JPS62232208A - 表面波装置の周波数調整方法 - Google Patents
表面波装置の周波数調整方法Info
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- JPS62232208A JPS62232208A JP7602886A JP7602886A JPS62232208A JP S62232208 A JPS62232208 A JP S62232208A JP 7602886 A JP7602886 A JP 7602886A JP 7602886 A JP7602886 A JP 7602886A JP S62232208 A JPS62232208 A JP S62232208A
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Links
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用外Ｒ）
この発明は、表面波基板上に、１膜をル成して表面波装
置の周波数１祭を行なう方法に関するものである。
置の周波数１祭を行なう方法に関するものである。
（発明の概要）
この発明は、表面波蟻竜の周波数調整方法に訃いＣ，１
１面改告板上にポリアミドイミド系樹脂からなる薄膜を
たとえばスプレ〜によシ形成し、その形成される。［曜
を変えることにより、表ｒＭ波装蝋の周波ａＪ整を行な
おうとするものである。
１面改告板上にポリアミドイミド系樹脂からなる薄膜を
たとえばスプレ〜によシ形成し、その形成される。［曜
を変えることにより、表ｒＭ波装蝋の周波ａＪ整を行な
おうとするものである。
（従来の技術）
表面波＊ ＋ｔ Ｋ ｓｐいＣ％１造形成後に周波孜週
整を行なうことは、実用上、はとんど不可能であるとさ
れＣいた。なぜなら、周波ａ特性呟、表面波伝ｔＩｉ速
度（音速）に衣存するが、仁の音速は表面波基板の材料
によつＣ央まつＣしまうからである。
整を行なうことは、実用上、はとんど不可能であるとさ
れＣいた。なぜなら、周波ａ特性呟、表面波伝ｔＩｉ速
度（音速）に衣存するが、仁の音速は表面波基板の材料
によつＣ央まつＣしまうからである。
なお、表面波基板上に１模を形成することによシ、表可
波礒（の周ＪＥ数特性が変わることが匂られ〔いるが、
これは、わずかに実ｉ＊室レベルの規模でしか実施され
Ｃおもず、未だ実用化には至つ°Ｃいない。
波礒（の周ＪＥ数特性が変わることが匂られ〔いるが、
これは、わずかに実ｉ＊室レベルの規模でしか実施され
Ｃおもず、未だ実用化には至つ°Ｃいない。
上・信じた周波ａ−Ｊ４値のために用いられる薄（材料
としては、ｄｉｏ、、ム１ｚｏｓ等の環機材料、あるい
は、エポキシ系樹脂、シリコーン系４脂などの有機材料
がある。
としては、ｄｉｏ、、ム１ｚｏｓ等の環機材料、あるい
は、エポキシ系樹脂、シリコーン系４脂などの有機材料
がある。
（発明が４央しようとする問題点）
しかしながら、上広の材料を用ｖｈｃＯ＃ｄＸ形成には
、傾下のような欠点があったっ 一マス、８１Ｊ＋ｈｅｍＯｓなどＯ；［４４ｇは、その
Ｌ４形成にスパッタや゛成子ビームｓ４１などの手法を
用１．へなければならず、そのため、裟電が大形化され
るとともに、長時間を要するという欠点を有して贋る。
、傾下のような欠点があったっ 一マス、８１Ｊ＋ｈｅｍＯｓなどＯ；［４４ｇは、その
Ｌ４形成にスパッタや゛成子ビームｓ４１などの手法を
用１．へなければならず、そのため、裟電が大形化され
るとともに、長時間を要するという欠点を有して贋る。
他方、エポキシ系樹、櫂、シリコーン系ｆＩＩＷ１など
の有４′ｆｉ漢は、膚形成についＣは容易であるが、こ
の薄膜により表面波が吸収、ダンピングされ、１、吉・
長として，！！而面の伝＃鷹失およびＲ臭漠失が大きく
なるという欠点を有する。
の有４′ｆｉ漢は、膚形成についＣは容易であるが、こ
の薄膜により表面波が吸収、ダンピングされ、１、吉・
長として，！！而面の伝＃鷹失およびＲ臭漠失が大きく
なるという欠点を有する。
また、エポキシ系樹脂の場合、有４ａ剤に導けやすいと
いう欠点もある。有機溶剤は、次のような２つの典型的
な４面で、炎ｒＭ波瘉璧と接する可能性がある。第１に
、バルク波を除去するために、表面波等板の裏面に１Ｊ
ｉたは凹凸を形成することがある。この場合、サンドブ
ラスト等の実施によシ汚れた表面波４ｔをイソプロピル
アルコールのような有１表溶剤で洗浄することが行々わ
れる。第２に、表面波装置を樹脂モールドする４合があ
る。
いう欠点もある。有機溶剤は、次のような２つの典型的
な４面で、炎ｒＭ波瘉璧と接する可能性がある。第１に
、バルク波を除去するために、表面波等板の裏面に１Ｊ
ｉたは凹凸を形成することがある。この場合、サンドブ
ラスト等の実施によシ汚れた表面波４ｔをイソプロピル
アルコールのような有１表溶剤で洗浄することが行々わ
れる。第２に、表面波装置を樹脂モールドする４合があ
る。
この場合、樹脂には、酢酸エチル、アセトン、各種アル
コールなどの有機４剤が含まれ°Ｃいるっこのような意
味から、上への４僕は、有機喜剤に耐え得る材料でなけ
ればならない、 また、エポキシ系！、！を脂などの有侵材料による薄膜
形成には、加熱による硬化処理を行なわなければならな
い。この場合、エポキシ系１封脂の硬化処、１には、比
較的高温を必−要とするため、たとえばアルミニウムな
どから構成されるｆｔ７Ｂ ＋Ｚ ｎ Ｏなどから構成
される圧ｔ＃Ｉ＊がｌｉｄされるおそれもある。
コールなどの有機４剤が含まれ°Ｃいるっこのような意
味から、上への４僕は、有機喜剤に耐え得る材料でなけ
ればならない、 また、エポキシ系！、！を脂などの有侵材料による薄膜
形成には、加熱による硬化処理を行なわなければならな
い。この場合、エポキシ系１封脂の硬化処、１には、比
較的高温を必−要とするため、たとえばアルミニウムな
どから構成されるｆｔ７Ｂ ＋Ｚ ｎ Ｏなどから構成
される圧ｔ＃Ｉ＊がｌｉｄされるおそれもある。
そこで、この発明は、上広の従来技術の欠点を膚消し、
浦単に薄膜形成ができ、ＷＩ膜形成による伝搬損失２よ
び変換損失も少なく、有濃溶剤に強１Ａ、薄膜形成によ
る表面波装置の周波数１泉方法を長嘆するものである。
浦単に薄膜形成ができ、ＷＩ膜形成による伝搬損失２よ
び変換損失も少なく、有濃溶剤に強１Ａ、薄膜形成によ
る表面波装置の周波数１泉方法を長嘆するものである。
（問題点を解決するための手段）
茂面波−Ｊ！を板上に４膜を形成して表面波装置の周波
ａ調造を行なう方法におい〔、この発明では、薄膜とし
てポリアミドイミド系樹脂を用い、その形成される膜厚
を変えることによシ周波紋調整を行なおうとするもので
ある。
ａ調造を行なう方法におい〔、この発明では、薄膜とし
てポリアミドイミド系樹脂を用い、その形成される膜厚
を変えることによシ周波紋調整を行なおうとするもので
ある。
（発明の作用効果）
との傷明によれば、ポリアミドイミド系樹脂にＪ当な希
釈剤を硼えることにより、その粘度を調整ナルば、たと
えば、スプレーを用い°Ｃｔｌｉ単に薄膜を形成するこ
とができる。このとき、適当なマスクを＃４＋／−ｈる
と、表面波嶋電の周波数調整を所望する・１所にのみ選
択的に′１ｌＩＩＸを形成することが容易である。そし
て、ポリアミドイミド系樹脂の場合には、このようなマ
スクの裏側にまで回シ込むことが々いことが４ｇされ°
〔いるので、薄膜が形成される領域を厳密に限定するこ
とができる。これらのことから、ポリアミドイミド系樹
脂を用いることにより、逼４が均一な薄１が得られ、た
とえばスプレーの１時間をＪｍするだけで・貞ｌ蓼の制
御が可能となる。表ｒＭ波湊曜の周波数は、この膜厚に
衣存し、ｄｌｌを変えることによシ、周波ａ調整ができ
る。このようなことから、所望の周波数からずれた表直
波袈１にこの発明を適用すれば、製造される表面波装置
の良品率を大福に向上させることができる。
釈剤を硼えることにより、その粘度を調整ナルば、たと
えば、スプレーを用い°Ｃｔｌｉ単に薄膜を形成するこ
とができる。このとき、適当なマスクを＃４＋／−ｈる
と、表面波嶋電の周波数調整を所望する・１所にのみ選
択的に′１ｌＩＩＸを形成することが容易である。そし
て、ポリアミドイミド系樹脂の場合には、このようなマ
スクの裏側にまで回シ込むことが々いことが４ｇされ°
〔いるので、薄膜が形成される領域を厳密に限定するこ
とができる。これらのことから、ポリアミドイミド系樹
脂を用いることにより、逼４が均一な薄１が得られ、た
とえばスプレーの１時間をＪｍするだけで・貞ｌ蓼の制
御が可能となる。表ｒＭ波湊曜の周波数は、この膜厚に
衣存し、ｄｌｌを変えることによシ、周波ａ調整ができ
る。このようなことから、所望の周波数からずれた表直
波袈１にこの発明を適用すれば、製造される表面波装置
の良品率を大福に向上させることができる。
また、ポリアミドイミド系１脂からなる４膜店前へした
エポキシ樹脂やシリコーン系樹脂の４膜に比べＣ１それ
が形成されたとしても、表面波の伝搬損失および変換損
失の増加が少ないことがわかった。したがつ゛Ｃ１伝搬
損失をそれほど増大させることなく、周波数調整を行な
うことができる。
エポキシ樹脂やシリコーン系樹脂の４膜に比べＣ１それ
が形成されたとしても、表面波の伝搬損失および変換損
失の増加が少ないことがわかった。したがつ゛Ｃ１伝搬
損失をそれほど増大させることなく、周波数調整を行な
うことができる。
また、ポリアミドイミド系、尉ｌ指は、はとんどの有１
機溶剤によつ°Ｃ侵されることがないので、表面波装置
の有機廖剤による洗浄や二封脂モールドを問題なく行な
うことができる。
機溶剤によつ°Ｃ侵されることがないので、表面波装置
の有機廖剤による洗浄や二封脂モールドを問題なく行な
うことができる。
また、ボリア２トイミド系樹脂は、２００〜５００でと
いう比校的低暑ハ温度で硬化処理できるので、アルミニ
ウム４ＦＭやＺｎＯ圧電薄貞等の腐臘を生じさせること
はないし、ＰＺ’ｒのような基板では分、籠がはずれる
こともない。また、硬化処理されたポリアミドイミド系
樹脂からなる。Ｊ ｒＡは、酸化されや゛すいアルミニ
ウム、ＩＣ橿等の深′ａ膜としてもイ妨く。
いう比校的低暑ハ温度で硬化処理できるので、アルミニ
ウム４ＦＭやＺｎＯ圧電薄貞等の腐臘を生じさせること
はないし、ＰＺ’ｒのような基板では分、籠がはずれる
こともない。また、硬化処理されたポリアミドイミド系
樹脂からなる。Ｊ ｒＡは、酸化されや゛すいアルミニ
ウム、ＩＣ橿等の深′ａ膜としてもイ妨く。
（実 施 列）
ａＸ１図は、表面波基板１上にポリアミドイミド系＃脂
からなる薄１スを形成する犬遺を図厚している。図示さ
れないが、茂直波基板１には、既に１薦が形成されＣＩ
Ａる。表面皮基板１上には、たとえばステンレスからな
るマスク２が配・凌されろ。
からなる薄１スを形成する犬遺を図厚している。図示さ
れないが、茂直波基板１には、既に１薦が形成されＣＩ
Ａる。表面皮基板１上には、たとえばステンレスからな
るマスク２が配・凌されろ。
これによつ゛Ｃ１欅７、・Ｘの形成：ま、マスク２の筐
３が形成された部分に限定される。罵１１に示す浸市波
基板１は、後で切断して複数個の′ａ！酊波瑛電を得る
ことが意図されＣい゛Ｃ１各１３に対応して１個の表面
波暎・凌が得られる。叡５・Ｄ１参大および大きさは、
侵面波廃電に含゛まれる端子゛ｔｉに薄膜が形成されな
いように考・直される。
３が形成された部分に限定される。罵１１に示す浸市波
基板１は、後で切断して複数個の′ａ！酊波瑛電を得る
ことが意図されＣい゛Ｃ１各１３に対応して１個の表面
波暎・凌が得られる。叡５・Ｄ１参大および大きさは、
侵面波廃電に含゛まれる端子゛ｔｉに薄膜が形成されな
いように考・直される。
Ｎｆｘを構成するポリアミドイミド系樹脂は、低密度で
ありながら比咬的大きなりフグ率を有し、具体的には、
ヤング率が７０〜３００〔にり／ｖＩ”）、密度カド４
（ｐ／、ｍ）程度のものである。このポリアミドイミド
系１脂は、スプレーガン４のような簡単なスグレー装・
瞳で表ｄ波基板１上に付与される。スプレーによる場合
、ポリアミドイミド系樹脂は、特定の溶剤で希釈されＣ
１スプレーガン４に哄冶さルる。ポリアミドイミド系Ａ
１の４１の厚みは、スプレー詩間訃よび粘度によ！７容
易にＡ複することができる。
ありながら比咬的大きなりフグ率を有し、具体的には、
ヤング率が７０〜３００〔にり／ｖＩ”）、密度カド４
（ｐ／、ｍ）程度のものである。このポリアミドイミド
系１脂は、スプレーガン４のような簡単なスグレー装・
瞳で表ｄ波基板１上に付与される。スプレーによる場合
、ポリアミドイミド系樹脂は、特定の溶剤で希釈されＣ
１スプレーガン４に哄冶さルる。ポリアミドイミド系Ａ
１の４１の厚みは、スプレー詩間訃よび粘度によ！７容
易にＡ複することができる。
７Ｊ、２図は、得られた表面波４ｔの一例としての、表
面波フィルタの一部を断面図で示したものである。こと
に例示した表面波フィルタは、ガラス等の誘電体基板５
上にＺｎＯなどの圧［１１６を形成し°Ｃ表面波基板１
を構成したものである。誘電体基板５上には、インター
ディジタルトランスデユーサ（ＩＤＴ）７が形成され“
〔いる。圧電４膜６上には、第１図に示すスプレーガン
を経Ｃその後硬化処理されたポリアミドイミド系對詣か
らなる薄膜８が形成されＣいる。その膜曜は１ｈ１で表
わされる。
面波フィルタの一部を断面図で示したものである。こと
に例示した表面波フィルタは、ガラス等の誘電体基板５
上にＺｎＯなどの圧［１１６を形成し°Ｃ表面波基板１
を構成したものである。誘電体基板５上には、インター
ディジタルトランスデユーサ（ＩＤＴ）７が形成され“
〔いる。圧電４膜６上には、第１図に示すスプレーガン
を経Ｃその後硬化処理されたポリアミドイミド系對詣か
らなる薄膜８が形成されＣいる。その膜曜は１ｈ１で表
わされる。
第３図および第４図は、それぞれ、ｔ１面波フィルタの
挿入損失および６ｄＢバンド・４の中心局波ａｔφの変
化量の、ポリアミドイミド＃［８の膜ｔｇｈへの依存性
を示すグラフである。なお、比紋例とし°Ｃ１ポリアミ
ドイミドｒ卓貞８に代え゛〔シリコーン系虜脂からなる
。Ｊａを形成し九易合も併せＣ示されＣいる。
挿入損失および６ｄＢバンド・４の中心局波ａｔφの変
化量の、ポリアミドイミド＃［８の膜ｔｇｈへの依存性
を示すグラフである。なお、比紋例とし°Ｃ１ポリアミ
ドイミドｒ卓貞８に代え゛〔シリコーン系虜脂からなる
。Ｊａを形成し九易合も併せＣ示されＣいる。
第３図および第４図を併せ゛Ｃ参照することにより、こ
の１明にかかるポリアミドイミド、卓１．Ａ８によれば
、挿入損失をあまシ増和させることなく。
の１明にかかるポリアミドイミド、卓１．Ａ８によれば
、挿入損失をあまシ増和させることなく。
中心周波ａｆりを低ドさせることができる。たとえば、
挿入遺失の増加を約＋ｊｄＢまで許序すＬば、ポリアミ
ドイミド薄：貞では、中心周波数ｆ。
挿入遺失の増加を約＋ｊｄＢまで許序すＬば、ポリアミ
ドイミド薄：貞では、中心周波数ｆ。
を１多低下させることができるのに対し、シリコ−７４
ＦＫでは、約１．４〜〕、５チしか低Ｆさせることがで
きない。ぎらＫ、シリコーン薄膜では、膜厚が大きくな
るにつれ〔、挿入損失の増加が礪めＣ大きくなり、実用
的でないことがわかる。
ＦＫでは、約１．４〜〕、５チしか低Ｆさせることがで
きない。ぎらＫ、シリコーン薄膜では、膜厚が大きくな
るにつれ〔、挿入損失の増加が礪めＣ大きくなり、実用
的でないことがわかる。
なお、工場規模の実施においＣは、表市波装電の周波数
特性は、同一ロット内ではほとんどばらつかず、異なる
ロット間では大きくばらつくことが司られＣいる。した
がつＣ１各ロフト単位で周波数特性を測定して１その測
定語長から、所望の周波数特性を得るためのポリアミド
イミド薄膜の厚みが設定される。そして１所定の厚みの
ポリアミドイミドζｌ、Ａを形成するためのスプレー条
件が決定され、同一ロット内のものに対しては、共通の
スプレー条件で薄膜形成工程が実施される。スプレーに
・ｔｌｉ袷される４立時間あたシの樹８旨遣を一定にし
ておけば、スプレー条件は単に時間の７アクタのみによ
つＣ％決定することができる。
特性は、同一ロット内ではほとんどばらつかず、異なる
ロット間では大きくばらつくことが司られＣいる。した
がつＣ１各ロフト単位で周波数特性を測定して１その測
定語長から、所望の周波数特性を得るためのポリアミド
イミド薄膜の厚みが設定される。そして１所定の厚みの
ポリアミドイミドζｌ、Ａを形成するためのスプレー条
件が決定され、同一ロット内のものに対しては、共通の
スプレー条件で薄膜形成工程が実施される。スプレーに
・ｔｌｉ袷される４立時間あたシの樹８旨遣を一定にし
ておけば、スプレー条件は単に時間の７アクタのみによ
つＣ％決定することができる。
また、この発明が適用される表ｄｊ７Ｊ波瘉竜としては
、上−６したようなフィルタ（は限らなｈｏその池、貞
市波共懺４、表面波債Ｓ器、遅延線などにも同様に適用
可能である。
、上−６したようなフィルタ（は限らなｈｏその池、貞
市波共懺４、表面波債Ｓ器、遅延線などにも同様に適用
可能である。
さらに、ポリアミドイミド＃＠８が形成される領域は、
！！面波基板１上の端子１極が形成された領域を除く全
゛ｉＲ域であつＣもよいが、一部だけでもよい。たとえ
ば、表面波共振器の場合、インターディジタルトランス
デユーサの部分だけにポリアミドイミド系樹脂を設けＣ
も、す７レクタの部分だけにポリアミドイミドＲ膜を設
けＣも、あるいは両方に設けＣもよい。
！！面波基板１上の端子１極が形成された領域を除く全
゛ｉＲ域であつＣもよいが、一部だけでもよい。たとえ
ば、表面波共振器の場合、インターディジタルトランス
デユーサの部分だけにポリアミドイミド系樹脂を設けＣ
も、す７レクタの部分だけにポリアミドイミドＲ膜を設
けＣも、あるいは両方に設けＣもよい。
さらにまた、表面波基、ぼ１の構造は、第２図に示した
ものには１機らない。たとえば、上ｔキ＝オ波基板であ
ってもよい。
ものには１機らない。たとえば、上ｔキ＝オ波基板であ
ってもよい。
第１図は、この発明の一実施例によるポリアミドイミド
薄膜を形成するための工程を図解したものである。嬉２
図は、ポリアミドイミド４膜８が表面波基板１上に形成
された状趨を示す表面波フィルタのｌｆｒ面図である。 第３図は、表百波フィルタの挿入損失の増加の膜厚に対
する依存性を、ポリアミドイミドγＩｇとシリコーン薄
膜との比較で示したグラフである。第４図は、表面波フ
ィルタの６ｄＢバンド幅中心周波数ｆ＊Ｉ）変化量の（
１嘆に対する依存性を、ポリアミドイミド薄膜とシリコ
ーン薄膜との比較で示したグラフである。 図におい°Ｃ，１は表面波涛板、４はスプレーガン、８
はポリアミドイミド薄膜である。
薄膜を形成するための工程を図解したものである。嬉２
図は、ポリアミドイミド４膜８が表面波基板１上に形成
された状趨を示す表面波フィルタのｌｆｒ面図である。 第３図は、表百波フィルタの挿入損失の増加の膜厚に対
する依存性を、ポリアミドイミドγＩｇとシリコーン薄
膜との比較で示したグラフである。第４図は、表面波フ
ィルタの６ｄＢバンド幅中心周波数ｆ＊Ｉ）変化量の（
１嘆に対する依存性を、ポリアミドイミド薄膜とシリコ
ーン薄膜との比較で示したグラフである。 図におい°Ｃ，１は表面波涛板、４はスプレーガン、８
はポリアミドイミド薄膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表面波基板上に薄膜を形成して表面波装置の周波数調
整を行なう方法において、 前記薄膜としてポリアミドイミド系樹脂を用い、その形
成される膜厚を変えることにより周波数調整を行なうこ
とを特徴とする表面波装置の周波数調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7602886A JPS62232208A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 表面波装置の周波数調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7602886A JPS62232208A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 表面波装置の周波数調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62232208A true JPS62232208A (ja) | 1987-10-12 |
Family
ID=13593366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7602886A Pending JPS62232208A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 表面波装置の周波数調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62232208A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110021918A1 (en) * | 2008-08-11 | 2011-01-27 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc. | Organic piezoelectric material film, method for production of organic piezoelectric material film, method for production of ultrasonic oscillator, and ultrasonic medical imaging instrument |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518159A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Frequency control method for surface wave device |
| JPS58215110A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-14 | Toshiba Corp | 弾性表面波フイルタ−素子の製造方法 |
| JPS5924724A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-08 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | ポリアミドイミド系樹脂組成物の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-01 JP JP7602886A patent/JPS62232208A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518159A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Frequency control method for surface wave device |
| JPS58215110A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-14 | Toshiba Corp | 弾性表面波フイルタ−素子の製造方法 |
| JPS5924724A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-08 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | ポリアミドイミド系樹脂組成物の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110021918A1 (en) * | 2008-08-11 | 2011-01-27 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc. | Organic piezoelectric material film, method for production of organic piezoelectric material film, method for production of ultrasonic oscillator, and ultrasonic medical imaging instrument |
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