JPS62247552A - フラツトパツケ−ジｉｃの半田付け方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 に産業上の利用分野】 本発明は電子部品の実装技術に関するものであって、特
にフラットパッケージＩＣを回路基板の接続用パターン
に半田付けする方法に（Ｉｌするものである。

Ｋ発明の概Ｍ］ 本発明は、４辺にそれぞれリード脚が延出されているフ
ラットパッケージｔＣを回路基板の接続用パターンに半
田付けする方法において、前工程のディップ半田を利用
して回路基板の接続用パターンに予め半田付けを行なっ
ておくとともに、ＩＣのリード脚を予め整形しておき、
ディップ半田の上面を基準としてＩＣを回路基板に実装
するようにしたものであって、半田付けの信頼性を高め
るとともに、安価な半田付は方法を提供するようにした
ものである。

「従来の技術】 フラットパッケージＩＣを用いて所定の装置を構成する
場合には、このフラットパッケージＩＣを回路基板にマ
ウントするとともに、回路基板上の配線パターンを通し
て他の回路部品と接続することになる。そこで例えば実
公昭５７−４４６９９号公報に開示されるように、予め
回路基板上に接続用のパターンを形成しておき、この回
路基板上にＩＣを配するとともに、ｔＣに形成されたリ
ード脚を上記配線パターンと半田付けして接続するよう
にしていた。従ってこの場合には糸半田を用い、半田鏝
で半田付けを行なうことになる。このような半田付けを
自動化する試みがなされている。自動化する場合には、
糸半田またはクリーム半田が用いられ、あるいはまた半
田メッキを応用するようにしていた。

Ｋ発明が解決しようとする問題点】 このような従来のＩＣの半田付は方法によれば、外部か
ら半田を供給する工程が必要になり、これによって半田
付けのコストが上界する欠点がある。

またＩＣのリード脚の変形によるばらつきが存在する場
合には、このばらつきを半田量で吸収することによって
、リード脚と基板との間の隙間を半田によって接続する
ようにしていた。あるいはまたＩＣを加圧してリード脚
を回路基板に密着させて半田付けを行なうようにしてい
た。しかしこのような方法によると、回路基板とリード
脚との間にはごく微小量の半田しか介在しなくなり、こ
れによって接続の信頼性が低下する欠点がある。また外
部から半田を供給する際に、その量をコントロールする
必要があり、半田量が多すぎるとブリッジを発生し、ま
た半田量が少ないと未半田やテンプラネ良が発生し易い
という問題があった。

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであっ
て、半田付は時に半田を供給する必要がなく、しかも確
実に接続が行なわれるようにしたフラットパッケージＩ
Ｃの半田付は方法を提供することを目的とするものであ
る。

Ｋ問題点を解決するための手段】 本発明は、４辺にそれぞれリード脚が延出されているフ
ラットパッケージＩＣを回路基板の接続用パターンに半
田付けする方法において、前記回路基板の接続用パター
ンに予め半田付けを行なっておくとともに、前記リード
脚を前記接続用パターンに付着された半田量に対応する
寸法だけ曲げておき、他の２辺のリード脚によって高さ
方向の位置決めを行ないながら前記接続用パターンに予
め付着されている半田を溶かして互いに対向する２辺の
リード脚の半田付けを行ない、次いで半田付けされた前
記互いに対向する２辺のリード脚によって高さ方向の位
置決めを行ないながら対応する接続用パターンに予め付
着されている半田を溶かして前記他の２辺のリード脚の
半田付けを行なうようにしたものである。

に作用】 従って本発明によれば、他の回路部品のディップ半田の
際に半田付けを行なうことが可能になり、ＩＣの半１０
付けの際に半田を供給する必要がなくなり、しかもディ
ップ半田を利用することによって、半田付けを行なう部
分にのみ半田を供給することが可能になり、ブリッジが
発生しにくくなる。

またＩＣを接続用パターンに付着された半田量に対応す
る高さ基準で半田付けして接続するために、半田付けの
後の信頼性が向上する。またＩＣのリード脚を予め整形
するようにしているために、リード脚に多少の変形があ
っても半田付けが可能になる。また半田付けの工程で半
田の供給を必要としないために、自動化を容易に行なう
ことが可能になる。さらにリード脚の整形と加圧による
応力が半田付は後に残らないために、耐環境性に対する
信頼性も高くなる。

Ｋ実施例】 以下本発明を図示の一実施例につき説明する。

第２図に示すように、はぼ正方形状をなす偏平なフラッ
トパッケージＩＣｌ０は回路基板１１上に半田付けされ
て接続されるようになっている。なａ＞回路基板１１に
は他のＩＣやチップ部品がマウントされるようになって
おり、これらとＩＣ１０とによって所定の回路が形成さ
れるようになっている。そしてフラットパッケージＩＣ
１０には第２図〜第４図に示すように、その４辺から外
方に延びるようにリード脚１３．１４がそれぞれ延出さ
れている。これらのリード脚１３．１４の先端部は、始
めは第３図に示すように水平に延びている。このような
水平に延びるリードｗＪ１３．１４は、第４図に示すよ
うに、半田付けの前に整形されて斜め下方に向くように
曲げられる。すなわち水平な状態に対して先端部が寸法
Ａだけ下方に移動するように整形されることになる。

これに対してこの１ｃ１０がマウントされる回路基板１
１上には他の部品をマウントして接続するための配線パ
ターンとともに、第５図に示すように導電性の接続用パ
ターン１５が形成されるようになっている。そしてこの
導電性パターン１５上であって上記リード脚１３．１４
と接続される部分には、第６図に示すようにディップ半
田１６が施されるようになっている。このディップ半１
ｆ１１６の半田量すなわちディップ半田１６の高さＢは
、上記リード脚１３．１４の変形ｆｆ１Ａとほぼ等しい
値になっている。このようなディップ半田１６は、回路
基板１１−ヒにチップ部品をマウントして半田付けする
ディップ半田工程で行なわれるようになっている。従っ
てディップ半［Ｂ１６の高さＢ　Ｇ、ｔ　？ｆ’田付け
によって異なり、同一基板１１上でもばらつきを生ずる
可能性があるが、前もってこの寸法Ｂの範囲を調べてお
ぎ、この範囲にほぼ等しいようにリード脚１３．１４を
整形するようにしている。

このようにして予めＩＣ１０のリード脚１３．１４を整
形するとともに、回路基板１１上にディップ半田１６を
施したならば、ＩＣｌ０を吸着用冶具１８によって第２
図および第７図に示すように供給する。そしてディップ
半田１６にリード脚１３．１４が接する位置にＩＣ１０
をｉ！置するとともに、この位置で第８図に示すように
リード脚１３．１４とディップ半田１６とが完全に接す
るように加圧する。このときにリード脚１３．１４が整
形前の形状である水平な角度になるように圧力を調整す
る。なおこのときの回路基板１１の表面からフラットパ
ッケージＩＣ１０の上面までのＩＣ１０の高さをＣとす
る。この状態において、レーザビーム１９をフラットパ
ッケージＩＣ１０の互いに対向する２辺に照射し、ディ
ップ半田１６を溶融してリード脚１３を半田付けする。

第９図は最初の２辺のリード脚１３の半田付けが終了し
た状態を示しており、このときに半田付けを行なわない
他の２辺のり−ド１ｌｌ１１４は初期の状態を保つため
に、１０１０と基板１１との間の寸法Ｃは変化すること
なく、回路基板１１に対してＩＣ１０が所定の高さを維
持することになる。

そしてレーザビーム１９によって溶融した半田１６は、
リードｍ１３が加圧時の弾性復元力によって整形した形
状に戻るために、前部フィレット２１および後部フィレ
ット２２をそれぞれ形成することになる。また端子１３
の整形ｆｆ１Ａがティップ半田１６の高さＢに等しいた
めに、半田付けされた状態では、リード脚１３には弾性
復元力が残らなくなり、このために半田後に残留応力が
存在しなくなる。

つぎに第１図に示すように、残りの２辺の部分のリード
脚１４の半田付けを行なう。すなわち上記２辺と同様に
他の２辺のリード脚１４にもレーザビームを照射するこ
とによって、第１図に示すようにリード脚１４とディッ
プ半田１６とが半田付けされて前部フィレット２１およ
び後部フィレット２２がそれぞれ形成される。またリー
ド脚１４が整形後の形状に戻ることになり、これによっ
てばね性も開放状態になる。なおこのときには既に先に
行なった２辺のリード脚１３の半田が固化しているため
に、加圧力を用いることなく残りの２辺のリード脚１４
の半田付けを行なうことが可能になる。また残り２辺の
リード脚１４と接続されるディップ半田１６が溶けても
、すでに半田付けされた他の２辺のリード脚によってＩ
Ｃｌ０の回路基板１１に対する高さ方向の寸法がそのま
ま変化することがなく、これによって第８図のディップ
半田１６を基準として半田付けが行なわれることになる
。なお加熱の手段としては、レーザビーム１９を用いる
以外に、赤外線や半田鏝等の他の加熱手段を利用するこ
とも可能である。

なおちなみにフラットパッケージＩＣｌ０のリード脚１
３．１４の整形を予め行なわない場合には、第１０図に
示すように、正常な高さよりも低い高さのディップ半田
１６とリード脚１３．１４との間に隙間を生ずることに
なり、加熱しても必ずしも確実に半田付けが行なわれな
くなる。また４辺のリード脚１３．１４を同時に加熱す
ることによって、ディップ半田１６の高さによる隙間は
生じないが、第１１図に示すように、リード脚１３．１
４が回路基板１１の表面の接続用パターンと密着するた
めに、両者の間から半田が押出されて大きなフィレット
２１．２２を形成することになり、これによってブリッ
ジを発生させる可能性がある。さらにリード脚１３．１
４と接続用パターンとの聞に存在する半田量が少なくな
るために、半田付けの信頼性が低下することになる。

このような問題点は上記実施例の方法によって解消され
ることになる。すなわちＩＣｌ０を半田付けする高さの
基準を、ディップ半田１６の高さにほぼ等しい値にする
とともに、リード脚１３．１４のばらつきやディップ半
田１６の高さ方向の寸法のばらつきを吸収する量だけリ
ード脚１３．１４を整形することによって、半１］付は
後にＩＣ１０の高さの変化をなくし、リード脚１３．１
４と導電性パターン１５との間に楔状の半田フイシン１
−２１．２２を形成して半田付けを行なうことが可能に
なる。従って半田とリード脚との接続の信頼性と半田付
けそのものの信頼性を確保することが可能になる。また
半田付は後においては、リード脚１３．１４の整形によ
るばね性を開放できるために、応力が残存することがな
くなって信頼性がさらに高くなる。またこのような方法
は、従来困難とされていたディップ半田を利用した半田
付けであって、非接触加熱の方式が可能となり、高い信
頼性の半田付けが可能になった。

Ｋ発明の効果】 以上のように本発明によれば、予めディップ半田等の方
法によってパターンに半田付けを行なうことが可能にな
り、このためにｔＣの半田付けの際に半田を供給する必
要がなくなり、自動化が容易になるとともにブリッジが
発生しにくくなる。

またディップ半田の高さ基準でＩＣの半田付けを行なう
ようにしており、しかも半田付は侵にリード脚が弾性復
元しているために、信頼性の高い半田による接続が達成
されることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る方法によって半田付け
されたＩＣを示す正面図、第２図はＩＣの自動供給の状
態を示す外観斜視図、第３図は整形される前のＩＣの正
面図、第４図は整形されたＩＣの正面図、第５図は回路
基板の断面図、第６図は半田が付着された回路基板の断
面図、第７図はＩＣの供給を示す正面図、第８図はレー
ザビーム照射の状態を示す正面図、第９図は２辺のリー
ド脚の半田付けを終了した状態のＩＣの正面図、第１０
図はＩＣの整形を行なわない参考例のＩＣの正面図、第
１１図は４辺を同時に半田付けした［Ｃの正面図である
。 なお図面に用いた符号において、 １０・・・フラットパッケージＩＣ １１・・・回路基板 １３．１４・・・リード脚 １５・・・導電性パターン １６・・・ディップ半田 １９・・・レーザビーム ２１・・・前部フィレット ２２・・・侵部フィレット である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　４辺にそれぞれリード脚が延出されているフラットパ
   ッケージＩＣを回路基板の接続用パターンに半田付けす
   る方法において、前記回路基板の接続用パターンに予め
   半田付けを行なっておくとともに、前記リード脚を前記
   接続用パターンに付着された半田量に対応する寸法だけ
   曲げておき、他の２辺のリード脚によって高さ方向の位
   置決めを行ないながら前記接続用パターンに予め付着さ
   れている半田を溶かして互いに対向する２辺のリード脚
   の半田付けを行ない、次いで半田付けされた前記互いに
   対向する２辺のリード脚によって高さ方向の位置決めを
   行ないながら対応する接続用パターンに予め付着されて
   いる半田を溶かして前記他の２辺のリード脚の半田付け
   を行なうようにしたことを特徴とするフラットパッケー
   ジＩＣの半田付け方法。