JPS62271294A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS62271294A JPS62271294A JP61115830A JP11583086A JPS62271294A JP S62271294 A JPS62271294 A JP S62271294A JP 61115830 A JP61115830 A JP 61115830A JP 11583086 A JP11583086 A JP 11583086A JP S62271294 A JPS62271294 A JP S62271294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boot
- loop
- loops
- generator
- generators
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔概要〕
磁気バブルメモリ素子においてブートループには冗長性
がないので、ブートループ不良によるチップ歩留りの低
下を防(ために、ブートループを余分に設けて冗長性を
もたせ、無欠陥のブートループを容易に選択使用できる
ようにする。
がないので、ブートループ不良によるチップ歩留りの低
下を防(ために、ブートループを余分に設けて冗長性を
もたせ、無欠陥のブートループを容易に選択使用できる
ようにする。
磁気バブルメモリ素子においては、情報を記憶するため
のストレージループのほかに、ストレージループ中の不
良ループ情報を記録したり、停電復旧後の再起動に備え
て先頭番地などを記録しておくためのブートループ(マ
ツプとも呼ばれる)が採用されている。本発明は、磁気
バブルメモリ素子におけるブートループ不良によるチッ
プの歩留まり低下を防止する技術に関する。
のストレージループのほかに、ストレージループ中の不
良ループ情報を記録したり、停電復旧後の再起動に備え
て先頭番地などを記録しておくためのブートループ(マ
ツプとも呼ばれる)が採用されている。本発明は、磁気
バブルメモリ素子におけるブートループ不良によるチッ
プの歩留まり低下を防止する技術に関する。
第3図は従来の磁気バブルメモリ素子の1メモリブロッ
ク中のループ構成を示す図である。書き込みメジャー転
送路旧と読出しメジャー転送路雀との間に多数のマイナ
ーループから成るストレージループ領域Stが配設され
ており、図示例ではこのようなループ構成が、1メモリ
ブロツク中に左右2&11配設されている。なお各書き
込みメジャー転送路旧の入力側にはジェネレータGが接
続され、続出しメジャー転送路Moの出力側にはディテ
クタDがそれぞれ接続されている。ジェネレータGで発
生したバブルは、各書き込みメジャー転送路旧に送出さ
れ、−斉にストレージループ領域St中の各マイナール
ープに転送され、マイナーループ中を巡回することで、
記憶が行なわれる。また読出しは、各マイナーループか
ら読出しメジャー転送路Moに一斉に転送し、読出しメ
ジャー転送路にOから検出器(ディテクタ)Dに転送す
ることで行なわれる。
ク中のループ構成を示す図である。書き込みメジャー転
送路旧と読出しメジャー転送路雀との間に多数のマイナ
ーループから成るストレージループ領域Stが配設され
ており、図示例ではこのようなループ構成が、1メモリ
ブロツク中に左右2&11配設されている。なお各書き
込みメジャー転送路旧の入力側にはジェネレータGが接
続され、続出しメジャー転送路Moの出力側にはディテ
クタDがそれぞれ接続されている。ジェネレータGで発
生したバブルは、各書き込みメジャー転送路旧に送出さ
れ、−斉にストレージループ領域St中の各マイナール
ープに転送され、マイナーループ中を巡回することで、
記憶が行なわれる。また読出しは、各マイナーループか
ら読出しメジャー転送路Moに一斉に転送し、読出しメ
ジャー転送路にOから検出器(ディテクタ)Dに転送す
ることで行なわれる。
ストレージループ領域SL中には、記憶容量に応じた多
数のマイナーループが形成されている。そして欠陥ビッ
トに対応するために、ストレージループ領域Stには通
常1094以上の冗長ループが設けられ、救済処置がと
られている。ところがブートループとしては、通常1つ
のストレージループ領域Stに対して1本しかないため
、100%の無欠陥ループ発生率でないと、チップ自体
が使用不可となってしまう。
数のマイナーループが形成されている。そして欠陥ビッ
トに対応するために、ストレージループ領域Stには通
常1094以上の冗長ループが設けられ、救済処置がと
られている。ところがブートループとしては、通常1つ
のストレージループ領域Stに対して1本しかないため
、100%の無欠陥ループ発生率でないと、チップ自体
が使用不可となってしまう。
チップの歩留まりは、主に1本しかないブートループと
多数のストレージループの無欠陥ループ生成率で決定さ
れるため、ブートループにおいて万一欠陥ビノドが存在
すると、チップ自体が不良品となり、歩留まり低下を来
すことになる。
多数のストレージループの無欠陥ループ生成率で決定さ
れるため、ブートループにおいて万一欠陥ビノドが存在
すると、チップ自体が不良品となり、歩留まり低下を来
すことになる。
そこで従来は、ブートループの欠陥発生率を押さえるた
めに、ストレージループより周期が大きく、マージンの
広くとれる特別な転送パターンを用いていた。しかしな
がら、周期の大きいパターンを用いると、■千ノブ面積
が増大してしまうこと、■ループ構成がストレージルー
プと異なるため、パターン設計や評価の項目が増え、か
つ製造技術上も複雑化すること、などの問題があった。
めに、ストレージループより周期が大きく、マージンの
広くとれる特別な転送パターンを用いていた。しかしな
がら、周期の大きいパターンを用いると、■千ノブ面積
が増大してしまうこと、■ループ構成がストレージルー
プと異なるため、パターン設計や評価の項目が増え、か
つ製造技術上も複雑化すること、などの問題があった。
このような問題を解消するには、ストレージループ領域
と同じ構成のパターンを使用して、ブートループを複数
本設けることが考えられる。
と同じ構成のパターンを使用して、ブートループを複数
本設けることが考えられる。
しかしながら、このようにしてブートループに冗長性を
もたせた場合、その中から良ループを選択して使用しな
ければならないが、通常のストレージループ中における
選)尺の場合とは異なり、一般に難かしくなる。
もたせた場合、その中から良ループを選択して使用しな
ければならないが、通常のストレージループ中における
選)尺の場合とは異なり、一般に難かしくなる。
なぜならば、ブートループは必らずジェネレーターから
のビット位置が指定されているため、それを変更できな
いからである。換言するとループ番号が決まっている。
のビット位置が指定されているため、それを変更できな
いからである。換言するとループ番号が決まっている。
従がって良ブートループの選択は、ブートループの指定
番号を変更しない形で行なわなければならない。
番号を変更しない形で行なわなければならない。
本発明の技術的課題は、ブートループを余分に設けて冗
長性を持たせ、その中から良ループを選択使用する場合
におけるこのような問題を解消し、複数のブートループ
中から容易に良ループを選択使用可能とすることにある
。
長性を持たせ、その中から良ループを選択使用する場合
におけるこのような問題を解消し、複数のブートループ
中から容易に良ループを選択使用可能とすることにある
。
第1図は本発明によるブートループの基本原理を説明す
る図である。第1図はブートループのみを図示したもの
であり、ブートループをLl、L2・・・のように複数
本設け、冗長性を持たせている。また、ブートループと
同じ数のジェネレーターG1、G2・・・を用意し、各
ジェネレータG1、G2・・・とブートループL1.
L2・・・とを対応させ、各ジェネレータG1、G2・
・・からブートループ人口であるスワップゲートS1、
S2・・・までのピント数Sを一定とする。各ジェネレ
ータGl、 G2・・・の端子は独立に引き出し、端子
選択により任意のブートループを選択できるようになっ
ている。
る図である。第1図はブートループのみを図示したもの
であり、ブートループをLl、L2・・・のように複数
本設け、冗長性を持たせている。また、ブートループと
同じ数のジェネレーターG1、G2・・・を用意し、各
ジェネレータG1、G2・・・とブートループL1.
L2・・・とを対応させ、各ジェネレータG1、G2・
・・からブートループ人口であるスワップゲートS1、
S2・・・までのピント数Sを一定とする。各ジェネレ
ータGl、 G2・・・の端子は独立に引き出し、端子
選択により任意のブートループを選択できるようになっ
ている。
ブートループL1、L2・・・の涜出し側には、読出し
ゲートl?l、R2・・・を介して検出2’L Dを接
続しであるが、各続出しゲートR1、R2・・・から検
出器りまでのビット数Sも、総てのブートループL1、
し2・・・において等しくなっている。
ゲートl?l、R2・・・を介して検出2’L Dを接
続しであるが、各続出しゲートR1、R2・・・から検
出器りまでのビット数Sも、総てのブートループL1、
し2・・・において等しくなっている。
〔作用]
各ジェネレータG1、G2・・・から各ブートループL
1、L2・・・への入口であるスワソプゲー1−3l、
S2・・・までのビット数Sが一定となっているので、
どのブートループを選択しても、ブートループ番号の指
定は変更せずに済む。各読出しゲートR1、R2・・・
から検出器りまでのピント数Sも、総てのブートループ
L1、し2・・・において等しくなっているので、どの
ブートループを使用する場合でも、読出し動作のタイミ
ングは一定となる。そのためどのブートループを選択使
用する場合でも、同一条件で使用でき、制御などに変更
を要することはない。なおブートループL1、L2・・
・の選択は、対応するジェネレータG1、G2・・・を
選)尺することで足りる。ジェネレータの選択は、良ル
ープに対応するジェネレータG1、G2・・・の端子を
、ジェネレータ駆動信号入力端にボンディングするのみ
で足りる。
1、L2・・・への入口であるスワソプゲー1−3l、
S2・・・までのビット数Sが一定となっているので、
どのブートループを選択しても、ブートループ番号の指
定は変更せずに済む。各読出しゲートR1、R2・・・
から検出器りまでのピント数Sも、総てのブートループ
L1、し2・・・において等しくなっているので、どの
ブートループを使用する場合でも、読出し動作のタイミ
ングは一定となる。そのためどのブートループを選択使
用する場合でも、同一条件で使用でき、制御などに変更
を要することはない。なおブートループL1、L2・・
・の選択は、対応するジェネレータG1、G2・・・を
選)尺することで足りる。ジェネレータの選択は、良ル
ープに対応するジェネレータG1、G2・・・の端子を
、ジェネレータ駆動信号入力端にボンディングするのみ
で足りる。
次に本発明による磁気バブルメモリ素子におけるブート
ループが実際上どのように具体化されるかを実施例で説
明する。第2図は本発明によるブートループの実施例を
示す回路図である。この実施例は、ブートループを余分
に1本多(設け、全部で2本とした場合の例である。前
記のようにブートループとしては通常1本あれば十分で
あるため、冗長ループを1本設けるだけで、無欠陥生成
率は50%となることになる。これは、ストレージルー
プ領域Stにおけるマイナーループの無欠陥生成率90
%に比べると、充分余裕があることになる。
ループが実際上どのように具体化されるかを実施例で説
明する。第2図は本発明によるブートループの実施例を
示す回路図である。この実施例は、ブートループを余分
に1本多(設け、全部で2本とした場合の例である。前
記のようにブートループとしては通常1本あれば十分で
あるため、冗長ループを1本設けるだけで、無欠陥生成
率は50%となることになる。これは、ストレージルー
プ領域Stにおけるマイナーループの無欠陥生成率90
%に比べると、充分余裕があることになる。
各ブートループL1、L2には、ブートループの番号L
nに対応したジェネレータGnを設け、各ジェネレータ
Gnからスワップゲート(Sn)までのビット数を、ル
ープの指定番号(通常は0番)に応じた数(S)に合わ
せである。すなわち、第3図におけるストレージループ
領域Stにおけるマイナーループ数をm、8亥ストレー
ジループ イナーループの冗長ループ数をαとすると、n−m+α
が全マイナーループ数であり、ゲートとゲートの間隔
がなく、メジャーライン胴上の毎ビットごとにゲートが
存在する方式では、n+βがジェネレータGから先頭ル
ープまでのビット数となる。通常ブートループの場合は
、ジェネレータGからブートループBのスワップゲート
までのピノ ト数Sは、 S=n+β+1 にとられる。
nに対応したジェネレータGnを設け、各ジェネレータ
Gnからスワップゲート(Sn)までのビット数を、ル
ープの指定番号(通常は0番)に応じた数(S)に合わ
せである。すなわち、第3図におけるストレージループ
領域Stにおけるマイナーループ数をm、8亥ストレー
ジループ イナーループの冗長ループ数をαとすると、n−m+α
が全マイナーループ数であり、ゲートとゲートの間隔
がなく、メジャーライン胴上の毎ビットごとにゲートが
存在する方式では、n+βがジェネレータGから先頭ル
ープまでのビット数となる。通常ブートループの場合は
、ジェネレータGからブートループBのスワップゲート
までのピノ ト数Sは、 S=n+β+1 にとられる。
ここにβは、ジェネレータGからストレージループ領域
St中の最後尾ループまでのビット数で、10ピッ1〜
前後である。
St中の最後尾ループまでのビット数で、10ピッ1〜
前後である。
ジェネレータG1、G2から書き込みスワップゲートS
1、S2への転送路(ブートメジャー転送路) BMの
他端は、ガードレールAに接続され、不要バブルの廃棄
が行なわれる。
1、S2への転送路(ブートメジャー転送路) BMの
他端は、ガードレールAに接続され、不要バブルの廃棄
が行なわれる。
また各ループのレプリケート・ゲートRnから検出.t
5Dまでのビット数も一定(S)となっている。
5Dまでのビット数も一定(S)となっている。
いま、たとえばブートループL2に欠陥があった場合、
別のブートループL1を、ブートループとして使うわけ
であるが、この場合該ブートループL1に対応している
ジェネレータG.をブートジェネレータとして(重用す
ることになる。
別のブートループL1を、ブートループとして使うわけ
であるが、この場合該ブートループL1に対応している
ジェネレータG.をブートジェネレータとして(重用す
ることになる。
したがって磁気バブルメモリ素子の出荷に先立って、ブ
ートループL1、し2・・・をチェックし、良ループを
発見して、良ループに対応するジェネレーを入力端子に
ボンディングする。このようにボンディングを容易にす
るために、この実施例では、両方のジェネレータG1、
G2の片側の電極がコモンの端子T,.2に接続され、
他方の電極はそれぞれのジェネレータG1、G2・・・
専用の個別端子T1、T2に接続されている。そのため
千ノブのボンディング時に、端子T1とT1−2をブー
ト用ジェネレータ端子として選択すれば、ブートスワッ
プゲートSいブートレプリケート・ゲート1ン.は、選
択されたループがどれであっても、タイミングを変更せ
ずに動作させることができる。ジェぶレータG.から書
き込まれた情報は、第2図から明らかなように、ブート
ループL.にしか書き込まれない。従って各レプリケー
トゲートを一斉に動作させても問題はない。
ートループL1、し2・・・をチェックし、良ループを
発見して、良ループに対応するジェネレーを入力端子に
ボンディングする。このようにボンディングを容易にす
るために、この実施例では、両方のジェネレータG1、
G2の片側の電極がコモンの端子T,.2に接続され、
他方の電極はそれぞれのジェネレータG1、G2・・・
専用の個別端子T1、T2に接続されている。そのため
千ノブのボンディング時に、端子T1とT1−2をブー
ト用ジェネレータ端子として選択すれば、ブートスワッ
プゲートSいブートレプリケート・ゲート1ン.は、選
択されたループがどれであっても、タイミングを変更せ
ずに動作させることができる。ジェぶレータG.から書
き込まれた情報は、第2図から明らかなように、ブート
ループL.にしか書き込まれない。従って各レプリケー
トゲートを一斉に動作させても問題はない。
逆に下側のブートループし,が欠陥の場合は、上側のブ
ートループL2とジェネレータG2を使うわけであるが
、この場合には端子TI−2とT2を選択すれば良い。
ートループL2とジェネレータG2を使うわけであるが
、この場合には端子TI−2とT2を選択すれば良い。
以上のように本発明によれば、ブートループに対しても
冗長性を持たせ、常に無欠陥のブートループを確保でき
るため、ブートループをストレージループ領域と同じ微
細パターン構成とし、チップの小型化、パターンの設計
・評価、チップ製造の面素化を実現できる9
冗長性を持たせ、常に無欠陥のブートループを確保でき
るため、ブートループをストレージループ領域と同じ微
細パターン構成とし、チップの小型化、パターンの設計
・評価、チップ製造の面素化を実現できる9
第1図は本発明によるブートループ構成の基本原理を説
明する図、第2図は本発明によるブートループの実施例
を示す図、第3図は従来の磁気バブルメモリ素子のルー
プ構成を示す図である。 図において、G1、G2・・・はジェネレータ、Ll、
L2・・・はブートループ、Sl、S2・・・は書き込
みスワップゲート、R1、R2・・・は続出しゲート、
Dは検出器をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 復代理人 弁理士 福 島 康 文 第1図 第2図
明する図、第2図は本発明によるブートループの実施例
を示す図、第3図は従来の磁気バブルメモリ素子のルー
プ構成を示す図である。 図において、G1、G2・・・はジェネレータ、Ll、
L2・・・はブートループ、Sl、S2・・・は書き込
みスワップゲート、R1、R2・・・は続出しゲート、
Dは検出器をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 復代理人 弁理士 福 島 康 文 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気バブルメモリ素子において、ブートループをブート
ループ機能として必要な本数より余分に多く形成して、
ブートループ不良に対する冗長性を持たせ、その中から
良ブートループを選択する手段として、 個々のブートループ(L_1・・・L_n)に対応した
同数のジェネレータ(G_1・・・G_n)を設け、個
々のジェネレータ(G_1・・・G_n)から対応する
ブートループ(L_1・・・L_n)の書き込みゲート
(S_1・・・S_n)までの転送ビット数(S)、お
よび各ブートループ(L_1・・・L_n)の読み出し
ゲート(R_1・・・R_n)から検出器(D)までの
ビット数(s)を、すべてのブートループに対してそれ
ぞれ等しくし、 更に個々のジェネレータ(G_1・・・G_n)を選択
して入力信号端子にボンディングする構成としたことを
特徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61115830A JPS62271294A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61115830A JPS62271294A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62271294A true JPS62271294A (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=14672172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61115830A Pending JPS62271294A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62271294A (ja) |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP61115830A patent/JPS62271294A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6273500A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| DE19542033A1 (de) | Redundanzschaltung und Verfahren einer Halbleiterspeichervorrichtung | |
| US4145757A (en) | Fault tolerant bubble memory with redundancy using a stationary register on a single chip | |
| JPS62271294A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| US5821798A (en) | Method for determining whether bi-directional or unidirectional data line circuits are used | |
| JPS6138549B2 (ja) | ||
| US4187554A (en) | Fault tolerant bubble memory with redundancy using a stationary register on a single chip | |
| JPS5998263A (ja) | 磁気デイスク制御装置診断方式 | |
| JPH01134645A (ja) | タイミング発生回路 | |
| SU1417041A1 (ru) | Резервированное запоминающее устройство | |
| SU1483494A2 (ru) | Запоминающее устройство с обнаружением ошибок | |
| JPS6031035B2 (ja) | 磁気バブル記憶装置 | |
| JPH03241587A (ja) | 半導体メモリ素子 | |
| JPH10222389A (ja) | 全体再構成方式フォールト・トレラント情報処理システム | |
| JPS60181855A (ja) | メモリ装置の機能監視装置 | |
| JPS5994292A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS62137793A (ja) | 磁気バブル装置 | |
| JPS6161288A (ja) | 磁気バブルメモリ装置 | |
| JPS5854421B2 (ja) | 情報処理装置 | |
| JPS59180879A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS5998259A (ja) | 状態情報記憶装置 | |
| JPS63136294A (ja) | メモリカ−ド | |
| JPH0530227B2 (ja) | ||
| JPS63204584A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPH0444354B2 (ja) |