JPH0346384A - 面型波長可変発光素子 - Google Patents
面型波長可変発光素子Info
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- JPH0346384A JPH0346384A JP1183046A JP18304689A JPH0346384A JP H0346384 A JPH0346384 A JP H0346384A JP 1183046 A JP1183046 A JP 1183046A JP 18304689 A JP18304689 A JP 18304689A JP H0346384 A JPH0346384 A JP H0346384A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0614—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by electric field, i.e. whereby an additional electric field is used to tune the bandgap, e.g. using the Stark-effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18341—Intra-cavity contacts
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基板面に垂直方向に光を出力し、外部からの電
圧制御で、その出力光の波長を変換する発光素子（面型
波長可変発光素子）に関する。
圧制御で、その出力光の波長を変換する発光素子（面型
波長可変発光素子）に関する。
面型波長可変発光素子は光半導体素子を集積した基板を
何枚か並べて、並列に処理を行う光情報処理において重
要な素子と考えられる。面型出力光の波長が外部制御で
変化できれば時分割多重、空間分割多重の概念が面型光
情報素子の分野に適用できることになる。
何枚か並べて、並列に処理を行う光情報処理において重
要な素子と考えられる。面型出力光の波長が外部制御で
変化できれば時分割多重、空間分割多重の概念が面型光
情報素子の分野に適用できることになる。
波長可変機能を持った発光素子としては第３図のものが
知られている。同図において１０１は活性領域、１０２
は位相制御領域、１０３はＤＢＲ領域である。素子長は
約５００μｍである。これについての詳細はエレクトロ
ニクスレターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ、）の
１９８７年、第２３巻の４０３頁を参照されたい。第３
図に示した発光素子は電流注入による屈折率変化を利用
した波長可変ＤＥＲレーザであり、ＤＢＲ領域１０３に
電流注入して波長チューニングを行う。連続波長チュー
ニングの幅を拡大するために位相制御領域１０２が設け
である。波長はある幅まで連続に変わりその後ジャンプ
する。そしてその後また電流注入によって連続的に変わ
っていく。このような準連続的チューニングで波長可変
幅として１００人という値が得られている。
知られている。同図において１０１は活性領域、１０２
は位相制御領域、１０３はＤＢＲ領域である。素子長は
約５００μｍである。これについての詳細はエレクトロ
ニクスレターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ、）の
１９８７年、第２３巻の４０３頁を参照されたい。第３
図に示した発光素子は電流注入による屈折率変化を利用
した波長可変ＤＥＲレーザであり、ＤＢＲ領域１０３に
電流注入して波長チューニングを行う。連続波長チュー
ニングの幅を拡大するために位相制御領域１０２が設け
である。波長はある幅まで連続に変わりその後ジャンプ
する。そしてその後また電流注入によって連続的に変わ
っていく。このような準連続的チューニングで波長可変
幅として１００人という値が得られている。
第３図の従来例は出力光は基板面に平行方向（層方向（
矢印の方向））に出て来るものであり、基板面に垂直な
方向Ｃ面方向）に光出力が得られているわけではない。
矢印の方向））に出て来るものであり、基板面に垂直な
方向Ｃ面方向）に光出力が得られているわけではない。
面出刃型で光の波長を可変に出来るような素子は著者の
知る限りこれまで報告されていねい。それに加えて、従
来例では電流注入によって波長を変化させるため、必然
的に消費電力が増え、集積化には不向きであった。
知る限りこれまで報告されていねい。それに加えて、従
来例では電流注入によって波長を変化させるため、必然
的に消費電力が増え、集積化には不向きであった。
本発明は２つあり、第一の発明による面型波長可変発光
素子は、半導体基板に垂直方向に成長された半導体の集
積構造体とこれを挟む反射鏡より成り、前記積層構造体
は発光用の第一の積層構造体と厚さを変化させられる第
二の積層構造体から構成され、前記反射鏡によって形成
される共振器の長さは自然放出モードが一本しかたたな
い程の長さであり、前記第二の積層構造体に電極が形成
され、この電極に加える電圧によってピエゾ効果を生ぜ
しめ、その効果で前記共振器の長さを変化させることを
特徴としている。
素子は、半導体基板に垂直方向に成長された半導体の集
積構造体とこれを挟む反射鏡より成り、前記積層構造体
は発光用の第一の積層構造体と厚さを変化させられる第
二の積層構造体から構成され、前記反射鏡によって形成
される共振器の長さは自然放出モードが一本しかたたな
い程の長さであり、前記第二の積層構造体に電極が形成
され、この電極に加える電圧によってピエゾ効果を生ぜ
しめ、その効果で前記共振器の長さを変化させることを
特徴としている。
第二の発明による面型波長可変発光素子は、半導体基板
に垂直方向に成長された半導体の積層構造体より成り、
前記積層構造体は発光用の積層構造体とこれを挟む半導
体多層膜反射鏡とから成る共振器を形成し、前記半導体
多層膜は半導体媒質中の発光波長の１／４の整数倍の厚
さの屈折率の異なる２種類の半導体薄膜を積層した構造
であり、この半導体多層膜に電極が形成され、この電極
に電圧を印加することによって生じるピエゾ効果によっ
て前記半導体多層膜の厚さを変化させ、共振波長を変化
させることを特徴としている。
に垂直方向に成長された半導体の積層構造体より成り、
前記積層構造体は発光用の積層構造体とこれを挟む半導
体多層膜反射鏡とから成る共振器を形成し、前記半導体
多層膜は半導体媒質中の発光波長の１／４の整数倍の厚
さの屈折率の異なる２種類の半導体薄膜を積層した構造
であり、この半導体多層膜に電極が形成され、この電極
に電圧を印加することによって生じるピエゾ効果によっ
て前記半導体多層膜の厚さを変化させ、共振波長を変化
させることを特徴としている。
第一の発明では、共振器構造において、素子サイズを微
少化して、共振器の共振モードが自然放出の帯域内に一
本しか立たなくする。さらに、第二の積層構造体に外部
から電圧を加え、自分自身の持つピエゾ効果で積層構造
体の長さを変化させる。この時、光ポンピングや、電流
注入の手段で第一の積層構造体をキャリア励起し発光さ
せるものとすれば、積層構造帯のサイズは上に述べたよ
うに非常に小さいので、発光波長を連続的に、しかも大
きく変化させることができる。発光波長が変わるのは共
振器のサイズが変わり、それにともなって許容される自
然放出モードが変化するからである。
少化して、共振器の共振モードが自然放出の帯域内に一
本しか立たなくする。さらに、第二の積層構造体に外部
から電圧を加え、自分自身の持つピエゾ効果で積層構造
体の長さを変化させる。この時、光ポンピングや、電流
注入の手段で第一の積層構造体をキャリア励起し発光さ
せるものとすれば、積層構造帯のサイズは上に述べたよ
うに非常に小さいので、発光波長を連続的に、しかも大
きく変化させることができる。発光波長が変わるのは共
振器のサイズが変わり、それにともなって許容される自
然放出モードが変化するからである。
第二の発明では、発光部を挟む半導体多層膜反射鏡によ
って共振器が形成される。この多層膜反射鏡に外部から
電圧を加え、ピエゾ効果によって多層膜の厚みを変化さ
せることにより、共振波長を変化させる。
って共振器が形成される。この多層膜反射鏡に外部から
電圧を加え、ピエゾ効果によって多層膜の厚みを変化さ
せることにより、共振波長を変化させる。
第１図は第一の発明に係る実施例である。同図において
１１はＩｎＰ基板であり、その面方位は（１１１） Ａ
である。１２はｎ−ＩｎＰ（厚さｄ＝０．２μｍ、キャ
リア濃度ｎ ＝ ２ Ｘ １０ ”ａｍ−３）、１３は
Ｉ） Ｉ ｎａ４ｒＧｏ、ｓｓＡ Ｓ （厚さｄ＝０
．１．ｕｍ。
１１はＩｎＰ基板であり、その面方位は（１１１） Ａ
である。１２はｎ−ＩｎＰ（厚さｄ＝０．２μｍ、キャ
リア濃度ｎ ＝ ２ Ｘ １０ ”ａｍ−３）、１３は
Ｉ） Ｉ ｎａ４ｒＧｏ、ｓｓＡ Ｓ （厚さｄ＝０
．１．ｕｍ。
キャリア濃度ｐ＝ Ｉ Ｘ １０．”ｃｍ ”） １
４はｐ−ＩｎＰ（厚さｄ＝０．１５μｍ、キャリア濃度
ｐ＝１ ｘ １０ ”ａｎ−”）、１５はアンドープの
ＩｎＰ（厚さｄ＝０．１μｍ）、１６はｎ−ＩｎＰ（厚
さｄ＝０．１μｍ１キヤリア濃度ｎ＝２Ｘ１０目ｃｍ−
３）、１７はアンドープのＩｎｋ（厚さｄ＝０．５．ｕ
ｍ）、１８はｐ−ＩｎＰ（厚さｄ＝０．１．ｕｍ、キャ
リア濃度Ｐ ＝ １ ｘ １０ ”ｃｍ−３）である。
４はｐ−ＩｎＰ（厚さｄ＝０．１５μｍ、キャリア濃度
ｐ＝１ ｘ １０ ”ａｎ−”）、１５はアンドープの
ＩｎＰ（厚さｄ＝０．１μｍ）、１６はｎ−ＩｎＰ（厚
さｄ＝０．１μｍ１キヤリア濃度ｎ＝２Ｘ１０目ｃｍ−
３）、１７はアンドープのＩｎｋ（厚さｄ＝０．５．ｕ
ｍ）、１８はｐ−ＩｎＰ（厚さｄ＝０．１．ｕｍ、キャ
リア濃度Ｐ ＝ １ ｘ １０ ”ｃｍ−３）である。
２１，２３はＡ ｕ ／ Ｃｒ電極、２２，２４はＡｕ
Ｇｅ−Ｎｉ電極である。２５は５ｉｆ２絶縁膜である。
Ｇｅ−Ｎｉ電極である。２５は５ｉｆ２絶縁膜である。
２６．２７はＡｕ反射膜であり、光を取り出すために反
射率を９５％程度にする。
射率を９５％程度にする。
電極２１と電極２２の間に順方向の電圧を加えると、Ｉ
ｎｑ、＋ｔＧ ａｃｓ、Ａ Ｓ １３で発光が生じる
が、これは１．６７μｍにピークをもつ自然放出光であ
る。２６と２７のＡｕ反射膜によって形成さ曝 れる共振器の長さＬをλ／２ｎ（ｎ＃半導体の屈折率）
の整数倍とすることにより、共振器の共振波長と自然放
出のピーク波長が一致する。更に、共振器の共振波長の
間隔を自然放出光の波長の広がりよりも大きくすること
によって、出力光は光振器の共振波長により決定される
一本の鋭いピークとして得られる。このような理由から
本実施例ではＬ＝１．１５μｍとしている。
ｎｑ、＋ｔＧ ａｃｓ、Ａ Ｓ １３で発光が生じる
が、これは１．６７μｍにピークをもつ自然放出光であ
る。２６と２７のＡｕ反射膜によって形成さ曝 れる共振器の長さＬをλ／２ｎ（ｎ＃半導体の屈折率）
の整数倍とすることにより、共振器の共振波長と自然放
出のピーク波長が一致する。更に、共振器の共振波長の
間隔を自然放出光の波長の広がりよりも大きくすること
によって、出力光は光振器の共振波長により決定される
一本の鋭いピークとして得られる。このような理由から
本実施例ではＬ＝１．１５μｍとしている。
さて、基板１１の面方位を通常の（１００）ではなく（
１１１）Ａにした理由であるが、それは層厚方向に電圧
をかけたときにピエゾ効果を発生させるためである。（
１１１） Ａ基板に半導体層を積んでその方向に電圧を
かけて内部電界を生じさせるとピエゾ効果が現れ、その
結果として長さが変わる。電極２３，２４間に逆方向の
電圧を加えることにより、ｐｎ結合が逆バイアスされ、
アンドープのＩｎＰ層１層性７乏層が伸びる。この空乏
層の内部電界によってピエゾ効果が生じ、ＩｎＰ層１層
性７さが変わる。１００ｋＶ／ｃｍの電界で約１％縮む
ので、３ｖの逆バイアスで約１００ｋＶ／ｃｍの電界が
加わり、ＩｎＰ層１層性７１％縮む。これに伴い、共振
器長も短かくなり、共振周波数が短波長にシフトする。
１１１）Ａにした理由であるが、それは層厚方向に電圧
をかけたときにピエゾ効果を発生させるためである。（
１１１） Ａ基板に半導体層を積んでその方向に電圧を
かけて内部電界を生じさせるとピエゾ効果が現れ、その
結果として長さが変わる。電極２３，２４間に逆方向の
電圧を加えることにより、ｐｎ結合が逆バイアスされ、
アンドープのＩｎＰ層１層性７乏層が伸びる。この空乏
層の内部電界によってピエゾ効果が生じ、ＩｎＰ層１層
性７さが変わる。１００ｋＶ／ｃｍの電界で約１％縮む
ので、３ｖの逆バイアスで約１００ｋＶ／ｃｍの電界が
加わり、ＩｎＰ層１層性７１％縮む。これに伴い、共振
器長も短かくなり、共振周波数が短波長にシフトする。
本実施例では、シフト量は約９０人となる。
第２図は第二の発明に係る実施例である。同図において
５１はＩｎＰ基板であり、その面方位は（１１１） Ａ
である。５２はバッファー暦月のｎ−ＩｎＰ層（厚さｄ
＝２μｍ、キャリア濃度ｎ＝２ ｘ １０ ”ｃｍ−３
）、６１は多層膜反射鏡であり、５３のアンドープのＩ
ｎＰと５４のアンドープのＩ ｎ ａ−ｒ６Ｇ ａ ａ
ｚ４Ａ Ｓ ｗｓｓ Ｐ １４５を交互に積層した構造
で、６２の多層膜反射鏡も同様に５５のアンドープのＩ
ｎＰと５６のアンドープのＩ ｎ ａｔｅ Ｇ ＆ １
２４Ａ Ｓ １ｌｓｓ Ｐ ｏ、ａｓを交互に積層した
構造である。
５１はＩｎＰ基板であり、その面方位は（１１１） Ａ
である。５２はバッファー暦月のｎ−ＩｎＰ層（厚さｄ
＝２μｍ、キャリア濃度ｎ＝２ ｘ １０ ”ｃｍ−３
）、６１は多層膜反射鏡であり、５３のアンドープのＩ
ｎＰと５４のアンドープのＩ ｎ ａ−ｒ６Ｇ ａ ａ
ｚ４Ａ Ｓ ｗｓｓ Ｐ １４５を交互に積層した構造
で、６２の多層膜反射鏡も同様に５５のアンドープのＩ
ｎＰと５６のアンドープのＩ ｎ ａｔｅ Ｇ ＆ １
２４Ａ Ｓ １ｌｓｓ Ｐ ｏ、ａｓを交互に積層した
構造である。
５７．５８はｐ−ＩｎＰ（厚さｄ＝１１７０人、キャリ
ア濃度ｐ ＝ Ｉ Ｘ １０ ”ａｎ−’）、５９はｎ
−ＩｎＰ（厚さｄ ＝ ０．２ ｐ ｍ、キャリア濃度
ｎ＝２Ｘ １０ ”ｃｍ−”）、６０はｐＩ ｎ ａｎ
ｔ Ｇ ａ １Ｌ８３Ａ ５（ｐ＝ＩＸ１０”ｃｍ−リ
、６３はＳ ｉ Ｏ’＊絶縁膜である。７１．７２はＡ
ｕＧｅ−Ｎｉ電極、７３，７４はＡｕ／Ｃｒ電極である
。発光は工ｎ１ｌＬ４７ＧａＩＬ５゜Ａｓ６０で生じる
。自然放出モードを一本だけにするには多層膜反射鏡６
１６２で挟まれた部分の厚さをλ／２ｎの整数倍にする
必要がある。λ＝１．６７μｍ、ｎ＝３．６であるので
Ｉ ｎ ＩＬ４ｒ Ｇ ａ ｃｓｓＡｓ６０の厚さは２
３００人程度とした。多層膜６１．６２は、ＩｎＰ５３
．５５とＩ ｎ ｒｒｔａ Ｇ ａ １１２４Ａ Ｓ
１ｓ５Ｐ １４５５４ 、５６の厚さをそれぞれλ／
４ ｎとすることで発光波長付近で高反射率となり、Ｉ
ｎＰ５３，５５は１１７０人、Ｉ ｎ ＩＩＬｔｓ Ｇ
＆ Ｗ２４ＡＳａｇｓＰ＋ｕｓ５４．５６は１１４０
人とすればよい。積層する層数は２０周期程度で、反射
率は９５％程度である。本実施例では光ポンピングによ
ってキャリアを励起する。励起光の波長は多層膜の反射
率の小さい波長を選ぶが、本実施例では１．３〜１．４
μｍの波長の光で多層膜を９０％透過し、効率のよい励
起が行える。この発光素子の電極７１．７２に電極７３
．７４より高い電圧を加えることにより多層膜６１．６
２に内部電界を発生させる。１００ｋＶ／ｃｍで約１％
厚さ方向に縮むので、４０Ｖの電圧で内部電界が１００
ｋＶ１０となり、多層膜６１．６２はそれぞれ１％縮む
。
ア濃度ｐ ＝ Ｉ Ｘ １０ ”ａｎ−’）、５９はｎ
−ＩｎＰ（厚さｄ ＝ ０．２ ｐ ｍ、キャリア濃度
ｎ＝２Ｘ １０ ”ｃｍ−”）、６０はｐＩ ｎ ａｎ
ｔ Ｇ ａ １Ｌ８３Ａ ５（ｐ＝ＩＸ１０”ｃｍ−リ
、６３はＳ ｉ Ｏ’＊絶縁膜である。７１．７２はＡ
ｕＧｅ−Ｎｉ電極、７３，７４はＡｕ／Ｃｒ電極である
。発光は工ｎ１ｌＬ４７ＧａＩＬ５゜Ａｓ６０で生じる
。自然放出モードを一本だけにするには多層膜反射鏡６
１６２で挟まれた部分の厚さをλ／２ｎの整数倍にする
必要がある。λ＝１．６７μｍ、ｎ＝３．６であるので
Ｉ ｎ ＩＬ４ｒ Ｇ ａ ｃｓｓＡｓ６０の厚さは２
３００人程度とした。多層膜６１．６２は、ＩｎＰ５３
．５５とＩ ｎ ｒｒｔａ Ｇ ａ １１２４Ａ Ｓ
１ｓ５Ｐ １４５５４ 、５６の厚さをそれぞれλ／
４ ｎとすることで発光波長付近で高反射率となり、Ｉ
ｎＰ５３，５５は１１７０人、Ｉ ｎ ＩＩＬｔｓ Ｇ
＆ Ｗ２４ＡＳａｇｓＰ＋ｕｓ５４．５６は１１４０
人とすればよい。積層する層数は２０周期程度で、反射
率は９５％程度である。本実施例では光ポンピングによ
ってキャリアを励起する。励起光の波長は多層膜の反射
率の小さい波長を選ぶが、本実施例では１．３〜１．４
μｍの波長の光で多層膜を９０％透過し、効率のよい励
起が行える。この発光素子の電極７１．７２に電極７３
．７４より高い電圧を加えることにより多層膜６１．６
２に内部電界を発生させる。１００ｋＶ／ｃｍで約１％
厚さ方向に縮むので、４０Ｖの電圧で内部電界が１００
ｋＶ１０となり、多層膜６１．６２はそれぞれ１％縮む
。
したがって、自然放出モードもこのくらい短波長側にシ
フトさせられる。これは、波長換算で１６７大となる。
フトさせられる。これは、波長換算で１６７大となる。
尚、本実施例では、キャリア励起は光ボンピングによっ
たが、発光部をｐｎ接合として電流注入しても同様の効
果が得られる。
たが、発光部をｐｎ接合として電流注入しても同様の効
果が得られる。
本実施例によれば基板面に垂直な方向に光出力が得られ
て、その出力波長が外部電圧によって変えられる面型波
長可変発光素子が得られる。
て、その出力波長が外部電圧によって変えられる面型波
長可変発光素子が得られる。
また、本発明による波長可変素子では、発光波長は電界
によって変化させるので消費電力が小さく、光並列処理
に必要な素子の面方向での集積に適している。なお本実
施例ではＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ系であったがＧ
ａ Ａ ｓ系のような他の材料でも良い。
によって変化させるので消費電力が小さく、光並列処理
に必要な素子の面方向での集積に適している。なお本実
施例ではＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ系であったがＧ
ａ Ａ ｓ系のような他の材料でも良い。
第一図は第一の発明に係る面型波長可変発光素子の実施
例を示す構造図、第二図は第二の発明に係る実施例を示
す構造図、第三図は波長可変機能を持った光半導体素子
の従来例である。 １１・・・・・・ＩｎＰ基板、１２・・・・・・ｎ−Ｉ
ｎＰ、１ ：ｌ・”・ｐ Ｉ ｎａ４ｙＧ＆１ｌＬｓ
ｘＡｓ、 １４−・”Ｐ−ＩｎＰ％ １５・・・・・
・アンドープＩｎＰ、１６・・・・・・ｎＩｎＰ、１７
・・・・・・アンドープＩｎＰ、１８・・・・・・ｐ
−ＩｎＰ、２１．２３＝Ａｕ／Ｃｒ電極、２２゜２４−
Ａ ｕ Ｇ ｅ −Ｎ ｉ電極、２５・”・”Ｓ ｉｏ
ｚ絶縁膜、２６．２７・・・・・・Ａｕ反射膜、５１１
ｎＰ基板、５２−ｎ−１ｎＰ、５３．５５−・・・・・
アンドープＩｎＰ、５４．５６・・・・・・アンドープ
Ｉ ｎ ａｔｅ Ｇ ａ １２４ Ａ Ｓ ａｓｓ Ｐ
ａｓｓ、５７． ５８−”・Ｉ）−Ｉ ｎＰ、５９＝
−ｎ−Ｉ ｎＰ、６０ ＝ ｐ −Ｉ ｎａ４ｔＧａＩ
ＬｓｘＡｓ、 ６１ 、６２−”・多層膜反射鏡、６３
・・・・・・Ｓ ｉ Ｏを絶縁膜、７１．７２・・・・
・・ＡｕＧｏ−Ｎｉ電極、７３ 、７４ ”＝Ａ ｕ
／ Ｃｒ電極、１０１・・・・・・活性領域、１０２・
・・・・・位相制御領域、０３・・・・・・ＤＢＲ領域
。
例を示す構造図、第二図は第二の発明に係る実施例を示
す構造図、第三図は波長可変機能を持った光半導体素子
の従来例である。 １１・・・・・・ＩｎＰ基板、１２・・・・・・ｎ−Ｉ
ｎＰ、１ ：ｌ・”・ｐ Ｉ ｎａ４ｙＧ＆１ｌＬｓ
ｘＡｓ、 １４−・”Ｐ−ＩｎＰ％ １５・・・・・
・アンドープＩｎＰ、１６・・・・・・ｎＩｎＰ、１７
・・・・・・アンドープＩｎＰ、１８・・・・・・ｐ
−ＩｎＰ、２１．２３＝Ａｕ／Ｃｒ電極、２２゜２４−
Ａ ｕ Ｇ ｅ −Ｎ ｉ電極、２５・”・”Ｓ ｉｏ
ｚ絶縁膜、２６．２７・・・・・・Ａｕ反射膜、５１１
ｎＰ基板、５２−ｎ−１ｎＰ、５３．５５−・・・・・
アンドープＩｎＰ、５４．５６・・・・・・アンドープ
Ｉ ｎ ａｔｅ Ｇ ａ １２４ Ａ Ｓ ａｓｓ Ｐ
ａｓｓ、５７． ５８−”・Ｉ）−Ｉ ｎＰ、５９＝
−ｎ−Ｉ ｎＰ、６０ ＝ ｐ −Ｉ ｎａ４ｔＧａＩ
ＬｓｘＡｓ、 ６１ 、６２−”・多層膜反射鏡、６３
・・・・・・Ｓ ｉ Ｏを絶縁膜、７１．７２・・・・
・・ＡｕＧｏ−Ｎｉ電極、７３ 、７４ ”＝Ａ ｕ
／ Ｃｒ電極、１０１・・・・・・活性領域、１０２・
・・・・・位相制御領域、０３・・・・・・ＤＢＲ領域
。
Claims (2)
- （１）半導体基板に垂直方向に成長された半導体の積層
構造体とこれを挟む反射鏡より成り、前記積層構造体は
発光用の第一の積層構造体とピエゾ効果により厚さを変
化させられる第二の積層構造体から構成され、前記反射
鏡によって形成される共振器の長さは自然放出モードが
一本しかたたない程の長さであることを特徴とする面型
波長可変発光素子。 - （２）半導体基板に垂直方向に成長された半導体の積層
構造体より成り、前記積層構造体は発光用の積層構造体
とこれを挟むピエゾ効果を生じる半導体多層膜反射鏡と
から成る共振器を具備し、前記半導体多層膜は半導体媒
質中の発光波長の１／４の整数倍の厚さの屈折率の異な
る２種類の半導体薄膜を交互に積層した構造であること
を特徴とする面型波長可変発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183046A JPH0346384A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 面型波長可変発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183046A JPH0346384A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 面型波長可変発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346384A true JPH0346384A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16128797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1183046A Pending JPH0346384A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 面型波長可変発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346384A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239550A (en) * | 1991-12-03 | 1993-08-24 | University Of Connecticut | Transistor lasers |
| US5301201A (en) * | 1993-03-01 | 1994-04-05 | At&T Bell Laboratories | Article comprising a tunable semiconductor laser |
| JP2001036191A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-02-09 | Commiss Energ Atom | 波長の同調が可能な共鳴キャビティを備えた光学的半導体デバイスならびに光強度の変調への応用 |
| JP2003080510A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Asahi Organic Chem Ind Co Ltd | 静電防止用木質複合材料及びその製造方法並びにその用途 |
| WO2003007441A3 (en) * | 2001-07-13 | 2003-10-09 | Motorola Inc | Monolithic piezoelectrically-tunable optoelectronic device |
| DE102022117299A1 (de) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | Ams-Osram International Gmbh | Laserbauteil und verfahren zum betreiben eines laserbauteils |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP1183046A patent/JPH0346384A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239550A (en) * | 1991-12-03 | 1993-08-24 | University Of Connecticut | Transistor lasers |
| US5301201A (en) * | 1993-03-01 | 1994-04-05 | At&T Bell Laboratories | Article comprising a tunable semiconductor laser |
| JP2001036191A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-02-09 | Commiss Energ Atom | 波長の同調が可能な共鳴キャビティを備えた光学的半導体デバイスならびに光強度の変調への応用 |
| WO2003007441A3 (en) * | 2001-07-13 | 2003-10-09 | Motorola Inc | Monolithic piezoelectrically-tunable optoelectronic device |
| JP2003080510A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Asahi Organic Chem Ind Co Ltd | 静電防止用木質複合材料及びその製造方法並びにその用途 |
| DE102022117299A1 (de) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | Ams-Osram International Gmbh | Laserbauteil und verfahren zum betreiben eines laserbauteils |
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