JPS6222661B2 - - Google Patents

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JPS6222661B2
JPS6222661B2 JP54146565A JP14656579A JPS6222661B2 JP S6222661 B2 JPS6222661 B2 JP S6222661B2 JP 54146565 A JP54146565 A JP 54146565A JP 14656579 A JP14656579 A JP 14656579A JP S6222661 B2 JPS6222661 B2 JP S6222661B2
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JP
Japan
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temperature
suction head
spinner
coating
coating device
Prior art date
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Expired
Application number
JP54146565A
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English (en)
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JPS5670869A (en
Inventor
Tsutomu Hanno
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5670869A publication Critical patent/JPS5670869A/ja
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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はスピンナー塗布装置に関するものであ
る。
スピンナー塗布装置は、例えばウエハーなどの
被塗布物を高速回転させ、その表面にレジスト膜
などを均一に塗布する場合などに用いられてい
る。前記レジスト塗布剤は一般に常温状態で安定
した塗布条件をもつている。しかし一方には、常
温以上の温度雰囲気中での塗布により高性能の膜
質が得られる塗布剤がある。
従来、かかる塗布剤を昇温させて塗布するスピ
ンナー塗布装置は第1図に示すような構造よりな
る。同図に示すように、塗布剤タンク1は加熱ヒ
ータ2により常時温調されているタンク加熱部3
によつて保温作用を受けている。塗布剤タンク1
内の塗布剤は定量圧送ポンプ4により吸引されて
保温機構5を通り、吐出ノズル6から被塗布物で
あるウエハー7上に滴下供給される。吐出ノズル
6の周辺には温調器8により制御されるノズル温
調ヒータ9が巻回され、このノズル温調ヒータ9
により吐出部近辺の温度制御がなされる。このよ
うに吐出ノズル6より吐出される塗布剤はタンク
加熱部3、保温機構5、温調器8により加熱およ
び保温され、安定した温度で吐出される。一方、
スピンナーヘツド部10および吸着ヘツド11の
保温加熱に関しては、温度制御器12により制御
される円形ヒータ13が受け持つ。
次にかかる装置によるウエハー7への塗布動作
について説明する。吸着ヘツド11上にウエハー
7をセツトし、シーケンス制御部14にスタート
指令を与える。これにより真空系15の制御バル
ブ16がシーケンス第1ステツプで開かれ、吸着
ヘツド11がウエハー7を吸着保持する。この
間、ウエハー7は円形ヒータ13および保温カバ
ー17などの放射熱で温度上昇する。第2ステツ
プで圧送ポンプ4より送られた塗布剤は吐出ノズ
ル6から一定量滴下し、第3ステツプでスピンナ
ーヘツド部10が回転速度制御器18の制御によ
り急速回転し、ウエハー7上に塗布剤を均一に塗
布する。
このように塗布剤およびウエハーは塗布動作中
に加熱機構により加熱されて昇温する。前記塗布
剤の吐出量は一般に微量であるため、前記の如く
温調がされて吐出温度が安定であつても、ウエハ
ー7および吸着ヘツド11が適温でないと安定し
た塗布温度が得られない。かかる塗布動作中にお
けるウエハー7および吸着ヘツド11の温度は、
ウエハー7の直接接触部で最も熱容量の大きいス
ピンナーヘツド10の温度状態に大きく左右され
る。
従来のスピンナーヘツド部は第2図に示すよう
な構造よりなる。吸着ヘツド11の上面には溝2
0が形成され、この溝20はスピンナー軸21に
形成された真空導通路22の継がつており、真空
ポンプ(図示せず)に連結された真空ホース23
により吸引される。そこで、真空ホース23から
吸引が開始されると、溝20に吸着圧が生じ、吸
着ヘツド11に載置されたウエハー7は吸着ヘツ
ド11に密着固定される。前記スピンナー軸21
は2個の軸受24で支持され、伝動ジヨイント2
5によりモータ26の出力軸27に接続されてい
る。従つて、モータ26の回転力によりスピンナ
ー軸21は急加速高速回転ができる。
そこで、吸着ヘツド11の温度平衡について考
察すると、円形ヒータ13(第1図参照)からの
熱伝達、軸受24からの高速回転による摩擦発
熱、モータ26からの損失発熱、ボデイ28から
の外部への熱伝導損失などがからみ合つてつい
る。このため、吸着ヘツド11の温度変化が大き
く、円形ヒータ13で吸着ヘツド11の温度制御
をしても安定した温度精度を得ることが困難で、
ウエハー温度にばらつきが生じ、安定した均一な
膜形成が得られない欠点があつた。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたも
ので、安定した塗布状態が得られるスピンナー塗
布装置を提供することを目的とする。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第3図は本発明になるスピンナー塗布装置のス
ピンナーヘツド部の一実施例を示す断面図であ
る。吸着ヘツド30はウエハー加熱の目的も兼ね
ており、その上面に設けた溝31は従来より小さ
く形成されてウエハーとの接触面が拡げられてい
る。溝31はスピンナー軸32に設けた真空導通
路33および2本のシールリング34でシールさ
れたボデイ35の空間を通して真空ホース36に
継がつている。スピンナー軸32は2個の軸受3
7によりボデイ35に回転自在に支持され、モー
タ38により回転させられるようになつている。
すなわち、モータ入力線39からの電力により回
転するモータ38の出力軸に固定された駆動プー
リ40とスピンナー軸32に固定された従動プー
リ41とにベルト42が張設されている。43は
発電器、44は発電器43の起動力を取り出すた
めの発電電圧取出線である。
前記吸着ヘツド30の中にはこの吸着ヘツド加
熱用として抵抗線ヒータ50が埋設されている。
抵抗線ヒータ50はスピンナー軸32に設けた導
線導入穴51を通つてスリツプリング52に接続
されている。スリツプリング52は回転中でも導
通を得るためスプリング53で付勢されたブラシ
54に接触し、このブラシ54はさらに外部導線
55に継がつている。
また前記吸着ヘツド30の中にはこの吸着ヘツ
ド測温用としてウエハー接触面の近傍に熱電対ジ
ヨイント60が配設されている。この熱電対ジヨ
イント60はスピンナー軸32に設けられた熱電
対導通穴61を通り、熱電対起電力回転伝導機構
62により起電力測定信号線63まで継がり、こ
こで測定量として取り出される。64は起電対起
電力回転伝導機構62への回転力伝達カツプリン
グである。
第4図は第3図に示すスピンナーヘツド部のコ
ントロール回路の一実施例を示す説明図である。
この回路を第3図を参照しながら説明する。吸着
ヘツド30はアルミニウムなどの熱伝導性のよい
ものを使用することにより全体の温度の均一化が
図れる。この吸着ヘツド30の温度は熱電対ジヨ
イント60で検出され、起電力測定信号線63に
より比較制御回路70に送られる。一方、温度指
定表示回路71に設定された指定温度のアナログ
設定も比較制御回路70に送られ、吸着ヘツド3
0の温度と指定温度の双方の信号が比較される。
この偏差量がパワー変換回路72に送られ、この
回路72の偏差電力が外部導線55へ伝えられ
る。この供給電力によりブラシ54、スリツプリ
ング52を介して抵抗線ヒータ50が発熱し、吸
着ヘツド30が加熱されて制御される。すなわ
ち、熱電対ジヨイント60を含む測温系と、温度
指定表示回路71と、比較制御回路70およびパ
ワー変換回路72などにより温度制御手段を構成
し、吸着ヘツド30を正確に温調する。これによ
り吸着ヘツド30に密着するウエハーは安定した
温度状態が保障される。またスピンナー軸32を
回転させるモータ38をモータ制御回路73によ
り制御することにより、急加速回転、高速精密回
転させることができる。
さて、上記した吸着ヘツド30の温度制御にお
いて重要なことは、外部条件として吸着ヘツド3
0以外の発熱部および吸熱部を比較的低い温度に
維持する必要がある。これにより吸着ヘツド30
の温度制御が熱平衡上可能になる。例えば円形ヒ
ータ13(第1図参照)のパワーを落し、吸着ヘ
ツド30から熱が流れ出す温度分布を作り出すよ
うにすることにより、スピンナーヘツド部への温
度制御がより有効なものとなる。このように塗布
剤の温度制御系、吸着ヘツド部の熱平衡を考慮し
た適正な熱線放射による加熱系と合わせて使用す
るとき、極めて温度状態の安定したスピンナー塗
布装置が得られ、これにより常温以上で塗布した
場合に高性能を発揮するレジスト塗布剤の使用が
抵抗なく受け入れられ、均一な膜形成が得られ
る。
なお、上記実施例においては、加熱体として抵
抗線ヒータ50について説明したが、その他の加
熱体でもよい。また計測体は熱電対ジヨイント6
0に限らず、その他の感温体でもよい。また上記
実施例においてはレジスト塗布の場合について説
明したが、レジスト塗布以外のスピン現象におけ
る温水現象などのヘツドは勿論のこと、これらの
機構を合わせもつた連続装置にも熱的に追従でき
るので、本発明は広く適用可能である。
以上の説明から明らかな如く、本発明になるス
ピンナー塗布装置によれば、吸着ヘツドの温度が
安定し、被塗布物の温度のばらつきがないので、
安定した均一な膜形成が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のスピンナー塗布装置の説明図、
第2図は第1図のスピンナーヘツド部の一部切欠
き断面図、第3図は本発明になるスピンナー塗布
装置のスピンナーヘツド部の一実施例を示す断面
図、第4図は本発明になるスピンナー塗布装置の
コントロール回路系の一実施例を示す説明図であ
る。 30……吸着ヘツド、32……スピンナー軸、
50……抵抗線ヒータ、60……熱電対ジヨイン
ト、62……回転伝導機構、70……比較制御回
路、71……温度指定表示回路、72……パワー
変換回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 回転するスピンナー軸の上部に一体に設けら
    れた吸着ヘツドを有し、この吸着ヘツドに固定さ
    れた被塗布物に塗布剤を滴下し、吸着ヘツドの回
    転力を利用して被塗布物に塗布膜を形成するスピ
    ンナー塗布装置において、前記吸着ヘツドにこの
    吸着ヘツドを加熱する加熱体および吸着ヘツドの
    温度を計測する計測体を設け、この計測体の信号
    により加熱体を制御するように温度制御手段を設
    けたことを特徴とするスピンナー塗布装置。 2 前記温度制御手段は、吸着ヘツドを加熱する
    指定温度を設定するための温度指定表示回路と、
    計測体の信号を取り出すための回転伝導機構と、
    この回転伝導機構の信号と前記温度指定表示回路
    の信号とを比較しその偏差量を出力する比較制御
    回路と、この比較制御回路の偏差量をパワー変換
    し加熱体を制御するパワー変換回路とよりなるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のスピ
    ンナー塗布装置。
JP14656579A 1979-11-14 1979-11-14 Spinner coating apparatus Granted JPS5670869A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14656579A JPS5670869A (en) 1979-11-14 1979-11-14 Spinner coating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14656579A JPS5670869A (en) 1979-11-14 1979-11-14 Spinner coating apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5670869A JPS5670869A (en) 1981-06-13
JPS6222661B2 true JPS6222661B2 (ja) 1987-05-19

Family

ID=15410543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14656579A Granted JPS5670869A (en) 1979-11-14 1979-11-14 Spinner coating apparatus

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0520469Y2 (ja) * 1987-01-14 1993-05-27
JPH0667465B2 (ja) * 1989-07-07 1994-08-31 株式会社日立製作所 被加工物の処理方法
JP2591360B2 (ja) * 1991-05-08 1997-03-19 株式会社日立製作所 フォトレジストの塗布方法
JP2616748B2 (ja) * 1995-07-17 1997-06-04 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法

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JPS5670869A (en) 1981-06-13

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