JPS62271965A - 内燃機関用点火装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 ［産業上の利用分野］ 本発明は、進角機能及び遅角機能を備えた内燃機関用点
火＠置に関するものである。

［従来の技術］ 内燃機関においては、一般に機関の中高速領域で点火位
置を進角させているが、２サイクル内燃機関においては
機関の高速領域で点火位置を遅角させることが必要とさ
れる。また４サイクル機関においても、ＩａｒＩＡの過
回転を防止する場合には、機関の高速時に点火位置を遅
角させることが必要になる。このように機関の中高速領
域で点火位置を進角させ、高速領域で点火位置を遅角さ
せる場合には、進角機能と遅角機能との双方を備えた内
燃機関用点火装置を必要とする。

進角機能と遅角機能との双方を備えた従来の内燃ｖＩＡ
関川点用装置においては、例えば機関の最大進角位置及
び最小進角位＠（最大遅角位置）でそれぞれ信号を出力
する信号コイルと、該信号コイルの出力により検出され
る最大進角位置から最小進角位置までコンデンサを充電
して積分動作を行う第１の積分回路と、各最小進角位置
から次の最小進角位置までコンデンサを充電して積分動
作を行う第２の積分回路と、第１の積分回路の出力及び
第２の積分回路の出力を比較する比較回路とを設けて、
第１の積分回路の出力が第２の積分回譚の出力以上にな
った時に点火位置を定めるための信号を出力させること
により進角特性を得ている。

また最小進角位置から最大進角位置までコシデ゛ンサを
第１の電流で充電した後該コンデンサを最大進角位置か
ら最小進角位置まで第１の電流より大きい第２の電流で
追加充電する積分動作を行う第３の積分回路と、この第
３の積分回路の出力を基準電圧と比較する比較回路とを
設けて、第３の積分回路の出力電圧が第１の積分回路の
出力電圧以上になった時に点火位置を定めるための信号
を出力させることによりｄ色特性を得ている。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来の内燃機関用点火装置において遅角特性を得る
ために設けられる第３の積分回路は、最小進角位置から
最大進角位置までの区間と最大進角位置から最小進角位
置までの区間とでコンデンサを異なる充電電流で充電す
る必要がある上に、該コンデンサを放電させるリセット
回路を必要とするため、回路構成が複雑になるのを避け
られなかった。

本発明の目的は、簡単な構成で遅角機能を持たせること
ができる内燃機関゛用点火装置を提供することにある。

Ｌ問題点を解決するための手段〕 本発明は、半導体スイッチの動作により点火コイルの１
次電流を急変させて該点火コイルの２次側に点火用の高
電圧を発生させる点火回路と、内燃機関の第１の回転角
度位置でスレショールドレペル以上になる第１の信号と
該第１の回転角反位ｎより位相が遅れた第２の回転角度
位置でスレショールドレベル以上になる第２の信号とを
発生する信号コイルと、第１及び第２の信号を入力とし
て第１の回転角度位置と第２の回転角度位置との間で半
導体スイッチを動作させるための点火信号を発生する点
火位置制御回路とを備えた内燃機関用点火装置において
、簡単な構成で遅角機能を持たせ得るようにしたもので
ある。

そのため本発明においては、上記点火位置制御回路が下
記の要素により構成されている。

イ、第１の積分コンデンサを第１の回転角度位置から該
第１の積分コンデンサの端子電圧が設定電圧に達するま
で初期充電する初期積分動作と該第１の積分コンデンサ
を該設定電圧以上に追加充電する追加積分動作とを行う
第１の積分回路。

口、第２の積分コンデンサを６第２の回転角度位置から
一定の時定数で充電する積分動作を行う第２の積分回路
。

ハ、第１の積分コンデンサの両端に得られる第１の積分
電圧と第２の積分コンデンサの両端に得られる第２の積
分電圧とを比較して第１の積分電圧が第２の積分電圧以
下の時に出力端子間が実質的に短絡状態になり第１の積
分電圧が第２の積分電圧を超えた時に出力端子間が実質
的に遮断状態になる比較回路。

二、比較回路の出力端子間に対して並列に接続された第
３の積分コンデンサを一定の時定数で充電する積分動作
を行う第３の積分回路。

ホ、第３の積分コンデンサの両端に得られる第３の積分
電圧が所定のレベル以上になった時に前記点火信号を出
力する回路。

へ、第３の積分電圧が基準電圧以上になった位置から第
２の回転角度位置までの間に第１及び第２の積分コンデ
ンサをそれぞれ放電させるリセット回路。

し発明の作用］ 上記の構成において、第１の積分電圧が第２の積分電圧
を超える位置は別間の回転数の上昇に伴って進角してい
く。従って比較回路の出力端子の電位が高レベルになる
位置は回転数の上昇に伴って進角していく。また第１の
積分電圧が第２の積分電圧以下の時には比較回路の出力
端子間が実質的に短絡状態になるため、第３の積分コン
デンサが短絡され、第３の積分回路の積分動作は行われ
ないが、第１の積分電圧が第２の積分電圧を超えると第
１の比較回路の出力端子間が実質的に１％状態になるた
め第３の積分コンデンサの充電が１行われる。この第３
の積分コンデンサの両端に１９られる第３の積分電圧が
所定のレベル以上になると点火回路の半導体スイッチを
動作させる位置を定めるための信号が出力される。ここ
で第１の信号　−がスレショールドレベル以上になって
から半導体スイッチを動作させる位置を定めるための信
号を出力するまでの時間をｔとすると、この時間ｔは一
定である。この時間ｔに相当する角度をα、回転数をＮ
（ｒｌ）ｍ）とすると、α−６Ｎｔとなり、αは回転数
Ｎの上界に伴って大きくなっていく。

すなわち点火位置は救関の回転数の上昇に伴って遅れて
いく。従って第１及び第２の積分回路により得られる進
角市の方が第３の積分回路による遅角示よりも多くなる
ように定数を設定しておくことにより、中高速領域では
進角し、高速ｆｉ域で遅角する特性を得ることができる
。

上記のように、第１及び第２の積分電圧を比較する比較
回路の出力端子間に第３の積分コンデンサを設けると、
この第３の積分コンデンサの充放電を制御する回路が不
要になるため、第３の積分回路を簡単にすることができ
、簡単な構成で進角特性と遅角特性とを得ることができ
る。

［実施例１ 以下添附図面を参照して本発明の詳細な説明する。

［Ｉ］第１図の実施例の構成 この実施例の点火装置は、点火回路４と、点火回路４の
半導体スイッチ（トランジスタ３）を制御する制御回路
とからなっており、点火回路４の半導体スイッチを制御
する制御回路は、信号コイル５と、矩形波発生回路６と
、パルス整形回路７と、第１の積分回路８と、第２の積
分回路つと、リセット回路１０と、第１の比較回路１１
と、第３の積分回路１２と、第２の比較回路１３とから
なっている。以下これらの各部を順を追って説明する。

ａ０点火回路４ 第１図は本発明の一実施例の基本構成を示したもので、
同図において、１は一端が共通接続された１次コイル１
ａ及び２次コイル１ｂを有する点火コイル、２は図示し
ない機関の気筒に取付けられて点火コイルの２次コイル
の他端に非接地側端子が高圧コードを介して接続された
点火プラグである。点火コイル１の１次コイル及び２次
コイルの一端の共通接続点はエミッタを接地した１次電
流制御用半導体スイッチとしてのトランジスタ３のコレ
クタに接続され、１次コイルの他端１ａｌは負極端子が
接地された図示しないバッテリの正極端子に接続されて
いる。なおこの例のトランジスタ３としてはダーリント
ン接続された複合トランジスタが用いられている。上記
点火コイル１と点火プラグ２とトランジスタ３とにより
点火回路４が構成されている。

上記点火回路において、トランジスタ（以下半導体スイ
ッチとも言う。）３は、後述する’ｔｉ（制御回路によ
り機関の点火位置より位相が進んだ位置で図示しない電
源から抵抗Ｒｓを通してペース電流が与えられて導通状
態にされ、点火位置で該ベース電流が遮断されてトラン
ジスタ３が遮断状態にされる。トランジスタ３が遮断状
態にされると、それまで点火コイルの１次コイル１ａと
トランジスタ３のコレクタエミッタ間とを通して流れて
いた１次電流が遮断されるため、該１次コイルに１次電
流を流し続けようとする向きの高い電圧が誘起する。こ
の時点火コイルの鉄心中に大きな磁束変化が生じ、この
磁束変化により２次コイルに高電圧が誘起する。この高
電圧は点火プラグ２に印加されるため、該点火プラグに
火花放電が生じ、機関が点火される。すなわら、この例
の点火回路においでは、半導体スイッチ３が遮断動作を
行う位置が点火位置となる。

ｂ、信号コイル５ 信号コイル５は機関の回転に同期して回転する信号発電
ｄ内に配置され、その一端は接地されている。信号コイ
ル５は第２図Ａに示すように機関の第１の回転角度位置
θ１及び第１の回転角度位置よりも位相が遅れた第２の
回転角度位置θ２でそれぞれスレショールドレベルｖｔ
を超える第１゜の信号Ｖｓｌ及び第２の信号Ｖｓ２を発
生する。この例では第１の回転角度位置θ１が機関の最
大進角位置に一致し、第２の回転角度位置θ２−が機ｍ
の最小進角位置く最大遅角位置）に一致している。

尚第２図の横軸には機関の回転角度θをとってあり、第
１の回転角度位置θ１及び第２の回転角度位置０２等の
各位置の角度は機関の上死点ＴＤＣから進角側に測って
いる。

なおこの種の点火装置においては、開開の回転速度が極
めて低い時に、第２の信号Ｖｓ２の方が第１の信号ＶＳ
１より大きいように設定され、機関の始動操作が行われ
た時に先ず第２の信号が第１の信号よりも先にスレショ
ールドレベル以上になるようになっている。

ｂ、矩形波発生回路６及びパルス整形回路７矩形波発生
回路６は信号コイル５の出力を入力として、第２図Ｂに
示したように第１の回転角度位置から第２の回転角度位
置まで持続する矩形波信号Ｖｑを出力し、パルス整形回
路７は第２図Ｃに示したように第２の信号Ｖｓ２を整形
して第２の回転角度位置θ２で立上るパルス■ｐを出力
する。

Ｃ９第２の積分回路８ 第１の積分回路８は第１の積分コンデンサ８ａと、初期
充電回路８Ａと追加充電回路８Ｂとを備えていて、第１
の積分コンデンサ８ａを第１の回転角度位置θ１で該第
１の積分コンデンサ８ａの端子電圧が設定値■０に達す
るまで初１男充電する初期積分動作と、該第１の積分コ
ンデンサ８ａの端子電圧が設定値に達した後該第１の積
分コンデンサを追加充電する追加積分動作とを行う。

ｄ、第２の積分回路９ 第２の積分回路９は、第２の積分コンデンサ９ａと定電
流Ｉ２でコンデンサ９ａを充電する充電回路９Ａとを備
えていて、第２の積分コンデンサを名刀２の回転角度位
置θ２から一定の時定数で充電する積分動作を行う。

ｅ、リセット回路１０ リセット回路１０は、第１の積分コンデンサ８ａの端子
電圧が第２の積分コンデンサの端子電圧を超えた位置か
ら第２の回転角度位置θ２までの間に第１の積分コンデ
ンサ８ａ及び第２の積分コンデンサ８ｂをそれぞれ放電
させる回路で、この例では、第２の回転角度位置０２で
立上るパルス信ＲＶ　Ｏを入力として、第２の回転角度
位置θ２で第１及び第２の積分コンデンサ８ａ及び９ａ
を略瞬時に放電させるようになっている。従って第１の
積分コンデンサ８ａの両端に得られる第１の積分電圧Ｖ
ｃｌは第２図りに実線で示したような波形になり、第２
の積分コンデンサ９ａの両端に得られる第２の積分電圧
Ｖｃ２の波形は第２図りに破線で示したようになる。

尚第１及び第２の積分コンデンサの端子電圧は点火動作
を行わせるべく半導体スイッチ３を動作（上記の例では
遮断動作）させる位置を定める信号を発生させるために
用いられるものであって、該信号が発生した後は必要が
なくなるので、第１及び第２の積分回路のリセットは必
ずしも第２の回転角度位置で行わなくても良い。従って
リセット回路１０は、半導体スイッチ３を動作さける位
置を定める信号が発生した位置（後記する第３の積分電
圧が基準電圧以上になる位置）から第２の回転角度位置
θ２までの間に第１の積分コンデンサ８ａ及び第２の積
分コンデンサ８ｂをそれぞれ放電させる回路であればよ
い。

ｆ、第１の比較回路１１ 第１の比較回路１１は第１の積分コンデンサ８ａの両端
に得られる第１の積分電圧ＶＣ１と第２の積分コンデン
サ９ａの両端に得られる第２の積分電圧Ｖｃ２とを比較
する比較器からなっていて、この比較回路１１の出力端
子間は、第１の積分電圧Ｖｃ１が第２の積分電圧Ｖｃ２
以下の時に実質的に短絡状態（比較器の出力段を構成す
るスイッチ手段が導通状態）にあり、第１の積分電圧Ｖ
ｃｌが第２の積分電圧ＶＣ２を超えた時に実質的に遮断
状態になる。

ｑ、第３の積分回路１２ 第３の積分回路１２は第１の比較回路１１−の出−力端
子間に並列接続された第３の積分コンデンサ１２ａと、
このコンデンサを一定の電流Ｉ３で充電する充電回路１
２１）とからなり、第１の比較回路１１の出力端子間が
遮断状態の時に第３の積分コンデンサ１２ａを所定の時
定数で充電する積分動作を行う。この第３の積分コンデ
ンサの両端に得られる第３の積分電圧ＶＣ３の波形は第
２図（Ｅ）に示すようになる。

ｈ、第２の比較回路１３ 第２の比較回路１３は、第３の積分コンデンサ１２ａの
両端に得られる第３の積分電圧Ｖｃ３と、図示しない直
流定電圧源の出力端子間に接続された抵抗１４ａ及び１
４ｂの直列回路からなる分圧回路１４の抵抗１４ｂの両
端に得られる基準電圧■「とを比較して、第３の積分電
圧ＶＣ３が基準電圧７１以上になった時に半導体スイッ
チ３を動作させる位置を定めるための信号を出力させる
。

尚本実施例では、点火回路４の半導体スイッチ３が遮断
動作した時に点火動作が行われるため、第２の比較回路
１３は第３の積分電圧ＶＣ３が基準電圧７１以上になっ
た時に第２図Ｆに示すようにその出力電圧Ｖ１３が零に
なるように構成されるが、半導体スイッチが導通するこ
とにより点火動作が行われる点火回路が用いられる場合
には、第３の積分電圧Ｖｃ３が基準電圧７１以上になっ
た時に比較回路１３の出力端子が非接地状態になる（比
較回路１３の出力端子間の電圧が高レベルになる）よう
にしておく。

本実施例では、第２の比較回路１３と基準電圧発生回路
１４とにより第３の積分電圧が所定のレベル以上になっ
た時に点火信号を出力する回路が構成されているが、点
火回路の半導体スイッチが、適当なトリガレベル（半導
体スイッチをトリガするために制御信号が超える必要が
あるレベル）を有している場合には、第２の比較回路を
設けることなく、第３の積分電圧を直接半導体スイッチ
の制？ｊｌＨｉｉｔ子に入力することも可能である。そ
の場合には、第３の積分コンデンサと半導体スイッチの
制ｉＩ’ｆａ子とを接続するラインが点火信号を出力す
る回路となる。

［ＩＩ］第１図の実施例の動作 別間の回転数Ｎ（ｒｐｍ）が低い時には、第２の積分コ
ンデンサ９ａを充電する時間が充分長いため、第１の積
分電圧ＶＣ１は第２の回転角度位置く最小進角位置）θ
２に至っても第２の積分電圧Ｖｃ２以上になることがで
きない。この状態では第１の比較回路の出力端子間が短
絡状態にあるため第３の積分回路は積分動作を行うこと
ができず、第２の比較回路１３は半導体スイッチ３を動
作させる位置を定めるための信号を出力することができ
ない。第１図には示してないが、第２の回転角度位置θ
２で立上るパルス信号■ｐにより導通するスイッチ回路
をトランジスタ３のベースエミッタ間に対して並列に設
けて、該スイッチ回路の導通によりトランジスタ３を遮
断させるようにすると、低速時の点火動作を第２の回転
角度位置θ２で行わせることができる。

態量が１回転する間に第２の積分コンデンサ９ａが充電
される時間は、機関の回転数Ｎ（ｒｐｍ）の上昇に伴っ
て短くなっていくため、第２の積分電圧Ｖｃ２は回転数
の上昇に伴って低くなっていく。

従って檄関の回転数が上昇していくと、やがて第２の回
転角度位置θ２よりも進んだ位置で第１の積分電圧Ｖｃ
１が第２の積分電圧Ｖｃ２以上になるようになる。この
様な状態になると、第１の比較回路１１の出力端子間が
遮断状態になるため、第３の積分コンデンサ１２ａが充
電される。コンデンサ１２ａの両端に得られる第３の積
分電圧が基準電圧Ｖｒ以上になると第２の比較回路１３
の出力端子間が短絡状態になるため、該比較回路１３に
よりトランジスタ３のペースエミッタ間が短絡される。

これによりトランジスタ３が′ａ断状態になり、点火動
作が行われる。

上記の構成において、第１の積分電圧Ｖｃｌが第２の積
分電圧Ｖｃ２以上になる位置は機関の回転数の上昇に伴
って進んでいく。これに対し、第３の積分回路８は点火
位置を遅角させようとする。すなわち、第１の信号Ｖｓ
１がスレショールトレーベール−以上になってから第２
の比較回路が半導体スイッチを動作させる位置を定める
ための信号を出力するまでの時間をｔとすると、この時
間ｔは一定である。この時＠ｔに相当する角度をα、回
転数をＮ（ｒｏｍ）とすると、α＝６Ｎ　ｔとなり、α
は回転数Ｎの上昇に伴って大きくなっていく。すなわち
点火位置は檄関の回転数の上昇に伴って遅れていく。従
って第１及び第２の積分回路により得られる進角量の方
が第３の積分回路による遅角量よりも多くなるように定
数を設定しておくことにより、第６図に示すように中高
速領域では進角し、高速領域で遅角する特性を得ること
ができる。

［Ｉ［［］第３図の実施例の構成 次に第３図によって本発明の更に具体的な実施例を説明
する。この実施例では、点火回路４のトランジスタ３が
導通する角度（点火コイルの１次電流の通電角）を制御
するために第４の積分回路１５と比較回路１６とが追加
されている。この実施例の各部の構成は下記の通りであ
る。

ａ、パルス整形回路７ パルス整形回路７は、カソードが信号コイル５の非接地
側端子に接続されたダイオード７ａと、該ダイオード７
ａのアノードに一端が接続され他端が共通接続されたコ
ンデンサ７ｂ及び抵抗７Ｃと、コンデンサ７ｂ及び抵抗
７Ｃの他端の共通接続点にベースが接続されエミッタが
接地された波形整形用スイッチとしてのＮＰＮトランジ
スタ７ｄと、トランジスタ７ｄのベースと接地間にアノ
ードを接地側に向けて接続されたダイオード７ｅと、ト
ランジスタ７ｄのベース及びコレクタにそれぞれ一端が
接続された抵抗７ｆ及び７Ｑとからなっている。

このパルス整形回路７においては、信号コイル５が発生
する第２の信号ＶＳ２が第２の回転角度位置でスレショ
ールドレベル以上になった時にダイオード７ｅの両端に
生じる電圧降下によりトランジスタ７ｄが極短時間遮断
状態になり、第２の回転角度位置θ２でトランジスタ７
ｄのコレクタエミッタ間にパルス信号Ｖｏが出力される
。

ｂ、矩形波発生回路６ 矩形波発生回路６は、アノードが信号コイル５の非接地
側端子に接続されたダイオード６ａと、該ダイオード６
ａのカソードに一端が接続され細端が共通接続されたコ
ンデンサ６ｂ及び抵抗６ｃと、ベースが抵抗６ｄを介し
てコンデンサ６ｂ及び抵抗６Ｃの共通接続点に接続され
エミッタが接地されたＮＰＮトランジスタ６ｅと、ベー
スが抵抗６ｑを介してトランジスタ６ｅのコレクタに接
続されたＰＮＰトランジスタ６ｈと、トランジスタ６ｈ
のベースエミッタ間に接続された抵抗６１と、トランジ
スタ６ｈのコレクタと接地間に接続された信号蓄積用コ
ンデンサ６ｊと、エミッタが接地されコレクタがトラン
ジスタ６ｈのコレクタに接続されたＮＰＮトランジスタ
６にと、トランジスタ６にのベースに一端が接続された
抵抗６ｍとからなり、トランジスタ６ｈのエミッタは図
示しない直流定電圧電源の出力端子に、またトランジス
タ６にのベースは抵抗６ｍを通してパルス整形回路７の
トランジスタ７ｄのコレクタ（パルス整形回路７の出力
端子）にそれぞれ接続されている。

この矩形波信号発生回路６においては、信号コイル５が
第１の回転角度位置で第１の信号Ｖｓ１を発生すると、
該第１の信号■ｓｌが、所定のスレショールビレベルＶ
ｔ以上になっている期間１〜ランジスタロｅがトリガさ
れてトランジスタ６ｈが導通し、該トランジスタ６ｈの
コレクタエミッタ間を通して信号蓄積用コンデンサ６ｊ
が図示の極性に電源電圧Ｅ１まで瞬時に充電される。パ
ルス整形回路７のトランジスタ７ｄのコレクタにパルス
信号Ｖｐが得られるとトランジスタ６ｋが導通するため
コンデンサ６ｊが該トランジスタ６にのコレクタエミッ
タ間を通して瞬時に放電する。従って信号′ｒｊ積用コ
ンデンサ６ｊの両端には第１の回転角度位置θ１から第
２の回転角度位置θ２まで持続する波高値がＥの矩形波
信号電圧Ｖｑが１ワられる。

Ｃ１第１の積分回路８ 次に第１の積分回路８は、第１の積分コンデンサ８ａと
、抵抗８ｂ、８ｃの直列回路からなる分圧回路と、１−
ランジスタ８ｄと、スピードアップコンデン’＋８６と
、抵抗８ｆ及び８ｑとからなり、抵抗８ｂ、３ｃからな
る分圧回路は信号蓄積用コンデンサ６ｊの両端に並列接
続されている。トランジスタ８ｄのベースは分圧回路の
分圧点に接続され、コレクタは抵抗８ｑを介して信号蓄
積用コンデンサ６ｊの非接地側端子に接続されている。

スピードアップコンデンサ８ｅはトランジスタ８ｄのベ
ースコレクタ間に接続され、トランジスタ８ｄのコレク
タエミッタ間に抵抗８ｆが接続されている。第１の積分
コンデンサ８ａはトランジスタ８ｄのエミッタと接地間
に接続され、信号蓄積用コンデンサ６ｊの両端に得られ
る矩形波信号電圧Ｖｑにより、抵抗８Ｑとトランジスタ
８Ｃのコレクタエミッタ間及び抵抗８ｆを通して第１の
積分コンデンサ８ｄが充電されるようになっている。

すなわち、信号蓄積用コンデンサ６ｊの両端に矩形波信
号電圧Ｖｑが発生すると、トランジスタ８ｄにベース電
流が流れて該トランジスタ８ｄが導通し、抵抗８ｑとト
ランジスタ８ｄのコレクタエミッタ間と抵抗８ｆとを通
して第１の積分コンデンサ８ａが第１の充電電流【１１
で図示の極性に充電されて初期積分動作が行われる。第
１の積分コンデンサ８ａの端子電圧がコンデンサ６ｊの
両端電圧ＶＱを抵抗８ｂ及び８Ｃにより分圧して得た設
定電圧（抵抗８Ｃの両端電圧）Ｖｏに達するとトランジ
スタ８ｄにベース電流が流れなくなって該トランジスタ
８ｄが遮断するため、それ以後はコンデンサ６ｊの端子
電圧で抵抗８ｆを通してコンデンサ８ａが第２の充電電
流１１２（＜１１１）で追加充電されて追加積分動作が
行われる。第１の積分コンデンサ８ａの両端に得られる
第１の積分電圧ＶＣ１の波形は第２図りに実線で示した
ようになる。

尚木実施例において信号蓄積用コンデンサ６ｊの両端に
得られる電圧Ｖｑを抵抗８ｂ、８’ｃにより分圧して得
る設定電圧Ｖｏの大きさは、電圧Ｖｑの波高値をＥ、抵
抗８ｂ及び８Ｃの抵抗値をそれぞれＲ１及びＲ２とする
と下記の式で与えられる。

ＶＯ＝　（ＥＲ２）／　（Ｒ１＋Ｒ２）　　　　　　・
・・（１２）ｄ、第２の積分回路９ 第２の積分回路９は、一端が接地された第２の積分コン
デンサ９ａと、コンデンサ９ａの非接地側端子と図示し
ない直流定電圧電源の出力端子との間に接続された抵抗
９ｂとからなっている。

この第２の積分回路９のコンデンサ９ａは図示しない直
流定電圧電源の出力により抵抗９ｂを通して一定の時定
数で充電され、該コンデンサ９ａの両端に第２図りに破
線で示したような第２の積分電圧Ｖｃ２が得られる。

ｅ、リセット回路１゜ リセット回路１０は、第１の積分回路用リセット回路１
０△と第２の積分回路用リセット回路１０Ｂとからなっ
ている。第１の積分回路用リセット回路１０Ａは、エミ
ッタが接地されコレクタが第１の積分コンデンサ８ａの
非接地側端子に接続されたリセット用トランジスタ（Ｎ
ＰＮトランジスタ）１０ａと、トランジスタ１０ａのベ
ースに一端が接続され、他端がトランジスタ７ｄのコレ
クタに接続された抵抗１０ｂとがらなり、第２の回転角
度位置θ２でパルス信号Ｖｐが発生した時にトランジス
タ１０ａが導通して第１の積分コンデンサ８ａを瞬時に
放電させる。従って第１の積分コンデンサ８ａの両端に
得られる第１の積分電圧ＭＣＩは第２図りに示したよう
に第２の回転角度位置θ２で零になる。

また第２の積分回路用リセット回路１０Ｂは、コレクタ
がコンデンサ９ａの非接地側端子に接続されエミッタが
接地された放電用トランジスタ（ＮＰＮトランジスタ）
１０Ｃと、トランジスタ１０Ｃのベースとトランジスタ
７ｄのコレクタとの間に接続された抵抗１０ｄとからな
り、第２の回転角度位置θ２でパルス信号Ｖｐが発生し
た時にトランジスタ１０ｃが導通して第２の積分コンデ
ンサ９ａを瞬時に放電させる。従って第２図りに示した
ように第２の積分電圧Ｖｃ２は第２の回転角度位置θ２
で零になる。

ｆ、第１の比較回路１１ 第１の比較回路１１は、ＩＣからなる電圧比較器からな
り、この比較器の逆相入力端子には第１の積分コンデン
サ８ａの両端に得られる第１の積分電圧Ｖｃ１が、また
正相入力端子には第２の積分コンデンサ９ａの両端に得
られる第２の積分電圧Ｖｃ２がそれぞれ入力されている
。

ｑ、第３の積分回路１２ 第３の積分回路１２は比較回路１１の出力端子間に接続
された第３の積分コンデンサ１２ａと抵抗１２ｂとから
なり、図示しない直流定電圧電源から抵抗１２ｂを通し
てコンデンサ１２ａが一定の電流で充電されるようにな
っている。

ｈ、第２の比較回路１３ 第２の比較回路１３の構成は第１図に示したものと同様
であり、この比較回路１３の逆相入力端子及び正相入力
端子にそれぞれ第３の積分電圧ＶＣ３と基準電圧発生回
路１４から得られる基準電圧Ｖｒとが入力されている。

ｉ、第４の積分回路１５ 第４の積分回路１５は、一端が接地された第４の積分コ
ンデンサ１５ａと、コレクタがコンデンサ１５ａの非接
地側端子に接続されエミッタが接地された放電用トラン
ジスタ（ＮＰＮｈランジスタ）１５ｂと、トランジスタ
１５ｂのベースに一端が接続された抵抗１５ｃと、トラ
ンジスタ１５ｂのベースエミッタ間に接続された抵抗１
５ｄと、抵抗１５ｃの他端と信号蓄積用コンデンサ６Ｊ
の非接地側端子との間に接続されたコンデンサ１５ｅと
、第４の積分コンデンサ１５ａの非接地側端子に一端が
接続された抵抗１５ｈと、抵抗１５ｈの他端にカソード
が接続されアノードが信号蓄積用コンデンサ６ｊの非接
地側端子に接続されたダイオード１５１とからなり、第
４の積分コンデンサ１５ａは信号蓄積用コンデンサ６ｊ
の両端の電圧Ｖｑによりダイオード１５ｉと抵抗１５ｈ
とを通して一定の時定数で充電される。

この実施例では、抵抗１５Ｃ，１５ｄとコンデン奮デ１
５ｅとにより微分回路１５Ｑが構成されている。この微
分回路１５Ｑは信号蓄積用コンデンサ６ｊの両端に得ら
れる矩形波信号ＶＱの立上がりを微分してパルス電流Ｉ
ｆを出力し、該パルス電流が発生している間トランジス
タ１５ｂを導通させて第４の積分コンデンサ１５ａを放
電させる。

ｊ、比較回路１６ 比較回路１６は、ＩＣからなる電圧比較器からなり、こ
の比較器の出力端子と電源端子との間に抵抗Ｒｓが接続
されている。この比較回路１６の出力端子は点火回路の
トランジスタ３のベース（ｔｌｌ　Ｉ信号入力端子）に
接続されている。比較回路１６の逆相入力端子には第４
の積分コンデンサ１５ａの両端に１９られる第４の積分
電圧ＶＣ４が入力され、比較回路１６の正相入力端子に
は第２の積分コンデンサ９ａの両端に得られる第２の積
分電圧ｖＣ２が入力されている。

ｋ、自然発火防止用抵抗１７ 本実施例においては、第４の積分回路１５の抵抗１５１
１とダイオード１５ｉとの接続点とパルス整形回路７の
トランジスタ７ｄのコレクタとの間に自然発火防止用抵
抗１７が接続され、トランジスタ７ｄが導通している時
に、第４の積分コンデンサ１５ａから抵抗１５ｈ及び１
７を経てトランジスタ７ｄに至る回路により、コンデン
サ１５ａの放電回路が構成されるようになっている。上
記抵抗１７の抵抗値は、定常動作時に第４の積分コンデ
ンサ１５ａの正常な充電が妨げられることが無いように
充分大きな値に設定されている。

［ＩＶ１第３図の実施例の動作 ａ、正常な始動操作が行われる場合の動作機関の正常な
操作では図示しない電源スィッチを閉じた後直ちに機関
の始動操作が行われる。改関の始動操作が行われると信
号コイル５が第１及び第２の信号Ｖｓ１及びＶｓ２を出
力する。機関の極低速時においては第１の信号Ｖｓｌが
スレショールドレベル以上にならず、第２の信号ＶＳ２
のみがスレショールドレベル以上になるように設定され
ている。従って機関の極低速時には矩形波発生回路６の
トランジスタ６ｅをトリガし得る大きさの信号を得るこ
とができない。

パルス整形回路７においては、図示しない電源から抵抗
７ｆを通してトランジスタ７ｄにベース電流が流れて該
トランジスタ７ｄが導通している。

第２の信号Ｖｓ２が発生すると、パルス整形回路７のダ
イオード７ｅ、抵抗７Ｃ及びコンデンサ７ｂ１ダイオー
ド７ａを通して電流が流れ、第２の回転角度位置θ２で
ダイオード７ｅの両端の電圧が所定値に達すると（第２
の信号Ｖｓ２がスレショールドレベルＶし以上になると
）トランジスタ７ｄのペースエミッタ間が逆バイアスさ
れ、該トランジスタ７ｄが遮断状態になる。第２の信号
Ｖｓ２がスレショールドレベル以下に立ち下がるとトラ
ンジスタ７ｄが再び導通する。従ってトランジスタ７ｄ
のコレクタエミッタ間には第２の信号Ｖｓ２がスレショ
ールドレベル以上になっている１町間に相当するパルス
幅のパルス信号Ｖｐが得られる。

このように、機関の極低速時にはパルス信号■ｐのみが
発生し、矩形波発生回路６のトランジスタ６ｅはトリガ
されないため、トランジスタ６ｈは導通Ｕず、コンデン
サ６」は充電されない。従って第１の積分コンデンサ８
ｄ及び第３の積分コンデンサ１１ａは充電されない。

第２の積分回路では、電源から抵抗９ｂを通して第２の
積分コンデンサ９ａが図示の極性に充電され、パルス信
号Ｖｐによりトランジスタ９ｂが導通した時にコンデン
サ９ａが放電するため、第２の積分コンデンサ９ａの両
端には第２図りに示すように６第２の回転角度位置θ２
から一定の勾配で上界して次の第２の回転角度位置θ２
で零に戻る第２の積分電圧Ｖｃ２が（９られる。

上記のように、極低速時に第４の積分コンデンサ１５ａ
は矩形波信号Ｖｑによっては充電されないが、第２の信
号ＶＳ２がスレショールドレベル以上になっている期間
パルス整形回路７の１−ランジスク７ｄが遮断状態にな
ると図示しない電源から抵抗７ｇと抵抗１７及び１５ｈ
とを通して第４の積分コンデンサ１５ａに充′：ｆｉ電
流が流れる。従つて第４の積分コンデンサは第２の信号
Ｖｓ２がスレショールドレベル以上になっている期間僅
かに充電され、その端子電圧ＶＣ４は僅かに上昇する。

比較回路１６はこの電圧Ｖｃ４を第２の積分電圧Ｖｃ２
と比較する。電圧Ｖｃ２が電圧Ｖｃ４より大きくなると
、比較回路１６の出力電圧Ｖｄが高レベルになる。また
第１の積分電圧ＭＣＩは発生していないため、比較回路
１１の出力端子間は短絡状態のままであり、第３の積分
コンデンサ１２ａの充電は行われない。従って比較回路
１３の出力端子間は遮断状態にある。そのため比較回路
１６の出力電圧Ｖｄが高レベルになるとトランジスタ３
のペースエミッタ間電圧Ｖ１３が高レベルになる。これ
によりトランジスタ３にベース電流が流れて該トランジ
スタ３が導通し、点火コイル１に１次電流１１が流れる
。次に第２の回転角度位置で第２の積分電圧ＶＣ２が零
になると、比較回路１６の出力端子の電位が接地レベル
になるため、トランジスタ３が遮断し、１次電流１１が
急に遮断する。これにより点火コイルの鉄心中で大きな
磁束変化が生じ、点火プラグ２に火花が生じる。このよ
うに本発明においては第１の信号Ｖｓ１がスレショール
ドレベル以上にならない機関の極低速時においても最小
進角位置θ２で点火動作が行われるため、機関の始動性
を良好にすることができる。

機関の始動により回転速度がある程度上昇すると、第１
の信号ＶＳＩもスレショールドレベル以上になる。この
時矩形波発生回路６は第２図Ｂに示したように第１の回
転角度位置θ１から第２の回転角度位置θ２まで持続す
る矩形波電圧ＶＱを発生する。

上記矩形波信号ＶＱが発生すると、前述のＪ：うに第１
の積分回路８が初期積分動作と追加積分動作とを行うた
め、第１の積分コンデンサ８ａの両端に第２図りに示す
ように第１の積分電圧Ｖｃ１が得られる。

第２の積分回路９では、既に述べた動作により第２の積
分コンデンサ９ａの両端に第２図Ｄｊこ示したような第
２の積分電圧Ｖｃ２が得られる。

第４の積分回路１５では、矩形波信号Ｖｑの立上りを微
分する微分回路１５ｇの出力パルス電流）ｆが消滅して
トランジスタ１５ｂが遮断した位置から第２の回転角度
位置θ２まで信号矩形波信号電圧■ｑにより第４の積分
コンデンサ１５ａを一定の時定数で充電し、矩形波信号
電圧Ｖｑが消滅した後該第４の積分コンデンサの端子電
圧を次の第１の回転角度位置θ１まで保持している。第
１の回転角度位置θ１で矩形波信号■ｑが立上って微分
回路１５Ｑがパルス電流ｉｆを出力するとトランジスタ
１５ｂが導通してコンデンサ１５ａを放電させる。従っ
て第４の積分コンデンサ１５ａの両端には名刀１の回転
角度位置θ１より所定の角度だけ遅れた位置から第２の
回転角度位置０２まで一定の勾配で上昇して次の最大進
角位置θ１までその電圧を保持する第４の積分電圧Ｖｃ
４が得られる。

上記第２の積分電圧Ｖｃ２と第４の積分電圧ＶＣ４とは
比較回路１６に入力される。比較回路１６では、第４の
積分電圧Ｖｃ４が第２の積分電圧Ｖｃ２以上ある時に比
較回路１６の出力段が導通状態になっでいてその出力端
子の対地電圧Ｖｄが零レベルになっている。第２の積分
電圧ＶＣ２が第４の積分電圧Ｖｃ４を超えると、比較回
路１６の出力段が遮断状態になってその出力端子の電圧
Ｖｄが高レベルになる。比較回路１６の出力電圧Ｖｄが
零の期間１−ランジスタ３のベースの電位が接地レベル
に保た机で該トランジスタ３の導通が禁止され、電圧■
ｄが高レベルになっている期間のみトランジスタ３の導
通が許容される。

第１の積分電圧ＶＣＩ及び第２の積分電圧Ｖｃ２は比較
回路１１に入力される。第１の積分電圧Ｖｃｌが第２の
積分電圧Ｖｃ２以下の揚台には比較回路１１の出力段が
導通状態になっており、第１の積分電圧Ｖｃｌが第２の
積分電圧ＶＣ２を超えると比較器１１ａの出力段が遮断
状態になる。第１の積分電圧ｖＣ１が第２の積分電圧Ｖ
ｃ２以下の場合には比較回路１１の出力端子間が短絡状
態にあるため、第３の積分コンデンサ１２ａの充電が行
われない。

この時第２の比較回路１３の出力端子間は遮断状態にあ
る。従って比較回路１３は１次電流も制御用半導体スイ
ッチとしてのトランジスタ３にベース電流が流れるのを
許容して該トランジスタ３を導通状態にし、点火コイル
に１次電流１１を流す。

角度θｉにおいて第１の積分電圧ＶＣ１が第２の積分電
圧Ｖｃ２を超えると比較回路１１の出力端子間が遮断状
態になるため第３の積分コンデンサ１２ａの充電が開始
される。第３の積分コンデンサ１２ａの両端に得られる
第３の積分電圧ＶＣ３が基準電圧■ｒを超えると第２の
比較回路１３の出力端子間が短絡状態になる。これによ
りトランジスタ３が遮断状態にされ、点火コイルの１次
電流■１が急激に変化させられるため、点火コイルの２
次コイル１ｂに高電圧ｖｈが誘起する。これにより機関
のシリンダに取付けられた点火プラグ２に火花放電が生
じ、機関が点火される。

第３の積分回路を設けたことにより遅角特性が得られる
点は第１図の実施例と同様である。

上記のように、第２の積分電圧ＶＣ２が第４の積分電圧
ＶＣ４を超えた時点でトランジスタ３（１次電流制御用
スイッチ）を導通させるようにすると、微分回路１５Ｑ
の定数（ｉ抗１５ｃ、１５ｄとコンデンサ１５ｅにより
定まる時定数）及び第４の積分回路１５の積分定数（コ
ンデンサ１５ａと抵抗１５ｈにより定まる時定数）を適
宜に設定しておくことにより、１次電流制御用スイッチ
が導通を開始する位置を任意に設定することができる。

従って機関の低速時に点火コイルの１次電流の通ｌ１ｔ
ｌ１間が必要最小限になるように第４の積分回路の積分
定数を設定しておくことにより、損失を最小限に抑える
ことができ、１次電流制御用スイッチを構成するスイッ
チ素子の温度上昇を抑制することができる。また、第４
の積分コンデンサの充電が開始される位置θ３は足間の
回転速度の一上胃に伴って遅れていき、第２の積分電圧
が第４の積分電圧を超える位置は、機関の回転速度の上
昇に伴って進んでいくため、機関の回転速度の上昇に伴
って１次電流の通電時間が長くなっていく。従って機関
の高速時に遮ｉｇｉ電流値が低くなるのを防ぐことがで
き、高速時の点火性能の低下を防ぐことができる。

ｂ、１間の始動操作が異常な場合の動作（自然発火防止
用抵抗１７の作用） 上記実施例において機関が停止している時に電源スィッ
チを閉じた状態に保持した場合、すなわら、電源スィッ
チをｒＩＩＵｔＣ後直ちに始動操作を行わなかった場合
を考える。

機関が停止している状態では信号コイル５が第１及び第
２の信号Ｖｓ１及びＶｓ２を出力しないため、矩形波信
号ＶＱ及びパルス信号Ｖｐも発生しない。

従って矩形波信号Ｖｑにより第１及び第４の積分コンデ
ンサ８ａ及び１５ａが充電されることはない。しかし第
２の積分コンデンサ９ａは抵抗９ｂを通して図示しない
電源から充電されるため、その端子電圧ＶＣ２は所定の
勾配で上昇していき、やがて飽和する。この第２の積分
コンデンサの端子電圧により比較回路１１の出力端子間
が短絡状態になり、第３の積分コンデンサ１２ａの充電
が阻止される。この時第２の比較器１１３の出力端子間
は遮断状態にあり、トランジスタ３にベース電流が供給
され、トランジスタ３が導通して点火コイル′１に１次
電流が流れる。

この時比較回路１６では、電源から比較器の内部を通っ
て該比較器の逆相入力端子及び正相入力端子から微弱な
電流が流れ出ている。

令弟３図において自然発火防止用抵抗１７が無いとする
と、比較回路１６の逆相入力端子から流れ出す微弱電流
により第４の積分コンデンサ１５ａが充電されるため、
第４の積分コンデンサ１５ａの端子電圧Ｖｃ４は上昇し
ていき、やがてこの第４の積分コンデンサ１５ａの端子
電圧ＶＣ４が第２の積分電圧Ｖｃ２を超えるようになる
。このように　−第４の積分電圧ＶＣ４が第２の積分電
圧ＶＣ２を亀えると、比較器回路１６の出力端子が接地
電位になるため、トランジスタ３が遮断状態になり、１
次電流■１が遮断する。従って点火コイル１の鉄心中で
大きな磁束変化が生じ、点火コイルの２次コイルに高電
圧が誘起する。この高電圧は点火プラグ２に印加される
ため、該点火プラグに火花が生じ、いわゆる自然発火が
生じる。

これに対し、上記実施例のように、自然発火防重用抵抗
１７が設けられていると、機関が停止している状態で電
源スィッチが開成状態に保持された時に、抵抗１５ｈと
自然発火防止用抵抗１７と導通状態にあるパルス整形回
路７のトランジスタ７ｄとを通して第４の積分コンデン
サ１５ａが放電するため、第４の積分コンデンサの端子
電圧が上昇するのが阻止され、自然発火が生じるのが防
止される。

［Ｖ］第４図の実施例 第４図は本発明の他の実施例の要部を示したもので、こ
の実施例は点火回路としてコンデンサ放電式の回路を用
い、第１の比較回路１１の比較器としてプログラマブル
ユニジャンクショントランジスタ（ＰＵＴ）Ｐｌを用い
たものである。

この実施例では点火コイル１の１次側にコンデンサＣ１
が設けられ、該コンデンサＣ１は直間と同期回転する磁
石式交流発電様内に設けられたエキサイタコイルしｅの
出力でダイオードＤ１を通して図示の極性に充電される
ようになっている。

コンデンサＣ１とダイオードＤ１の接続点と接地間にサ
イリスタＴ　ｈ　／Ｊ＜設けられ、サイリスタＴｈのゲ
ートカソード間には保護用抵抗Ｒ１が接続されている。

また点火コイル１の１次コイル１ａの両端にカソードを
接地側に向けたダイオードＤ２が接続されている。点火
コイル１９点火プラグ２、コンデンサＣ１、エキサイタ
コイルＬｅ１ダイオードＤＩ　、　０２　、サイリスタ
Ｔｈ及び抵宜Ｒ１により点火回路４が構成されている。

この点火回路４はコンデンサ放電式の回路として周知も
ので、サイリスタＴｈの導通によりコンデンサＣ１の電
荷を点火コイル１の１次コイル１ａに放電させることに
より２次コイル１ｂに高電圧を誘起させて点火動作を行
わせるものである。

またこの実施例では第１の積分コンデンサ８ａの両端の
第１の積分電圧Ｖｃ１がプログラマブルユニジャンクシ
コントランジスタＰ１のアノードに印加され、第２の積
分コンデンサ９ａの両端の第２の積分電圧Ｖｃ２が抵抗
２０を介してプログラマブルユニジャンクショントラン
ジスタＰ１のゲートに印加されている。

プログラマブルユニジャンクショントランジスタＰ１の
カソードは抵抗１２ｂを介して第３の積分コンデンサ１
２ａの一端に接続され、第３の積分コンデンサ１２ａの
他端は接地されている。第３の積分コンデンサ１２ａの
非接地側端子は点火回路のサイリスタＴｈのゲー１〜に
接続され、第３の積分コンデンサ１２ａの端子電圧が所
定のトリがレベルを超えた時にサイリスタＴｈに点弧信
号が供給されるようになっている。

第１の積分電圧Ｖｃ１が第２の積分電圧Ｖｃ２より低い
時にはプログラマブルユニジャンクショントランジスタ
Ｐ１が遮断していて第３の積分コンデンサ１２ａに充電
電流が供給されないが、第１の積分電圧Ｖｃ１が第２の
積分電圧Ｖｃ２以上になるとプログラマブルユニジャン
クション１〜ランジスタＰ１が導通するため、第３の積
分コンデンサ１２ａに充電電流が供給される。第３の積
分コンデンサの両端の電圧が所定のレベルを超えるとサ
イリスクＴｈに点弧信号が与えられ、これによりサイリ
スクＴｈが導通して点火動作が行われる。

また第４図の実施例においては、サイリスタＴｈのゲー
トに抵抗２１を介してパルス信号ＶＤが供給され、機関
の低速時にはこのパルス信号によりサイリスタＴｈに点
弧信号が与えられるようになっている。

尚第４図においては、第１の積分コンデンサ８ａを放電
させるり廿ット回路の図示を省略しであるが、この第１
の積分コンデンサ用のリレット回路としては第３図の実
施例で用いたのと同様の回路を用いることができる。

第４図の実施例の各部の信号波形を第５図△乃至Ｅに示
してあり、第５図りにおいて破線のＶｃｌは進角動作開
始前の第１の積分電圧を示し実線のＶＣｌは遊色終了後
の第１の積分電圧を示している。

上記の実施例では、信号コイルの出力により矩形波信号
Ｖｑどパルス信号Ｖｐとを発生させて、これらの信号に
より第１の積分回路及び第２の積分回路を制御するよう
にしたが、両積分回路の？ｌｉ制御の仕方は上記の実施
例に限られるものではない。

第１の積分回路は第１の信号により初期積分動作の開始
位置が定められ、点火位置を示す信号または第２の信号
により追加積分動作の終了位置が定められればよい。ま
た第２の積分回路は第２の信号によりその積分動作の開
始位置が定められ、点火位置を示す信号または第２の信
号により積分動作の終了位置が定められればよい。

［発明の効果］ 以上のように、本発明によれば、第１及び第２の積分コ
ンデンサの両端にそれぞれ得られる第１及び第２の積分
電圧を比較して第１の積分電圧が第２の積分電圧以下の
時に出力端子間が実質的に短絡状態になり、第１の積分
電圧が第２の積分電圧を超えた時に出力端子間が実質的
に′ａ断状態になる比較回路を設けて、この比較回路の
出力端子間に第３の積分回路の積分コンデンサを接続し
、該第３の積分回路の積分コンデンサの端子電圧が所定
のレベルに達した時に点火位置を定めるための信号を発
生させるようにしたので、第３の積分回路のコンデンサ
の充放電をＩ制御する回路を省略して第３の積分回路を
簡単にすることができ、簡単な構成で進角特性と遅角特
性とを得ることができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
第１図の各部の信号波形図、第３図は本発明の更に具体
的な実施例を示す回路図、第４図は本発明の更に他の実
施例の要部を示す回路図、第５図は第４図の各部の信号
波形図、第６図は本発明の装置により得られる点火特性
の一例を示す線図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体スイッチの動作により点火コイルの１次電流を急
   変させて該点火コイルの２次側に点火用の高電圧を発生
   させる点火回路と、内燃機関の第１の回転角度位置でス
   レショールドレベル以上になる第１の信号と該第１の回
   転角度位置より位相が遅れた第２の回転角度位置でスレ
   ショールドレベル以上になる第２の信号とを発生する信
   号コイルと、前記第１及び第２の信号を入力として第１
   の回転角度位置と第２の回転角度位置との間で半導体ス
   イッチを動作させるための点火信号を与える点火位置制
   御回路とを備えた内燃機関用点火装置において、 前記点火位置制御回路は、 第１の積分コンデンサを前記第１の回転角度位置から該
   第１の積分コンデンサの端子電圧が設定電圧に達するま
   で初期充電する初期積分動作と該第１の積分コンデンサ
   を該設定電圧以上に追加充電する追加積分動作とを行う
   第１の積分回路と、第２の積分コンデンサを各第２の回
   転角度位置から一定の時定数で充電する積分動作を行う
   第２の積分回路と、 第１の積分コンデンサの両端に得られる第１の積分電圧
   と第２の積分コンデンサの両端に得られる第２の積分電
   圧とを比較して第１の積分電圧が第２の積分電圧以下の
   時に出力端子間が実質的に短絡状態になり、第１の積分
   電圧が第２の積分電圧を超えた時に出力端子間が実質的
   に遮断状態になる比較回路と、 前記比較回路の出力端子間に対して並列に接続された第
   ３の積分コンデンサを一定の時定数で充電する積分動作
   を行う第３の積分回路と、 前記第３の積分コンデンサの両端に得られる第３の積分
   電圧が前記所定のレベル以上になった時に前記点火信号
   を出力する回路と、 前記第３の積分電圧が所定のレベル以上になった位置か
   ら前記第２の回転角度位置までの間に前記第１及び第２
   の積分コンデンサをそれぞれ放電させるリセット回路と
   を具備したことを特徴とする内燃機関用点火装置。