JPS62256452A - 半導体集積回路用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路用基板に関し、特に基板の両面
に素子が形成される両面形の半導体集積回路用の基板に
関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体基板の両面に素子を形成した集積回路を製
造するためには一生面に素子を形成するための単結晶半
導体領域を有する２つの半導体基板の他主面側を互に貼
９つけた基板が用いられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の貼り付けられた基板では、別々に作られ
た２つの基板を貼り付けることになるため、２つの基板
間の電気的接続や絶縁分離が自由に精度良〈実施できな
いという欠点がある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体集積回路用基板は、半導体基板中に複数
個の素子を形成するための単結晶半導体領域の少くとも
一つが基板を貫通して設けられていることを特徴とする
。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図（ｆ）は本発明の一実施例の半導体基板であって
ｎ形半導体基板１とｎ形半導体基板１の上にエピタキシ
ャル成長によって形成された単結晶層５が絶縁膜２“に
よって覆われ、絶縁膜２”上にエピタキシャル成長によ
って形成された多結晶層４に囲まれている。第１図（ａ
）〜（ｅ）は本発明の−実施例の半導体基板の製造プロ
セスの各工程断面図である。同図（ａ）に示すように（
１００）面を持つｎ形半導体基板１に単結晶層５を形成
するためのマスク（絶縁膜）２を形成し、同図（ｂ）の
ようにエピタキシャル成長させると、ｎ形半導体基板１
の上に単結晶層５が成長し、マスク２の上には多結晶層
４が成長する。次に同図（Ｃ）のように多結晶層６を異
方性エツチングによ＃）選択エツチングして取除いた後
、分離溝６を形成するためのマスク２“を形成し、同図
（ｄ）のように異方性エツチングによってｎ形半導体基
板１に分離溝６を形成した後、基板上全面にマスク２″
を形成する。次に同図（ｅ）に示すように再びエピタキ
シャル成長させると基板上面に多結晶層４が形成され、
Ａ−Ａ’及びＢ−Ｂ’の一点鎖線面で基板を研削するこ
とによって同図（ｆ）のように本発明の一実施例である
半導体基板が得られる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、素子を形成するための単
結晶領域を絶縁分離して基板の両面に設けることにより
、集積度の高い高耐圧集積回路に最適な半導体集積回路
用基板が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例である半導体
集積回路用基板の製造工程を示す各工程断面図である。 １・・・・・・ｎ形半導体基板、２・・・・・・マスク
（絶縁膜）、３・・・・・・エピタキシャル成長層、４
・・・・・・多結晶層、５・・・・・・単結晶層、６・
・・・・・分離溝。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板中に複数個の素子を形成するための単結晶半
   導体領域の少なくとも一つが基板を貫通して設けられて
   いることを特徴とする半導体集積回路用基板。