JPS62273260A - 新しい感光性組成物 - Google Patents

新しい感光性組成物

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JPS62273260A
JPS62273260A JP11465586A JP11465586A JPS62273260A JP S62273260 A JPS62273260 A JP S62273260A JP 11465586 A JP11465586 A JP 11465586A JP 11465586 A JP11465586 A JP 11465586A JP S62273260 A JPS62273260 A JP S62273260A
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JP
Japan
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group
carbon atoms
formula
general formula
compound
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JP11465586A
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Nobuhiko Suga
菅 伸彦
Akihiko Ikeda
章彦 池田
Hideo Ai
愛 英夫
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 λ 発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な感光性組成物、さらに詳しくいえば、加
熱処理によシ耐熱性高分子化合物に変換しうる感光性組
成物に関するものである。
従来、ポリイミドに代表される耐熱性高分子化金物は、
その耐熱性や電気特性などを生かして、例えば電気、自
動車、航空機、宇宙、原子力などの分野で、構造部材、
プリント基板材料、耐熱絶縁材料などに広く用いられて
いる。
一方、感光性高分子化合物は、塗料や印刷版などの用途
に広く用いられておシ、特に最近ではそのリソグラフィ
ー特性を生かして、プリント回路作成用レジスト、金属
板エツチング用レジスト、半導体素子作成用し・クスト
などの微細加工用材料として、目覚ましい進歩がみられ
ることは周知のところである。
近年、この耐熱性と感光性という2種の有用な機能を合
わせもつ高分子材料について、特に電子材料や光学材料
用として積極的に開発がなされておす、側光ばハツシペ
ーション膜、α線遮へい膜、ジャンクションコート膜な
どの表面保護膜や多層配線用の眉間絶縁膜のような半導
体素子用絶縁膜あるいは液晶表示素子用配向膜、薄膜磁
気ヘッド用絶縁膜などの用途が検討されている〔例えば
、「機能材料」、7月号第9〜19ページ(1983年
)及び、[フォトグラフィック・サイエンス・アンド・
エンジニャリング(Photographic 5ci
ence sndljngineering ) j第
303〜309ページ(1979年)参照〕。
〔従来の技術〕
従来、耐熱性感光性組成物としては、例えばポリイミド
の前駆体であるポリアミド酸のエステル側鎖に二重結合
などの活性官能基を導入した?リマーに、光増感剤や共
重合性モノマーを加えた、光照射によシ架橋構造が形成
されうる組成物が知られている(’Fj公昭55−30
207号公報、特公昭55−41422号公報)。この
ものはいわゆる感光性ポリイミドに代表されるリソグラ
フィー用耐熱性高分子材料の基本的な組成物であるが、
光感度が低く、実用に供するには不十分であった。又、
このような欠点を改良した組成物として、前記の側鎖活
性官能基にメタクリレート基又はアクリレート基を用い
、光開始剤としてp−アセトアミド−フェニルスルホン
アジドなどのアジド化合物を加えたものが提案されてい
る(特開昭55−155347号公報)。しかしながら
、この組成物は若干光感度が向上しているものの、まだ
十分であるとはいえない。
一方、ポリアミド酸と二重結合などの活性官能基を有す
るアミン化合物との混合物を主成分とする感光性組成物
が提案されている(%開側57−168942号公報、
特開昭54−145794号公報、特開昭59−160
140号会報)。
しかしながら、このものはその溶液の粘度が極めて高い
ために、より低濃度の溶液で取扱う必要がアシ、半導体
素子表面の製膜に汎用されているスピンコーターなどを
用いた場合、厚膜を形成することが困難であった。又、
これらはイオン結合型であるために、塗布乾燥後放置す
ると、吸湿によりクラックを生じやすいという問題点が
あった。
これら先行技術に開示されている組成物の使用法につい
ては、いずれも溶液として基体上に塗布し、乾燥後、フ
ォトマスクを通して紫外線などの活性光線を照射したの
ち、適当な現像溶媒で未露光部分を溶解除去して画像を
形成し、次いで高温処理を行なってイミド環などに閉環
し、同時にポリアミド酸側鎖や架橋鎖、開始剤な′どを
気化せしめることによシ耐熱性のフィルムを形成せしめ
るプロセスが代表的な形態として用いられる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、従来の先行技術においては、いわゆる感光性
ポリイミドの膜厚を厚くしていくと、光感度が極端に低
下して、硬化に必要な露光時間が長くなるという欠点を
有することが見い出された。
ま之、我々は、すでに、光開始剤として、ある種の構造
を有するオキシム化合物と増感剤とを組合せることKよ
シ光感度を向上させることを見いだした(特願昭59−
238545号)が、さらに、感度を向上させる必要が
ある。
本発明者らは、このような事情に鑑み、光感度が高く、
特に厚膜で使用する場合においても、高い光感度を有す
る耐熱性感光性組成物を提供すべく鋭意研究を重ねた。
〔問題点を解決する九めの手段〕
その結果、必須成分として特定の構造を有する重合体、
オキシム化合物、及び吸収ピーク波長が250〜50Q
nmにある増感剤を含有して成る組成物がその目的に適
合しうろことを見出し、この知見に基づいて本発明を完
成するに至った。
すなわち、本発明は、(イ)一般式(1)〔式中のXは
(2+n)価の炭素環式基又は複素環式基、Yは(z+
m)価の炭素環式基又は複素環式R*、は炭素−炭素二
重結合を有する基、Wは熱処理により、−000R*の
カルぜニル基と反応して環を形成しうる基、fIは1又
は2、mは0.1又は2であり、かつC00R*と2は
互いにオルト位又はペリ位の関係にある〕 で示される繰シ返し単位を有する重合体(以下(イ)成
分と称す)及び (ロ)一般式(2)で示されるトリアゾール化合物〔式
中のR1+ R1は水素原子、又は炭素数1ないし4の
アルキル基、又は炭素数1ないし4のアルコキシ基、R
sは炭素数1ないし6のアルキル基、又は炭素数1ない
し6のアルコキシ基、又は炭素数6ないし10の芳香族
炭化水素、又は炭素数6ないし10のアリーロキシ基を
示す〕、 及び、 (ハ)吸収ピーク波長が250〜500nmにある増感
剤を必須成分として含有して成る感光性組成物を提供す
るものである。
本発明組成物において、(イ)成分として用いる重合体
は、前記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する
ものであり、式中のXは3又は4価の炭素環式基又は複
素環式基であって、このよりなXとしては、例えば4ン
ゼン環や、ナフタレン環、アントラセン環などの縮合多
環芳香環、ピリジン、チオフェンなどの複素環式基、及
び一般式(Is)Hs Iは0又は1、X8はOH,又はcpsである〕で示さ
れる基などが挙げられる。これらの中で炭素数6〜14
の芳香族炭化水素基や、Xlが+CHz+t(lは0又
は1である)、−a−、−S−、−O−又OF。
は−0−である一般式(Iりで示される基が好ましFs く、さらに式 %式%) で示されるものが好ましい。
前記一般式(1)におけるYFi2.3又は4価の炭素
環式基又は複素環式基であって、このようなものとして
は、例えばナフタレン、アントラセンなどに由来する炭
素数10〜18の2価の芳香族炭化水素環、ピリジン、
イミダゾールなどに由来する複素環式基及び式 y、        Y4 n OHs    OHs 〔式中のYlは)l 、 OH,、(CH,)、OH、
ooHs+ 0OOHIハロゲン原子又は80.H、Y
、は+OH鵞+(穴だし、p FiO又は1である)、
 −80鵞−1OH。
OH。
Ys及びY4はH、OH3,O鵞Hgt 0OHs +
ハロゲン原子、000H,So、H又はNo、、 Ys
及びy、はH,ON、ハロゲン原子、OHM、 0OH
3+ 5OsH又はOHである〕で示される基などが挙
げられる。これらの中で炭素数10〜14の2価の芳香
族炭化水素環や、Y2が千OH宜+i)(ただし、pは
O又は1)、−0−1−SO,−1−〇−又は−S−で
、かつYs及びY4がともに水素原子である式(I、)
で示される基が好ましく、さらに式、 で示される基が好ましい。
前記一般式(1)におけるWは、熱処理によシ、−0O
OR*のカルゼニル基と反応して環を形成しうる基であ
って、このようなものとしては、特に−O−NH,が好
適である。又、nとしては2が好ましい。
さらK、前記一般式(1)におけるB*は炭素−炭素二
重結合を有する基であって、このようなものとしては、
例えば、 −R#−cH=aH,(Its) 〔式中R′は、水素原子、又は、メチル基、R′は、炭
素数1ないし3のアルキレン基、nは1又は2〕などが
挙げられる。
(■1)の例としては、 −OH,−0−0−OH= OH鵞 OCHx −OH冨−OH*  O0−0H=OHt(■りの例と
しては、 (■3)の例としては、 (■4)の例としては、 (IIs)の例としては、 OHt −OH= OHM −OH暑−0H1−OH=OH! (■−)の例としては、 (■テ)の例としては、 などが挙げられる。
これらの内、光感度、及び、保存安定性等からなどが、
好ましい。
本発明組成物において(ロ)成分として用いるトリアゾ
ール化合物は、前記一般式(2)で示されるものである
。
T1.。
式中R1+ 石は水素原子、又は炭素数1ないし4のア
ルキル基、又は炭素数1ないし4のアルコへシ基でらり
、好ましくは水素原子、メチル基、Jチル基、メトキシ
基、エトキシ基などが挙げら才る。式中R3は炭素数1
ないし6のアルキル基、ユは炭素数1ないし6のアルコ
キシ基、又は炭素i6ないし10の芳香族炭化水素、又
は炭素数62いし10のアリーロキシ基であり、好まし
くはエチル、n−プロピル基、1ao−プロピル基、n
−ブチル基、  1so−ブチル基、terl−ブチル
基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、1s
o−プロポキシ基、n−ブトキシ基、130−ブトキシ
基%  tert−ブトキシ基、フェニル基、トシル基
、フェニルオキシ基、トシルオキシ基などが挙ケラ0 
                       υな
どが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
なおこれらは単独でも複数を混合して使用してもよい。
本発明組成物において(ハ)成分として用いる増感剤は
、吸収−一り波長が250〜500n+nにあるもので
あり、このような例としては、 〔式中R1+ Rtは、メチル基、又は、エチル基、R
3は、水素原子、又は、メチル基、R4は、炭素数6な
いし10の芳香族炭化水素、R3は、メチル基、エチル
基、又は、炭素数6ないし10の芳香族炭化水素% R
6,Rtは、水素原子、脂肪族基、置換脂肪族基、炭素
数6ないし10の芳香族炭化水素からなる基でjy ’
) 、R411’L7の少なくとも一方は、水素原子で
はない基であり、38は、水素原子、メチル基、エチル
基、水酸基、m 、 nは、0.1又は2〕などが挙げ
られる。
増感剤の例としては、ミヒラーズケトン、4゜4′−ヒ
ス−(ジエチルアミノ)−ヘンシフエノン、2 、 s
  t%ス(4’−ジエチルアミノベンザル)−シクロ
インタノン、2.6−ビス(4′−ジエチルアミノベン
ザル)−シクロヘキサノン、2.6−♂スー(4′−ジ
メチルアミノベンザル)−4−メチルーシpaヘキサノ
ン、2.6−ビス(4′−ジエチルアミノ4ンザル)−
4−メチル−シクロヘキサノン、4.4’−ピス−(ジ
メチルアミノ)−カルコン、4.4’−ビス−(ジエチ
ルアミン)−カルコン、4−ジメチルアミノシンナミリ
デンインダノン、4−・クメチルアミノベンジリデンイ
ンダノン、2−(4’−ジメチルアミノフェニルビニレ
ン)−ベンゾチアソール、2−(4’−−)メチルアミ
ノフェニルビニレン)−イソナフトチアゾール、1.3
−ビス−(4′−ジメチルアミノベンザル)−ア七トン
、1.3−ビス−(4’ −−7エチルアミノベンザル
)−ア七トン、3゜3′−カルゼニルーピスー(7−ジ
ニチルアミノクマlJン)、7−J)エチルアミノ−3
−ベンゾイルクマリン、7−ダニチルアミノ−4−メチ
ルクマリン、N−フェニル−ジェタノールアミン、N−
p−トリル−ジエチルアミンなどが挙げられるか、これ
には限定されるものではない。なおこれらは単独でも複
数を混合して使用してもよい。好ましくは、(■1)な
いしく■s)の構造を有する増感剤と(■。)の構造を
有する増感剤を混合して使用する。
本発明の組成物には、必要に応じて炭素−炭素二l結合
を有する化合物を添加することができる。
この炭素−炭素二重結合を有する化合物は添加すること
によシ光重合反応を容易にするような化合物であって、
このようかものとしては、2−エチルヘキ’7にアクリ
レート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、N−ビニ
ル−2−ピロリドン、カルピトールアクリレート、テト
ラヒドロフルフリルアクリレート、イソミルニルアクリ
レート、1゜6−ヘキサンジオールジアクリレート、ネ
オペンチルグリコールジアクリレート、エチレングリコ
ールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリ
レート、ペンタエリスリトールジアクリレート、トリメ
チロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート、ジインタエリスリトールへキサ
アクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレ
ート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ノナ
エチレングリコールジアクリレート、メチレンビスアク
リルアミド、N−メチロールアクリルアミド及び、上記
のアクリレート又はアクリルアミPをメタクリレート又
はメタクリルアミドに変えたもの等が挙げられ、これら
の中で好ましいものは、2つ以上の炭素−炭素二重結合
を有する化合物である。
さらに本発明組成物にメルカプタン化合物を添加するこ
とにより、光感度をさらに向上させることができる。メ
ルカプタン化合物の例としては、例えば、2−メルカプ
トベンズイミダゾール、2−メルカプトベンゾチアゾー
ル、1−フェニル−5−メルカプト−IH−テトラゾー
ル、2−メルカプトチアシーン、2−メルカプト−4−
フェニルチアゾール、2−アミノ−5−メルカプト−1
゜3.4−チアゾール、2−メルカプトイミダゾール、
2−メルカプトル5−メチル−1,3,4−チアジアゾ
ール、5−メルカプト−1−メチル−IH−テトラゾー
ル、2,4.6−ドリメルカブトー3−トリアジン、2
−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカブトーs−トリア
ジン、2.5−ジメチルカプト−1,3,4−チアジア
ゾール、5−メルカプト−1゜3.4−チアジアゾール
、1−エチル−5−メルカプト−1,2,3,4−テト
ラゾール、2−メルカプト−6−ニトロチアゾール、2
−メルカプト4ンゾオキサゾール、4−7エニルー2−
メルカプトチアゾール、メルカプトピリジン、2−メル
カプトキノリン、l−メチル−2−メルカプトイミダゾ
ール、2−メルカプト−β−ナフトチアゾールなどが挙
げられる。
又、さらに本発明組成物には、必要に応じて官能性ジア
ルコキシシラン化合物を添加又は、基材にプレコートし
て用いることができる。このジアルコキシシラン化合物
は、本発明組成物の耐熱性高分子膜と基材であるSi及
び無機絶縁膜との界面の接着性を向上するような化合物
であって、これらの例としては、例えば、γ−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル
)r−アミノプロピルジメトキシシラン、γ−グリシド
キ7プロビルメチルジメトキシシラン、r−メルカプト
プロピルメチルジメトキシシラン、ジメトキシ−3−メ
ルカプトプロピルメチルシラン、3−メタクリロキシプ
ロピルジメトキシメチルシラン、3−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−3−ピ
ペリ・ジノプロピルシラン、ジェトキシ−3−グリシP
キシゾロビルメチルシラン、N−(3−ジェトキシメチ
ルクリルプロビル)スクシンイミr等が挙げられる。
これらジアルコキシシラン化合物の使用方法及び効果に
ついては、例えば、特願昭60−38242号に詳しく
記載されている。又、本発明組成物の溶液の保存安定性
を向上させるために、重合禁止剤を添加することもでき
る。この重合禁止剤としては、例、tば、ハイドロキノ
ン、N−ニトロンジフェニルアミン、p−1crt−ブ
チルカテコール、フェノチアジン、N−フェニルナフチ
ルアミン、2,6−ジー tert−ブチル−p−メチ
ルフェノール等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。
本発明における(口)成分のトリアゾール化合物の含有
割合については、特に制限はないが、好ましくは(イ)
成分の重合体に対し0.1〜20重量%、さらに好まし
くは、1〜15重量%の範囲で含有させることが望まし
い。含有量が少ない場合は、光感度が十分でなく、含有
量が多すぎる場合は、熱処理を行なった後の膜特性が低
下する。
又、本発明における(ハ)成分の増感剤の含有割合につ
いては、0)成分の重合体に対し0.01〜20重量2
、好ましく Vio、05〜15重量%の範囲で含有さ
せることが望ましい。含有量が少ない場合は、光感度が
十分でなく、含有量が多すぎる場合は、逆に光感度が低
下する。
炭素−炭素二重結合を有する化合物の添加量は、(イ)
成分の重合体に対して2.0重量%以下が望まレヘメル
カブタン化合物の添加量は、好ましくは(イ)成分の重
合体に対して、10重量%以下が望ましく、さらに好ま
しくは、SX量%以下である。又、前記官能性ジアルコ
キシシラン化合物を添加して用いる場合、その添加量は
、(イ)成分の重合体に対してO,OS〜iol量%、
好ましくは0.1〜4重量%である。
又、前記重合禁止剤は、(イ)成分の重合体に対して5
重量%以下、好ましくは0.5重量%以下添加して用い
られる。
本発明組成物において(イ)成分として用いる重合体は
、例えば、一般式 で示される化合物と、一般式 で示される化合物とを重縮合又は重付加することにより
得られる。前記一般式[相]におけるzlの例とシテハ
、−COOH(IIIt) 、 −Cool (L) 
、 −Neo(IIIs) −NH鵞(L) 、OH(
IIIg)が、l)、それぞれに対応する一般式(イ)
の略号を0内に示す。又、一般式ωにおけるZ、の例と
しては、−ooc l(■t) 、 −000H(Mz
)。
−NOO(Ms) 、  NHz (■4)があシ、そ
れぞれに対応する一般式ωの略号を0内に示す。々お、
X、R,Y及びWは前記と同じ意味をもつ。
前記の一般式(1)で示される化合物と一般式拍で示さ
れる化合物との重縮合又は重付加反応によシーz!とZ
l−とが反応して結合鎖2が形成される。
この際のZlとZ、との好ましい組合わせ、生成する2
の種類及び得られた重合体を加熱処理した時に生成する
環構造基をまとめて第1表に示す。
第1表 〔注〕 *1 環構造 工M:イミト環 QD:キナゾリンジオン環 OD=オキサジンジオン環 0)成分の重合体は、次に示す方法によっても製造する
ことができる。すなわち、一般式%式%) 〔式中のXは前記と同じ意味をもつ〕 で示される化合物を前記一般式(■3)又は(■4)で
示される化合物と反応させて得られた生成物のカルぜキ
シル基を、一般式 〔式中のR*は前記と同じ意味をもつ〕で示されるエポ
キシ化合物、又は、たとえば一般で示されるアミン化合
物、又は、一般式で示される四級アンモニウム塩と反応
させることにより、該重合体が得られる。
なお、これらの反応は、例えば特開昭56−32524
号公報、特願昭59−49339に記載されている。
前記の一般式(■1)で示される化合物は、例えば一般
式(ms)    O で示される酸無水物をR*OH(1’L*は前記と同じ
意味をもつ)で開環させて得られる。該酸無水物(■−
)としては、例えば無水ピロメリット酸、3.3’。
4.4′−ベンゾフエノンテトラカルゼン酸二無水物、
3.3’、4.4’−シフェニルエーテルテトラカルゼ
ン酸二無水物、3.3’、4.4’−ジフェニルテトラ
カルIン酸二m水物、3 、3’、 4 、4’−ジフ
ェニルスルホンテトラカルノン酸二無水物、2,3,6
.7−す7タレンテトラカル2ン酸無水物、チオフェン
−2゜3.4.5−テトラカルぜン酸無水物、2.2−
ビス−(3,4−ビスカルぜキシフェニル)ゾロノセン
無水物等が挙げられ、アルコールR*OHとしては、2
−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒPロキシエ
チルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト、2−ヒPロキシゾロぎルアクリレート、アリアルコ
ール及びエチレングリコールモノアリルエーテル等が挙
げられる。
これらの酸無水物(■−)をアルコールR*OHと反応
させるに際して、ピリジン、ジメチルアミノピリジン等
を添加することにより反応が加速される。
前記の第1表における番号1及び1′の組み合わせは好
ましい実施態様の1例であり、この組み合わせで用いら
れる一般式(■4)で示されるジアミンとしては、例え
ば、4.4’−ジアミノジフェニルエーテル、4.4’
−ジアミノピフェニル、2.4’−ジアミノトルエン、
4.4’−−)アミン(ンゾフエノン、414/  、
7アミノジフエニルスルホン、フェニルインダンジアミ
ン、4.4’−ジアミノジフェニルメタンンp−)ユニ
レンジアミン、m−フェニレンジアミン、1.5−−)
アミノナフタレン、3.3′−ジメトキシ−4,4′−
ジアミノピフェニル、3,3′−ジメチル−4,4’−
ジアミノピフェニル、O−トルイジンスルホン、2.2
−ビス(4−アミンフェノキシフェニル)プロパン、ビ
ス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(
4−アミノフェノキシフェニル)スルフィr、x、<−
ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1.3−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、3.4’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、9.9−ビス(4−アミノフェ
ニル)アントラセン−(10)、9.9−ビス(4−ア
ミノフェニル)フルオレン、3.3’−ジアミノジフェ
ニルスルホン、4.4’−ジー(3−アミノフェノキシ
)ジフェニルスルホン、4.4’−)アミノペンズアニ
リr、3.4’−ジアミノジフェニルエーテル、4.4
′−(1,3−フェニレンビス(1−メチルエチIJ 
7”ン)〕、4.4’−[1,4−7二二レンピス(1
−メチルエチリデン) )、414’  (111−7
二二レンジインプロピリデン)ビス(m−トルイジン)
、4.4’−CP−フェニレンジイソプロピリデン)ビ
ス(m−トルイジン)等が挙げられる。
この組み合わせのうち、一般式(■1)で示される化合
物と一般式(■4)で示される化合物との反応は、カル
Iジイミ)11型脱水縮合剤、例えばジシクロへキシル
カルゼジイミPを用いて行なうことができる。
又、前記一般式(mx)で示される化合物は、一般式(
■1)で示される半エステルに塩化チオニルや五塩化リ
ンなどを反応させることにより得ることができる。
これらの反応の方法については、例えば特願昭59−1
93737号、特願昭60−9918号、特願昭59−
238545号等に詳しく記載されている。
本発明において(ロ)成分として用いるトリアゾール化
合物の製造法は、N−ヒドロキシベンゾ)+77ゾ一ル
誘導体とハロゲン化カルIニルを反応させることKより
出来る。N−ヒドロキシベンゾトリアゾール誘導体の製
造法は、ケミツシュ・ベリヒテ(Ohemisehe 
Berichte ) 103号788頁〜798頁(
1970年)に記載されている。
本発明組成物は、該組成物中のすべての成分を溶解しう
る溶媒に溶解して所定の基体上に塗布して用いる。この
際、基体との密着性を高めるために、前記ジアルコキシ
シラン化合物を基体にプレコートして用いることもでき
る。
前記溶媒としては極性溶媒が好ましく、例えばジメチル
ホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルアセト
アミr1 ジグライム、酢酸インブチル、シクロペンタ
ノンなど沸点が高すぎないものが望ましい。さらに、ア
ルコール、芳香族炭化水素、エーテル、ケトン、エステ
ルなどの溶媒を成分を析出させない範囲で加えることも
できる。
基体上に塗布する方法としては、前記のようにして得ら
れた溶液を、フィルターで濾過した後、例エバスピンコ
ーター、ノ々−コーター、プレーPコーター、カーテン
コーター、スクリーン印刷法などで基体に塗布する方法
、基体を該溶液に浸漬する方法、該溶液を基体に噴霧す
る方法などを用いることができる。
基体としては、例えば金属ガラス、シリコン半導体、金
属酸化物絶縁体、窒化ケイ素などの耐熱材料が好ましく
、又、加熱処理しない場合は、銅張ガラスエイキシ積層
板などの材料を用いることができる。
次に、このようにして得られた塗膜を風乾、加熱乾燥、
真空乾燥などを組み合わせて乾燥したのち、通常フォト
マスクを通して露光を行なう。この際、用いる活性光線
としては、例えば紫外線、X線、電子線などが挙げられ
、これらの中で紫外線が好ましく、その光源としては、
例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲ
ンランプなどが挙げられる。これらの光源の中で超高圧
水銀灯が好適である。又、露光は窒素雰囲気下で行なう
ことが好ましい。
このようにして露光したのち、未照射部を除去すべく、
浸漬法やスプレー法などを用いて現像を行なう。この除
用いる現儂液としては、未露光膜を適当な時間内に完全
に溶解除去しうるようなものが好ましく、例えばN−メ
チルピロリドン、N−7セチルー2−ピロリドン、N、
N−ジメチルホルムアミp、N、N−・ジメチルアセト
アミr1  ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホス
ホリックトリアミド、N−ベンジル−2−ピロリドン、
γ−ブチロラクトンなどの非プロトン性極性溶媒を単独
で用いてもよいし、あるいはこれらに第2成分として、
例えばエタノール、イソプロノにノールなトノアルコー
ル、トルエン、キシリンナトノ芳香族炭化水素化合物、
メチルエチルケトン、メチルインジチルケトンなどのケ
トン、酢酸エチル、プロピオン酸メチルなどエステル、
テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテルなど
の溶媒を混合して用いてもよい。さらに、現像直後に前
記第2成分として示したような溶媒でリンスすることが
好ましい。
このようにして得られ次画像は乾燥後、150〜450
℃の温度範囲で加熱することにより、イミP環、イノイ
ンドロキナゾリンジオン環、オキサジンジオン環、キナ
ゾリンジオン環などを有する耐熱性高分子化合物に変換
される。
〔発明の効果〕
本発明組成物は、従来の先行技術で開示されている組成
物に比べて多くの利点を有している。この利点としては
、まず、高い光感度が達成されたことが挙げられ、又、
フォトレジストの特性として重要視されているリソグラ
フィー特性も著しく改良されたことが挙げられる。これ
らの結果として本発明組成物は、低露光量で高解像度を
示すというフォトレジストとして理想的な特性を有して
いることが分る。さらに該組成物は、長期の放置安定性
を有し、塗膜乾燥時における好ましからざるゲル化及び
クラックの発生もないという利点がある。
本発明組成物は、半導体素子用の眉間絶縁膜や表面保護
膜などに用いれば、前記の特性を反映してプロセスがよ
り短縮され、かつ微細加工が容易となシ、その上、よシ
平坦な層を形成しうるなどの特徴を発揮する。
〔実施例〕
次に、実施例によシ本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではな
い。なお、実施例に用いたポリマー、トリアゾール化合
物、増感剤、炭素−炭素二重結合を有する化合物(モノ
マー)、メルカプタン化合物、官能性ジアルコキシシラ
ン化合物、重合禁止剤の名称等を表2に示す。
以下余白 (2)トリアゾール化合物 (3)増感剤 吸収ピーク波長は、ノマリアン社製キャリー219分光
光度計(Varian C!ARY 219 spec
trophotometer )により、溶媒にエタノ
ールを用いて測定した。
(4)七ツマ− (5)  メルカプタン化合物 (6)  官能性ジアルコキシシラン化合物(7)重合
禁止剤 実施例1〜20 表3に示した?リフ−100重量部に対し、添加剤を同
表に示し7t?i量部加え、120重毫部のNメチルピ
ロリドンに溶解した。この溶液をシリコンウェハー上に
スピンコー) (700rpmX75ec) L、70
℃空気中で6時間乾燥して均一な塗膜を得た。
次に窒素雰囲気下でグレースケール(KodakPho
tographic 5tep Tablet 、 A
 2 )を通して、超高圧水錯灯(8m W/cm ”
 )で5分間露光した。このウェハーを23℃で30分
間放置した後、スプレ一式現像機を用い、γ−ブチロラ
クトンとキシレンの等量混合液で現像し、キシレンでリ
ンスして乾燥シタ。グレースケールの各ステップの硬化
状態より感度を段数として求めた。(段数が高いほど感
度が高いことを示し、段数が1段上がると、その露光量
がV]−だけ低いことを意味する。)得られた結果を同
表に示す。
比較例1〜5 実施例1〜20と同表にして表4の組成物について実験
を行ない、同表に示した結果を得た。
比較例6〜11 本発明のオキシム化合物の変わりに、他の光重合開始剤
を用いて、実施例1〜20と同様にして、表5の組成物
について実験を行ない、同表に示した結果を得た。
実施例21〜23 ジアミノジフェニルエーテル1on t (o、sモル
)をN−メチルピロリPン880fに溶解しピロメリッ
ト酸二無水物109 t (0,5モル)を加えて、5
0〜60℃で3時間反応させることにより、25℃で2
8ポアズのポリマー溶液を得た。(このポリマー溶液を
p−aと表わす)このポリマー溶液100重量部に対し
、添加剤を表6に示した重量部加え、溶解する。この溶
液をシリコンウェハー上にスピンコード(500rpm
Xlosec) L70℃で1時間乾燥して均一な塗膜
を得た。さらにこの塗膜上で、溶液をスピンコード、乾
燥を4回くシ返し塗膜を得喪。次に、窒素雰囲気下でグ
レースケール(Kodakphotographie 
!9tep Tablot A 2 )を通して、超高
圧水銀灯(8m W/m ” )で5分間露光した。こ
のウェハーを23℃で30分間放置した後、スプレ一式
現像機を用い、N−メチルピロリドン(2部)とメタノ
ール(1部)の混合溶液で現像し、メタノールでリンス
して乾燥した。硬化感度は段数として示す。得られた結
果を表6に示す。
以下余白 参考例1 本発明で用いるトリアゾール化合物の製造法として下記
構造のトリアゾール化合物(略号二に−3)の製造法の
一例を示す。
N −ヒ)’ o # シヘ7ゾトリアゾール13.5
 F (0,1モル)トトリエチルアミン11.1 F
 (0,11モル)ヲア七トン400dに溶解し、10
℃以下でベンゾイルクロライド15.46 t (0,
11モル)を滴下する。滴下後、室温で1時間攪拌を続
ける。反応終了後反応液を口過し、口液を蒸発乾固する
。得られたトリアゾール化合物は、エタノールで再結晶
する。収量は、16?(収率67%)であった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)(イ)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 〔式中のXは(2+n)価の炭素環式基又は複素環式基
    、Yは(2+m)価の炭素環式基又は複素環式基、Zは
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼、R^*は炭素−炭
    素二重結合を有する基、Wは熱処理により、−OOOR
    ^*のカルボニル基と反応して環を形成しうる基、nは
    1又は2、mは0、1又は2であり、かつCOOR^*
    とZは互いにオルト位又はペリ位の関係にある〕で示さ
    れる繰返し単位を有する重合体、及び、(ロ)一般式(
    2)で示されるトリアゾール化合物▲数式、化学式、表
    等があります▼(2) 〔式中のR_1、R_2は水素原子、又は炭素数1ない
    し4のアルキル基、又は炭素数1ないし4のアルコキシ
    基、R_3は炭素数1ないし6のアルキル基、又は炭素
    数1ないし6のアルコキシ基、又は炭素数6ないし10
    の芳香族炭化水素、又は炭素数6ないし10のアリーロ
    キシ基を示す〕、 及び、 (ハ)吸収ピーク波長が250〜500nmにある増感
    剤を含有して成る感光性組成物。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5238784A (en) * 1989-11-30 1993-08-24 Sumitomo Bakelite Company Limited Photosensitive resin composition with polyamic acid polymer
US11537046B2 (en) * 2017-11-24 2022-12-27 Lg Chem, Ltd. Photoresist composition and photoresist film using the same
EP4650874A1 (en) * 2024-05-15 2025-11-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Negative-type photosensitive resin composition, patterning process, method for forming cured coating, interlayer insulating film, surface protecting film, and electronic component

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5238784A (en) * 1989-11-30 1993-08-24 Sumitomo Bakelite Company Limited Photosensitive resin composition with polyamic acid polymer
US11537046B2 (en) * 2017-11-24 2022-12-27 Lg Chem, Ltd. Photoresist composition and photoresist film using the same
EP4650874A1 (en) * 2024-05-15 2025-11-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Negative-type photosensitive resin composition, patterning process, method for forming cured coating, interlayer insulating film, surface protecting film, and electronic component

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