JPS622610Y2 - - Google Patents
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- JPS622610Y2 JPS622610Y2 JP1979156605U JP15660579U JPS622610Y2 JP S622610 Y2 JPS622610 Y2 JP S622610Y2 JP 1979156605 U JP1979156605 U JP 1979156605U JP 15660579 U JP15660579 U JP 15660579U JP S622610 Y2 JPS622610 Y2 JP S622610Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は位置合せを容易にしたＸ線露光マスク
に関する。超高密度のLSIを製作するには１μｍ
前後の微細パターンを持つマスクを±0.2μｍ以
下の位置精度で数回以上ウエハに転写する必要が
ある。
に関する。超高密度のLSIを製作するには１μｍ
前後の微細パターンを持つマスクを±0.2μｍ以
下の位置精度で数回以上ウエハに転写する必要が
ある。
Ｘ線露光用マスクは半導体基板等の上に形成さ
れたＸ線レジスト膜側に配置され、該マスク側か
らＸ線を露光しマスクに設けられた所望のパター
ン部を上記Ｘ線レジスト膜に転写するのに用いら
れる。
れたＸ線レジスト膜側に配置され、該マスク側か
らＸ線を露光しマスクに設けられた所望のパター
ン部を上記Ｘ線レジスト膜に転写するのに用いら
れる。
しかるにＸ線露光マスクには、通常厚さ数μｍ
のSiを用いるので可視光の透過率が悪く、Ｘ線露
光マスクと基板との位置合せが困難であるという
欠点があつた。
のSiを用いるので可視光の透過率が悪く、Ｘ線露
光マスクと基板との位置合せが困難であるという
欠点があつた。
またＸ線露光マスクに可視光に対し透明な高分
子膜例えばポリイミド等を用いた場合には、高分
子膜が吸湿性のため空気中の水分を吸つてタルミ
を生じるために高分子膜は平坦性が損なわれ、そ
の結果、このＸ線露光用マスクを用いて基板上の
Ｘ線レジスト膜にパターン描画を行なうと、所望
のパターン部を有する高分子膜が腕曲しているた
め、レジスト膜に転写されたパターンの幅および
間隔が所期の目的より大きくなつたり、小さくな
つたりして再現性のよいパターン描画ができない
欠点がある。
子膜例えばポリイミド等を用いた場合には、高分
子膜が吸湿性のため空気中の水分を吸つてタルミ
を生じるために高分子膜は平坦性が損なわれ、そ
の結果、このＸ線露光用マスクを用いて基板上の
Ｘ線レジスト膜にパターン描画を行なうと、所望
のパターン部を有する高分子膜が腕曲しているた
め、レジスト膜に転写されたパターンの幅および
間隔が所期の目的より大きくなつたり、小さくな
つたりして再現性のよいパターン描画ができない
欠点がある。
本考案は上記欠点を解消するためになされたも
ので、位置合せマーク部のみを可視光に対して透
明な材料にし、位置合せが容易に行なえるように
し、他の部分を固くして可視光に対し透明な材料
を平坦の支持し保護するための光に対する透過度
の悪い材料との複層構造にしたＸ線露光用マスク
を提供するものである。
ので、位置合せマーク部のみを可視光に対して透
明な材料にし、位置合せが容易に行なえるように
し、他の部分を固くして可視光に対し透明な材料
を平坦の支持し保護するための光に対する透過度
の悪い材料との複層構造にしたＸ線露光用マスク
を提供するものである。
このために、可視光に対して透明な材料として
ポリイミド、ポリパラキシレン等の高分子膜を用
い、また歪み、腕曲が生じないように支持する固
い材料としてシリコン（Si）或はベリリウム
（Be））等を用いる。
ポリイミド、ポリパラキシレン等の高分子膜を用
い、また歪み、腕曲が生じないように支持する固
い材料としてシリコン（Si）或はベリリウム
（Be））等を用いる。
以下、本考案の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
実施例１ 第１図は高分子膜と高濃度ボロン拡散
Si膜との二層構造をＸ線透過層とし、位置合せパ
ターン部のみを高分子単層膜とした構造のＸ線露
光用マスクを製作する工程概略図である。
Si膜との二層構造をＸ線透過層とし、位置合せパ
ターン部のみを高分子単層膜とした構造のＸ線露
光用マスクを製作する工程概略図である。
厚さ300〜1000μｍ程度のSiウエハ０に高濃度
Ｂを拡散し、厚さ数μｍ程度のＢ拡散層１を有す
るＰ++Si基板を熱酸化し、表面にSiO2膜２を形成
した後、位置合せパターン、デバイスパターン部
のパターニング(a)のように行なう。
Ｂを拡散し、厚さ数μｍ程度のＢ拡散層１を有す
るＰ++Si基板を熱酸化し、表面にSiO2膜２を形成
した後、位置合せパターン、デバイスパターン部
のパターニング(a)のように行なう。
次にエチレンジアミン、ピロカテコールの水溶
液をエツチング液に用いて、(b)のようにパターニ
ングされた部分のSiをエツチングする。上記エツ
チング液にSiウエハ０部分はエツチングされるが
高濃度Ｂ拡散層１はエツチングされない。従つて
エツチング終了後位置合せパターン部及びデバイ
スパターン部には、エツチングされなかつた厚さ
数μｍ程度の高濃度Ｂ拡散層からなるＰ++Siの窓
が形成される。
液をエツチング液に用いて、(b)のようにパターニ
ングされた部分のSiをエツチングする。上記エツ
チング液にSiウエハ０部分はエツチングされるが
高濃度Ｂ拡散層１はエツチングされない。従つて
エツチング終了後位置合せパターン部及びデバイ
スパターン部には、エツチングされなかつた厚さ
数μｍ程度の高濃度Ｂ拡散層からなるＰ++Siの窓
が形成される。
次にフツ酸を用いてSiO2膜２をエツチング除
去し、(c)のような位置合せパターン部、デバイス
パターン部が厚さ数μｍのＰ++Si層からなる支持
体３を得る。
去し、(c)のような位置合せパターン部、デバイス
パターン部が厚さ数μｍのＰ++Si層からなる支持
体３を得る。
次に(d)のように、支持体３の上にポリイミド、
ポリパラキシレン等の高分子溶液をスピンコート
にて乾燥膜厚が１〜５μｍ程度となるように回転
塗布し、乾燥熱処理して、高分子膜４を形成す
る。
ポリパラキシレン等の高分子溶液をスピンコート
にて乾燥膜厚が１〜５μｍ程度となるように回転
塗布し、乾燥熱処理して、高分子膜４を形成す
る。
次にデバイスパターン部５ａのSiを(e)のように
AZ−1350Jなどのフオトレジスト６で被覆し、位
置合せパターン部５ｂに露出したＰ++Si膜１を四
フツ化炭素（CF4）とO2の反応性ガスを用いるガ
スプラズマエツチング或は化学エツチングにより
除去する。
AZ−1350Jなどのフオトレジスト６で被覆し、位
置合せパターン部５ｂに露出したＰ++Si膜１を四
フツ化炭素（CF4）とO2の反応性ガスを用いるガ
スプラズマエツチング或は化学エツチングにより
除去する。
従つて、位置合せパターンン部５ｂは(f)のよう
に光透過性のある高分子膜４のみとなる。
に光透過性のある高分子膜４のみとなる。
次に(g)のように、ポリイミド、ポリパラキシレ
ンなどからなる高分子膜４は溶解せずにAZ−
1350Jのレジストのみを溶解する溶剤を用いてレ
ジスト層６を除去する。
ンなどからなる高分子膜４は溶解せずにAZ−
1350Jのレジストのみを溶解する溶剤を用いてレ
ジスト層６を除去する。
次に(h)のように、デバイスパターン部５ａ、位
置合せパターン部５ｂの高分子膜４上ににＸ線を
吸収し、マスクとなる。デバイスパターン７及び
位置合せパターン８を金（Au）メツキ法などに
より形成する。なおAuパターン７，８の形成は
(d)工程の次に行なつても良い。
置合せパターン部５ｂの高分子膜４上ににＸ線を
吸収し、マスクとなる。デバイスパターン７及び
位置合せパターン８を金（Au）メツキ法などに
より形成する。なおAuパターン７，８の形成は
(d)工程の次に行なつても良い。
上記方法により形成したＸ線露光用マスクは位
置合せパターン部５ｂは可視光に対して透過性の
ある高分子膜のみとなつており、位置合せが容易
となる。また位置合せパターン部５ｂは面積が小
さいため、高分子膜４の歪みが少なく腕曲がない
ものとなる。またデバイスパターン部５ａは広面
積であるが、Ｐ++Si膜１に支持された構造である
ので高分子膜４の歪みが少なく、腕曲、たるみも
ないものとなる。
置合せパターン部５ｂは可視光に対して透過性の
ある高分子膜のみとなつており、位置合せが容易
となる。また位置合せパターン部５ｂは面積が小
さいため、高分子膜４の歪みが少なく腕曲がない
ものとなる。またデバイスパターン部５ａは広面
積であるが、Ｐ++Si膜１に支持された構造である
ので高分子膜４の歪みが少なく、腕曲、たるみも
ないものとなる。
第２図は高分子膜とBe膜との二層構造をＸ線
透過層とし、位置合せパターン部５ｂのみを高分
子膜とした構造のＸ線露光用マスクを製作する工
程概略図である。
透過層とし、位置合せパターン部５ｂのみを高分
子膜とした構造のＸ線露光用マスクを製作する工
程概略図である。
(a)の９は上面が研磨加工されたSi或はガラスか
らなる支持枠である。次に(b)のように支持枠９の
上面に厚さ５〜50μｍ程度のBe膜１０を張り付
ける。次にのようにBe膜１０上にポリイミ
ド、ポリパラキシレン等の高分子膜４を形成す
る。次にデバイスパターン部５ａのBeを(d)のよ
うにAZ−1350Jなどのフオトレジストで被覆し、
位置合せパターン部５ｂに露出したBeを希塩酸
を用いてエツチング除去する。位置合せパターン
部５ｂは(e)のように光透過性のある高分子膜４の
みとなる。次に(f)のようにポリイミド、ポリパラ
キシレンなどからなる高分子膜４は溶解せずに
AZ−1350Jのレジストのみを溶解する溶剤を用い
て、レジスト層６を除去する。次に(g)のようにデ
バイスパターン部５ａ、位置合せパターン部５ｂ
の高分子膜４上にＸ線を吸収しマスクとなるデバ
イスパターン７及び位置合せパターン８をAuメ
ツキ法などにより形成する。なおAuパターン
７，８の形成は(c)工程の後で行なつてもよい。
らなる支持枠である。次に(b)のように支持枠９の
上面に厚さ５〜50μｍ程度のBe膜１０を張り付
ける。次にのようにBe膜１０上にポリイミ
ド、ポリパラキシレン等の高分子膜４を形成す
る。次にデバイスパターン部５ａのBeを(d)のよ
うにAZ−1350Jなどのフオトレジストで被覆し、
位置合せパターン部５ｂに露出したBeを希塩酸
を用いてエツチング除去する。位置合せパターン
部５ｂは(e)のように光透過性のある高分子膜４の
みとなる。次に(f)のようにポリイミド、ポリパラ
キシレンなどからなる高分子膜４は溶解せずに
AZ−1350Jのレジストのみを溶解する溶剤を用い
て、レジスト層６を除去する。次に(g)のようにデ
バイスパターン部５ａ、位置合せパターン部５ｂ
の高分子膜４上にＸ線を吸収しマスクとなるデバ
イスパターン７及び位置合せパターン８をAuメ
ツキ法などにより形成する。なおAuパターン
７，８の形成は(c)工程の後で行なつてもよい。
第３図に示すように、本考案により製作したＸ
線露光用マスクを半導体基板１２上の触刻パター
ン１４を有するシリコン酸化膜１３上に被着形成
されたＸ線レジスト膜１５に所定の間隔をおいて
配置し、かつＸ線露光用マスクの位置合せマーク
部５ｂ上の可視光に対み透明な高分子膜４を通し
てＸ線露光用マスクの位置合せパターン８と基板
１２上の位置合せパターン８′とが±0.2μｍ以下
の位置精度で一致するように配置した後、Ｘ線管
１１から基板１２上にＸ線が照射される。Ｘ線レ
ジスト膜１５にはＸ線用マスクのパターン７，８
以外に相当する部分にＸ線が照射される。この場
合、マスクを構成する高分子膜４はＰ++Si膜３に
支持され、高度の平坦性を有するので、Ｘ線レジ
スト膜１５に高分子膜４上のパターン部７，８を
精度良く転写でき、再現性の良好なパターン描画
を行なうことができる。
線露光用マスクを半導体基板１２上の触刻パター
ン１４を有するシリコン酸化膜１３上に被着形成
されたＸ線レジスト膜１５に所定の間隔をおいて
配置し、かつＸ線露光用マスクの位置合せマーク
部５ｂ上の可視光に対み透明な高分子膜４を通し
てＸ線露光用マスクの位置合せパターン８と基板
１２上の位置合せパターン８′とが±0.2μｍ以下
の位置精度で一致するように配置した後、Ｘ線管
１１から基板１２上にＸ線が照射される。Ｘ線レ
ジスト膜１５にはＸ線用マスクのパターン７，８
以外に相当する部分にＸ線が照射される。この場
合、マスクを構成する高分子膜４はＰ++Si膜３に
支持され、高度の平坦性を有するので、Ｘ線レジ
スト膜１５に高分子膜４上のパターン部７，８を
精度良く転写でき、再現性の良好なパターン描画
を行なうことができる。
また、Ｘ線レジスト膜１５の下のシリコン酸化
膜１３に形成された蝕刻パターン１４と同一のパ
ターンをレジスト膜に転写する場合でも、Ｘ線露
光用マスクと基板とが±0.2μｍ以下の位置精度
で一致するように配置されているので、シリコン
酸化膜１３の触刻パターン１４との間にずれを生
ずることなくＸ線レジスト膜に転写パターンを形
成できる。
膜１３に形成された蝕刻パターン１４と同一のパ
ターンをレジスト膜に転写する場合でも、Ｘ線露
光用マスクと基板とが±0.2μｍ以下の位置精度
で一致するように配置されているので、シリコン
酸化膜１３の触刻パターン１４との間にずれを生
ずることなくＸ線レジスト膜に転写パターンを形
成できる。
以上の説明から明らかなごとく、本考案によれ
ば位置合せは容易にかつ高精度で行なえ、またマ
スクは平坦に支持された構造となつているので、
基板上のＸ線レジスト膜に所望パターン部を転写
する際、所望パターン部を高精度で再現性よく転
写できる利点がある。
ば位置合せは容易にかつ高精度で行なえ、またマ
スクは平坦に支持された構造となつているので、
基板上のＸ線レジスト膜に所望パターン部を転写
する際、所望パターン部を高精度で再現性よく転
写できる利点がある。
なお本実施例としては、高分子膜としてポリイ
ミド、ポリパラキシレンを掲げたが、これに限る
ものでなく、他の可視光に対し透明なその上に
Auマスクを被着形成できる材料であれば良い。
ミド、ポリパラキシレンを掲げたが、これに限る
ものでなく、他の可視光に対し透明なその上に
Auマスクを被着形成できる材料であれば良い。
第１図は高分子膜と高濃度Ｂ拡散Si膜との二層
構造をＸ線透過層とし位置合せパターン部のみを
高分子単層膜とした構造のＸ線露光マスクの製作
工程概略図、第２図は高分子膜とBe膜との二層
構造をＸ線透過層とし、位置合せパターン部のみ
を高分子単層膜とした構造のＸ線露光マスクの製
作工程概略図、第３図は本考案のＸ線露光用マス
クによるＸ線露光を示す断面図である。 ０：Siウエハ、１：高濃度Ｂ拡散Si層、２：
SiO2膜、３：Si支持体、４：高分子膜、５ａ：デ
バイスパターン部、５ｂ：位置合せパターン部、
６：レジスト、７：デバイスパターン、８：位置
合せパターン、９：支持枠、１０：Be、１１：
Ｘ線管、１２：基板、１３：シリコン酸化膜、１
４：蝕刻パターン、１５：Ｘ線レジスト。
構造をＸ線透過層とし位置合せパターン部のみを
高分子単層膜とした構造のＸ線露光マスクの製作
工程概略図、第２図は高分子膜とBe膜との二層
構造をＸ線透過層とし、位置合せパターン部のみ
を高分子単層膜とした構造のＸ線露光マスクの製
作工程概略図、第３図は本考案のＸ線露光用マス
クによるＸ線露光を示す断面図である。 ０：Siウエハ、１：高濃度Ｂ拡散Si層、２：
SiO2膜、３：Si支持体、４：高分子膜、５ａ：デ
バイスパターン部、５ｂ：位置合せパターン部、
６：レジスト、７：デバイスパターン、８：位置
合せパターン、９：支持枠、１０：Be、１１：
Ｘ線管、１２：基板、１３：シリコン酸化膜、１
４：蝕刻パターン、１５：Ｘ線レジスト。
Claims (1)
- Ｘ線、可視光に対し透明な材料からなる膜とＸ
線に対し透明でかつ可視光に対し透過率の悪い材
料からなる膜との複層膜をＸ線透過層とするＸ線
露光用マスクにおいて、位置合せマーク部のみを
Ｘ線、可視光に対し透明な材料からなる単層膜と
した構造とすることを特徴とするＸ線露光用マス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979156605U JPS622610Y2 (ja) | 1979-11-12 | 1979-11-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979156605U JPS622610Y2 (ja) | 1979-11-12 | 1979-11-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5675747U JPS5675747U (ja) | 1981-06-20 |
| JPS622610Y2 true JPS622610Y2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=29668026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979156605U Expired JPS622610Y2 (ja) | 1979-11-12 | 1979-11-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622610Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0723959B2 (ja) * | 1985-07-31 | 1995-03-15 | 株式会社日立製作所 | パタ−ン転写用マスクおよび使用方法 |
-
1979
- 1979-11-12 JP JP1979156605U patent/JPS622610Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5675747U (ja) | 1981-06-20 |
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