JPS62223227A - ジニトリルとジアミン又はアミノニトリルからのポリアミドの製造方法 - Google Patents

ジニトリルとジアミン又はアミノニトリルからのポリアミドの製造方法

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JPS62223227A
JPS62223227A JP2487687A JP2487687A JPS62223227A JP S62223227 A JPS62223227 A JP S62223227A JP 2487687 A JP2487687 A JP 2487687A JP 2487687 A JP2487687 A JP 2487687A JP S62223227 A JPS62223227 A JP S62223227A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、ルテニウム化合物などを触媒としてジニト
リルとジアミンより、又はアミノニトリルより直接ポリ
アミドを製造する方法に関する。
(従来の技術) 従来、アミドをニトリルとアミンから合成する場合には
、ニトリルを加水分解してカルボン酸に変え、次いでア
ミンと縮合させてアミドを得る方法が行われている。し
かしながらジニトリルとジアミンより、又はアミノニト
リルより直接ポリアミドを製造する方法は知られていな
い。
(発明が解決しようとする問題点) 更に、上記のような従来の製造方法を工業的に実施する
場合、工程数、各段生成物の分離、副生成物による汚染
防止などのための装置、コストなどの種々の問題がある
。
(問題点を解決するための手段) この発明は、従来の方法と異なり、ジニトリルとジアミ
ンから又はアミノニトリルから直接ポリアミドを合成し
、工程を短縮する方法を提供し、これにより反応時間の
短縮、装置のコンパクト化及びクリーンな操作を実現す
ることを目的とするものである。
本発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意研究を
重ねた結果、意外にもルテニウム化合物を初めとする一
群の触媒によってこの目的に適合することを確かめ、次
の二つの発明を達成するに至った。
すなわち、第一の発明は、ルテニウム化合物、ロジウム
化合物、オスミウム化合物、ニッケル化合物、モリブデ
ン化合物及び銅化合物よりなる群の中から選ばれた少な
くとも一つの化合物触媒の存在下で、一般式 %式%) (式中、R4は二価の飽和若しくはヘテロ原子を芳香族
基、ヘテロ環残基若しくはヘテロ原子を含む置換基を有
する脂肪族炭化水素残基、芳香族炭化水素残基、ヘテロ
環残基、 水素残基、芳香族炭化水素残基、ヘテロ環残基、又は芳
香族基、二価の脂肪族炭化水素部よりなる基を示す。) りなる基を示す。) で表されるジニトリルの少なくとも1種と、一般式 %式%) (式中、R%及びH’rは、それぞれ−価の、同−又は
異なる水素原子、飽和若しくはヘテロ原子を芳香族基を
有する脂肪族炭化水素残基、芳香族炭化水素残基、ヘテ
ロ環残基、 素残基、芳香族炭化水素残基、ヘテロ環残基、又は芳香
族基、ヘテロ環残基を有する、若しくはヘテロ原子を含
む置換基を存する脂肪族炭化水素残基を示し、R6は、
二価の飽和若しくはヘテロ原子を芳香族基、ヘテロ環残
基若しくはヘテロ原子を含む置換基で置換した基、 若しくはヘテロ原子を含む置換基で置換した基、脂環式
炭化水素残基、芳香族炭化水素残基、ヘテロ環残基、又
は芳香族基、二価の脂肪族炭化水素部よりなる基を示す
。)で表されるジアミンの少なくとも1種と、水とを加 熱反応させてポリアミドを生成させるジニトリルとジア
ミンからのポリアミドの製造方法である。
更に、第二の発明は、ルテニウム化合物、ロジウム化合
物、オスミウム化合物、ニッケル化合物、モリブデン化
合物及び銅化合物よりなる群の中から選ばれた少なくと
も一つの化合物触媒の存在下で、一般式 %式% (式中、R5は、−価の水素原子、飽和若しくはヘテロ
原子を芳香族基で置換した基、 水素残基の水素原子を芳香族基で置換した基、脂環式炭
化水素残基、芳香族炭化水素残基、ヘテロ環残基、又は
芳香族基、ヘテロ環残基を有する、若しくはヘテロ原子
を含む置換基を有する脂肪族炭化水素残基を示し、R6
は、二価の飽和若しくはヘテロ原子を芳香族基、 記脂肪族炭化水素残基の水素原子を芳香族基、ヘテロ環
残基若しくはヘテロ原子を含む置換基を有する脂肪族炭
化水素残基、芳香族炭化水素残基、ヘテロ環残基、又は
芳香族基、二価の脂肪族炭化水素部よりなる基を示す。
)で表されるアミノニトリルの少なくとも1種と、で表
されるアミノニトリルの少なくとも1種と、水とを加熱
反応させてポリアミドを生成させるアミノニトリルから
のポリアミドの製造方法である。
第一の発明において、ジニトリルとしては、NC(C1
lz) 1lCN (n = 1〜20 )が好ましく
、ジアミンとしてはIIN(R’)  (CIlz)−
NIIR’ (m = 1〜20)が好ましく、これら
からポリアミド(R5及びR7は前述したとおりである
。)第二の発明において、アミノニトリルとしては、N
C(C1lz)−NIIR5(m ”’ 1 、 2 
、 3及び5〜20)が好ましく、これからポリアミド
(−CIl□)m NR’C−)。
が得られる。(R5は前述したとおりである。)第一、
第二の発明において、それぞれジニトリル及び/又はジ
アミンを2種以上、アミノニトリルを2種以上用いても
よく、その場合はコポリアミドが得られる。また、それ
ぞれの場合に、それぞれ3官能以上のニトリル及び/又
はアミン、又はアミノニトリルを全体でほぼ化学量論的
な割合となるように加えることも、得られるポリアミド
の特性を改善するため必要があれば、実施することがで
きる。
前記二つの発明において用いられる触媒は、ルテニウム
、ロジウム、オスミウム、ニッケル、モリブデン及び銅
の化合物、例えばこれらの金属の錯化合物、カルボニル
化合物、ハロゲン化物、酸化物などが上げられ、その中
でも活性の高い点でルテニウムの錯化合物、Mo (C
o) bが好ましく、特にRu1lz (PPh*) 
4 、Ru1lz (Co) (PPhz) 3などが
好ましい。(1)hはフェニル基を示す。) これらの触媒は2種以上混合して用いることもできるし
、さらに必要であれば、適当な助触媒、例えば金属水酸
化物のような助触媒を用いてもかまわない。
これらの触媒の添加量は、反応系に触媒量存在するだけ
でじゅうぶんであり、例えば原料のジニトリル又はアミ
ノニトリルに対して約0.1〜101II02%が好適
であるが、これより少なくても、また多くても反応は可
能である。
これらの発明において、反応は不活性ガス中で行うのが
好ましい。反応は、ジアミン、ジニトリル(又はアミノ
ニトリル)、水に触媒を添加するだけでも容易に直行す
るが、適当な溶媒、例えば、ジメトキシエタン、アセト
ン、テトラヒド口フランなどの存在下に行う方が好まし
い。反応温度に特別な上限はないが、250°C以下で
行うことが好ましい。反応圧力は常圧でよいが、必要な
らば加圧下でもよい。水はニトリル基に対し1当量が必
要であるが、過剰に用いてもよく、1〜3当量の範囲内
であることが好ましい。
(実施例) 次に、実施例により、この発明を具体的に説明する。
ユ新1」1 ナイロン6.6の合成 301I11の容量の試験管に磁気撹拌子を入れ、アル
ゴンで置換した。これにアジポニトリル(0゜216g
)、ヘキサメチレンジアミン(0,232g ) 、R
uHz(PPhi)4(0,069g ) 、水(0,
072g)、ジメトキシエタン(0,5mjりを加え封
管した。この溶液をかきまぜながら封管中、アルゴン下
、160°Cで24時間反応させた。反応後、封管を一
78°Cに冷却してあけ、沈殿物をろ過し、クロロホル
ムで洗い、乾燥した。ナイロン6.6が92%の収率で
得られた。末端アミノ基をp −トルエンスルホン酸で
チモールブルーを指示薬として定量することにより計算
した数平均分子量は4100であった。このナイロン6
.6の確認は、次の通り行った。
IRスペクトル(KBr)  : 3230 (N−I
I 、 m )。
2910 (C−H,s)、2840 (s)、163
0(C=O,s)、1530 (N−H,s)、122
5(り及び740 (w) cm−’。
’HNMRスペクトル(llcOzll 、  60 
Mllz) :δ0.93〜1.85 (m、 121
1.  Cl1g  ) 、  1.95〜2.60 
(m 、  411 、  COCIIg  ) 、 
 2.82〜3.43 (m、411.  N  CH
z  )及び8.45 (br、  s。
211、−N11)。
災施拠主 分子量の高いナイロン6.6の合成 アジポニトリル(0,216g)、ヘキサメチレンジア
ミン(0,232g ) 、RuHz(PPhs)4(
0,069g) 、水(0,072g)、ジメトキシエ
タン(0,5mff1)を封管中、アルゴン下200°
Cで24時間反応させ、た。反応後、沈殿物をろ過し、
クロロホルムで洗い乾燥した。255°Cより高い融点
を存するナイロン6.6が98%収率で得られた。
そのIRスペクトル及びIHNMRスペクトルは、実施
例1のものと同様であった。末端アミノ基をp−)ルエ
ンスルホン酸でチモールブルーを指示薬として定量する
ことにより計算した数平均分子量は8900であった。
(クレゾールに溶解) 実音班主 ナイロン2.6の合成 アジポニトリル(0,216g)、エチレンジアミン(
0,120g) 、RuHz(PPh3)4(0,06
9g)、水(0,072g)、ジメトキシエタン(0,
5mjりを封管中、実施例1と同じ条件下で反応させた
。
反応後、沈殿物をろ過し、クロロホルムで洗い、乾燥し
た。ナイlコン2,6が99%収率で得られた。
末端アミノ基を実施例1と同様な方法で計算した数平均
分子量は3700であった。
IRスペクトル(にBr)  : 3350 (N−t
l 、 s )。
3170 (N−H,5)2950 (C−H,s)。
1645  (C=0.s)、1545  (N−1t
、m)。
1330 (m)、1120(m)及び800 (m)
 c+++−’。
IHNMRスペクトJl/ (IICO2+1 、 6
0MIIz ) :δ1.03〜1.96  (m+ 
4 II 、  CI+2  ) 、  1.96〜2
.6B  (m 、 4 H、C0C1h  ) 、 
 3.05〜3゜95(m、411.  N  CHz
  )及び(1,22(br。
s、  2 H、−Nil)。
ス新1i1− ナイロン3の合成 3−アミノブロピオノニトリル(0,282g)、水(
0,145g) 、RuHz(PPhs)4(0,06
9g)、ジメトキシエタン(0,5mj2)を封管中、
アルゴン下200 ’Cで24時間反応させた。反応後
、沈殿物をろ過し、クロロホルムで洗い、乾燥した。
ナイロン3が98%収率で得られた。末端アミン基を実
施例1と同様の方法で計算した数平均分子量は1600
であった。
tr+スペクトル(KBr):3290 (N−If、
s)。
2940 (C−It、w)、1640 (C=O,s
 )。
1545  (N−II、s  )、  1435  
 (m)。
1115 (m)及び695 (m)cm−’。
’HNMRスペクトル(llcOzll 、  60M
IIz )  :δ1.78〜2.98  (m 、 
 2 II 、  −COCII□−)。
3.05〜4.14 (m、 211.  N  Cl
h  )及び7.5 6   (br、   s、  
 I  II  、   −NH)  。
次1111 ナイロン12の合成 12−アミノドデカンニトリル(0,393g)、水(
0,072g) 、Ru1lz(PPhz)s(0,0
69g)、ジメトキシエタン(0,5ni!、)を封管
中、アルゴン下実施例1と同様な条件で反応させた。反
応後、沈殿物をろ過し、クロロホルムで洗い、乾燥した
。
ナイロン12が99%の収率で得られた。実施例1と同
様な方法で計算した数平均分子量は5000であった。
IRスペクトル(KBr): 3290 (N−II 
、 s )。
2940 (C−II、w )1640 (C=O,s
 )。
1545 (N−II、s )、1435 (m)、1
115(m)及び695 (m)cl’。
’HNMRスペクトル(llco2+1.60 Mll
z )  :C0,93〜1.85  (m、  18
11.−C1l□−)、1.95〜2.60  (m、
  2 II、   C0C1h  ) 、  2.8
2〜3.43(m、 211 、  N  C)Iz 
 )及び8.45 (br、s、 211゜−Ntl)
  。
ス新[ ナイロン6Tの合成 テレフタロニトリル(0,256g)、ヘキサメチレン
ジアミン(0,232g ) 、RuHz(PPh3)
4(0,069g)、水(0,074g)、ジメトキシ
エタン(0,5a/りを封管中、アルゴン下180°C
で24時間反応させた0反応後、沈殿物をろ過し、クロ
ロホルムで洗い、乾燥した。265℃の分解温度を有す
るポリへキサメチレンテレフタルアミドが98%の収率
で得られた。実施例1と同様の方法で計算した数平均分
子量は1200であった。
IRスペクトル(KBr) : 3160 (N−It
 、 s ) 。
3070 (C−It 、 m )、  2920 (
C−II 、 s )。
2860 (C−If、m)、1620 (C=O,s
)。
1535  (N−If、m)、  1410   (
m)。
1285 (+a)及び860 (m) cm−’。
’HNMRスペクトル(IICOzll、 60MII
z )  :C0,71〜2.34  (m、  8 
II、   C1h  ) 、  2.90〜3.76
  (m、  411.   NCl1z)、  6.
21  (br、  s、  211゜N13)及び7
.00〜7.54 (m、 4 II、^r11)。
次1I11 ポリ−p−シクロヘキサンアジボアミドの合成アジポニ
トリル(0,216g)、1.4−シクロヘキサンジア
ミン(0,228g ) 、Ru1lz(PPhs)4
(0,069g)、水(0,074g)、ジメトキシエ
タン(0,5nfりを封管中、アルゴン下180°Cで
24時間反応させた。反応後、沈殿物をろ過し、クロロ
ホルムで洗い、乾燥した。208°Cの分解温度を有す
るポリアミドが98%の収率で得られた。実施例1と同
様の方法で計算した数平均分子量は1000であった。
IRスペクトル(Kllr)  : 3180 (N−
If 、 s ) 。
2925 (C−It、s )、2860 (C−If
、m)。
1630 (C=0.s )、1540 (N−1t、
s)。
1410 (m)、1115 (n+)及び745  
(m) cm−’。
’HNMRスペクトル(llcOzll、 60 Ml
lz) :C0,84〜1.97  (n+  168
) 、  2.70〜3.27  (m 。
211、  NCHz  )及び6.76 (br、s
、 2 II、 Ntl )。
ス1超引亀 ポリピペラジンアジボアミドの合成 アジポニトリル(0,216g)、ピペラジン(0,1
72g) 、Ru1lz(r’Ph5)4(0,069
g)、水(0,077g)、ジメトキシエタン(0,5
miりを封管中、アルゴン下180°Cで24時間反応
させた。反応後、沈殿物をろ過し、クロロホルムで洗い
、乾燥した。230°Cで分解するポリアミドが98%
の収率で得られた。実施例1と同様の方法で計算した数
平均分子量は2200であった。
IRスペクトル(KIlr) : 2930 (C−I
I、 s) 。
2870 (C−H,s)  1635 (C=0. 
s) 。
1435 (s)、1250 (m)、1205 (m
)及び1015 (m)cm−’。
’HNMRスペクトル(llcOzll、  60 M
llz )  :C0,72〜1.46 (mt 4 
II、  C11z  ) 、  1.52〜2.37
 (m 、 4 If、  C112CO)及び2.7
0〜3.69  (m 、  8 It、  NCI+
2  )。
ス五〇1± ポリへキサメチレン−p−フェニレンジアセトアミドの
合成 1.4−フェニレンジアセトニトリル(0,312gL
ヘキサメチレンジアミン(0,232g)、Ru1lz
(PPhi)n(0,069g ) 、水(0,074
g)、ジメトキシエタン(0,5mj2)を封管中、ア
ルゴン下180°Cで24時間反応させた。反応後、沈
殿物をろ過し、クロロホルムで洗い、乾燥した。
300°Cでも溶融しないポリアミドが93%の収率で
得られた。実施例1と同様の方法で計算した数平均分子
量は14000であった。
IRスペクトル(KRr):3250 (N−11,m
)。
2920 (C−It、s )、2850 (CH,m
 )。
1630 (C=0.s )、1530 (N−11,
m )。
1425(m)及び740 (m)cm−’。
(発明の効果) 前記実施例から明らかなように、この発明は、ルテニウ
ム化合物などの金属化合物を触媒とすることにより、ジ
ニトリル、ジアミン、水より又はアミノニトリル、水よ
り直接ポリアミドを効果的に製造することを可能とする
ものであり、これにより従来の2段法の合成に比べて、
工程を1段にし、反応時間の短縮、装置のコンパクト化
及びクリーンな操業を実現しえた。特に、反応が中性条
件で行われること、水を微少しか用いないのでエネルギ
ー的にもを利であることはこの発明の利点である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ルテニウム化合物、ロジウム化合物、オスミウム化
    合物、ニッケル化合物、モリブデン化合物及び銅化合物
    よりなる群の中から選ばれた少なくとも一つの化合物触
    媒の存在下で、一般式 R^4(CN)_2 (式中、R^4は二価の飽和若しくは不飽和の脂肪族炭
    化水素残基、前記脂肪族炭化水素 残基の水素原子を芳香族基、ヘテロ環残基 若しくはヘテロ原子を含む置換基で置換し た基、脂環式炭化水素残基、芳香族炭化水 素残基、ヘテロ環残基、又は芳香族基、ヘ テロ環残基若しくはヘテロ原子を介して結 合した二つの脂肪族炭化水素部よりなる基 を示す。) で表されるジニトリルの少なくとも1種と、一般式 HN(R^5)−R^6−(R^7)NH (式中、R^5及びR^7は、それぞれ一価の、同一又
    は異なる水素原子、飽和若しくは不飽 和の脂肪族炭化水素残基、前記脂肪族炭化 水素残基の水素原子を芳香族基で置換した 基、脂環式炭化水素残基、芳香族炭化水素 残基、ヘテロ環残基、又は置換基としてヘ テロ環残基を有する、若しくはヘテロ原子 を含む置換基を有する脂肪族炭化水素残基 を示し、R^6は、二価の飽和若しくは不飽和の脂肪族
    炭化水素残基、前記脂肪族炭化水 素残基の水素原子を芳香族基、ヘテロ環残 基若しくはヘテロ原子を含む置換基で置換 した基、脂環式炭化水素残基、芳香族炭化 水素残基、ヘテロ環残基、又は芳香族基、 ヘテロ環残基若しくはヘテロ原子を介して 結合した二つの脂肪族炭化水素部よりなる 基を示す。) で表されるジアミンの少なくとも1種と、水とを加熱反
    応させてポリアミドを生成させることを特徴とするジニ
    トリルとジアミンからのポリアミドの製造方法。 2、ルテニウム化合物、ロジウム化合物、オスミウム化
    合物、ニッケル化合物、モリブデン化合物及び銅化合物
    よりなる群の中から選ばれた少なくとも一つの化合物触
    媒の存在下で、一般式 HN(R^5)−R^6−CN (式中、R^5は、一価の水素原子、飽和若しくは不飽
    和の脂肪族炭化水素残基、前記脂 肪族炭化水素残基の水素原子を芳香族基で 置換した基、脂環式炭化水素残基、芳香族 炭化水素残基、ヘテロ環残基、又は置換基 としてヘテロ環残基を有する、若しくはヘ テロ原子を含む置換基を有する脂肪族炭化 水素残基を示し、R^6は、二価の飽和若しくは不飽和
    の脂肪族炭化水素残基、前記脂肪 族炭化水素残基の水素原子を芳香族基、ヘ テロ環残基若しくはヘテロ原子を含む置換 基で置換した基、脂環式炭化水素残基、芳 香族炭化水素残基、ヘテロ環残基、叉は芳 香族基、ヘテロ環残基若しくはヘテロ原子 を介して結合した二つの脂肪族炭化水素部 よりなる基を示す。) で表されるアミノニトリルの少なくとも1種と、水とを
    加熱反応させてポリアミドを生成させることを特徴とす
    るアミノニトリルからのポリアミドの製造方法。
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