JPS6227342A - 光フアイバの製造方法 - Google Patents
光フアイバの製造方法Info
- Publication number
- JPS6227342A JPS6227342A JP16731185A JP16731185A JPS6227342A JP S6227342 A JPS6227342 A JP S6227342A JP 16731185 A JP16731185 A JP 16731185A JP 16731185 A JP16731185 A JP 16731185A JP S6227342 A JPS6227342 A JP S6227342A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluorine
- tube
- base material
- sintering
- glass
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/0146—Furnaces therefor, e.g. muffle tubes, furnace linings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、光ファイバの製造方法に関し、特に光ファ
イバのＩｆｊ材となるフッ素含有石芙ガラスの製造方法
に関する。
イバのＩｆｊ材となるフッ素含有石芙ガラスの製造方法
に関する。
従来の技術
フン東含有石英ガラスは、従来、プラズマ法、ＣＶＤ法
、焼結法で作られている。プラズマ法では、第４図に示
すように、ＲＦコイル４１中に形成されたプラズマ炎の
中にガラスの主成分となる５ｉＣ１４，ＳｉＦ＊などと
ＣＦａ 、ＳＦａ 。
、焼結法で作られている。プラズマ法では、第４図に示
すように、ＲＦコイル４１中に形成されたプラズマ炎の
中にガラスの主成分となる５ｉＣ１４，ＳｉＦ＊などと
ＣＦａ 、ＳＦａ 。
ＣＣｌ ２ Ｆ２などのフッ素ガスとを共に送り込み、
直接フッ素含有石英ガラス母材４２を作る。
直接フッ素含有石英ガラス母材４２を作る。
この方法による場合のフッ素ドープ量は比屈折率にして
Δ＝−１，２％に相当する程度まで可能である。
Δ＝−１，２％に相当する程度まで可能である。
次に、ＣＶＤ法では、第５図に示すように、出発石英管
５１中に０２．５ｉＣ１＊ 、５ｉＦｎ 。
５１中に０２．５ｉＣ１＊ 、５ｉＦｎ 。
Ｓ Ｆ ＊ 、ＣＣｌ ２ Ｆ ｚなどのガスを送り込
み、この石英管５１の外側からバーナ５２で熱して、石
英管５１の内壁にガラス層５３を１４ｖＪＩｔさせる。
み、この石英管５１の外側からバーナ５２で熱して、石
英管５１の内壁にガラス層５３を１４ｖＪＩｔさせる。
−焼結法の場合は、まず、第６図のように通常のＶＡＤ
法ニヨリバー＋ ６ Ｌ Ｌ： Ｈ２、０２、Ｓ ｉ
Ｃ１４などのガスを送って火炎中でガラス微粉末を形成
し、これを堆積して多孔質ガラス母材６２を作る。ある
いは外付ＣＶＤ法で作ってもよい、そして、この多孔質
ガラス母材６２を第７図のように焼結炉６３内に入れ、
ヘリウムとＣＦ４．ＳＦ、、ＣＣｌ２Ｆ２等のフッ素ガ
ス雰囲気中で焼結し透明ガラス母材６４を作る。この焼
結プロセスでフッ素がドープされる。この焼結法では多
孔質ガラス母材６２の合成をフッ素ガス雰囲気中で行な
わないため、合成速度を３〜５ｇ／分と速くすることが
できる。
法ニヨリバー＋ ６ Ｌ Ｌ： Ｈ２、０２、Ｓ ｉ
Ｃ１４などのガスを送って火炎中でガラス微粉末を形成
し、これを堆積して多孔質ガラス母材６２を作る。ある
いは外付ＣＶＤ法で作ってもよい、そして、この多孔質
ガラス母材６２を第７図のように焼結炉６３内に入れ、
ヘリウムとＣＦ４．ＳＦ、、ＣＣｌ２Ｆ２等のフッ素ガ
ス雰囲気中で焼結し透明ガラス母材６４を作る。この焼
結プロセスでフッ素がドープされる。この焼結法では多
孔質ガラス母材６２の合成をフッ素ガス雰囲気中で行な
わないため、合成速度を３〜５ｇ／分と速くすることが
できる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記従来の製造法ではいずれも難点があ
る。まず、プラズマ法では、合成速度が０．１ｇ／分以
下と相当に低いという問題がある。これは、プラズマ法
が直接ガラスを堆積する方法であるのと、この堆積プロ
セス中におけるフッ素ガスのエツチング作用も効いてく
るためである。
る。まず、プラズマ法では、合成速度が０．１ｇ／分以
下と相当に低いという問題がある。これは、プラズマ法
が直接ガラスを堆積する方法であるのと、この堆積プロ
セス中におけるフッ素ガスのエツチング作用も効いてく
るためである。
またＣＶＤ法では、石英管を介して熱を加えるために反
応温度がプラズマ炎に比べて低く、得られる最大の比屈
折率差はΔ＝−０，４％程度である。加えて、石英管の
内側に堆積させるため、得られるガラスの量も少なく、
形状的にも加工しにくいものとなる。さらに堆積速度も
０．０５ｇ／分と低い。
応温度がプラズマ炎に比べて低く、得られる最大の比屈
折率差はΔ＝−０，４％程度である。加えて、石英管の
内側に堆積させるため、得られるガラスの量も少なく、
形状的にも加工しにくいものとなる。さらに堆積速度も
０．０５ｇ／分と低い。
焼結法の場合は、焼結炉内のフッ素ガス濃度を１００％
にしても得られるフッ素含有石英ガラスの比屈折率差は
最大０．７％であり、フッ素の含有量が制限されるとい
う問題がある。
にしても得られるフッ素含有石英ガラスの比屈折率差は
最大０．７％であり、フッ素の含有量が制限されるとい
う問題がある。
この発明は、上記の従来の製造法での問題点を解決し、
高純度で高濃度のフッ素含有石英ガラスを効率良く製造
する方法を提供することを目的とする。
高純度で高濃度のフッ素含有石英ガラスを効率良く製造
する方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
この発明の光ファイバの製造方法は、基本的には焼結法
に属し、ＶＡＤ法や外付法で得た多孔質ガラスをヘリウ
ムとフッ素ガスとの混合雰囲気中で、加圧下において焼
結し透明ガラス化することを特徴とする。
に属し、ＶＡＤ法や外付法で得た多孔質ガラスをヘリウ
ムとフッ素ガスとの混合雰囲気中で、加圧下において焼
結し透明ガラス化することを特徴とする。
作 用
多孔質ガラスをヘリウムとフッ素ガスとの混合雰囲気中
で焼結し透明ガラス化する際、ツー２素がドープされる
が、本発明は、この石英ガラス中のフッ素濃度は焼結炉
内の圧力に依存していることに着目することによってな
されたものである。すなわち、高い圧力をかけた状態に
おいて焼結し透明ガラス化すると、フッ素を高濃度に含
む石英ガラスが得られる。
で焼結し透明ガラス化する際、ツー２素がドープされる
が、本発明は、この石英ガラス中のフッ素濃度は焼結炉
内の圧力に依存していることに着目することによってな
されたものである。すなわち、高い圧力をかけた状態に
おいて焼結し透明ガラス化すると、フッ素を高濃度に含
む石英ガラスが得られる。
実施例
第１図において、焼結炉１１は炉心管１２とヒータ１３
とアルミナまたはカーボン板１４とからなり、この炉心
管１２内に多孔質ガラスＩｉＩ材１５が配置される。ア
ルミナまたはカーボン板１４は炉心管１２の変形を防ぐ
ために用いられている。この多孔質ガラス母材１５は、
通常のＶＡＤ法などによりターゲット１６の先端に形成
されたもので、このターゲラ）１６が０リング１７によ
って気密に保持される。炉心管１２内には、ヘリウムと
ともにＣＦ ４ 、 Ｓ Ｆ ＠ 、 ＣＣｌ ２ Ｆ
ｇなどのフッ素力′スが満たされているが、レキュレ
ータ１８により、このヘリウムとフッ素ガスとの混合ガ
スが炉心管１２内で圧力Ｏ〜２０００ｍｍＨ，Ｏとなる
よう制御されている。
とアルミナまたはカーボン板１４とからなり、この炉心
管１２内に多孔質ガラスＩｉＩ材１５が配置される。ア
ルミナまたはカーボン板１４は炉心管１２の変形を防ぐ
ために用いられている。この多孔質ガラス母材１５は、
通常のＶＡＤ法などによりターゲット１６の先端に形成
されたもので、このターゲラ）１６が０リング１７によ
って気密に保持される。炉心管１２内には、ヘリウムと
ともにＣＦ ４ 、 Ｓ Ｆ ＠ 、 ＣＣｌ ２ Ｆ
ｇなどのフッ素力′スが満たされているが、レキュレ
ータ１８により、このヘリウムとフッ素ガスとの混合ガ
スが炉心管１２内で圧力Ｏ〜２０００ｍｍＨ，Ｏとなる
よう制御されている。
ヒータ１３により加熱昇温され、焼結が始まる温度まで
上昇させられる。多孔質ガラス母材１５がその高温部分
を通過する時に焼結されて透明ガラス化され、同時にフ
ッ素がドープされる。こうして、多孔質ガラス母材１５
の先端部分から、フッ素を含有した透明ガラス母材１９
が形成されていく。
上昇させられる。多孔質ガラス母材１５がその高温部分
を通過する時に焼結されて透明ガラス化され、同時にフ
ッ素がドープされる。こうして、多孔質ガラス母材１５
の先端部分から、フッ素を含有した透明ガラス母材１９
が形成されていく。
このようにし十作製したフッ素ドープ石英ガラスの、炉
内フッ素ガス濃度依存性と炉内雰囲気圧力の依存性とを
調べてみたところ、第２図のような結果が得られた。こ
の第２図から明らかなように、炉内圧力が５００ｍｍ１
（，０では最大比屈折率差−１，２％のフッ素ドープ石
英ガラスが得られ、１０００ｍ１００Ｏでは最大比屈折
率差−１，５％のフッ素ドープ石英ガラスが得られた。
内フッ素ガス濃度依存性と炉内雰囲気圧力の依存性とを
調べてみたところ、第２図のような結果が得られた。こ
の第２図から明らかなように、炉内圧力が５００ｍｍ１
（，０では最大比屈折率差−１，２％のフッ素ドープ石
英ガラスが得られ、１０００ｍ１００Ｏでは最大比屈折
率差−１，５％のフッ素ドープ石英ガラスが得られた。
さらに、炉内フッ素ガス濃度を一定としたときの、フッ
素ドープ量の炉内雰囲気圧力依存性を調ベてみると、第
３図のようなデータが得られた。
素ドープ量の炉内雰囲気圧力依存性を調ベてみると、第
３図のようなデータが得られた。
なお、炉心管内の圧力は圧力ゲージを用いて１１１１定
し、フッ素ドープ石英ガラスの屈折率はプリフォームア
ナライザおよび干渉顕微鏡によって測定した。
し、フッ素ドープ石英ガラスの屈折率はプリフォームア
ナライザおよび干渉顕微鏡によって測定した。
発明の効果
この発明は基本的に焼結法に依拠しているため、他のプ
ラスマ法やＣＶＤ法などに比べて本質的に合成速度が大
きく量産性に富んでいる。しかも、焼結炉内の圧力を高
めるようにしているので、従来の焼結法では得られなか
った高い濃度のフッ素ドープ石英ガラスを作ることがで
きる。
ラスマ法やＣＶＤ法などに比べて本質的に合成速度が大
きく量産性に富んでいる。しかも、焼結炉内の圧力を高
めるようにしているので、従来の焼結法では得られなか
った高い濃度のフッ素ドープ石英ガラスを作ることがで
きる。
第１図はこの発明の一実施例を説明するための模式図、
第２図および茅３図は得られたデータを示すグラフ、第
４図、第５図、第６図および第７図は従来例の模式図で
ある。 １１．６３・・・焼結炉 １２・・・炉心管１３・・
・ヒータ １４・・・アルミナまたはカーボン板 １５．６２・・・多孔質ガラス母材 １６・・・データ・ント １７・・・０リング１
８・・・レギュレータ １９．６４・・・透明ガラス母材 ４１・・・ＲＦコイル ４ｚ・・・ガラス母材５１
・・・出発石英管 ５２．６１・・・バーナ５３・
・・ガラス層
第２図および茅３図は得られたデータを示すグラフ、第
４図、第５図、第６図および第７図は従来例の模式図で
ある。 １１．６３・・・焼結炉 １２・・・炉心管１３・・
・ヒータ １４・・・アルミナまたはカーボン板 １５．６２・・・多孔質ガラス母材 １６・・・データ・ント １７・・・０リング１
８・・・レギュレータ １９．６４・・・透明ガラス母材 ４１・・・ＲＦコイル ４ｚ・・・ガラス母材５１
・・・出発石英管 ５２．６１・・・バーナ５３・
・・ガラス層
Claims (1)
- （１）多孔質ガラスをヘリウムとフッ素ガスとの混合雰
囲気中で、加圧下において焼結し透明ガラス化すること
を特徴とする光ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16731185A JPS6227342A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 光フアイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16731185A JPS6227342A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 光フアイバの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6227342A true JPS6227342A (ja) | 1987-02-05 |
Family
ID=15847394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16731185A Pending JPS6227342A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 光フアイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6227342A (ja) |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP16731185A patent/JPS6227342A/ja active Pending
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