなり
、インバータ16を介してテストモード設定指令信号が
出力されるようになるものである。
すなわち、入力端子11aおよびllbの両方あるいは
一方に対して、この半導体集積回路装置の通常モードの
ときの電源電圧を越える電圧が供給設定されると、テス
トモード設定指令が発生されるようになるものであり、
このとき入力されるテストパターン等によって内部回路
機能のテストが実行されるようになる。
例えば、入力端子11bに対して高電圧信号が供給され
るようになると、高電圧検出回路14bから検出信号が
発生され、この検出信号がノア回路15およびインバー
ターBを介してテストモード設定指令信号として内部回
路に対して供給されるようになる。そして、このとき入
力端子11aに対してテストパターン等の入力信号が供
給設定さiるようにすると、この入力信号はインバータ
ー2aおよび13aを介して内部回路に対して供給され
るようになり、この入力端子11aのテストが実行され
るようになる。
すなわち、上記入力端子11aおよびllbは、テト端
子兼用の入力端子とな、るものであり、第2図はこのよ
うなテスト端子兼用の入力端子のテストモードにおける
動作の流れを示しモいる。まず、ステップ101および
102においては、高電圧検出回路14aおよび14b
の出力を監視して、入力端子11aおよびflbに対す
る入力信号電圧が高電圧信号であったか否かを判定する
。そして、入力端子Llaおよびllbの入力信号が両
方とも高電圧信号、「 あるいはその一方が高電圧信号であった場合には、ステ
ップ103に進み、テストモードを設定させる指令信号
を発生する。また、上記ステップ101および102で
、高電圧検出回路14aおよび14bからの出力信号に
よって、入力端子11aおよびllbに対する人力信号
が共に高電圧信号ではないと判定された場合にはステッ
プ104に進み、通常モードが設定されるようにする。
そして、上記ステップ103でテストモードが設定指令
される状態となったならば、次のステップ105で高電
圧検出回路14aおよび14bの検出信号に基づいて、
入力端子11aおよびllbのいずれに高電圧信号が入
力されたかを判定する。このステップ105で、入力端
子11aに対する信号Aが高電圧信号であると判定され
たならばステップ106に進み、また入力端子11bに
対する信号Bが高電圧信号であると判定されたならばス
テップ107進゛む。
そして、このステップ10Bおよび107においては、
それぞれ入力端子tibおよびllaをテストモードに
設定するものであり、このテストモードに設定された入
力端子に供給される入力信号によって、その入力端子の
テストが実行されるようになるものである。
すなわち、例えば入力端子11aに対してテストモード
を起動するための高電圧信号を供給設定した場合には、
他の入力端子11bに対しては、上記テストモード指令
以外の電圧信号を設定することが可能となるものであり
、この入力端子11bに入力された信号はインバータ1
2bおよび13bを介して内部への入力信号として使用
されるようになる。
したがって、この入力端子11bのテストが可能となる
。同様に、入力端子11bに対して高電圧信号を供給し
た場合には、入力端子11bのテストが可能となるもの
である。
上記実施例では、テストモードを起動するために、通常
モードで使用される電圧を越える高電圧信号を利用して
いるものであるが、これは通常使用される負電圧を越え
て低い負電圧信号を供給するようにしてもよいものであ
り、この場合には高電圧検出回路14aおよび14bの
代わりに、それぞれ負電圧検出回路を用いるようにすれ
ばよい。要するに、この集積回路装置で通常に使用され
る電源電圧とは異なる電圧の信号をテストモード起動用
として使用すればよいものであり、高電圧検出回路14
a 、 14bの代わりにこの特定される電圧信号を検
出する回路を用い、この検出回路の検出信号によってテ
ストモード指令信号が発生されるようにすればよいもの
である。
[発明の効果] 以上のようにこの発明に係る半導体集積回路装置にあっ
ては、通常に使用されている入力端子がテストモード起
動用に兼用されるようになるものであり、特にテストモ
ード設定用の端子を設定する必要がなく、端子数の軽減
に効果的である。しかも、このテストモード起動用の信
号の供給される端子も、それ自体の機能テストが可能と
されるものであり、この集積回路装置の検査が効果的に
実現されるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係る半導体集積回路の特
に入力端子に関連する部分を説明する回路構成図、第2
図は上記実施例におけるテストモード設定状態を説明す
るフローチャートである。 11a 5llb−・・入力端子、12a 、 12b
 、 13a 。 13b 、 1B・・・インバー夕、14a 、 14
b・・・高電圧検出回路、15・・・ノア回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦「

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  複数の入力端子の中の少なくとも2組の入力端子に対
    してそれぞれ接続するように構成され、通常モードで使
    用される電圧範囲より外れた特定される電圧を検出する
    、少なくとも2組の電圧検出回路と、 この複数の電圧検出回路の中の少なくとも1つの回路で
    の上記特定される電圧の入力検出で、テストモードの設
    定を指令する手段と、 この手段でテストモードが指令設定された状態で、上記
    特定される電圧の印加設定された入力端子以外の端子か
    らの入力信号に基づきテストモードを設定する手段と、 を具備したことを特徴とする半導体集積回路装置。
JP60161120A 1985-07-23 1985-07-23 半導体集積回路装置 Expired - Lifetime JPH0644032B2 (ja)

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JPH0644032B2 JPH0644032B2 (ja) 1994-06-08

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01161175A (ja) * 1987-12-17 1989-06-23 Fujitsu Ten Ltd 集積回路の検査方法
US6492721B1 (en) 1998-06-11 2002-12-10 Nec Corporation High-voltage signal detecting circuit
US6525967B1 (en) 1995-02-10 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Fast-sensing amplifier for flash memory
US6578124B1 (en) 1995-02-10 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Serial command port method, circuit, and system including main and command clock generators to filter signals of less than a predetermined duration
JP2016039384A (ja) * 2014-08-05 2016-03-22 株式会社デンソー 半導体スイッチング素子の駆動回路及び半導体スイッチング素子モジュール

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01161175A (ja) * 1987-12-17 1989-06-23 Fujitsu Ten Ltd 集積回路の検査方法
US6525967B1 (en) 1995-02-10 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Fast-sensing amplifier for flash memory
US6578124B1 (en) 1995-02-10 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Serial command port method, circuit, and system including main and command clock generators to filter signals of less than a predetermined duration
US6581146B1 (en) 1995-02-10 2003-06-17 Micron Technology, Inc. Serial command port method, circuit, and system including main and command clock generators to filter signals of less than a predetermined duration
US6744673B2 (en) 1995-02-10 2004-06-01 Micron Technology, Inc. Feedback biasing integrated circuit
US6914822B2 (en) 1995-02-10 2005-07-05 Micron Technology Inc. Read-biasing and amplifying system
US6996010B2 (en) 1995-02-10 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Fast-sensing amplifier for flash memory
US6492721B1 (en) 1998-06-11 2002-12-10 Nec Corporation High-voltage signal detecting circuit
JP2016039384A (ja) * 2014-08-05 2016-03-22 株式会社デンソー 半導体スイッチング素子の駆動回路及び半導体スイッチング素子モジュール

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