JPS62245651A - 接続窓を有する絶縁膜の形成方法 - Google Patents
接続窓を有する絶縁膜の形成方法Info
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- JPS62245651A JPS62245651A JP8795786A JP8795786A JPS62245651A JP S62245651 A JPS62245651 A JP S62245651A JP 8795786 A JP8795786 A JP 8795786A JP 8795786 A JP8795786 A JP 8795786A JP S62245651 A JPS62245651 A JP S62245651A
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- Japan
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- resin film
- insulating film
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、接続窓を有する絶縁膜の形成方法に係り、特
に該接続窓の加工寸法精度を向上させ得る絶縁膜の形成
方法に関する。
に該接続窓の加工寸法精度を向上させ得る絶縁膜の形成
方法に関する。
接続窓を有する絶縁膜の形成方法は、半導体装置や薄膜
装置の集積度や性能の向上を左右する重要な技術である
。
装置の集積度や性能の向上を左右する重要な技術である
。
従来のこのような絶縁膜の形成方法は、例えば特開昭５
９−３６９４３号に開示されている。この方法を第２図
（ａ）〜（ｅ）に示す。
９−３６９４３号に開示されている。この方法を第２図
（ａ）〜（ｅ）に示す。
まず、第２図（ａ）に示すように、半導体基板２１上に
第１の配線層２２を形成する。
第１の配線層２２を形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、第１の配線層２２を
含む半導体基板２１−Ｊ二に、耐熱樹脂を塗布するとそ
の流動性により表面が平坦な絶縁膜（耐熱樹脂膜）２３
が形成される。
含む半導体基板２１−Ｊ二に、耐熱樹脂を塗布するとそ
の流動性により表面が平坦な絶縁膜（耐熱樹脂膜）２３
が形成される。
次に、第２図（ｃ）に示すように、耐熱樹脂膜２３の表
面を通常の酸素プラズマ処理により第１の配線層２２の
表面が完全に露出するまでエッチング除去する。
面を通常の酸素プラズマ処理により第１の配線層２２の
表面が完全に露出するまでエッチング除去する。
次に、第２図（ｄ）に示すように、第１の配線層２２を
含む耐熱樹脂膜２３上に感光性１１熱樹脂膜２４を全面
に塗布する。その後、通常のホ１−プロセスを用いて第
１の配線層２２上の感光性耐熱樹脂膜２４に接続窓２５
を形成して、第１の配線層２２の上面を表出させる。
含む耐熱樹脂膜２３上に感光性１１熱樹脂膜２４を全面
に塗布する。その後、通常のホ１−プロセスを用いて第
１の配線層２２上の感光性耐熱樹脂膜２４に接続窓２５
を形成して、第１の配線層２２の上面を表出させる。
次に、第２図（ｅ）に示すように、感光性耐熱樹脂膜２
４上に接続窓２５において第１の配線層２２に接する第
２の配線層２６を形成する。
４上に接続窓２５において第１の配線層２２に接する第
２の配線層２６を形成する。
このような方法によれば、感光性耐熱樹脂膜２４に接続
窓２５を形成するときに、該接続窓２５の位置が多少ず
れても段差を生ずることがな′いので（詳細は−ｈ記公
開特許公報参照。）、マスク合わせの位置ずれを許容で
きる効果があるが、接続窓２５の加工寸法精度の向上を
目的としておらず、加工寸法精度を十分向上することは
できない。
窓２５を形成するときに、該接続窓２５の位置が多少ず
れても段差を生ずることがな′いので（詳細は−ｈ記公
開特許公報参照。）、マスク合わせの位置ずれを許容で
きる効果があるが、接続窓２５の加工寸法精度の向上を
目的としておらず、加工寸法精度を十分向上することは
できない。
接続窓の加工寸法精度については、ジャーナルオブ ジ
エレクトロケミカル ソサイエティー（Ｊ 、 Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、 Ｓ ｏｃ、 ） １２８巻、
ナンバー５゜１９５〜１９７頁（１９８１年５Ｊ］）に
おけるムラエ・ジエイ・ボウデン（Ｍｕｒｒａｅ Ｊ、
Ｂｏｔ＋＋ｄｅｎ）による「ザ フィジックス アン
ド ケミストリイー オブ ザ リソグラフィツク プ
ロセス（Ｔｈｅ Ｐｈｙｓｊｃｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｊ
ｓｔｒｙ ｏｆ ｔｈｅ Ｌｊｔｈ。
エレクトロケミカル ソサイエティー（Ｊ 、 Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、 Ｓ ｏｃ、 ） １２８巻、
ナンバー５゜１９５〜１９７頁（１９８１年５Ｊ］）に
おけるムラエ・ジエイ・ボウデン（Ｍｕｒｒａｅ Ｊ、
Ｂｏｔ＋＋ｄｅｎ）による「ザ フィジックス アン
ド ケミストリイー オブ ザ リソグラフィツク プ
ロセス（Ｔｈｅ Ｐｈｙｓｊｃｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｊ
ｓｔｒｙ ｏｆ ｔｈｅ Ｌｊｔｈ。
ｇｒａｐｈｉｃ Ｐ ｒｏｃｅｓｓ）と題する論文にお
いて、接続窓の加工寸法精度を決める解像度は、感光膜
の膜厚の平方根に比例して悪くなることが示されており
、また一般的にも感光膜の膜厚が厚くなると接続窓の加
工寸法精度が悪くなるのは周知のことである。
いて、接続窓の加工寸法精度を決める解像度は、感光膜
の膜厚の平方根に比例して悪くなることが示されており
、また一般的にも感光膜の膜厚が厚くなると接続窓の加
工寸法精度が悪くなるのは周知のことである。
すなわち、第２図（ａ）〜（ｅ）に示した従来の方法で
は、配線層２２」二の感光性耐熱樹脂膜２４は。
は、配線層２２」二の感光性耐熱樹脂膜２４は。
絶縁膜として所定の膜厚が必要であり、接続窓２５を形
成すると、この膜厚分の加工寸法精度誤差を有する。
成すると、この膜厚分の加工寸法精度誤差を有する。
本発明は、絶縁膜に形成する接続窓の加工寸法精度を向
上し、接続窓を微細に形成するのを可能とし、多層配線
の高集積化を促進することを目的とする。
上し、接続窓を微細に形成するのを可能とし、多層配線
の高集積化を促進することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、感光性耐熱樹脂
の現像液に対して耐性を持つ絶縁膜を基板上に形成する
工程と、該絶縁膜に第１゜の接続窓を形成する工程と、
上記絶縁膜上に感光性耐熱樹脂膜を形成する工程と、上
記感光性耐熱樹脂膜に露光・現像により上記第１−の接
続窓と連通ずる第２の接続窓を形成して、二重の接続窓
を形成する工程とを含むことを特徴とする。
の現像液に対して耐性を持つ絶縁膜を基板上に形成する
工程と、該絶縁膜に第１゜の接続窓を形成する工程と、
上記絶縁膜上に感光性耐熱樹脂膜を形成する工程と、上
記感光性耐熱樹脂膜に露光・現像により上記第１−の接
続窓と連通ずる第２の接続窓を形成して、二重の接続窓
を形成する工程とを含むことを特徴とする。
本発明は、従来一層で構成していた絶縁膜を二層構成に
することにより、各層の膜厚を薄くすることができるの
で、各層に形成する接続窓の加工寸法精度を向上させる
ことができる。
することにより、各層の膜厚を薄くすることができるの
で、各層に形成する接続窓の加工寸法精度を向上させる
ことができる。
また、二層構成の絶縁膜の下層に、感光性耐熱樹脂膜の
現像液に対して耐性を持つ絶縁膜を、上層に感光性耐熱
樹脂膜を用いることにより、感光性耐熱樹脂膜に接続窓
を形成するときに、その下層の絶縁膜に既に形成しであ
る接続窓の寸法を変化させることなく形成することがで
きる。しかも感光性耐熱樹脂膜に接続窓を形成するとき
は、ホトレジストを用いる必要がないため、少ない工程
で形成することができる。
現像液に対して耐性を持つ絶縁膜を、上層に感光性耐熱
樹脂膜を用いることにより、感光性耐熱樹脂膜に接続窓
を形成するときに、その下層の絶縁膜に既に形成しであ
る接続窓の寸法を変化させることなく形成することがで
きる。しかも感光性耐熱樹脂膜に接続窓を形成するとき
は、ホトレジストを用いる必要がないため、少ない工程
で形成することができる。
下層の絶縁膜の接続窓の加工寸法精度が向上する第１の
理由は、加工膜厚が薄くなることにより、ホトレジスト
の耐エツチング性が小さくてもエツチング加工が可能に
なることから、ホトレジストの膜厚を薄くすることがで
き、したがって、前述の理由により解像度が向上し、ホ
トレジストの加工寸法精度が向上することによりエツチ
ング加工による絶縁膜の加工寸法精度が向上するからで
ある。
理由は、加工膜厚が薄くなることにより、ホトレジスト
の耐エツチング性が小さくてもエツチング加工が可能に
なることから、ホトレジストの膜厚を薄くすることがで
き、したがって、前述の理由により解像度が向上し、ホ
トレジストの加工寸法精度が向上することによりエツチ
ング加工による絶縁膜の加工寸法精度が向上するからで
ある。
第２の理由は、下層絶縁膜の膜厚が薄くなることにより
、該絶縁膜形成時の膜厚の変動量が小さいので、該絶縁
膜のエツチングによる加工寸法精度が向上するからであ
る。
、該絶縁膜形成時の膜厚の変動量が小さいので、該絶縁
膜のエツチングによる加工寸法精度が向上するからであ
る。
さらに、上層の感光性耐熱樹脂膜についても、膜厚が薄
くなることから、前述の理由により解像度が向上し、感
光性樹脂膜に形成する接続窓の加正寸法精度が向−１−
する。
くなることから、前述の理由により解像度が向上し、感
光性樹脂膜に形成する接続窓の加正寸法精度が向−１−
する。
実施例 ］
第１図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例を示す工程断
面図である。
面図である。
まず、第１図（、）に示すように、半導体基板１−にに
配線層２を形成し、その」−に材料として例えばＩ）丁
Ｑ（日立化成株式会社の商標）を用いて絶縁膜（耐熱樹
脂膜）３を形成する。次に、通常のホトプロセスを用い
て耐熱樹脂膜３に接続窓３′を形成する。次いで、接続
窓３′を含む絶縁膜３−１−に配線層４を形成する。次
に、その上にＰＩＱのワニスをスピン塗布し、最終的に
は３００℃以−１−の温度で加熱・硬化させ、絶縁膜（
耐熱樹脂膜）５を形成する。次いで、該耐熱樹脂膜５の
上にネガタイプのホトレジストを塗布し仮硬化させ、露
光・現像して接続窓のレジスＩ〜パターン髪形成した後
、ヒドラジンヒトラードとエチレンジアミンとの混合液
によりエツチングして接続窓６を形成する。
配線層２を形成し、その」−に材料として例えばＩ）丁
Ｑ（日立化成株式会社の商標）を用いて絶縁膜（耐熱樹
脂膜）３を形成する。次に、通常のホトプロセスを用い
て耐熱樹脂膜３に接続窓３′を形成する。次いで、接続
窓３′を含む絶縁膜３−１−に配線層４を形成する。次
に、その上にＰＩＱのワニスをスピン塗布し、最終的に
は３００℃以−１−の温度で加熱・硬化させ、絶縁膜（
耐熱樹脂膜）５を形成する。次いで、該耐熱樹脂膜５の
上にネガタイプのホトレジストを塗布し仮硬化させ、露
光・現像して接続窓のレジスＩ〜パターン髪形成した後
、ヒドラジンヒトラードとエチレンジアミンとの混合液
によりエツチングして接続窓６を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、接続窓６を含む耐熱
慴脂膜５の上に感光性耐熱樹脂として例えばｐｈｏｔｏ
−Ｐ Ａ Ｌ （Ｂ立化成株式会社の商標）をスピン塗
布した後、８５℃、１５分のプリベークを行う。その後
、所定のホトマスクを介して、光エネルギー１００ｍＪ
／ｃＪ、波長３６５ｎｍの条件で露光を行なった後、ｐ
ｈｏｔｏ−Ｐ Ａ Ｌ現像液を用いて現像する。次に、
１８０℃、３０分および４００℃、６０分の窒素中にお
けるステップキュアを行なった後、上記接続窓６」二の
感光性耐熱樹脂膜７に該接続窓６と連通ずる接続窓８を
設け、二重の接続窓を形成する。
慴脂膜５の上に感光性耐熱樹脂として例えばｐｈｏｔｏ
−Ｐ Ａ Ｌ （Ｂ立化成株式会社の商標）をスピン塗
布した後、８５℃、１５分のプリベークを行う。その後
、所定のホトマスクを介して、光エネルギー１００ｍＪ
／ｃＪ、波長３６５ｎｍの条件で露光を行なった後、ｐ
ｈｏｔｏ−Ｐ Ａ Ｌ現像液を用いて現像する。次に、
１８０℃、３０分および４００℃、６０分の窒素中にお
けるステップキュアを行なった後、上記接続窓６」二の
感光性耐熱樹脂膜７に該接続窓６と連通ずる接続窓８を
設け、二重の接続窓を形成する。
最後に、第１図（ｃ）に示すように、感光性耐熱樹脂膜
７」二に接続窓８および６において配線層４に接する配
線層９を形成する。
７」二に接続窓８および６において配線層４に接する配
線層９を形成する。
本実施例によれば、従来一層で構成していた絶縁膜を耐
熱樹脂膜５および感光性耐熱樹脂膜７の二層構成にした
ことにより、各層の膜厚を従来のほぼ１／２にすること
ができるので、各層に形成する接続窓６，８の加工寸法
精度を従来のほぼ２倍にすることができ、従来より微細
な接続窓を形成することが可能となる。なお、耐熱樹脂
（ＰＩＱ）膜５は感光性耐熱樹脂ｐｈｏｔｏ−Ｐ Ａ
Ｌの現像液に対して耐性を持つので、感光性耐熱樹脂膜
７に接続窓８を形成するときに、耐熱樹脂膜５は加工さ
れず、接続窓６の寸法を変化させることがない。
熱樹脂膜５および感光性耐熱樹脂膜７の二層構成にした
ことにより、各層の膜厚を従来のほぼ１／２にすること
ができるので、各層に形成する接続窓６，８の加工寸法
精度を従来のほぼ２倍にすることができ、従来より微細
な接続窓を形成することが可能となる。なお、耐熱樹脂
（ＰＩＱ）膜５は感光性耐熱樹脂ｐｈｏｔｏ−Ｐ Ａ
Ｌの現像液に対して耐性を持つので、感光性耐熱樹脂膜
７に接続窓８を形成するときに、耐熱樹脂膜５は加工さ
れず、接続窓６の寸法を変化させることがない。
しかも感光性耐熱樹脂膜７に接続窓８を形成するときは
、ホトレジストを用いる必要がないため。
、ホトレジストを用いる必要がないため。
少ない工程で設けることができる。
なお、本実施例において、絶縁膜３は一層構成にしたが
、この絶縁膜３も耐熱樹脂膜と感光性耐熱樹脂膜との二
層構成にし、接続窓３′の加工寸法精度を向上させるこ
とができる。また、本実施例では三層配線に適用した例
を示したが、二層もしくは四層具」二の多層配線に適用
可能なことはいうまでもない。
、この絶縁膜３も耐熱樹脂膜と感光性耐熱樹脂膜との二
層構成にし、接続窓３′の加工寸法精度を向上させるこ
とができる。また、本実施例では三層配線に適用した例
を示したが、二層もしくは四層具」二の多層配線に適用
可能なことはいうまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、従来一層で構成
された接続窓を有する絶縁膜を二層構成にし、二重接続
窓を設けることにより、接続窓の加工寸法精度を向」二
させることができ、微細な接続窓を形成できるので、多
層配線の高集積化を促進することができる。また感光性
耐熱樹脂膜を用いるので、加工工程数が少ない利点もあ
る。
された接続窓を有する絶縁膜を二層構成にし、二重接続
窓を設けることにより、接続窓の加工寸法精度を向」二
させることができ、微細な接続窓を形成できるので、多
層配線の高集積化を促進することができる。また感光性
耐熱樹脂膜を用いるので、加工工程数が少ない利点もあ
る。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の接続窓を有する絶縁膜
の形成方法の実施例を示す工程断面図、第２図（ａ）〜
（ｅ）は従来の接続窓を有する絶縁膜の形成方法の一例
を示す工程断面図である。 １．２１・・・半導体基板、２，４，２２．２６・・・
配線層、３，５．２３・・耐熱樹脂膜、３’ 、６゜８
．２５・・・接続窓、７，２４・・・感光性耐熱樹脂膜
。
の形成方法の実施例を示す工程断面図、第２図（ａ）〜
（ｅ）は従来の接続窓を有する絶縁膜の形成方法の一例
を示す工程断面図である。 １．２１・・・半導体基板、２，４，２２．２６・・・
配線層、３，５．２３・・耐熱樹脂膜、３’ 、６゜８
．２５・・・接続窓、７，２４・・・感光性耐熱樹脂膜
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、感光性耐熱樹脂の現像液に対して耐性を持つ第１の
絶縁膜を基板上に形成する工程と、該絶縁膜に第１の接
続窓を形成する工程と、上記絶縁膜上に感光性耐熱樹脂
膜を形成する工程と、上記感光性耐熱樹脂膜に露光・現
像により上記第１の接続窓と連通する第２の接続窓を形
成して、二重の接続窓を形成する工程とを含むことを特
徴とする、接続窓を有する絶縁膜の形成方法。 ２、上記第１の絶縁膜として耐熱樹脂膜を用いることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の接続窓を有する
絶縁膜の形成方法。 ３、上記第２の接続窓が第１の接続窓より大きいことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の接続窓を有する
絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087957A JPH0642517B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 接続窓を有する絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087957A JPH0642517B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 接続窓を有する絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245651A true JPS62245651A (ja) | 1987-10-26 |
| JPH0642517B2 JPH0642517B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=13929347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61087957A Expired - Lifetime JPH0642517B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 接続窓を有する絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642517B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0418437U (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-17 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258384A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Formation of high molecular resin film |
| JPS5839033A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP61087957A patent/JPH0642517B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258384A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Formation of high molecular resin film |
| JPS5839033A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0418437U (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0642517B2 (ja) | 1994-06-01 |
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