JPH0418437U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0418437U JPH0418437U JP5718390U JP5718390U JPH0418437U JP H0418437 U JPH0418437 U JP H0418437U JP 5718390 U JP5718390 U JP 5718390U JP 5718390 U JP5718390 U JP 5718390U JP H0418437 U JPH0418437 U JP H0418437U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- view
- insulating layer
- wiring
- sectional
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図〜第１１図は本考案の実施例を示してお
り、第１図は実施例に係る高密度配線構造の概略
斜視図、第２図は第１図の平面図、第３図は第１
図の−面断面図、第４図は第１図の−面
断面図を示し、また、第５図〜第９図Ｃは上記高
密度配線構造の形成工程を示した工程説明図であ
り、第５図は下部配線を形成した状態の斜視図、
第５図Ａは第５図の平面図、第５図Ｂは第５図の
Ｂ−Ｂ面断面図、第５図Ｃは第５図のＣ−Ｃ面断
面図、第６図は下側絶縁膜を形成した状態の斜視
図、第６図Ａは第６図の平面図、第６図Ｂは第６
図のＢ−Ｂ面断面図、第６図Ｃは第６図のＣ−Ｃ
面断面図、第７図はポリイミド膜を形成した状態
の斜視図、第７図Ａは第７図の平面図、第７図Ｂ
は第７図のＢ−Ｂ面断面図、第７図Ｃは第７図の
Ｃ−Ｃ面断面図、第８図は上側絶縁膜を形成した
状態の斜視図、第８図Ａは第８図の平面図、第８
図Ｂは第８図のＢ−Ｂ面断面図、第８図Ｃは第８
図のＣ−Ｃ面断面図、第９図は上部配線を形成し
た状態の斜視図、第９図Ａは第９図の平面図、第
９図Ｂは第９図のＢ−Ｂ面断面図、第９図Ｃは第
９図のＣ−Ｃ面断面図、第１０図〜第１１図は変
形例に係る平面図を夫々示し、第１２図は密着型
イメージセンサの斜視図、第１３図は第１２図の
平面図、第１４図は第１３図の−面断面
図、また、第１５図〜第１７図は従来の多層配線
の形成工程を説明する工程図、第１８図は第１７
図の一部平面図、第１９図は第１７図の一部拡大
図、第２０図は多層配線の平面図、第２１図はド
ツク・ボーン構造の多層配線の概略斜視図を示し
ている。 符号説明 ２……下部配線、３……下側開口部、４……下
側絶縁膜、５……上側開口部、６……上側絶縁膜
、７……上部配線、８……連通部。
り、第１図は実施例に係る高密度配線構造の概略
斜視図、第２図は第１図の平面図、第３図は第１
図の−面断面図、第４図は第１図の−面
断面図を示し、また、第５図〜第９図Ｃは上記高
密度配線構造の形成工程を示した工程説明図であ
り、第５図は下部配線を形成した状態の斜視図、
第５図Ａは第５図の平面図、第５図Ｂは第５図の
Ｂ−Ｂ面断面図、第５図Ｃは第５図のＣ−Ｃ面断
面図、第６図は下側絶縁膜を形成した状態の斜視
図、第６図Ａは第６図の平面図、第６図Ｂは第６
図のＢ−Ｂ面断面図、第６図Ｃは第６図のＣ−Ｃ
面断面図、第７図はポリイミド膜を形成した状態
の斜視図、第７図Ａは第７図の平面図、第７図Ｂ
は第７図のＢ−Ｂ面断面図、第７図Ｃは第７図の
Ｃ−Ｃ面断面図、第８図は上側絶縁膜を形成した
状態の斜視図、第８図Ａは第８図の平面図、第８
図Ｂは第８図のＢ−Ｂ面断面図、第８図Ｃは第８
図のＣ−Ｃ面断面図、第９図は上部配線を形成し
た状態の斜視図、第９図Ａは第９図の平面図、第
９図Ｂは第９図のＢ−Ｂ面断面図、第９図Ｃは第
９図のＣ−Ｃ面断面図、第１０図〜第１１図は変
形例に係る平面図を夫々示し、第１２図は密着型
イメージセンサの斜視図、第１３図は第１２図の
平面図、第１４図は第１３図の−面断面
図、また、第１５図〜第１７図は従来の多層配線
の形成工程を説明する工程図、第１８図は第１７
図の一部平面図、第１９図は第１７図の一部拡大
図、第２０図は多層配線の平面図、第２１図はド
ツク・ボーン構造の多層配線の概略斜視図を示し
ている。 符号説明 ２……下部配線、３……下側開口部、４……下
側絶縁膜、５……上側開口部、６……上側絶縁膜
、７……上部配線、８……連通部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 上部配線と下部配線が絶縁層を挟んで多層に配
置され、この絶縁層に設けられた接続孔を介して
上部配線と下部配線が接続されている半導体装置
の高密度配線構造において、 上記絶縁層を、種類の異なる複数の絶縁性材料
にて形成された多層の絶縁膜により構成し、 かつ、各絶縁膜にはその中心部位を互いにずら
して開口部を設けると共に、 各開口部の共通領域にて形成される連通部によ
り上記絶縁層の接続孔を構成したことを特徴とす
る半導体装置の高密度配線構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5718390U JPH0418437U (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5718390U JPH0418437U (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0418437U true JPH0418437U (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=31581667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5718390U Pending JPH0418437U (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0418437U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5921043A (ja) * | 1982-07-27 | 1984-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62245651A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Hitachi Ltd | 接続窓を有する絶縁膜の形成方法 |
| JPS6321854A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP5718390U patent/JPH0418437U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5921043A (ja) * | 1982-07-27 | 1984-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62245651A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Hitachi Ltd | 接続窓を有する絶縁膜の形成方法 |
| JPS6321854A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |