JPS62252544A - 光記録膜の活性化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザ光を照射してピットを形成する光記録方
法において、光記録膜のピット形成を活性化する方法に
関するものである。

（従来技術および発明が解決しようとする問題点）レー
ザ光を光記録膜に照射してピットを形成する光記録方法
においては、光記録膜が、レーザ光を吸収して、融点以
上の温度に上昇して、融解し、融解部分が周辺におしひ
ろげられてピットが形成される。このピット形状に必要
なエネルギーは記録膜の熱的性質の他に、記録膜の表面
張力や記録膜を゛形成している基板の表面張力などに影
響される。このため、ピット形成に必要な最小のエネル
ギーは基板の材料によって大きく異なる。したがって同
じ記録膜でも、記録膜が形成される基板によってピット
形成に必要なエネルギ（感度）が変わり、同じ条件で書
込みをおこなっても、ピット形状に大小が生じたシ、あ
るいは溶融物がスムーズに周辺にひろがらずにピット内
に小片が固化して残る場合がある。このようにビット径
が小さい場合やピット内に残留物が見られる場合は、記
録信号が十分な大きさで得られない。このため、十分な
記録信号値を得るために、ピット形成能力を向上させる
活性化方法が検討されている。

たとえば、溝つき基板の上にニトロセルロースをコート
し、活性層とした後、Ｔｏ系記録膜をその上に形成し媒
体構成とする。これに集光された半導体レーザ光を照射
すると、吸収した熱によｐＴｅ系記録膜の融解とニトロ
セルロースの分解がおこシ、溶融物の周辺への拡散が助
長される。

しかしながら、溝つき基板の上にニトロセルロース層を
形成すると溝の形状に影響を与え、トラキング信号やフ
寸−カジグ信号がゆらぐ。

まな、材料的にもニトロセルロースのよウニ活性度の高
いものは溶融物を爆発的に飛散させるので、ビット周辺
部のもり上がり部の不均一さＫよるノイズ（リムノイズ
）の増大がみられ、信号コントラストは大きくならない
。さらにニトロセルロースの他の材料、グアニン、銅フ
タロシアニンペリレン、アリゾリン等を記録膜と基板と
の間に形成し活性化する方法も検討されているが、感度
、ピット形状、面あらさすべてを満足するものではなか
った。

一方、フ中トポリマーを用いた転写基板の場合、スタン
パ９側に活性層を形成し、これを基板側へフすトポリマ
ーと重ねて転写するので、溝の転写性としては問題がな
いが、一枚の転写基板ごとにスタンパに活性層を形成し
、基板側へ転写する工程をとるため、作業能率が低いな
どの欠点があっ九。

（問題点を解決するための手段） 本発明の目的は、光記録膜のピット形成能力を高める活
性層の形成において、溝形状に影譬な与えずに、ピット
のリムノイズも低くおさえた光記録膜の活性化方法を提
供することにある。

上記の目的を達成する次め、本発明は基板上の記録膜に
レーザ光を照射してピットを形成する光記録方法におい
て、基板片面上にガス状の光硬化性樹脂モノマーを吸着
させる第１の工程と、この吸着層に前記基板反対側より
紫、外線を照射し光硬化させる第２の工程と、前記の硬
化膜上に記録膜を形成する第３の工程とを具備すること
を特徴とする光記録膜の活性化方法を発明の要旨とする
ものである。

本発明は、ガス状光硬化性樹脂モノマーを基板に吸着さ
せ、基板側から紫外線露光して薄膜を基板と記録膜との
間に形成し、これを記録膜の活性層とすることを最も主
要な特徴とする。

従来の活性層は溝つき基板上へのスピンコード法によっ
ていたため、活性層厚が薄い場合でもせいぜい０．１μ
ｍ程度である。し念がって、溝つき基板の溝形状がコー
トされた膜におおわれて変化してしまう。

を之、既に溝が基板上罠形成されているため、スピンコ
ードによって得られる膜の膜厚は一枚の基板の中で径方
向や周方向に分布をもち、トラッキングエラー等の要因
になシかねない。

本発明ではスピンコードによらない方法として、ガス状
の光硬化性樹脂を溝つき基板上に吸着させる方法を用い
ているため吸着した活性層厚さは数１０オングストロー
ム程度のものが得られる。したがって溝形状の変化も少
ないし、径方向、周方向での板厚変動も小さい。また、
活性層を形成する材料として、基板に吸着した光硬化性
樹脂モノマを光照射によって硬化させ念ものを用いてい
るため、ニトロセルロースを活性層とする場合のように
記録膜のレーザ照射された部分の溶融物が爆発的に飛散
することはない。このため、媒体表面の面あれも少いし
、記録によりピットが形成されてもリムノイズによるノ
イズレベルの増大はみられない。

また、スピンナ塗布の場合のように一枚づつ活性層を形
成しなくとも、複数枚をまとめて、モノマ蒸気にさらせ
ばよいため生産能率を高めることができる。

基板としては、ポリカーブネート基板、ポリメチルメタ
クリレート基板、ポリ−４メチル被ンテン−１基板、エ
ポキシ樹脂基板などのプラスチック基板はもちろん、ガ
ラス基板およびガラスフすトポリマーで溝を切った基板
、ガラスにキノンジアジド系し・シストで溝を切った基
板、さらにはプラスチック基板に７オトポリマで溝を転
写した基板などを用いることができる。

一方、記録膜もＴｅ−８ｅ　−Ｐｂ　、　Ｔｏ−８ｓ−
ＡｇなどＴｅ合金系、二硫化炭素プラズマ重合膜−Ｔｅ
蒸着膜などＴ・系化合物およびシアニン色素、キノン系
色素などの有機色素記録薄膜に適用可能であるＯ光硬化
性樹脂の蒸気圧は常温、常圧では低いが、数ミリトール
程度の減圧容器内に放置するとガス状成分が得られる。

活性層として有効なガス圧濃度として得られる光硬化性
樹脂には、メチルメタクリレートモノマー、メチルアク
リレートモノマー、２−エチルへキシルアクリレート、
２−メト中ジエチルアクリレート、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、１・６−ヘキサンジオールジアクリ
レート、テトラエテレングリコールジアクリＶ−）、１
・３−ブチレングリコールジアクリレート、２．ビス（
４−アクリロキシポリエトキシフェニル）クロノ母ン、
エチレングリコールジメタクリレートなどをあげること
ができる。

これらのモノマーは基板裏面側から紫外線照射すれば光
硬化するが、効率を高めるためには、超高圧水銀灯など
に感度の高いペンゾインイソグロ♂ルエーテル、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾフェノンなどの光重合開始
剤とともに基板に吸着させるとよい。

次に本発明の詳細な説明する。

なお実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
しカい範囲で種々の変更あるいは改良を行いうろことは
言うまでもない。

〔実施例１〕 第１図は、本発明の第１の実施例を説明する図であって
１は溝つき基板、２は活性層、３は記録膜である。ポリ
カーゴネート樹脂をインジスクシ１ン成形した１３０Ｉ
鳳φのプラスチック基板を溝つき基板とした。溝幅０．
６μｍ、溝深さ７００１　、溝１．６　μｍである。

減圧度０．１　ｍｍ　Ｔｏｒｒまで可能な減圧容器内に
溝つきプラスチック基板とともに、光硬化可能なモノマ
組成物（モノマー：１・３−ブチレングリコールジアク
リレート、光重合開始剤ペンゾインイソグロビルエーテ
ル）を収納し、真空ポンプにより０．５寵Ｔｏｒｒ　ｔ
で減圧にした。このまま１０分間放置し、常圧までもど
し、基板をとシ出し、基板側から超高圧水銀灯で３００
ｍＪβ露光し、活性層とした。

この基板上にＴｅａｏ　Ｓ’２ＧのＴｅ合金をスパッタ
リングして１０００　Ｘの薄膜を形成した。１８００回
／分で回転するディスクの中心から１００關φの位置に
、光強度８．５　ｍＷ、パルス幅１００ｎｓｅｃの記録
条件で８２０　ｎｍの半導体レーザを用いて記録した。

記録コントラストを示す　Ｃ／Ｎは５４　ｄＢであった
。一方、プリカーゼネート樹脂をインジェクション成型
した溝つき基板上に活性層をつけずＫ、そのままＴｅ、
。５ｅ２ｏのＴｅ合金をスパッタリングして１０００　
Ｘの薄膜をつけ、同じ記録条件で記録したところＣ／Ｎ
は５０　ｄＢあった。

〔実施例２〕 実施例１で用いた溝つき基板を光硬化可能な七ツマーｆ
ｄｌ成物（２，ビス（４−アクリロキシポリエトキシフ
ェニル）フロパン、ベンゾインイソピロピルエーテル）
とともに減圧容器におさめ真空ポンプで０．２８１　Ｔ
ｏｒｒまで減圧にした。このまま１５分間放置し、常圧
までもどし基板をとり出し、基板側から超高圧水銀灯で
３００ｍＪ／６Ｉｌ露光した。

この基板上に、実施例１と同じようにＴｅ合金をスパッ
タして薄膜をつけ、実施例１と同じ条件で記録した。Ｃ
／Ｎは５３　ｄＢであった。このディスクを走査型電子
顕微鏡で観察したところピット内に残留物はみられず、
またリムの形状もスムーズでピット形状、記録膜の表面
状態は良好であった。一方、溝つき基板にその１まＴ・
合金膜をつけ同じ記録条件で記録し、Ｃ／Ｎ　５０ｄＢ
を得たものを走査型電子顕微鏡で観察したところ、記録
膜の表面あれば良好であったがピット内にしわ状の薄膜
残査がみられた。

〔実施例３〕 実施例１で用いた溝つき基板を光硬化可能な七ツマー組
成物（メチルメタクリレートモノマー、ペンゾインイソ
グロビルエーテル）とともに減圧容器におさめ、真空ポ
ンプでＩＩｊＩＴｏｒｒまで減圧にし、その後真空ポン
プをとめ減圧状態のまま１５分間放置した。常圧までも
どし、基板をとり出し、基板側から超高圧水銀灯で露光
した。この基板上に実施例１と同じようにＴｅ合金をス
パッタして薄膜をつけ、実施例１と同じ条件で記録した
Ｃ／Ｎは５４　ｄＢであった。

〔実施例４〕 ガラス基板上にフォトレジスト（東京応化基０ＦＰＲ８
００）にアルゴンレーザを照射し、溝をカッティングし
た基板を光硬化可能なモノマー組成物（メチルメタクリ
レートモノマー、ベンゾインイソプロピルエーテル）と
ともに減圧容器におさめ、真空ポンプで１酊Ｔｏｒｒま
で減圧にし、このまま、１０分間放置し、常圧までもど
し基板をとり出し、基板上にガラスマスク上から超高圧
水銀灯を３００ｍＪβ露光した。

この基板上に実施例１と同じ条件で記録膜を形成し次。

Ｃ／Ｎは５５　ｄＢであった。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明によればガス状の光硬化性
樹脂モノマーを溝つき基板上に吸着させ、光硬化させた
薄膜を基板と記録膜の層間に設け、レーザ光を照射して
記録すると、ピット内に残留物もみられず、リムノイズ
も少ないピットが形成でき、記録Ｃ／Ｎも高くなるので
、高品質光ディスクを製造する上で大きな利点がある６

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光ディスクの構成断面図である。 １・・・基板、２・・・光硬化性モノマ硬化薄膜（活性
化膜）、３・・・記録膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上の記録膜にレーザ光を照射してピットを形成する
   光記録方法において、基板片面上にガス状の光硬化性樹
   脂モノマーを吸着させる第１の工程と、この吸着層に前
   記基板反対側より紫外線を照射し光硬化させる第２の工
   程と、前記の硬化膜上に記録膜を形成する第３の工程と
   を具備することを特徴とする光記録膜の活性化方法。