JPS60133445A - ホトレジスト組成物 - Google Patents

ホトレジスト組成物

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JPS60133445A
JPS60133445A JP59248284A JP24828484A JPS60133445A JP S60133445 A JPS60133445 A JP S60133445A JP 59248284 A JP59248284 A JP 59248284A JP 24828484 A JP24828484 A JP 24828484A JP S60133445 A JPS60133445 A JP S60133445A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高度に耐熱性の重合体よりなるレリーフ構造体
を形成するだめのホトレジスト組成物に関する。
高度に耐熱性の重合体よりなるレリーフ構造体を形成す
るだめのホトレジストは電気部品および電子部品の製造
、蝕刻レジストの製造、めっきレジストの製造並びに印
刷レジストの製造に大量に使用されている。たとえば西
ドイツ国特許第２，３０８，８３０号（米国特許第３，
９５７，５１２号）明細書、西ドイツ国特許第２，４３
７．３４８号（米国特許ＲＥ、　３９，１８６　）明細
書、西ドイツ国特許第２．４３７，３６８号（米国特許
第４　、０４５　、２２３号）明細書および西ドイツ国
特許第２　、４３７　、４２２号（米国特許第４，０８
８，４８９号）明細書並びに西ドイツ国特許出願Ｐ　３
２’　２７５８４　（特開昭５９−３１９４８号参照）
およびＰ　３２３３９１＝２はこのような高度に耐熱性
の重合体よりなるレリーフ構造体の製造方法およびこれ
らの目的に適するホトレジストまたはこれらの目的に使
用される感光性可溶性重合体系中間体を開示している。
開示されている型のホトレジストは一般に、カルボキシ
ル基にエステル架橋を経て結合している照射反応性基を
有する照射感受性の可溶性重合体系中間体を含治してい
る。これらは基板上に層の形で適用し、層を乾燥させ、
次いで写真ネガを通して画像を介して露光する。このよ
うにすると、照射領域に交叉結合が生起し、これらの領
域における適用物質の溶解度が劇的に減じられる。層の
照射されていない部分は次いで現像剤を用いて基板から
除去する。残留するレリーフ構造体は加熱により高度に
酬熱性カ重合体に変換でき、これらの重合体は縁端部明
瞭度および解像力が有害に作用されることなく、２５０
〜４００°Ｃの温度で耐性を有する。
前記特許明細書によれば、前記の可溶性重合体系中間体
（ゾレポリマー）は、重付加反応まだは重縮合反応の可
能な２個の官能性基および照射を受けて反応性となり、
これらの官能性基に対して部分的にオルト−まだはぺり
一位置でカルボキシル基にエステル状に結合した炭素環
式捷だは被素環式化合物とこれらの官能性基と反応でき
、少なくとも１個の環状構造要素を含むジアミン、ジイ
ンシアネート、ビス−（酸クロリド）またはジカルボン
酸化合物とから得られる重付加または重縮合生成物であ
る。照射によりホトレジストの交叉結合に応答できる多
くの照射反応性基が列挙されている。しかしなから、慣
用の紫外線源を用いる照射によりこれらθ）−；ト１ノ
ニンストブー４屑６主鱈ηｒスこＦ”ｔｓｌ！＝イ会イ
づ！４Ｊ−ンζな−に千少なくとも２分間、一般に３〜
５分間もの照射時間が必要であることが見い出されてい
る。前記特許明細書から明白なように、これらの時間は
慣用の増感剤または共重合可能なマレインイミドを添加
しても著しく短縮することはできない。
さらに西ドイツ国追加特許第２，９１９．８４０号（米
国特許第４　、２９２　、３９８号）明細書、西ドイツ
国特許第２，９１９，８２３号（米国特許第４，３２９
．５５６号）明細書および西ｒイツ国特許第２，９１９
，８４１号（米国特許第４　、２８７　、２９４号）明
細書では、ホトレジストを光開始剤として芳香族スルホ
ニルアジドの混合により変性させている。これはこのホ
トレジストに必要な照射時間を最大６０秒に短縮するこ
とを可能にする。
西ドイツ国特許出願第Ｐ　３２２７５８４号（特開昭５
９−３１９４８号参照）では、アリルアルコールおよび
（または）アリルチオールでエーテル化されているエス
テル状に結合した多価アルコールを用いて、ポリアミド
エステルゾレ、３Ｆ　＋Ｊマーの照射反応性基を部分的
に捷たは完全に変性させている。西ドイツ国特許出願第
Ｐ　３２３３９１２号（特開昭５９−６８７３３号参照
）では、共重合ｒ＝Ｊ能なアリル化合物をホリアミドエ
ステルゾレポリマーと混合している。これらの手段は必
要な照射時間を約３５秒に短縮することを可能にする。
しかしながら、このような短い照射時間でさえも、この
種のホトレジストを電子部品の大振生産に使用するには
まだ不当に長すぎる。
さらにヨーロツ・ξ公開特許出願第４７．１８４号公報
（米国特許第４．．３６９，２４７号）には、照射反応
性の可溶性ポリアミドエステル樹脂を含有するホトレジ
ストの感光性が照射感受性重合性多官能性アクリレート
化合物および芳香族ハロゲン置換ビスイミダゾール光開
始剤を同時に添加することにより増加できることが記載
されている。
これらのホトレジストは良好な光感受性を示すが、ビス
イミダゾール光開始剤の添加は欠点を准する。たとえば
、ビスイミダゾール化合物の添加は溶液中における望ま
しくない早すぎるポリイミド形成を導くことがあり、そ
れによって、ホトレジスト溶液の貯蔵寿命が著しく減少
する。
さらに′！！た、／ことえばハロゲ゛ン置換基が後わ“
じのレリーフ構造体の硬化中に脱離することがあり、こ
れは材料、特に基板に対し望丑しくない作用を及ぼすこ
とがある。さらに捷だ、ヨーロッパ公開特許出願第４．
７，１８４号公報に記載のホトレジストは早まった重合
を生起する傾向があり、このようなホトレジストの安定
性を才だ実質的に減少させる結果をまねく。
従って、本発明の目的はこのようなホトレジストを変成
することであり、その結果それから製造された被覆物の
適度の交叉結合が実質的にかなり短い照射時間の後でさ
えも達成でき、しかもホトレジスト溶液の安定性、ホト
レジストの後続の処理および生成する生成物の性質がこ
の変性によって有害な作用を受けなくなる。
篤くべきことに１．これらのホトレジスト組成物が ａ）共単量体として、ビニル基捷たはアリル基（１個ま
たは２個以上）が官能性基を経て結合している共重合可
能な照射反応性のビニル化合物まだはアリル化合物の少
なくとも」種、および １））　光開始剤として、Ｎ−アジドスルホニルアリー
ルマレインイミド型の化合物の少なくとも１棟、をさら
に含有する場合に、このようなホトレジストでは実質的
にさらに短い照射時間で十分であり、そしてこのホトレ
ジストおよびそれから形成される高度に耐熱性の重合体
よりなるレリーフ構造体の化学的、熱的および機械的安
定性が高度の実用上の要件に適合することが見い出され
た。
従って、本発明はカルボキシル基にエステル架橋を経て
結合した照射反応性基を有する可溶性ボリアミドエステ
ルゾレポリマーを含准する、高度に耐熱性の１合体のレ
リーフ構造体を形成するだめのホトレジスト組成物に関
し、ａ）共単量体として、ビニル基またはアリル基（１
個または２個以上）が官能性基を経て結合している共ｉ
ｌ＋、合可能な照射反応性のビニル化合物またはアリル
化合物の少なくとも１種、および ｂ）光開始剤として、Ｎ−アジドスルホニルアリールマ
レインイミド型の化合物の少なくとも１種、をさらに含
有することを特徴とする。
本発明はまた、カルボキシル基にエステル架橋を経て結
合している照射反応性基を有する可溶性ボリアミドエス
テルゾレポリマーを含有する高度に耐熱性の重合体より
なるレリーフ構造体を形成するためのホトレジストに、 ａ）ビニル基またはアリル基（１個捷だは２個以上）が
官能性基を経て結合している共重合可能な照射反応性の
ビニル化合物まだはアリル化合物の少なくとも１種と、 ｂ）　Ｎ−アジドスルホニルアリールマレインイミド型
の化合物の少なくとも１種、 との組合せ物を使用することに関する。
不発８ＪＪはさらにまた、カルボキシル基にエステル架
橋を経て結合している照射反応性基を不する可溶性ポリ
アミドエステルゾレポリマーを含有するホトレジスト組
成物を基板に扱覆し、この被覆層を乾燥し、その層を画
像を介して露光し、層の照射されていない部分を除去し
、Ｍｔ望により次いでに４ｊられたレリーフ構造体を加
熱することにより関度の耐熱性の重合体よりなるレリー
フ構造体を形成する方法であって、ａ）共１単量体とし
て、ビニル基捷たはアリル基（１個または２個以上）が
官能性基を経て結合している共乗合可能な照射反応性の
ビニル化合物またはアリル化合物の少なくとも】釉、お
よび− ｂ）光開始剤として、Ｎ−アジドスルホニルアリールマ
レインイミド型の化合物の少なくとも１種、をさらに含
有するホトレジスト組成物を使用することを特徴とする
方法に関する。
本発明に従い照射時間を短縮するためにホトレジストに
添加する共単量体はビニル基またはアリル基（１個また
は２個以上）が官能性基を経て結合している共軍合可能
な照射反応性のビニル化合物寸だ（ｄアリノシｆヒ合物
である。
特に、このような化合物にはビニル基またはアリル基（
１個または２個り、上）が酸素原子、硫黄原子捷だは窒
素原子を経て、あるいはカルボニル基、ツノルポキ／ル
基、８０基または８０２基を経て結合している化合物を
包含するものと理）１ν１されるべきである。
ビニル化合物は、たとえば１価または多価の脂肪原寸た
は芳香族のアルコールあるいはチオールのビニルエーテ
ル１だにビニルチオエーテル；脂肪族および芳香族のビ
ニルスルホン化合物；１測寸だは多価の脂肪原寸だは芳
香族のアルコールあるいはチオールのアクロレインとの
アセタールまたはチオケタール化合物；および１測寸た
は多価の脂肪原寸だは芳香族のアルコールのアクリレー
トあるいはメタアクリレートであることができる。全て
の場合に、脂肪族基および芳香族基並びにビニルＣ原子
は、場合により、好捷しくはたとえばハロゲン、ニトロ
、スルホニル捷たはカルホキフルのような官能性基によ
り置換されていてもよく、これらの置換基は電子受答体
として作用し、共土合を受ける傾向を促進する。
好適なビニル化合物には下記の化合物がある２−ヒドロ
キシエチルビニルエーテル、２−アセトキシエチルビニ
ルエーテル、２−ペンソイルオキシエチルビニルエーテ
ルアクロレインジエチルアセタール、 ビス−アクロレインペンタエリスリトールアセタールぺ ２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリレ−
）・、 トリメチロールプロパントリアクリレートおよびトリメ
タアクリレート、 ペンタエリスリトールトリアクリレートおよびトリツタ
アクリレート、 ２−ヒドロキシエチルビニルスルホン、２−アセトキシ
エチルビニルスルホン、ｎ−ペンチルビニルスルホン、 ２、：＜−ヒスーノエニルスルホニルゾタ−１，３−ツ
エンおよび フェニル１−ヒドロキシメチルビニルスルホン０ 特に好適な化合物は、 ２−ヒドロキシエチルビニルスルホン、トリメチロール
プロパントリアクリレート、および ビス−アクロレインペンタエリスリトールアセタール である。
これらの全化合物が既知である。これらの化合物は市販
されているか、捷たはそれ自体既知の方法により容易に
製造できる。特に好適な化合物としてあげた２−ヒドロ
キシエチルビニルスルホン化合物はまた米国特許第３．
５０９．２１８号に記載のとおりにして製造することが
できる。
適当なアリル化合物は主として、全てが西ドイツ国特許
出願第Ｐ　３２　３３　９１２号（特開昭５９−６８７
３３　冊幼照）に記載されており特にこの特許出願で好
適な化合物として列挙されている化合物である。
本発明による目的に特に好適な化合物には下記の化合物
がある； トリメチロールプロ／Ｒンドリアリルエーテル、ペンタ
エリスリトールトリアリルエーテル、２．４．６−トリ
スアリルオキ／−１，３，５−トリアジン、および トリスアリル−８−）リア巳ンン−２，４，６−（ＩＨ
、３Ｈ１５Ｈ）　−ト　リ　オ　ン。
本発明に従い照射時間を短縮するだめに共単量体と共に
ホトレジストに加える光開始剤はＮ−アジドスルホニル
アリール−マレインイミド型の化合物である。このよう
な化合物およびこれらの化合物をレリーフ構造体の形成
に光開始剤として使用することは西ドイツ国特許第２．
９１９．８２３号（米国特許第４　、３２９　、５５６
号）明細書および西ドイツ国特許第２，９１９，８４１
号（米国特許第４　、２８７　、２９４号）明細書に記
載されている。
本発明に従い使用するのに非常に適する化合物には下記
の化合物がある ”　（４−７）　ｆ’スルホニルフェニル）−マレイン
イミ　ド、 ２−　（Ｎ−マレインイミド）−ナフチル−５−スルホ
ニルアジドおよび ２−（Ｎ−マレインイミド）−ナフチル−６，８−ビス
スルホニル７’５ド。
’　（４−７）　）’スルホニルフェニル）−マレイン
イミド化合物が特に好適である。
本発明によるホトレジストは一般に、可溶性照射反応性
重合体系中間体に対して、共単量体を５〜３５重量係、
好ましくは１０〜３０重量係の量で、および光開始剤を
１〜１０１量係、好捷しくは３〜８重量係の量で含有す
る。
照射にさらすと反応性であり、本発明によるホトレジス
トに存在する可溶性重合体系中間体およびこれらの中間
体の製造は前記で引用した一連の特許明細書に記載され
ている。これらは照射にさらすと反応性である基を有す
る多官能性炭素環式まだは′４ＪＬ累環式０化合物とジ
アミン化合物、ジイソ／アネート化合物、ビス−（酸ク
ロリド）またはジカルボン酸とのＭ【旬月生成物または
重縮合生成物である。
カルホキフル基にエステル架橋を経て結合している２個
の照射反応性基を有するピロメリット酸およびたとえば
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’　−
’）アミツノフェニルメタン、４．４′−ジアミノジフ
ェニルスルホンまたは２，４−ジアミノピリジンのよう
な環状構造要素の少なくとも一つを含有するジアミンか
ら得られる重縮合物であるｈ］溶性ポリアミドエステル
ゾレ、１９　＋）マーが特に好適である。
可溶性重合体系中間体に存在できる広範な種種の照射反
応性基は同様に前記で引用した一連の特許文献に記載さ
れている。
特に好適な照射反応性基には、中でも、照射にさらすと
反応性であり、エステル状結合によりカルボキシル基に
結合しているオキシアＩＪ　）し、オキシアルキルアク
リレートおよびオキシアルキルメタアクリレート基、た
とえば２−オキシエヂルアクリレートまたはメタクリレ
ート基があり、さらに捷だ、アリルオキ／および（捷だ
ば）アリルチオ基を含有し、西ドイツ国特許出願第Ｐ　
３２２７５８４号に記載されているエステル基がある。
特別の態様において、本発明によるホトレジスト組成物
は照射反応性基の一部捷だは全部が２−オキシアリルエ
ーテル捷だは２−オギシアリルチオエーテル基である可
溶性、４９　ＩＪアミドエステルプレホリマーを含有す
る。
本発明によるホトレジスト組成物に存在する口」溶性重
合体系中間体は一般に、２，０００〜１００　、０００
、好ましくは４，０００〜６０，０００の分子量を有す
る。
これらの可溶性ボリアミドエステルゾレ７Ｐリマーは本
発明に従い添加されるべき共重合可能な照射反応性共単
量体および光開始剤とともにそれ自体既知の方法で加工
して、本発明によるホトレノスト組成物を生成する。組
成物は適当す感剤、プレポリマー、ビニル化合物または
アリル化合物（１柚または２　ｆ’、ｔｌｆ以上）およ
びＮ−アジドスルホニルアリール−マレインイミド型の
化合物（１種まだは２種以上）以外に、その他の当技術
で既知の慣用の添加剤を含有できる。
列挙できる例には、たとえば４，４′−ビス（ジメチル
アミノ）ベンゾフェノン（ミヒラーのケトンＬ４，４’
−ビス（：）エチルアミン）ベンゾフェノン、ベンゾイ
ンエーテル、カルファー−キノン、アントラキノンまた
はチオキサントン誘導体およびまたたとえばＮ−フェニ
ルマレインイミドのよう表共重合可能が照射感受性マレ
インイミド化合物のような増感剤；染料；顔料；可塑剤
；たとえばビニルシラン化合物のような接着促進剤；熱
により活性化できる遊離基開始剤；およびまた非常に多
くの種々のその他の重合体および樹脂；並びに成る情況
下に、フィルム形成性まだは被覆性の改善に、および（
または）基板に対して適用された層の接着性の改善に、
およびまだ材料の機械的強度、化学的耐性および流動抵
抗性の改善に寄与でき、そしてホトレジストの粘度に作
用を及ぼすことができる安定化剤および狭面活性剤があ
る。このような添加剤は固体含有量に基づきＯ〜１５重
量係の量で添加できる。特に好ましい態様では、本発明
によるホトレジストはさらに別の増感剤として、４．４
′−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン（ミヒラー
のケトン）を１〜１５重量係の量で含有する。
可溶性ポリアミドエステルゾレホリマーおよび前記した
ホトレジストの構成成分を溶解できる適当な溶剤の例と
しては、エチレングリコール、グリコールエーテル（た
とえばグリコールモノメチルエーテル、グリコールジメ
チルエーテルおよびグリコールモノエチルエーテル）、
脂肪族エステル（たとえば酢酸エチル、酢酸ヒドロキシ
エチル、酢酸アルコキシエチル、酢酸ｎ−ブチルまだは
酢酸アミル）、エーテル（たとえばジオキサン）、ケト
ン（たとえばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、シクロペンタノンおよびシクロヘキサノン）、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメ
チルリン酸トリアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ブチロ
ラクトン、テトラヒドロフランおよびこのような溶剤の
混合物がある。これらの溶液の固体含有量は一般に１〜
６０％、好ましくは５〜５０係である。本発明によるホ
トレジストはいづれかこの目的に慣用の基体に、特に所
望により、ドープ剤も含有でき、熱的に表面酸化された
および（まだは）アルミニウム被覆したシリコン材料上
に、およびたとえば窒化シリコン、ひ化ガリウムまたは
りん化イソジウムのような半導体技術に慣用のその他い
づれかの基板に、慣用の方法で適用できる。その他の適
当な基板としては、ガラスまだはインジウムスズ酸化物
のような液晶表示体の製造に慣用される基板；さらにま
た、たとえばアルミニウム、銅または亜鉛よりなる金属
シートおよびフィルム；蒸着により金属で被覆されてい
るバイメタルホイル、トリメタルホイルおよび電気的に
非伝導性のホイル、場合によりアルミニウムで被覆され
ていてもよい５ｉ０２材料および紙がある。これｔ−σ
）、：ｂｆ：ＭＩｒ＋執ＦＦｈ−％イー暗＃１．ｍｆず
ｋＪ−ｈｔ−、Ｆｒ夷面を粗面化でき、エツチングでき
、または接着促進剤で処理して接着性を改善できる。
ホトレジスト層は基板に種々の厚さで適用できる。特定
の場合に最も有利な層の厚さは種々の因子、たとえば製
造された材料の意図する特定の用途、特定の場合に使用
されている重合体系中間体および照射感受性層中に存在
できるその他の成分の性質によシ変わる。一般に、０．
１μｍ〜２００μｍの厚さを有するレジスト層が有利で
あることが判った。
ホトレジストは基板の清浄な表面に、噴霧、流し塗り、
ローラー塗布、回転塗布または浸漬塗りにより適用でき
、その後溶剤を蒸発により除去する。このようにすると
、照射反応性層が基板の表面上に残る。溶剤の除去は必
要に応じて、層を１２０°Ｃまでの温度に加熱すること
により促進できる。ホトレジスト層は次いでその照射反
応性基を反応させて層を交叉結合させる照射にさらす。
通常、活性光が使用されるが、Ｘ線捷たは電子線のよう
な高エネルギー照射も使用できる。照射捷たは露光はマ
スクを通して実施できるが、照射感受性層の表面上に照
射線の照準を定めだビームを誘導してもよい。照射は通
常、２００〜５００ｎｍの波長および０．５〜６０ｍＷ
　／Ｃｒｎ２の強度を有する照射線を発生する紫外線灯
を使用して行なわれる。照射にさらすと反応性である共
単量体および光開始剤の本発明による添加によりその感
光性が増大されているホトレジスト組成物は必要な照射
時間を３０秒より短い時間、特に１Ｏ秒より短い時間に
短縮させることができる。この１０秒より短い時間は本
発明による共単量体および開始剤が添加されていない従
来技術によるホトレジストと比較して少なくとも係数３
の感度の増大に相当する。
画像は次いでホトレジスト材料の照射されていない領域
を除去する現像剤溶液で層を処理することにより基板の
一部分を露出させることによシ層内で現像される。使用
する現像剤溶液は一般に、ホトレジストの製造について
前記した溶剤の１種または２種以上と沈殿剤との混合物
である。代表的な現像剤溶液の例には、４−ブチロラク
トン／トルエン、ジメチルホルムアミド／エタノーノペ
ジメチルホルムアミド／メタノール、メチルエチルケト
ン／エタノールおよびメチルイソブチルケトン／イノゾ
ロ・Ｑノールの各々２：１〜１：４の割合の混合物かあ
る。本発明によるホトレジストよりなるレリーフ像の現
像に特に有利な現像剤溶液は西ドイツ国特許出願第Ｐ　
３２４６４０３号（特開昭５９−１１６７４６号参照）
による現像剤溶液であり、これは脂肪族ケトン、好まし
くはシクロペンタノンだけよりなるものである。現像、
洗浄および乾燥後に、明瞭な縁端部および３μｍより小
さい解像力を有するレジスト像が得られる。これらのレ
ジスト像は２００〜４００°Ｃに加熱することにより高
度に耐熱性の重合体に変換できる。
これらの高度に耐熱性の重合体は優れた化学的、電気的
および機械的の性質を有する。従って、本発明によるホ
トレジストは、たとえば半導体素子上の保護層の生成お
よび多層集積回路の誘電性層の生成、電気部品上の最終
衣τｎｊ処理層として、および捷だ液晶表示セルの配向
層として適している。
下記の例Ａ、ＢおよびＣは明瞭な縁端部および３μｍよ
り小さい解像力を有するレリーフ構造体を生成するのに
必要な最少露光時間を従来技術によるホトレジストにつ
いて測定した比較実験を含むものである。
例　Ａ ホトレジスト： ポリアミドエステルプレポリマー（これは西ドイツ国特
許第２．４．３７．３４８号明細書の記載に従いジ無水
ピロメリット酸を２−ヒドロキシエチルメタアクリレー
トと反応させ、次いで塩化チオニルおよび４＋４”ｙア
ミノジフェニルジエーテルと反応させることにより得ら
れる）５７、Ｎ−フェニル−マレインイミド０．２５　
ｆ、ミヒラーのケトン０．１１およびビニルトリメトキ
シシラン０．０５！ｉ’をジメチルアセトアミド１３．
５ｍｇに溶解する。
使　用　。
５１Ｏ２表面を治する基板」二に回転塗布しこよりホト
レノストを適用し、次いで加熱により乾燥させる。得ら
れた１、５μｍ厚さの層を窒素雰囲気下に２００ワット
紫外線灯を用いて、）屏像力試験マスクを通して１．８
０秒間の最少露光時間、５〜６ｍＷ　／ｃ１７１”の強
度で接触法により照射する。ホトレジストの照射されて
いない部分を次いでｌ・ルエンと４−ブチロラクトンと
の等容量混合物で現像することにより洗出する。明瞭な
縁端部および３μｍより小さい解像力を有する像が得ら
れる。
例　Ｂ ホトレジスト： Ｎ−（４−アシドスルホニルフェニル）−マレインイミ
ドＯ，２５ｒを添加する以外は例Ａと同一にする。
最少露光時間：３０秒。
例　Ｃ ホトレジスト。
トリメチロールプロ／？ントリアクリレ−１・１．５７
を添加する以外は例Ａと同一にする。
最少露光時間：３５秒。
次側１〜８では、本発明に従い共単量体および光開始剤
を加えたホトレジスト組成物を試験する。ホトレジスト
の感度は最少露光時間が３０秒より短い場合に良好であ
ると考える。最少露光時間が１０秒より短い場合には非
常に良好であると考える。
例　１ ホトレジスト： ２−ヒドロキシエチルビニルスルホン１．Ｏ１オＪ：ヒ
Ｎ　−（４−７Ｊ　トスルホニルフェニル）−マレイン
イミド０．２５ｆを加える以外は例Ａと同一にする。
最少露光時間＝８秒。
感度：良好。
例　２ ホトレジスト。
ペンタエリスリトールトリアクリレ−１−０，６４ｒお
よびＮ−（４−アシドスルホニルフェニル）−マレイン
イミド０．２５ｒを加える以外は例Ａど同一にする。
感度：非常に良好。
例　３ ホトレジスト： ２＋４，６　Ｆ　’シスアリルオキシ−１，３，５−）
リアノン０．６５　ｆおよびＮ−（４〜アジドスルボニ
ルフエニル）−マレインイミド０．２５ｆを加する以外
は例Ａと同一にする。
感度：非常に良好。
例　４ ホトレジスト： ２．３−ヒス−フェニルスルホニルブタ−１，３−ツエ
ン１．３７およびＮ−（４〜アジドスルボニルフエニル
）−マレインイミ＋：Ｏ，２５ｙ　ヲ加りる以外は例Ａ
と同一にする。
感度：非常に良好。
例　５ ホトレジスト： ビスーアクロンイン啄ンタエリスリトールアセタール０
．８２９およびＮ　−（４−アジドスルボニルフェニル
）−マレインイミド０．２５　ｆ　ヲ加する以外は例Ａ
と同一にする。
感度：非常に良好。
例　６ ホトレジスト。
２−ベンゾイルオキシエチルビニルエーテル１．５ｙお
よびＮ−（４−アジドスルホニルフェニル）−マレイン
イミド０．２５　ｆｉ′を加える以外は例Ａと同一にす
る。
感度：良好。
例　７ ホトレジスト： トリメチロールゾロノＱンドリアクリレ−）１．．５３
グおよびＮ−（４−アジドスルホニルフェニル）−マレ
インイミド００２５グを加える以外は例Ａと同一にする
。
感度：非常に良好。
例　８ ホトレジスト： ｎ−ペンチルビニルスルホン１．２５！ｉ＋およヒＮ（
４−７）ドスルホニルフェニル）−マレインイミドＯ，
２５ｆを加える以外は例Ａと同一にする。
感度：良好。
例　９ ホトレジスト： カルボキシル基にエステル状に結合した照射反応性基の
約７５係が２−ヒドロキシエチルメタクリレートから誘
導された基であシ、そして約２！５係がグリコールモノ
アリルエーテルから誘導された基であるポリアミドエス
テルプレポリマー（これは西ドイツ国特許出願第Ｐ　３
２２７５８４号（％開昭５９−３１９４８号参照）の例
６に記載のとおりにして得られる）５ｆを使用する以外
は例Ａと同一にし、ここにトリメチロールプロノξント
リアクリレート０．８３　ｆおよびＮ−（４−アシドス
ルホニルフェニル）−マレインイミド０．２５１を加え
る。　／− 感度：非常に良好。
例　１０ ホトレノスト： カルホキフル基にエステル状に結合した照射反応性基の
約７５係が２−ヒドロキシエチルメタクリレートから誘
導された基であり、そして約２５係が２−ヒドロキシア
リルチオエーテルから誘導された基であるポリアミドエ
ステルプレポリマー（これは西ドイツ国特許出願第Ｐ　
３２２７５８４号（％開昭５９−３１９４８号参照）の
例８に記載のとおりにして得られる）５７を使用する以
外は９１Ａと同一にし、ここに波ンタエリスリトールト
リアリルエーテル０．３４ｆおよび１．１−　（４−ア
シドスルホニルフェニル）−マレインイミド０．２５！
ｉ’を加える。
感度：非常に良好。
例　１１ ホトレジスト： カルホキフル基にエステル状に結合した照射反応性基が
グリコールモノアリルエーテルから独占的に誘導された
基である。１１Ｊアミドエステルゾレポリマ−（これは
西ドイツ国慣許出願第Ｐ　３２２７　’、）８・１号（
４！ｌ開昭５９−　：０９４８号参照）に記載のとおり
にして得られる）５７を使用する以外は例Ａと同一にし
、ここＶｃ滅ンタエリスリトールトリアリルエーテル１
．２８ｓ’およびＮ−（４−７）　ｔ’スルホニルフェ
ニル）−マレインイミド０８２５りを加える。
感度　非常に良好。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　エステル結合を経てカルボキシル基に結合して
    いる照射反応性基を有する可溶性ポリアミドエステルプ
    レポリマーを含有する高度に耐熱性の重合体よりなるレ
    リーフ構造体を形成するだめのホトレジスト組成物であ
    って、この組成物がさらに ａ）共単量体として、ビモル基またはアリル基（１個ま
    たは２個以上）が官能性基を経て結合している共重合可
    能な照射反応性のビニル化合物まだはアリル化合物の少
    なくとも１種、および ｂ）光開始剤として、Ｎ−アジドスルホニルアリールマ
    レインイミド型の化合物の少なくとも１種、を含有する
    ことを特徴とするホトレジスト組成物。
  2. （２）共単量体中のビニル基またはアリル基（１個捷た
    は２個以上）が酸素原子、硫黄原子才たは窒素原子、あ
    るいはカルボニル基、カルボキシル基、８０基まだはＳ
    ０２基を経て結合している、特許請求の範囲第１項のホ
    トレジスト組成物。
  3. （３）光開始剤として、Ｎ−（４−アジドスルホニルフ
    ェニル）−マレインイミドが存在スル特許請求の範囲第
    １項捷たは第２項のホトレジスト組成物。
  4. （４）　ホトレジスト組成物を基板に塗布し、層を乾燥
    させ、層を画像を介して照射し、次いで層の照射されて
    いない部分を除去し、次いで必要に応じて、得られたレ
    リーフ構造体を加熱することからなる高度に１ｌＵｊ熱
    性の重合体よりなるレリーフ構造体を形成する方法であ
    って、前記のホトレジスト組成物として、エステル結合
    を経てカルボキシル基に結合している照射反応性基を有
    する口］溶性Ｚ　ＩＪアミドエステルプレポリマーを含
    有する高度に耐熱性の１合体よりなるレリーフ構造体を
    形成するだめのホトレジスト組成物であって、（ａ）共
    単量体として、ビニル基またはアリル基（１個または２
    個以上）が官能性基を経て結合している共重合可能な照
    射反応性のビニル化合物またはアリル化合物の少なくと
    も１棟、および（ｂ）光開始剤として、Ｎ−アジドスル
    ホニルアリール−マレインイミド型の化合物の少なくと
    も１種をさらに含有するホトレジスト組成物を使用する
    ことを特徴とする前記レリーフ構造体の形成方法。
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