JPS62224930A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
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- JPS62224930A JPS62224930A JP61069305A JP6930586A JPS62224930A JP S62224930 A JPS62224930 A JP S62224930A JP 61069305 A JP61069305 A JP 61069305A JP 6930586 A JP6930586 A JP 6930586A JP S62224930 A JPS62224930 A JP S62224930A
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- JP
- Japan
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- reticle
- pattern
- patterns
- screening
- shielding part
- Prior art date
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- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レティクル上に形成されたパターンを縮小し
て、フォトマスクブランクやシリコンウェハ等の半導体
素子製造用の被転写板に転写さゼる縮小投影露光装置に
関し、特に、複数のパターンを設けたレティクルを用い
て転写する装置に関する。
て、フォトマスクブランクやシリコンウェハ等の半導体
素子製造用の被転写板に転写さゼる縮小投影露光装置に
関し、特に、複数のパターンを設けたレティクルを用い
て転写する装置に関する。
従来、この種の装置としては、第4図に示すものがあっ
た。すなわち、ガラス基板上にクロム膜等の遮光性膜を
被着したフォトマスクブランクを、レジスト膜を媒体と
して、電子ビーム露光装置又は光学的パターンジェネレ
ータを用いて、後記するフォトマスクの所望するパター
ン寸法の5倍〜10倍の大きさを有し、所望するパター
ンと同一形状のレティクルパターン潜像を露光し、現像
し、遮光性膜をエツチングして形成した、図の「1」。
た。すなわち、ガラス基板上にクロム膜等の遮光性膜を
被着したフォトマスクブランクを、レジスト膜を媒体と
して、電子ビーム露光装置又は光学的パターンジェネレ
ータを用いて、後記するフォトマスクの所望するパター
ン寸法の5倍〜10倍の大きさを有し、所望するパター
ンと同一形状のレティクルパターン潜像を露光し、現像
し、遮光性膜をエツチングして形成した、図の「1」。
r2J、r3J、r4Jで示す異なる4種類のしティク
ルパターン11.12.13.14を右するレディクル
1を載置づるレティクル載置台2ど、レティクルパター
ン11〜14の内、転写される一つのパターン(例えば
レティクルパターン11゛)以外を遮蔽する、4枚の可
動プレー1−31.32.33.34からイTる遮蔽部
3と、この遮蔽部3の可動プレート31〜34の移動に
よって形成された空間35を通ったレティクルパターン
を縮小するための縮小光学系4と、縮小されたレティク
ルパターンが所望するパターンとして形成されるための
遮光性膜がクロム膜であるレジスト付フォトマスクブラ
ンクの被転写板5を支持する被転写板支持台6とを具備
した縮小投影露光装置であった。
ルパターン11.12.13.14を右するレディクル
1を載置づるレティクル載置台2ど、レティクルパター
ン11〜14の内、転写される一つのパターン(例えば
レティクルパターン11゛)以外を遮蔽する、4枚の可
動プレー1−31.32.33.34からイTる遮蔽部
3と、この遮蔽部3の可動プレート31〜34の移動に
よって形成された空間35を通ったレティクルパターン
を縮小するための縮小光学系4と、縮小されたレティク
ルパターンが所望するパターンとして形成されるための
遮光性膜がクロム膜であるレジスト付フォトマスクブラ
ンクの被転写板5を支持する被転写板支持台6とを具備
した縮小投影露光装置であった。
この装置によって、レティクルパターンを被転写板5へ
縮小投影露光覆る方法を述べる。
縮小投影露光覆る方法を述べる。
先ず、遮蔽部3の可動プレート32と33をそれぞれ、
第5図のように、レティクル1の右半分と下半分を遮蔽
するようにY方向及びX方向に移動、すなわち、レティ
クルパターン12〜14を遮蔽する位置に移動する。次
に、第4図に示すようにレティクル1の上方から紫外光
7を照射する。レティクルパターン12〜14は遮蔽さ
れていることがら、この照射によりレティクルパターン
11のみが、第5図に示したように、移動した可動プレ
ート31〜34により形成した空間36を通り、縮小光
学系4により縮小され、レジスト付フォトマスクブラン
ク5上に露光される。次に、レティクルパターン12〜
14のそれぞれに対応して可動プレート31〜34を移
動し、レジスト付フォトマスクブランク5上に縮小露光
する。なお、このとぎ、互いに縮小されて転写されたレ
ティクルパターンが重ならないように、被転写板支持台
6をX方向及びY方向に移動する。次に、レジスト付フ
ォトマスクブランク5のレジストを現像し、クロム膜を
エツチングし、レティクルパターン11〜14ど同形状
の所望のパターンを形成し、フォトマスクを製作した。
第5図のように、レティクル1の右半分と下半分を遮蔽
するようにY方向及びX方向に移動、すなわち、レティ
クルパターン12〜14を遮蔽する位置に移動する。次
に、第4図に示すようにレティクル1の上方から紫外光
7を照射する。レティクルパターン12〜14は遮蔽さ
れていることがら、この照射によりレティクルパターン
11のみが、第5図に示したように、移動した可動プレ
ート31〜34により形成した空間36を通り、縮小光
学系4により縮小され、レジスト付フォトマスクブラン
ク5上に露光される。次に、レティクルパターン12〜
14のそれぞれに対応して可動プレート31〜34を移
動し、レジスト付フォトマスクブランク5上に縮小露光
する。なお、このとぎ、互いに縮小されて転写されたレ
ティクルパターンが重ならないように、被転写板支持台
6をX方向及びY方向に移動する。次に、レジスト付フ
ォトマスクブランク5のレジストを現像し、クロム膜を
エツチングし、レティクルパターン11〜14ど同形状
の所望のパターンを形成し、フォトマスクを製作した。
しかしながら、従来の装置では、4枚の可動プレートの
移動により、レティクルパターンの一つを転写している
ことから、それぞれの可動プレートについて、移動制m
機構を必要とし、かつこの4枚の可動プレート全てを正
確に操作する必要がある。したがって装置の機構を複雑
にし、かつ一枚の可動プレートの誤動作により、被転写
板を不良にしてしまう問題点があった。
移動により、レティクルパターンの一つを転写している
ことから、それぞれの可動プレートについて、移動制m
機構を必要とし、かつこの4枚の可動プレート全てを正
確に操作する必要がある。したがって装置の機構を複雑
にし、かつ一枚の可動プレートの誤動作により、被転写
板を不良にしてしまう問題点があった。
〔問題点を解決するだめの手段)
本発明は、前述した問題点を除去すべくなされたもので
、その特徴は、露光光を発生する光源と、対向する二主
表面を有し、前記主表面の一方に複数のパターンを右す
るレティクルを載置するレティクル載置台と、前記レテ
ィクルの一方の主表面側に、前記露光光を通し前記パタ
ーンの一つを転写するための貫通孔を有する遮蔽部を備
えたパターン選択機能部ど、前記パターンを縮小する縮
小光学系と、縮小されたパターンが転写される被転写板
を支持する被転写板支持台とを具備し7jことを特徴と
する縮小投影露光装置である。
、その特徴は、露光光を発生する光源と、対向する二主
表面を有し、前記主表面の一方に複数のパターンを右す
るレティクルを載置するレティクル載置台と、前記レテ
ィクルの一方の主表面側に、前記露光光を通し前記パタ
ーンの一つを転写するための貫通孔を有する遮蔽部を備
えたパターン選択機能部ど、前記パターンを縮小する縮
小光学系と、縮小されたパターンが転写される被転写板
を支持する被転写板支持台とを具備し7jことを特徴と
する縮小投影露光装置である。
そして、本発明の実施態様は、遮蔽部の貫通孔が一つで
あること、またはレティクルの複数のパターンが、円周
状又は多角形状に配列されていることである。
あること、またはレティクルの複数のパターンが、円周
状又は多角形状に配列されていることである。
本発明の縮小投影露光装置の一実施例を第1図及び第2
図に基づいて詳細に説明する。なお、第1図(a) 、
(b)及び(C)は、それぞれ本例の要部を示1分解
斜視図、平面図及び同図(b)のX+−×11断面図で
あり、第2図は、本例の概略構成図である。
図に基づいて詳細に説明する。なお、第1図(a) 、
(b)及び(C)は、それぞれ本例の要部を示1分解
斜視図、平面図及び同図(b)のX+−×11断面図で
あり、第2図は、本例の概略構成図である。
先ず、本例は、第2図に示1とおり、露光光である紫外
光を発生する光源8と、紫外光を後記するレティクル1
0側に向(プるためのコンデンサーレンズ9と、後記す
る互いに異なる複数のパターンを有するレティクル10
を内在させ、そのレティクル10のパターンを選択する
機能を有するパターン選択機能部20と、レティクル1
0を載置するレティクル載置台30と、レティクル10
のパターンを1710に縮小する縮小光学系40と、縮
小されたレティクルパターンが転写されるレジスト付フ
ォトマスクブランク50(なお、フォトマスクブランク
は、石英ガラス基板上にクロム膜を付着したものであり
、−〇 − レジストはポジ型のフ7t1−レジスト(例えば、ヘキ
スト社の^l−1350)である3、)を支持する、X
及びY方向に移動自在の被転写板支持台60とを具備し
たものである。
光を発生する光源8と、紫外光を後記するレティクル1
0側に向(プるためのコンデンサーレンズ9と、後記す
る互いに異なる複数のパターンを有するレティクル10
を内在させ、そのレティクル10のパターンを選択する
機能を有するパターン選択機能部20と、レティクル1
0を載置するレティクル載置台30と、レティクル10
のパターンを1710に縮小する縮小光学系40と、縮
小されたレティクルパターンが転写されるレジスト付フ
ォトマスクブランク50(なお、フォトマスクブランク
は、石英ガラス基板上にクロム膜を付着したものであり
、−〇 − レジストはポジ型のフ7t1−レジスト(例えば、ヘキ
スト社の^l−1350)である3、)を支持する、X
及びY方向に移動自在の被転写板支持台60とを具備し
たものである。
次に、第1図(a)に基づき、レティクル10、パター
ン選択機能部20及びレティクル載置台30について説
明する。
ン選択機能部20及びレティクル載置台30について説
明する。
レティクル10は、石英ガラス基板(5インチ×5イン
ヂx O,09インチ)の−十人面上に、図のMJ、r
2J、r3.1.r4J、r5J、r6J、「7」及び
「8」で示すクロム膜からなるレティクルパターン10
a、10b、10c、10d、10e。
ヂx O,09インチ)の−十人面上に、図のMJ、r
2J、r3.1.r4J、r5J、r6J、「7」及び
「8」で示すクロム膜からなるレティクルパターン10
a、10b、10c、10d、10e。
10f、10q及び10h (10mm角の範囲内の大
きさを有する。なお、これらは、数字の「1」〜「8」
のパターンを意味するものではなく、互いに異なる形状
であることを意味する一bのである。以下同様。)を一
点鎖線で示すように円周状(直径:60mm)に配列し
て設り、かつ一対のアライメン1−マーク10i及びI
OJをパターンの外側に設りたものである。次に、レテ
ィクル載置台30は、その中央に、前述したレティクル
パターン10a〜10hで形成される円周よりも大ぎい
寸法(100mm角)を有する断面正方形の貫通孔30
aが設けられているものであり、かつレティクル10を
真空吸着をするだめの穴(図示せず)が設Gノられてい
る。次に、パターン選択機能部20は、第11蔽部21
と第2遮蔽部22どからなる。第1遮蔽部21(材質:
表面を黒色にしたアルマイト)は、第2遮蔽部22側に
は、後記する第2遮蔽部22の貫通孔22bと、前述し
たレティクルパターン10a〜10hの一つとを実質的
に重なるように配置するために、レティクルパターン1
0a〜10hで形成された円周と同心状をなし、かつレ
ティクルパターンと同様の間隔で、8個の断面円状の貫
通孔21a 、 21b 、 21c 、 21d 、
21e 。
きさを有する。なお、これらは、数字の「1」〜「8」
のパターンを意味するものではなく、互いに異なる形状
であることを意味する一bのである。以下同様。)を一
点鎖線で示すように円周状(直径:60mm)に配列し
て設り、かつ一対のアライメン1−マーク10i及びI
OJをパターンの外側に設りたものである。次に、レテ
ィクル載置台30は、その中央に、前述したレティクル
パターン10a〜10hで形成される円周よりも大ぎい
寸法(100mm角)を有する断面正方形の貫通孔30
aが設けられているものであり、かつレティクル10を
真空吸着をするだめの穴(図示せず)が設Gノられてい
る。次に、パターン選択機能部20は、第11蔽部21
と第2遮蔽部22どからなる。第1遮蔽部21(材質:
表面を黒色にしたアルマイト)は、第2遮蔽部22側に
は、後記する第2遮蔽部22の貫通孔22bと、前述し
たレティクルパターン10a〜10hの一つとを実質的
に重なるように配置するために、レティクルパターン1
0a〜10hで形成された円周と同心状をなし、かつレ
ティクルパターンと同様の間隔で、8個の断面円状の貫
通孔21a 、 21b 、 21c 、 21d 、
21e 。
21f、 21g、 21h (直径:15IIIII
l)が一点鎖線で示すように円周状に設cノられてJ3
す、ざらに、後記覆る、第2遮蔽部22を回動自在に支
持するビン23を挿入するための穴211(直径:8I
IIIll)が形成されている。一方、レティクル10
側には、レティクル10に嵌合するための凹部21jが
形成されている。
l)が一点鎖線で示すように円周状に設cノられてJ3
す、ざらに、後記覆る、第2遮蔽部22を回動自在に支
持するビン23を挿入するための穴211(直径:8I
IIIll)が形成されている。一方、レティクル10
側には、レティクル10に嵌合するための凹部21jが
形成されている。
なお凹部21jの深さは、0.12インチであり、レテ
ィクルパターン10a〜10hに第1遮蔽部21が接し
ないようにしている。次に、第2遮蔽部22は、円板状
物(材質は第1遮蔽部21と同様で、その直径は6イン
チである。)からなり、その中心に第1遮蔽部21と同
様の穴22a(直径:3mm)が形成され、かつ第1遮
蔽部21に形成されている貫通孔21a〜21hど同じ
形状で同じ1法の一つの貫通孔22bが形成され、かつ
この貫通孔22bを穴22aを中心にして回転したとき
、一点鎖線で示すような軌跡を示し、貫通孔21a〜2
111と同一円周上となるように形成されている。さら
に、この第2i1!蔽部22の側周面には一つの凸部2
2cが設けられている。この凸部22cは、第2遮蔽部
22を回転さぜるためのものである。
ィクルパターン10a〜10hに第1遮蔽部21が接し
ないようにしている。次に、第2遮蔽部22は、円板状
物(材質は第1遮蔽部21と同様で、その直径は6イン
チである。)からなり、その中心に第1遮蔽部21と同
様の穴22a(直径:3mm)が形成され、かつ第1遮
蔽部21に形成されている貫通孔21a〜21hど同じ
形状で同じ1法の一つの貫通孔22bが形成され、かつ
この貫通孔22bを穴22aを中心にして回転したとき
、一点鎖線で示すような軌跡を示し、貫通孔21a〜2
111と同一円周上となるように形成されている。さら
に、この第2i1!蔽部22の側周面には一つの凸部2
2cが設けられている。この凸部22cは、第2遮蔽部
22を回転さぜるためのものである。
また、第1遮蔽部21と第2′11蔽部22とを一体に
するために、それぞれの穴21i及び22aに挿入する
ピン23(直径: 7.95 mm)も取り付りられ
る。
するために、それぞれの穴21i及び22aに挿入する
ピン23(直径: 7.95 mm)も取り付りられ
る。
したがって、第1遮蔽部21と第21蔽部22とを組み
合わせてパターン選択機能部20を構成し、レティクル
載置台30上のレティクル10にパターン選択機能部2
0を嵌合づると、レティクルパターン10a〜10h1
第1遮蔽部21の貫通孔21a〜21h及び第2遮蔽部
22の貫通孔22bは同一円周上に配列される。
合わせてパターン選択機能部20を構成し、レティクル
載置台30上のレティクル10にパターン選択機能部2
0を嵌合づると、レティクルパターン10a〜10h1
第1遮蔽部21の貫通孔21a〜21h及び第2遮蔽部
22の貫通孔22bは同一円周上に配列される。
次に、本例の縮小投影露光装置を用いて、8個のレティ
クルパターンを転写づる方法を述べる。
クルパターンを転写づる方法を述べる。
先ず、レティクル10をレティクル載置台30に真空吸
着し、パターン選択機能部20をレティクル10に嵌合
した後、第2遮蔽部22の凸部22cをもって回転し、
その貫通孔22bをレディクルパターン10a上にもっ
てくる(第1図(b) 、 (c))。そうすると、他
のレティクルパターン10b〜10hは、第21敲部2
2によって遮蔽され、レティクルパターン10aのとこ
ろのみが紫外光を通ずようになる。
着し、パターン選択機能部20をレティクル10に嵌合
した後、第2遮蔽部22の凸部22cをもって回転し、
その貫通孔22bをレディクルパターン10a上にもっ
てくる(第1図(b) 、 (c))。そうすると、他
のレティクルパターン10b〜10hは、第21敲部2
2によって遮蔽され、レティクルパターン10aのとこ
ろのみが紫外光を通ずようになる。
次に、光源8から発した紫外光7は、フンデンザーレン
ズ9、第2遮蔽部22及び第1遮蔽部21のそれぞれの
貫通孔22b、21aを通り、さらに縮小光学系40を
通り、1/10にレティクルパターン10aが縮小され
て、レジスト付フォトマスクブランク5〇上に転写され
る(第2図参照)。次に、第2遮蔽部22を第1図(b
)に示す矢印方向に回転し、レティクルパターン1()
b上に貫通孔22bをもってくる。
ズ9、第2遮蔽部22及び第1遮蔽部21のそれぞれの
貫通孔22b、21aを通り、さらに縮小光学系40を
通り、1/10にレティクルパターン10aが縮小され
て、レジスト付フォトマスクブランク5〇上に転写され
る(第2図参照)。次に、第2遮蔽部22を第1図(b
)に示す矢印方向に回転し、レティクルパターン1()
b上に貫通孔22bをもってくる。
そして、被転写板支持台60を前述したレティクルパタ
ーン10aが転写された領域外に、レティクルパターン
10bが転写されるように移動し、前述したと同様にレ
ティクルパターン10bをレジスト付フォトマスクブラ
ンク50に縮小転写する。以下、同様にして、順にレテ
ィクルパターン10c〜10hをレジスト付フォトマス
クブランク50上に転写する。次に、レジストをへ7専
用現像液で現像しレジストパターンを形成し、このレジ
ス]−パターンをマスクとして、硝酸第2 tリウムア
ンモニウム165gと過塩素M(70%)42dに純水
を加えたエツチング液によりクロム膜をエツチングし、
第3図に示す所望パターン70a〜70hを有するフォ
トマスク70を製作した。
ーン10aが転写された領域外に、レティクルパターン
10bが転写されるように移動し、前述したと同様にレ
ティクルパターン10bをレジスト付フォトマスクブラ
ンク50に縮小転写する。以下、同様にして、順にレテ
ィクルパターン10c〜10hをレジスト付フォトマス
クブランク50上に転写する。次に、レジストをへ7専
用現像液で現像しレジストパターンを形成し、このレジ
ス]−パターンをマスクとして、硝酸第2 tリウムア
ンモニウム165gと過塩素M(70%)42dに純水
を加えたエツチング液によりクロム膜をエツチングし、
第3図に示す所望パターン70a〜70hを有するフォ
トマスク70を製作した。
本例によれば、一枚のレティクル10により、8種類の
所望パターンを形成することができることから、従来よ
りも少ないレティクル枚数ですむ。
所望パターンを形成することができることから、従来よ
りも少ないレティクル枚数ですむ。
以上、本発明は前記実施例に限らず、下記のものであっ
てもよい。
てもよい。
先ず、前記実施例では、パターン選択機能部が、第11
1蔽部と第2遮蔽部とから構成されていたが、第2遮蔽
部に、レティクルパターンの各々に対して、位置制m*
能と馴初機能とを有するパルスモータ等を連接し、第1
遮蔽部を除いたものであってもよい。なお、このときに
も、レティクルパターンにJ:り形成される円周の中心
と第2遮蔽部の貫通孔の軌跡の中心とは実質的に一致さ
せておく。
1蔽部と第2遮蔽部とから構成されていたが、第2遮蔽
部に、レティクルパターンの各々に対して、位置制m*
能と馴初機能とを有するパルスモータ等を連接し、第1
遮蔽部を除いたものであってもよい。なお、このときに
も、レティクルパターンにJ:り形成される円周の中心
と第2遮蔽部の貫通孔の軌跡の中心とは実質的に一致さ
せておく。
また、第2遮蔽部のみによりパターン選択機能部を構成
するときには、パターン選択機能部を、光源とレティク
ルとの間のみならず、レティクルと縮小光学系との間に
介在させてもよい。
するときには、パターン選択機能部を、光源とレティク
ルとの間のみならず、レティクルと縮小光学系との間に
介在させてもよい。
また、前記実施例では、複数のパターンを円周状に設け
たレティクルを使用したが、これに限らず、正多角形の
周辺状に設けたレティクルであってもよいし、さらに不
定形状にパターンを設けたものであってもよい。すなわ
ち、パターン選択機能部の動作方法により適宜決定すれ
ばよい。しかしながら、望ましくは、パターン選択機能
部の構成の簡素化及びレティクルパターンの選択の容易
性から、円周状又は正多角形状にレティクルパターンを
配列した方がにい。また、第1遮蔽部と第2遮蔽部のそ
れぞれの貫通孔は同じ直径を有していたが、転写される
レティクルパターンよりも大きく、かつ他のレティクル
パターンをも含む大きさでなければ、その直径は適宜決
定することができ、また、望ましくは、貫通孔の断面形
状は円状であるが、他の形状であってもよい。
たレティクルを使用したが、これに限らず、正多角形の
周辺状に設けたレティクルであってもよいし、さらに不
定形状にパターンを設けたものであってもよい。すなわ
ち、パターン選択機能部の動作方法により適宜決定すれ
ばよい。しかしながら、望ましくは、パターン選択機能
部の構成の簡素化及びレティクルパターンの選択の容易
性から、円周状又は正多角形状にレティクルパターンを
配列した方がにい。また、第1遮蔽部と第2遮蔽部のそ
れぞれの貫通孔は同じ直径を有していたが、転写される
レティクルパターンよりも大きく、かつ他のレティクル
パターンをも含む大きさでなければ、その直径は適宜決
定することができ、また、望ましくは、貫通孔の断面形
状は円状であるが、他の形状であってもよい。
さらに、複数のレティクルパターンは、前記実施例では
、全て異なるパターンであったが、これに限らず、その
一部が異なるもの又は全てが同一のものであっても本発
明は適用でき、その数も8個に限定されない。
、全て異なるパターンであったが、これに限らず、その
一部が異なるもの又は全てが同一のものであっても本発
明は適用でき、その数も8個に限定されない。
以上のとおり、本発明の縮小投影露光#A置によれば、
パターン選択するための遮蔽部を制御する機構を簡素化
することができ、かつ簡素な機構であることから、その
制御機構の誤動作も防止する− 13 = ことができる。
パターン選択するための遮蔽部を制御する機構を簡素化
することができ、かつ簡素な機構であることから、その
制御機構の誤動作も防止する− 13 = ことができる。
第1図及び第2図は、本発明の縮小投影露光装置の一実
施例を示す図であり、第1図(a) 、 (b) 。 (C)はそれぞれ、要部を示す分解斜視図、要部を示す
平面図及び同図(b)のX+−X1線断面図であり、第
2図は概略構成図である。第3図は、本発明の一実施例
により製作されたフォトマスクを示す部分平面図である
。第4図は、従来の装置を示す概略構成図であり、第5
図は、従来の装置の遮蔽部の動作を示す平面図である。 8・・・光源、9・・・コンデンサーレンズ、10・・
・レティクル、10a〜10h・・争レティクルパター
ン、20・・・パターン選択機能部、21・・・第11
蔽部、21a〜21h・・・貫通孔、22・・・第2遮
蔽部、22b・・・貫通孔、30・・・レティクル載置
台、40・・・縮小光学系、50・・・被転写板、60
・・・被転写板支持台、10・・・フォトマスク
施例を示す図であり、第1図(a) 、 (b) 。 (C)はそれぞれ、要部を示す分解斜視図、要部を示す
平面図及び同図(b)のX+−X1線断面図であり、第
2図は概略構成図である。第3図は、本発明の一実施例
により製作されたフォトマスクを示す部分平面図である
。第4図は、従来の装置を示す概略構成図であり、第5
図は、従来の装置の遮蔽部の動作を示す平面図である。 8・・・光源、9・・・コンデンサーレンズ、10・・
・レティクル、10a〜10h・・争レティクルパター
ン、20・・・パターン選択機能部、21・・・第11
蔽部、21a〜21h・・・貫通孔、22・・・第2遮
蔽部、22b・・・貫通孔、30・・・レティクル載置
台、40・・・縮小光学系、50・・・被転写板、60
・・・被転写板支持台、10・・・フォトマスク
Claims (3)
- (1)露光光を発生する光源と、対向する二主表面を有
し、前記主表面の一方に複数のパターンを有するレティ
クルを載置するレティクル載置台と、前記レティクルの
一方の主表面側に、前記露光光を通し前記パターンの一
つを転写するための貫通孔を有する遮蔽部を備えたパタ
ーン選択機能部と、前記パターンを縮小する縮小光学系
と、縮小されたパターンが転写される被転写板を支持す
る被転写板支持台とを具備したことを特徴とする縮小投
影露光装置。 - (2)遮蔽部の貫通孔が一つであることを特徴とする特
許請求の範囲第(1)項記載の縮小投影露光装置。 - (3)レティクルの複数のパターンが、円周状又は多角
形状に配列されていることを特徴とする特許請求の範囲
第(1)項又は第(2)項記載の縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61069305A JPS62224930A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61069305A JPS62224930A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62224930A true JPS62224930A (ja) | 1987-10-02 |
Family
ID=13398712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61069305A Pending JPS62224930A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62224930A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55132039A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for repeated figure |
| JPS55140838A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-04 | Hitachi Ltd | Mask preparing apparatus |
| JPS55165629A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5648868A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-02 | Seiji Adachi | Production of eel hamburger |
-
1986
- 1986-03-27 JP JP61069305A patent/JPS62224930A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55132039A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for repeated figure |
| JPS55140838A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-04 | Hitachi Ltd | Mask preparing apparatus |
| JPS55165629A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5648868A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-02 | Seiji Adachi | Production of eel hamburger |
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