JPS62276558A

JPS62276558A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS62276558A
Application number: JP61119289A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Takei; 武井　哲也; Keishi Saito; 恵志斉藤; Tatsuyuki Aoike; 達行青池; Yasushi Fujioka; 靖藤岡
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-05-26
Filing date: 1986-05-26
Publication date: 1987-12-01
Anticipated expiration: 2010-07-19
Also published as: JPH0766196B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】３、発明の詳細な説明〔発明の属する技術分野〕本発明は、シリコン原子を母体とするアモルファスシリ
コンで構成された先導電層を有する光受容部材、特に優
れた特性を有する表面保護層を前記光導電層上に設けた
電子写真用感光体に適した光受容部材に関する。

（従来技術の説明）従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材とし
ては、その光感度領域の整合性が他の種類の光受容部材
と比へて優れているのに加えて、ビッカース硬度が高く
、公害の問題が少ない等の点から、例えば特開昭５４−
８６３４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報にみ
られるようなシリコン原子を母体とし水素原子又はハロ
ゲン原子のうちの少なくともいずれか一方を含有するア
モルファス材料（以後、’ａ−５ｉ（）ｌ、Ｘ）」と表
記する）光受容部材が注目されている。

ところでこうした光受容部材は、支持体上に、ａ−Ｓｉ
（）Ｉ、Ｘ）で構成される光導電層を有するものである
ところ、該光導電層が帯！＠埋を受けた際に自由表面側
から光導電層中に電荷が注入されるのを阻止するととも
に、該光導電層の耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気
的耐圧性、使用環境特性、および耐久性等を向上せしめ
、長期間安定した画像品質を得るために、該光導電層上
に表面保護層を設けることが知られている。

そして、前記表面保護層については、前述の各種機能を
効率的に発揮することが要求されるところ、種々の高抵
抗でかつ充分な光透過性を有する材料の１つとしてダイ
ヤモンド状炭素薄膜を用いることが知られている。（特
開昭６０−６１７６１号公報参照）しかし、前記ダイヤモンド状炭素薄膜を表面保護層とし
て用いた場合、クリーニングブレード等の接触をはじめ
とする種々の機械的損傷を防止し、更に帯電時のコロナ
放電で生じるオゾンやイオンによる光受容部材表面の変
質を防止するのに特に有効ではあるが、該表面保護層を
用いた光受容部材は、帯電能および暗減衰等の電子写真
特性が不充分であって、こうした光受容部材を用いて画
像形成を行なう場合には画像上にゴーストが生じる等の
画像品質の劣化となって現われる場合もあるという問題
がある。

〔発明の目的〕

本発明は、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材
における表面保護層に関わる上述の問題を解決して、長
期間にわたって所望の機能を奏するものとした改善され
た表面保護層を有する光受容部材を提供することを主た
る目的とするものである。

本発明の他の目的は、常時安定した帯電能を有し、長期
間にわたって優れた品質の画像が得られる電子写真用感
光体等に用いられる光受容部材を提供することにある。

（発明の構成）本発明者らは、電子写真用感光体等に用いられる光受容
部材における表面保護層に関わる前述の諸問題を解決し
、上述の本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたと
ころ、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一方を含
有するダイヤモンド状炭素薄膜を表面保護層として用い
ることにより、前述の諸問題が解決するという知見を得
た。

即ち、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一方を含
有するダイヤモンド状炭素薄膜を電子写真感光体用光受
容部材の表面保護層として用いる場合、ダイヤモンド状
炭素Ｒ腹中に含有せしめた水素原子（Ｈ）又はハロゲン
原子（Ｘ）の少なくとも一方によってダイヤモンド状炭
素の未結合手が補償され、欠陥が非常に少ない表面保護
層が得られる６更に、ダイヤモンド薄膜中に水素原子又
はハロゲン原子の少なくとも一方が含有されることによ
り、ダイヤモンド薄膜を構成する夫々の原子の実効的な
配位数が減少し、該薄膜の欠陥が減少するとともに、該
層の下に設けられた他の層との音着性も改善されるとこ
ろとなる。

こうしたことから、水素原子又はハロゲン原子の少なく
とも一方を含有するダイヤモンド状炭素薄膜で構成され
た表面保護層を存する電子写真感光体用の光受容部材は
、ｆ電能が高く、暗減衰が少なく、高感光で、画像流れ
のない等の電子写真用感光体が有するべき諸特性に優れ
、更にｍ成約強度が強く、耐境性の良好なものを得るこ
とができる。

本発明は、該知見に基づいて完成せしめたものであって
、その骨子とするところは、支持体と、該支持体上に、
シリコン原子を母体とし、水素原子又は、ハロゲン原子
のうちの少なくともいずれか一方を含有するアモルファ
ス材料で構成された光導電層と、表面保護層とを少なく
とも有する光受容層とからなる光受容部材において、前
記表面保護層が、水素原子又はハロゲン原子の少なくと
も一方を含有するダイヤモンド状炭素薄膜で１１ζ成さ
れている光受容部材にある。

本発明により提供される光受容部材は、その表面保護層
に特徴を有するものであるところ、支持体はもとより、
光導電層を始めとする他の構成層は用途目的に応じて任
意に選択することができる、　したがって以下に本発明
の光受容部材についてその層構成の典型例を、電子写真
用のものにする場合について説明するが本発明の光受容
部材はこれにより限定されるものではない。

第１（＾）乃至（１）図は、電子写真用のものにした本
発明の光受容部材の層構成の典型的な例を模式的に示す
図である。

第１（Ａ）図に示す例は、支持体１０１上に、光導電層
１０２及び表面像ｊｆＦ１１ｏ３をこの順に設けたもの
であり、表面保護層１０３は自由表面＋０７を有してい
る。

第１（Ｂ）図に示す例は、支持体上１０１に、電荷注入
阻止層１０４、光導電層１０２及び表面保護層ＬＱＩを
この順に設けたものである。

第１　（Ｃ１図に示す例は、支持体上１０１に、長波長
光吸収層１０５、光導電層１Ｇ２及び表面保護層１０３
をこの順に設けたものである。

第１（Ｄ）図に示す例は、支持体上ｉｏｉに、密着１ｉ
１１０Ｂ、光導電層１０２及び表面保護Ｆ１１０３をこ
の順に設けたものである。

第１（Ｅ）図に示す例は、電荷注入阻止Ｗ１１０４、密
着層１０６、光導電層１０２及び表面保護層１０３をこ
の順に設けたものであり、３＠１（Ｆ）に示す例は、長
波長光吸収＠　１０５．密着１ｉ１１０８．光４電層１
０２及び表面保護層１０３をこの順に設けたものである
。

第１（６）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収層ｉｏｓ、電荷注入阻止層１０４、光導電層１０２
及び表面保護層１０３をこの順に設けたものであり、該
例においては長波長光吸収層１０５、及び電荷注入阻止
層１０４の順序を入れかえることもできる。

第１（Ｈ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収層１０５、電荷注入阻止１９１１０４．光導電層Ｌ
Ｑ２及び表面保護層１０３をこの順に設けたものである
。

第１（１１図に示す例は、支持体上１０１に、電荷注入
阻止ＦＪｔｏ４．光導電層１０２、中間１＋ｊｉ　１０
８及び表面保護層１０３をこの順に設けたものである。

本発明の光受容部材に用いる支持体＋０１は、導電性の
ものであっても、また電気絶縁性のものであってもよい
、導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレ
ス、ＡＱ、　Ｉ：ｒ、Ｍｏ、＾ｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、Ｖ
、　Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理し、該１電処理された表面側に先受客層を設
けるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ハＱ、
　　　Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ
、Ｐｔ、Ｐｄ、＋ｎＯ３、ＩＴＯ（Ｉｎｘｏ、＋Ｓｎ）
等から成る薄膜を設けることによって導電性を付与し、
或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであ
れば、ＮｉＣｒ、八Ｑ、　Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、＾
ｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、ＴＩＱ、Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性を付与する。支
持体の形状は平滑表面或いは凹凸表面の板状無端ベルト
状又は円筒状等であることができ、その厚さは、所望通
りの光受容部材を形成しつる用に適宜決定するが、光受
容部材としての可撓性が要求される場合には、支持体と
しての機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄くす
ることができる。しかしながら、支持体の製造上及び取
り扱い上、機成的強度等の点から、通常は、１０μ以上
とされる。

第１（８）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体１０１　と光導電Ｎ１０２の間に設けられる電荷注入
阻止層＋０４は、光４電層１０２がｆ電処理を受けた際
に支持体側から光導電層１０２中に電子がイ王大される
ことを阻止するために設けられる層であり、該電荷注入
阻止層１０４は、水素、又は多結晶シリコン（以後、’
ｐ０１ｙ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）、と呼称する、）、あるい
は両者を含むいわゆる非単結晶シリコン（以後、’Ｎｏ
ｎ−５ｔ　（１１，Ｘ）　Ｊ　と呼称する。）〔なお、
微結晶質シリコンと通称されるものはａ−Ｓ＋に分類さ
れる。〕に、周期律表第１ＩＩ族に属する原子（以後、
車に「第１ＩＩ族原子」と称す。）または周期律表第Ｖ
族に属する原子（以後、車に「第Ｖ族原子」と称す、）
を含有せしめたもので構成されている。

該電荷注入阻止層１０４に含有せしめる第１ＩＩ族原子
としては、具体的には、Ｂ（硼素）、Ｍ　（アルミニウ
ム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム１．Ｔｌ１
ｌ（タリウム）等を用いることができるが、特に好まし
いものは、Ｂ、Ｇａである。また第Ｖ族原子としては、
具体的には、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アンチそ
ン）、Ｂｉ　　（ビスマス）等を用いることができるが
、特に好ましいものはＰ、Ａｓである。そして電荷注入
阻止層：層１０４に含有せしめる第１ＩＩ族原子又は第
Ｖ族原子の量は３〜５　Ｘ　ｌＯ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、好ましくは５０〜１　　ｘ　　ｌｏ’ａｔｏｍｉｃ
　　ｐｐｍ、　　　１　　ｘ　　１０”　　〜　５　　
ｘ　　１０３ａｔｏＩＩｌｉｃｐｐ１１１　とすること
が望ましい。

又、電荷注入阻止層１０４中に含有せしめるハロゲン原
子又は水素原子の量は、ｌＸｌ０’〜７×１０’　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍとし、特にｐｏｌｙ−５ｉ（Ｈ，Ｘｌ
で構成される場合には好ましくはＩ　Ｘ　１０３〜２　
Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍとし、ａ−５ｉ（Ｈ，
Ｘ）　で構成される場合にはＩ　Ｘ　１０’　〜６　ｘ
　ｌｏ’ａｔｏｍｊｃ　ｐｐｍとすることが望ましい、
　更に、本発明の光受容部材の電荷注入阻止層＋０４の
層厚は０．０３〜１５μ、好ましくは００４〜ｌＯμ、
最適には００５〜８μとするのが望ましい。

纂１　（Ｃ＞図に示す本発明の光受容部材において、支
持体１０１と光導電Ｎ１０２との間に設けられる長波長
光吸収層＋０５は、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）又はスズ
原子（Ｓｎ）のうちの少なくとも一方を含有するＮｏｎ
−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層であり、露光光源と
してレーザー光等の長波長光を用いた際に、光導電Ｎ１
０２において吸収しきれなかった長波長光を該長波長光
吸収層１０５が効率的に吸収することにより、支持体１
０１表面での長波長光の反射による干渉現象の現出を顕
著に防止する機能を存するものである。そして該長波長
光＠収ｊｉｇ　１０５中に含有せしめるＧｅ原子の量又
はＳｎ原子の量あるいはそれらの和は、１〜ｌＯ’ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは１ｘ　１０２〜９　Ｘ　
１０’　Ｍｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは５ｘ　
１０’　〜８　ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとす
ることが望ましい。また長波長光吸収層１０５中に含有
せしめる水素原子又はハロゲン原子の量は、好ましくは
１×１０’　〜３　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
することが望ましく、特にｐｏｌｙ−３ｉ　（Ｇｅ、Ｓ
ｎ）　（Ｈ，Ｘ）の場合好ましくは１　ｘ　１０３〜２
　Ｘ　１０５ａｔｏｌｌＩｉｃ　ｐｐｍ　とし、ａ−５
１（Ｇｅ。

Ｓｎ）　（ｌ（、Ｘ）の場合好ましくはｌ　ＸＩＯ’　
〜６　ＸＩＯ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとすることが望ま
しい。

更に本発明の光受容部材における長波長光吸収層１０５
の層厚は、０．０５〜２５μ、好ましくは００７〜２０
μ、最適には、０．１〜１５μとするのが望ましい。

”５１　（Ｄ）図に示す本発明の光受容部材において、
支持体ｌｏｔ　と光導電層１０２との間に設けられる密
着層１０６は、支持体１０１　と光導電層１０２　との
密着性を改善せしめる機能を奏する層であって、酸素原
子、炭素原子および窒素原子の中から選ばれる少なくと
も一種を含有するＮｏｎ−５ｉ　［）１．Ｘ）　Ｉ以後
、’Ｎｏｎ−５ｉ（０，（：、Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）Ｊと表
記する。）で構成されている。そして該密着層１０６中
に含有せしめる酸素原子炭素原子、窒素原子の量、又は
それらの中の少なくとも２つ以上の和は、１００〜９　
Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ好ましくは　１Ｏ（１
−４Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとすることが望
ましい。また、該密着層１０６中に含有せしめる水素原
子又はハロゲン原子の量あるいはそれらの和は好ましく
はｌＯ〜７　Ｘ　Ｉ０５ａｔｏｍｉｃｐｐＩ１１とし、
特にｐｏｌｙ−５＋（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）の場合
には１０〜２　ｘ　ｌＯ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、ａ−
５ｉ（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）の場合にはＩ　ｘ　１
０３〜７　ｘ　ｌｏ５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとすること
が望ましい。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止層
＋０４、長波長光吸収層＋０５及び密着層１０５は、こ
れらを組み合わせて用いることが可能であり、その典型
的な例を示したものが第１（Ｅ）図乃至（１（）図であ
る。

更に、本発明の光受容部材においては、電荷注入阻止層
【０４又は長波長光吸収層１０５中に酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有
せしめることにより、これらの層に密着層としての機能
を兼ねそなえさせることも可能であり、また、長波長光
吸収層１０５中に第１Ｉ＋族原子又は第■族原子を含有
せしめるか、あるいは電荷注入阻止層１０４中にゲルマ
ニウム原子又はスズ原子を含有せしめることにより、こ
れら両層の機能を兼ねそなえた層とすることができる。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止層
１０４、長波長光吸収層１０５及び密着１ｉ１１０Ｂは
、　Ｎｏｎ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）を母体とする材料で構成
されているが、ｐｏｌｙ−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層を形成するについては種々の方法があり、例えば次
のような方法があげられる。

その１つの方法は、基体温度を高温、具体的には４００
〜４５０℃に設定し、該基体上にプラズマＣＶＤ法によ
り膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、基体表面に先ずアモルファス状の膜を形成
、即ち、基体温度を約２５０℃にした基体上にプラズマ
ＣＶＤ法により膜を形成し、該アモルファス状の膜をア
ニーリング処理することによりｐｏｌｙ化する方法であ
る。該アニーリング処理は、基体を４００〜４５０℃に
約２０分間加熱するか、あるいは、レーザー光を約２０
分間照射することにより行なわれる。

本発明の光受容部材の光導電層１０２は、ａ−５ｔ（Ｈ
。

Ｘ）またはａ−５ｔ（Ｇｅ、Ｓｎ）　（）１．Ｘ）で構
成され、先導仏性を有する層であって、該層にはさらに
、第１ＩＩ族原子又は第■族原子又は／及び酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種
を含有せしめることができる。

光導電層１０２中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）と
しては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げ
られ、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げること
ができる。そして光４電層１０２中に含有せしめる水素
原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の王、あるいは
水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は、好まし
くは１〜４０ａｔｏａ＋ｉｃ魁より好ましくは５〜３０
ａｔｏｍｉｃ　’ｌ＋とするのが望ましい。　また、光
導電層１０２中に第１ＩＩ族原子原子又は第Ｖ族原子を
含有せしめる目的は、光導電層＋０２の伝導性を制御す
ることにある。このような第１１＋族原子及び第Ｖ族原
子としては、前述の電荷注入阻止層１０４中に含有せし
めるものと同様のものを用いることができるが、光導電
層１０２に含有せしめる場合には、電荷注入阻止層１０
４に含有せしめたものとは逆の極性のものを含有せしめ
るか、あるいは電荷注入阻止層１０４に含有せしめたも
のと同極性のものを該層１０４に含有される量より一段
と少ない量にして含有せしめることができる。

光導電層１０２中に含有せしめる第１ＩＩ族原子又は第
Ｖ族原子の量は、好ましくはＩ　Ｘ　１０−３〜１×ｔ
ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは５ｘｌＯ
−２〜５ｘ１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐＩｌｌ、最適に
はＩ　Ｘ　１０−’〜２　Ｘ　１０２１０２ａｔｏ　ｐ
ｐｍとすることが望ましい。

また光導電層１０２中に、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から運ばれる少なくとも一種を含有せしめる目
的は、光４電層１０２の高暗抵抗化をはかるとともに、
光導電層１０２の膜品買を向上せしめることにある。そ
して、光導電層１０２に含有せしめるこうした原子の量
は、好ましくは１×１０−’〜５０ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好ましくは２　Ｘ　１０−’　〜４０ａｔｏｍｉｃｌ
、最適には３　ｘ　ｔｏ−３〜３Ｇａｔｏｍｉｃ％とす
るのが望ましい。

更に、光導電Ｆ１１０２中に、ゲルマニウム原子（Ｇｅ
）又はスズ原子（Ｓｎ）のうちの少なくとも一方を含有
せしめることができるが、こうした原子を含有せしめる
目的は、レーザー光などの長波長光に対する感度を向上
せしめることにあり、この場合、光導電層１０２中に含
有せしめるこれらの原子の量は、好ましくは１〜９．５
　ｘ　ｌＯ’ａｊｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望ましい
。

また、本発明の光受容部材において、光導電層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは３〜８
０μ、最適には５〜５０μとする。

本発明の光受容部材において特徴とするところの表面保
護層１０３は、前述の光導電層１０２上に位置して設け
られ、自由表面１０７を有するものである。そして該表
面保護層１０３は、光受容部材に要求される諸特性、即
ち、耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使
用環境特性、および耐久性等を向上せしめる、特に光受
容部材表面の機械的損傷おおよびコロナ放電により生じ
るイオンやオゾンにより変質を防止する機能を有すると
共に、帯電能および暗減衰等の電子写真特性が優れてお
り、画像形成時における画像流れや残留電位の発生を有
効に防止する機能を奏するものである。

かくなる本発明の光受容部材の表面保護ＦｉＬ（１３は
、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一方を含有す
るダイヤモンド状炭素薄膜で構成されるものであり、該
表面保護層１０３中に含有せしめる水素原子又はハロゲ
ン原子の量、あるいはそれらの量の和は、１　ｘ　１０
’　〜４　ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。

本発明の光受容部材においては、表面保護層１０３の層
厚も本発明の目的を効率的に達成するために重要な要因
の１つであり、所望の目的に応じて適宜決定されるもの
であるが、表面保護層に含有せしめる構成原子の量、あ
るいは表面保護層に要求される特性に応じて相互的かつ
有機的関連性の下に決定する必要がある。更に生産性や
量産性も加味した経済性の点においても考慮する必要も
ある。

こうしたことから、本発明の光受容部材の表面保護層１
０３の層厚は、好ましくは０．００３〜３０μ、より好
ましくは０．００４〜２０μ、最適には０．００５〜１
０μである。

更に本発明の光受容部材においては、前述の表面保護層
１０３　と光導；層１０２　との間に中間層１０８を形
成せしめてもよい、該中間層１０８は、炭素原子を含有
するａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）又はｐｏｌｙ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ
）で構成されており、該中間層１０８中に含有せしめる
炭素原子の量は、好ましくは２０〜９０ａｔｏｍｉｃ％
、より好ましくは３０〜８５ａセｏｍ１ｃ％、最適には
４０〜８０ａｔｏｍｉｃ％とすることが望ましい、また
該中間層１０８中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量、
ハロゲン原子（×）の量、及び水素原子＋ハロゲン原子
（Ｈ＋Ｘ）の量は、好ましくは１〜７０ａｔｏｍｉｃ％
、より好ましくは２〜６５ａｔｏｍｆｃ％、最適には５
〜６０ａｊｏｍｉｃ％とするのが望ましい。さらに該中
間層１０８の層厚は、好ましくは０．００３〜３０μ転
より好ましくは０．０Ｇ４〜２０μｍ、最適には０．０
０５〜１０μｍとするのが望ましい。

次に、本発明の光受容部材の構成層の形成方法について
説明する。

本発明の光受容部材を構成する非晶質材料は、いずれも
グロー放電法（低周（ｆＬＣＶＤ、高周波ＣＶＯ又はマ
イクロ彼ＣＶＤ等の交流数Ｔ１．ＣｖＤ、あるいは直流
放電ＣＶＤ等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオ
ンブレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの種
々の薄膜堆積法によって成形することができる。これら
の薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、
製造規模、作成される光受容部材に所望される特性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性
を有する光受容部材を製造するに当っての条件の制御が
比較的容易であり、シリコン原子と共にハロゲン原子及
び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからして、
グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である。そ
して、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置系
内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法により、水素原子又はハロゲン原
子の少なくとも一方を含有するダイヤモンド状炭素薄膜
で構成される表面保護層を形成するには、基本的には炭
素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガスと、窒素
原子（Ｎ）を供給し得るＮ供給用の原料ガスと、必要に
応じて水素原子（Ｈ）４人用又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）　４人用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る堆積
室内に８人して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
堆積膜を形成する。

前記Ｃ供給用の原料ガスとしては、飽和炭化水素化合物
（ＣｎＨ２ｎ−２，ｎ≦１０）、エチレン系炭化水素化
合物（ＣｎＨ２ｎ、ｎ≦１０）、アセチレン系炭化水素
化合物（’：ｎＨ２ｎ−２．ｎ≦ｌＯ）、環状炭化水素
化合物アルいはこれらのハロゲン化化合物等のガス状態
の又はガス化しつる化合物が挙げられる。具体的には、
飽和炭化水素化合物又はハロゲン化飽和炭化水素化合物
としてＣｌｈ　、Ｃ２Ｈ６、Ｃ５Ｈｓ、ＣＦ４、ＣＨ３
Ｆ、Ｃ２Ｈ３Ｆ　、ＣＣｌ４等、エチレン系炭化水素化
合物としてＣ２１（４、ＧＨｚ−Ｃ）Ｉ−ＣＨｔ等、環
状炭化水素化合物としてベンゼン、トルエン、キシレン
、アダマンタノン等があげられる。

また、前記Ｈ供給用の原料ガスおよびＸ供給用原料ガス
としては、水素ガス、フッ素、塩素、臭素、オウ素のハ
ロゲンガス、ＨＦ、　１−ＩＣＩ　、　ＨＢｒ、ＨＩ、
等のハロゲン化水素化合物、ＢｒＦ　、　ＣＩＦ　、　
（Ｉｈ、ＢｒＦ、、［１ｒＦ３、［Ｆｔ　、Ｉｌｌ：ｌ
　、ＥＢｒ等のハロゲン間化合物等のガス状態の又はガ
ス化し得る化合物があげられる。

また、スパッタリング法によって表面保護層を形成する
には、ターゲットとしてＣ（グラファイト）ターゲット
を用い、前記Ｈ供給用原料ガス及び／又はＸ供給用原料
ガスを計等の不活性ガスと共に堆積室内に導入してプラ
ズマ雰囲気を形成し、前記Ｃターゲットをスパッタリン
グすることによって形成される。

また、グロー放電法によって、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子（
Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水素
原子（＋１）導入用の文は／及びハロゲン原子（×）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置した所定の支持体表面上にａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）
から成る層を形成する。

前記Ｓｉ供給用のガスとしては、ＳｉＨ４，５ｉ２）１
．．５ｉＪ６、ＳｉＪ＋ｏ等のガス状態の又はガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に、層形成
作業のし易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で、５１＋１
４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しつるハロゲ
ン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　（：ＩＦ、（：ＩＦ
ｓ、ＢｒＦ５．　ＢｒＦ５、ＩＦｙ、［１、ＩＢｒ等の
ハロゲン間化合物、およびＳｉＦ４、Ｓｉ、Ｆ６．５ｉ
ｌ１４．５ｉ８ｒ４等のハロゲン化硅素が挙げられる。

上述のごときハロゲン化硅素のガス状態の又はガス化し
うるものを用いる場合には、Ｓｉ供給用の原料ガスを別
途使用することなくして、ハロゲン原子を含有するａ−
５ｉで構成された層が形成できるので、特に有効である
。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ、　ＨＣＩ　、　）ＩＢｒ　、　ＨＩ等のハロ
ゲン化物、Ｓ＋Ｈ４，５ｌｚ）Ｉｓ　、５ｔ＝Ｈａ　、
５Ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素、あるいは５ｉ）１２Ｆ２
．５ｉ）１，１□、５ｉＨ２Ｃ１□、Ｓｉｌ＋Ｃｈ、５
ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３、等のハロゲン買換水素
化硅素等のガス状態の又はガス化しつるものを用いるこ
とができ、これらの原料ガスを用いた場合には、電気的
あるいは充電的特性の制御という点で極めて有効である
ところの水素原子（Ｈ）の含有量の制御を容易に行うこ
とができるため、有効である。

そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハロゲン置換水素
化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の導入と同時に水
素原子（Ｈ）も導入されるので、特に有効である。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−５ｉ（ｌ（、Ｘ）から成る層を形成するには
、例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を
導入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ７囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、＋２或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ；囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、　Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ；囲気を形成し、前記Ｓｉタ
ーゲットをスパッタリングすることによりて、支持体上
にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法によってａ−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を供給
しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原子（
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しつる水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の原料ガ
スを内部を減圧にしつる堆積室内に所望のガス圧状態で
導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、予め
所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ−５
ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する。

Ｓ１供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、前述のａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成す
る場合に用いたものがそのまま用いられる。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、ＧｅＨａ、Ｇｅ２１１６　、　Ｇｅ３１（６、Ｇｅ
４）１＋ｏ、Ｇｅ５１１＋ｚ、Ｇｅ、旧４、Ｇｅ７１１
＋ｓ、ＧｅａＨ１６，Ｇｅ＊Ｈｚｏ等のガス状態の又は
ガス化しつる水素化ゲルマニウムを用いることができる
。特に、層作成作業時の取扱易さ、Ｇｅ供給効率の良さ
等の点から、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈｓ　、およびＧｅ３Ｈ
ａが好ましい。

スパッタリング法によってａ−５ｉＧａ（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するには、シリコンから成るターゲッ
トと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を、あ
るいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲットを
用い、これ等を所望のガス７囲気中でスパッタリングす
ることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いてａ−５ｉＧｅ　（Ｈ，
Ｘ）で構成される層を形成する場合には、例えば、多結
晶シリコン又は牟結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又
はまた！＃結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着
ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレ
クトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等によって加熱蒸発さ
せ飛■蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過せし
めることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ２あるい
は前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入して
これ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。さ
らにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記のハ
ロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効なも
のとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、　ＨＣＩ　、
　ＨＢｒ　、　）ＩＩ等のハロゲン化水素、５ｉＨ２ｈ
、５ｉＨ２ｈ、５ｊＨ２Ｃ１２，５ｉＨＣ１３，５ｉＨ
２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３、等のハロゲン置１＾水素化硅
素、およびＧｅＨＦ１　　、　　ＧｅＨＢｒ３、　Ｇｅ
Ｈ３Ｆ　　、　　ＧｅＨＣｌ、、　Ｇｅ）Ｉ、Ｃ１２、
ＧｅＨ３ｆ：ｌ、ＧｅＨＢｒ３、Ｇａ）１２Ｂｒ２．　
Ｇｅ１（３ｉｒ、　ＧｅＨＩ＊、Ｇｅ２１１６ＧｅＨ３
１等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等、ＧｅＦ４、Ｇ
ｅＣｌ４．　ＧｅＢｒａ　、　ＧｅＩ４、ＧａＦ、、Ｇ
ａＣ１１、ＧｅＢｒ２、Ｇｅ１２等のハロゲン化ゲルマ
ニウム等々のガス状態の又はガス化しつる物質も有効な
出発物質として使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、’ａ−５ｉＳｎ（ＩＩ、Ｘ）」と表記
する。）で構成される光受容層を形成するには、上述の
ａ−５ｉＧｅ　０１．Ｘ）で構成される層の形成の際に
、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（Ｓ
ｎｌ供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中へ
のその量を制御しながら含有せしめることによって行な
う。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりうる物質
としては、水素化スズ（ＳｎＨ４）やＳｎＦ、、５ｎＦ
４．５ｎＣ１２，５ｎＣＩ４．　ＳｎＢｒ２　、　Ｓｎ
Ｂｒ４．５ｎｌｚ、５ｎ１４等のハロゲン化スズ等のガ
ス状態の又はガス化しつるものを用いることができ、ハ
ロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハロ
ゲン原子を含有するａ−５Ｌで構成される層を形成する
ことができるので、特に有効である。なかでも、層作成
作業時の取り扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点から
、Ｓｒ＋Ｉ：１４が好ましい。

そして、５ｎＣ１４をスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
５ｎＣＬａを加熱するとともに、Ａ「、Ｈｅ等の不活性
ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリングする
のが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧に
した堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）　に第１Ｉ
Ｉ族原子又は第■族原子、窒素原子、酸素原子あるいは
炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形
成するには、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際に、第
１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、酸素原
子導入用の出発物質、窒素原子導入用の出発物質、ある
いは炭素原子導入用の出発物質を、前述したａ−５ｔ　
（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形成する
層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめてやるこ
とによって行なう。

例えば、グロー放電法を用いて、原子（０，Ｃ，Ｎ）を
含有するａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）　で構成される層を形成す
るには、前述のａ−５ｔ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層を
形成する際に、原子（０，（：、Ｎ）導入用の出発物質
をａ−５ｉ（ｌ（、Ｘｌ形成用の出発物質とともに使用
して形成する層中へのそれらの量を制御しながら含有せ
しめることによって行なう。

このような原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質であれば、はとんどの
ものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（０□）、オゾン（０，）、−酸化窒素（Ｎ
Ｏ）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０
３）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２
０５）、三酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｌ）
と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）　とを構成原子とす
る例えばジシロキサン（１１，５ｉＯ５＋）Ｈ３）、　
トリシロキサｙ　（ＪＳｉＯＳｉＨ２０Ｓｉｔ（、）等
の低級シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用
の出発物質としては、例えば、メタン（ＣＨ４）　、　
エタン（（：２Ｈ６）、プロパン（ｃｓｏａ）、ｎ−ブ
タン（ｎ−ｃ４Ｈ，ａ）　、ペンタン（Ｃ８Ｈ１２）等
の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）
、プロピレン（Ｃｔｌｌｓｌ、ブテン−ｔ　（Ｃ４１４
６）、ブテン−２（Ｃ４１（ａ）、イソブチレン（ｃａ
ｎａｌ、ペンテン（ＣｓＨ＋ｏ）等の炭素数２〜５のエ
チレン系炭化水素、アセチレン（ＩＩ：２Ｈ２）、メチ
ルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４１１６）等の
、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素が挙げられ、窒
素原子ｆＮ）導入用の出発物質としては、例えば、窒素
（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨｉ）、ヒドラジン（Ｈ，、
ＮＮＬ）、アジ化水素（ＨＮ＊）　、アジ化アモニウム
（ＮＬＮｓ）　、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）　、四Ｚ弗化窒
素（Ｆ４Ｎ）が挙げられる。

例えば酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容部材層
形成用の出発物質の中から所望に従って選択されたもの
に酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その様な酸
素原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質で
あればほとんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓ　＋）を構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、酸素原子
（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料
ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓ【）と水素原子（１４）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０１を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（Ｃ２）、オゾン（０，）、−
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（Ｎ（ｂ）、　−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四二酸化
窒素（Ｎ２０４）三二酸化窒素（Ｎ２ｏｓ）、三酸化窒
素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）
と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする例えばジシロキサ
ン（ｌ（ｓｓＬＧｓｉ）Ｉｓ）　、　トリシロキサン（
ＨｓＳｉＯ５ｉＨｚＯ５ｉｔｈ）等の低級シロキチン等
が挙げられ、挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又はＳｔウェーハ又は
ＳｉＯ２ウェーハ、又はＳｔとＳｉＯ□が混合されて含
有されているウェーハをターゲットとして、これ等を種
々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行
なえばよい。

例えば、Ｓｉミラニーへターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを必要に応じて希釈ガスで希
釈して、スパッター用の堆積室内に導入し、これ等のガ
スのガスプラズマを形成して前記５１ウエー八をスパッ
タリングすればよい。

又、別にはＳｔと５Ｉ０２とは別々のターゲットとして
、又はＳｉと５ｉ０２の混合した一枚のターゲットとを
使用することによって、スパッター用のとしての希釈ガ
スの７囲気中で又は少なくとも水素原子（ｌ（）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガス
雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる
。酸素原子導入用の原料ガスとしては、前述したグロー
放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使
用できる。

また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法により形成するには、シ
リコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
か、又はシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（＋１）を構成原子
とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合して
使用するか、或いはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（Ｓ　ｉ）、炭素原子（
Ｃ）及び水素原子（）ｌ）を構成原子とする原料ガスを
混合するか、更にまた、シリコン原子、水素原子を構成
原子とする原料ガスを混合して使用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とする５ｉｎ４、Ｓｉ、ＩＩ６．５ｉ
３Ｈ。

Ｓ　ｉ　ａ　ＩＩ　ｌｏ等のシラン（Ｓｉｌａｎｅｌ類
等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例え
ば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレ
ン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等
が挙げられる。

具体的には飽和炭化水素としては、例えば、メタン（Ｃ
Ｈ４）、エタン（ｃ２ｏｅ）、プロパン（ｃ３ｏａ）、
ｎ−ブタン（ｎ−ＣａＨｔａ）　、ヘンタ’Ｊ　（Ｃ５
Ｈ＋ｔ）　、エチレン系炭化水素としては、エチレン（
Ｃ２Ｈ６）　、プロピレン（Ｃ３ＨＪ、ブテン−１（Ｃ
４１１ａ）、ブテン−２（ｃ４ｏａ）、イソブチレン（
Ｃ４１１６）、ペンテン（ＣｓＨ＋。）アセチレン系炭
化水素としては、アセチレン（ｃ２Ｈｚ）、メチルアセ
チレン（ｃ３Ｈ４１、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられ
る。

ＳＬとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｔ　（［：Ｈ３）　４．５ｒ（Ｃ２Ｈｓ）４等のケイ化
アルキルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他
、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ７も使用できる。

スパッタリング法によってａ−５ｉＣ（ｌ（、Ｘ）で構
成される層を形成するには、！＃結晶又は多結晶のＳｊ
ウニｉハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｉと
Ｃが混合されているウェーハをターゲットとして、これ
等を所望のガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って行なう。

例えば、Ｓｔウェー八へターゲットとして使用する場合
には、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じてＡ「、ｔｌ
ｅ等の希釈ガスで希釈して、スパッタリング用の堆積室
内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前
記Ｓｉミラニーへスパッタリングすればよい。

又、別にはＳｌとＣは別々のターゲットとするか、ある
いはＳＩとＣの混合した一枚のターゲットととして使用
する場合には、スパッタリング用のガスとして水素原子
又は／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応
じて希釈ガスで希釈して、スパッタリング用の堆ｆｉ！
室内に導入し、ガスプラズマを形成してスパッタリング
すればよい。

該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガス
としては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがその
まま使用できる。

例えば窒素原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成
用の出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒
素原子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほ
とんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子と
する原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子と原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（１１）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素元素（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ３）　、ヒドラジン（）１２ＮＮＨｔｌアジ化水素
（）ｌＮ３）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等
のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化ホウ素物及びア
ジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。この他に
、窒素原子の導入に加えて、ハロゲン原子の導入も行な
えるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ＋　、四弗化窒
素（Ｆ４Ｎ１等のハロゲン化窒素化合物を挙げられる。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又はＳｉウェーハ又は
多結晶のＳｉウニ−八、又はＳｉ３Ｎ、ウェーハ、又は
Ｓｉとは５ｉ３８４が混合されて含有されているウェー
ハをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中で
スパッタリングすることによって行なえばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて希釈ガスで
希釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等の
ガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをスパ
ッタリングすればよい。

又、別にはＳｉと５ｉＪ４とは別々のターゲットとして
、又はＳｉとＳｉ、Ｎ４の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての希
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（×）を構成原子として含有するガ
ス７囲気中でスパッタリングすることによって形成でき
る。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロ
ー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原
料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして
使用できる。

また、グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオ
ンブレーティング（去を用いて、第１ＩＩ族原子又は第
■族原子を含有するａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層
の形成の際に、第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子導入用の
出発物質を、ａ−５ｉ（）Ｉ、Ｘ）形成用の出発物質と
共に使用して、形成する層中へのそれらの量を制御しな
がら含有せしめてやることによって行なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、＋１２）１８、Ｂ４ＨＩＯ、Ｒ５Ｈｅ
、ＢｓＨｚ　、ＢｓＨｚ。、　ＢｓＨ＋ｚ　、　Ｂ６Ｈ
Ｉ４等の水素化硼素、ＢＦ、　、　ＢＣＩ、、ＢＢｒ、
等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ１３
、Ｇａ（：Ｌｓ、Ｇａ　（ＣＨ３１２、ＩｎＣｌ３、Ｔ
ΩＣ１，等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として具体的には燐原子導
入用としてはＰＨ，、ＰＪ、等の水素化燐ｐＨ，Ｉ、ｐ
Ｆ３．ＰＦＳ、　Ｐ（：１３、Ｐｃｔ、、ＰＢｒｓ、Ｐ
Ｂｒｓ、ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。この他
、八ｓＨ，、八ｓＦ＝、　八５Ｃ１３、八５Ｂｒｓ、　
八ｓＦｓ、　５ｂＨｓ、　ＳｂＦ３、　ＳｂＦ、。

５ｂＣ１３，５ｂＣ１，、ＢｉＨｚ、Ｂ１１１．、Ｂ１
Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものと
して挙げることができる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／′
ＥＬびスズ原子、＄　１１１族原子又は第Ｖ族原子、酸
素原子、炭素原子又は、窒素原子、あるいは水素原子又
は／及びハロゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室
内へ流入する、各々の原子供給用出発物質のガス流量あ
るいは各々の原子供給用出発物質問のガス流量比を制御
することにより行なわれる。

また、光導電層および表面保護層等の各構成層形成時の
支持体温度、堆積室内のガス、放電パワー等の条件は、
所望の特性を有する光受容部材を得るためにはＪ１果な
要因であり、形成する層の機能に考慮をはらって適宜選
択されるものである。

さらに、これらの層形成条件は、光導電層および表面保
護層等の各構成層に含有せしめる上記の各原子の種類及
び量によっても異なることもあることから、含有せしめ
る原子の種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定
する必要もある。

具体的には、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一
方を含有するダイヤモンド状炭素薄膜からなる表面保護
層を高周波（１３，５６ＭＨ２）プラズマＣＶＤ法によ
り形成する場合、堆積室内のガス圧は、通常１０−３〜
１００　Ｔｏｒｒとするが、より好ましくはＬＱ−２〜
５ｆｌＴｏｒｒ、最適には１０−’　〜５０Ｔａｒｒと
する。

また、支持体温度は、通常５０〜９００℃とするが、よ
り好ましくは１００〜６００℃、最適には１５０〜５０
０℃とする。更に放電パワーは通常０．０５〜１００Ｗ
／ｃｍ２、より好ましくは　０．１〜７０Ｗ　／　ｃｍ
’　、最適には０５〜５０Ｗ／Ｃｍ２とする。

また、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一方を含
有するダイヤモンド状炭素薄膜からなる表面保護層をマ
イクロ波（２，４５Ｇｌ（ｚ）プラズマＣＶＤ法により
形成する場合、堆積室内のガス圧は通常１０−４〜１０
０Ｔｏｒｒ、より好ましくは１０−３〜５０Ｔｏｒｒ。

最適には２　ｘ　１０−’〜４５　Ｔｏｒｒとし、放電
パワー及び支持体温度は、いずれも前述の高周波プラズ
マＣＶＤ法による場合と同じである。

更に、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一方を含
有するダイヤモンド状炭素薄膜からなる表面保護層をス
パッタリング法により形成する場合、堆積室内のガス圧
は通常１０−４〜１ＯＴｏｒｒ、より好ましくは５　Ｘ
　１０−’〜５　Ｔｏｒｒ、最適には１Ｏ−３〜１丁ｏ
ｒｒとし、放電パワー及び支持体温度は前述の高周波プ
ラズマＣＶＤ法による場合と同じである。

また、窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せしめた
ａ−５ｉ　（）Ｉ、Ｘ）かうなる層をグロー放電法によ
り形成する場合、支持体温度は、通常５０〜３５０℃と
するが、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。

堆積室内のガス圧は通常０．Ｏ１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする
が、特に好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。

放電パワーは０．００５〜ＳＯＷ　／　ａｍ’　とする
のが通常であるが、より好ましくは０．０１〜３ＱＷ／
ａｍ’　とする。特に好ましくは０．Ｏ１〜２０Ｗ／ｃ
ｍ２　とする。

ａ−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ１層をグロー放電法により形成
する場合、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せ
しめたａ−５ｉＧｅ　（）Ｉ、Ｘ）からなる層を形成す
る場合については、支持体温度、通常５０〜３５０℃と
するが、より好ましくは５０〜３００℃とするが、特に
好ましくは１００〜３００　℃とする。そして堆積室内
のガス圧は通常０．０１〜５　Ｔｏｒｒとするが、好ま
しくは０．００１〜３　　Ｔｏｒｒとし、特に好ましく
はｏ、ｏｉ〜１Ｔｏｒｒとする。また、放電パワーは０
．００５〜５０Ｗ／　ｃ　ｍ　２とするのが通常である
が、好ましくは０．０１〜３０Ｗ／ｃｍ２　とする。特
に好ましくはｏ、ａｔ　〜ＺＯＷ／Ｃ１ｎ２　とする。

しかし、これらの、層形成を行なうについての支持体温
度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶賀材料暦を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。

次に、グロー放電分解法によフて形成される光導電部材
の製造方法について説明する。

第２図にグロー放電分解法による電子写真用光受容部材
の製造装置を示す。

図中の２０２．２０３．２０４．２０５．２０６、　の
ガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するための原
料ガスが密封されており、その１例として、たとえば、
２０２は５ｉＨａガス（純度９９．９９９％）ボンベ、
２０３はＨ２で希釈された８、Ｈ６ガス（純度９９．９
９９％、以下Ｂ、Ｏ，／Ｈ，と略す）ボンベ、２０４は
ＮＯガス（純度９９．５％）ボンベ、２０５はＣＨ４ガ
ス（純度９９．９９９零）ボンへ、ＺＱａはＨ１ガス（
純度９ｇ、ｇ９９％）ボンへである。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０６のバルブ、リークバルブ２３５が閉じ
られていることを確認し、又、流入バルブ２１２〜２１
６　、流出バルブ２１７〜２２１　、補助バルブ２３２
．２３３が開かれていることを確認して先ずメインバル
ブ２３４を問いて反応室２０１、ガス配管内を排気する
０次に真空計２３６の読みが約５　Ｘ　１０”６Ｔｏｒ
ｒになった時点で、補助バルブ２３２．２３３、流出バ
ルブ２１７〜２２１を閉じる。

基体シリンダー２３７上に第１の層を形成する場合の１
例をあげると、ガスボンベ２０２よりＳ　ｉ　ＩＩ　４
ガス、ガスボンベ、２０３より８．）１．／Ｈ２Ｈ２ガ
ススボンベ、２０４よりＮＯガス、バルブ２２２　、２
２３　、０４を開いて出口圧ゲージ２２７　、２２８　
、２２９の圧を１ｋｇ７ｃｍ”に調節し、流入バルブ２
１２．２１３．２１４を徐々に開けて、マスフロコント
ローラ２０７，２０８．２０９内に流入させる。引続い
て流出バルブ２１７　、２１８．２１９、補助バルブ２
３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室に流入させる。

このときの５ｉｎ４ガス流量、Ｂ２Ｈ８／８２ガス流玉
、ＮＯガス流景の比が所望の値になるように流出バルブ
２１７．２１８．２１９を調整し、又、反応室内の圧力
が所望の値になるように真空計２３６の読みを見ながら
メインバルブ２３４の間口を調整する。そして基体シリ
ンダー２３７の温度が加熱ヒーター２３８により５０〜
３５０℃の温度に設定されていることを確認された後、
電源２４０を所望の電力に設定して反応室２０１内にグ
ロー放電を生起させ基体シリンダー上に第１の層を形成
する。

第１の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えばＳｉＦ４ガスを更に付加して反応室２０１
に送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る。例えば５ｒＨａガスの代り
にＳｉ、Ｈ，ガスを用いて層形成を行なえば数倍高める
ことが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された第１の層上に第２の層を形成
するには、流出バルブ２１７〜２２１を閉じ、補助バル
ブ２３２．２３３を開いてメインバルブ２３４を全開し
て系内を一旦高真空に排気したのち、第１の層の形成の
際と同様なバルブ操作によりてＣＨ４ガス、Ｈ２ガスを
所望の流量比で反応室２０１中に流し、所望の条件に従
ってグロー放電を生起させることによって成される。

第２の層中に含有される水素原子の量を変化させる場合
には、例えば、Ｈ２ガスの反応室２０１内に導入される
流量を所望に従って任意に変えることによって所望に応
じて制御することができる。

第２の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えばＣＦ４ガスを更に付加して反応室２０１内
に送り込む。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出は全て閉
じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成する際
、前層の形成に使用したガスが反応室２０１内、流出バ
ルブ２１７〜２２１から反応室２０１内に至る配管内に
残留することを避けるために、流出バルブ２１７〜２２
１を閉じ補助バルブ２３２．２３３を開いてメインバル
ブ２３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行なう。

又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基体シリンダー２３７は、モータ２３９によって所望
される速度で一定に回転させる。

次に、マイクロ波放電分解法によって形成される光導電
部材の製造方法について説明する。

第３図にマイクロ波放電分解法による電子写真用光受容
部材の製造装置を示す。

図中ノ３０２．３０３．３０４．３０５．３０６、のガ
スボンへには、本発明の夫々の層を形成するための原料
ガスが密封されており、その１例として、たとえば、３
０２はＳｉＨ，ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、３
ｏ３はＨ２で希釈された８２Ｈ６ガス（純度９９．９９
９％、以下ａ、５／Ｆ２と略す）ボンベ、３０４はＮＯ
ガス（純度９９．５％）ボンベ、３０５はＣＨ４ガス（
純度９９．９９９零）ボンベ、３０６はＨ２ガス（純度
９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室３０１に流入させるにはガスボン
ベ３０２〜３０６のバルブ、リークバルブ３３５が閉じ
られていることを確認し、又、流入バルブ３１２〜３１
６　、流出バルブ３１７〜３２１１補助バルブ３３２．
３３３が開かれていることを確認して先ずメインバルブ
３３４を開いて反応室３０１、ガス配管内を排気する０
次に真空計３３６の読みが約５　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒ
になった時点で、補助バルブ３３２．３３３流出バルブ
３１７〜３２１を閉じる。

基体シリンダー３３７上に第１の層を形成する場合の１
例をあげると、ガスボンベ３０２よりＳｉＨ４ガス、ガ
スボンベ、３０３よりａ、Ｈ，／Ｆ、ガス、ガスボンベ
、３０４よりＮＯガス、バルブ３２２．３２３　、３２
４を開いて出口圧ゲージ３２７　、３２８．３２９の圧
を１ｋｇ／ｃｍ’に調節し、流入バルブ３Ｈ、、：ｌ１
３．３１４を徐々に開けて、マスフロコントローラ３０
７．３０８、：１０９　内に流入させる。引続いて流出
バルブ３１７．３＋８．３１９、補助バルブ３３２を徐
々に開いて夫々のガスを反応室に流入させる。このとき
のＳｉＨ４ガス流！、Ｂ＞Ｈａ／Ｈｚガス流量、ＮＯガ
ス流量の比が所望の値になるように流出バルブ３１７．
３１８．３１９を調整し、又、反応室内の圧力が所望の
値になるように真空計３３６の読みを見ながらメインバ
ルブ３３４の開口を調整する。そして基体シリンダー３
３７の温度が加熱ヒーター３３８により５０〜３５０℃
の温度に設定されていることを確認された後、マイクロ
波電源３４０を所望の電力に設定し、導波管３４１及び
誘電体窓３４２を通して反応Ｎ３０１内にマイクロ放電
を生起させ基体シリンダー上に第１の層を形成する。

第１の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えば５ｔＦｉガスを更に付加して反応室３０１
に送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る。例えば５ｘＨ４ガスの代り
にＳｉ、Ｈ，ガスを用いて層形成を行なえば数倍高める
ことが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された第１の層上に第２の層を形成
するには、流出バルブ３１７〜３２１を閉じ、補助バル
ブ〕３２．３３３を開いてメインバルブ３３４を全開し
て系内を一旦高真空に排気したのち、第１の層の形成の
際と同様なバルブ操作によヮてＣＨ４ガス、Ｈ２ガスを
所望の流量比で反応室３０１中に流し、所望の条件に従
ってマイクロ波放電を生起させることによって成される
。

第２の層中に含有される水素原子の王を変化させる場合
には、Ｈ２ガスの反応室３０１内に導入される流量を所
望に従って任意に変えることによって所望に応じて制御
することができる。

第２の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えばＣＦ４ガスを更に付加して反応室３０１内
に送り込む。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出は全て閉
じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成する際
、前層の形成に使用したガスが反応’４３０１内、流出
バルブ３１７〜３２１から反応室３０１内に至る配管内
に残留することを避けるために、流出バルブ３１７〜３
２１を閉じ補助バルブ３３２．３３３を問いてメインバ
ルブ３３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作
を必要に応じて行なう。

又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基体シリンダー３３７は、モータ３３９によって所望
される速度で一定に回転させる。

（実施例）以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらによって限定されるものではない。

〈実施例１〉第２図の製造装置を用い、第１表の作成条件に従って鏡
面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受容
部材を形成した。

光受容部材（以後ドラムと表現）は、電子写真装置にセ
ットして、種々の条件のもとに、初期の帯電能、残留電
位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、又、１５
０万枚実機酎久後の帯電能低下、表面削れ、画像欠陥の
増加等を調べた。更に、３５℃、８５％の高温高湿雰囲
気中でのドラムの画像流れについても評価した。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。ざらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性
を調べた。上記の評価結果を第２表に示す。

第２表に見られる様に、特に初期帯電能、ゴースト、画
像欠陥、表面削れ、絶縁耐圧、耐キズ性の各項目につい
て著しい優位性が認められた。

〈実施例２〉実施例１と同様に、光導電層を成膜したアルミシリンダ
ーを第３図の製造装置にセットして光導電層上に表面層
を第３表の作成条件に従って成膜し、実施例１と同様の
評価を行った。

その結果を第４表に示す。

第４表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例３〉表面層の作成時に、シリンダーのバイアス電圧が一１５
０Ｖになるようにして第１表に示す作成条件で、実施例
１と同様に、ドラム及びサンプルを作成し、同様の評価
を行りた。

その結果を第５表に示す。

第５表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

又、サンプルの測定の結果、４配位であることがわかっ
た。

〈実施例４〉電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ第６表に
示す作成条件で実施例１と同様にドラムを作成し、同様
の評価を行った。

その結果を第７表に示す。

第７表にみられる様に実施例１と同様の特性が得られた
。

〈実施例５〉アルミシリンダーに陽極酸化処理を行って、シリンダー
表面に酸化アルミニウム層（＃２０３）を作成して、こ
れを、電荷注入阻止層とし、この層の上に光４電層と表
面層をそれぞれ実施例４と同様にしてドラムを作成し、
実施例１と同様の評価を行った。

その結果を第９表に示す。

第９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例６〉ＩＲ吸収層、光導電層、表面層をそれぞれ、第１０表に
示す作成条件で、実施例１と同様にドラムを作成し、同
様の評価を行った。

さらに７８５ｎｍの波長を有する半導体レーザーを画像
露光の光源に用いる電子写真装置にドラムをセットして
、画像上に干渉縞が現われるかチェックした。

その結果を第１１表に示す。

第１１表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れ、干渉縞も現われなかった。

〈実施例７〉密着層、光４電層、表面層をそれぞれ、第１２表に示す
作成条件で、実施例１と同様にドラムを作成し、同様の
評価を行った。

その結果を第１３表に示す。

第１３表にみられる様に、実施例１と同様の特注が得ら
れた。

〈実施例８〉ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を、そ
れぞれ、第１４表に示す作成条件で実施例１と同様にド
ラムを作成し、実施例６と同様の評価を行った。

その結果を第１５表に示す。

第１５表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例９〉密着層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ
、第１６表に示す作成条件で実施例１と同様にドラムを
作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１７表に示す。

第１７表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１０〉密着層、ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面
層を、それぞれ、第１８表に示す作成条件で、実施例１
と同様にドラムを作成し、実施例６と同様の評価を行っ
た。

その結果を第１９表に示す。

第１９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１１〉光導電層の作成条件を第２０表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例１と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例１と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１２〉光導電層の作成条件を第２１表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例２と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例２と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例２と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１３＞光４電層の作成条件を第２２表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例３と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例３と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例３と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１４＞電荷注入阻止層の作成条件を第２３表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、複数の
ドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１５〉電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光４電層の作成条件を第２５表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、第２
６表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例１６＞電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて
、第２９表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例１７〉電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて
、第３１表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例１８〉光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条件に変え
、をれ以外は実施例５と同様の条件にて、第３２表に示
す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１９〉表面層の作成条件を第２８表に示す条件に変え、光導電
層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え、それ
以外は実施例５と同様の条件にて、第３３表に示す複数
のドラムを用意した。

〈実施例２０〉表面層の作成条件を第３０表に示す条件に変え、光導電
層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え、それ
以外は実施例５と同様の条件にて、第１４表に示す複数
のドラムを用意した。

〈実施例２１＞ｒＲ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて、第３
７表に示す複数のドラムを用意し″た。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２４〉ＩＲ吸収層の作成条件をｉ３ｓ、３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の
条件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて、第
３９表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例２３〉ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件に
て、第４０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例日と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２４〉ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件に
て、第４１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかりた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２５〉密着層の作成条件を第４２表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４３表に示す
複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例フと同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２６〉密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４５表に示
す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２７〉密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え
、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて、第４δ
表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例２８〉密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え
、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて、第４７
表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例°２９〉ｒＲ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件にて、第４
８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３０〉電荷注入阻止層の作成条件を第４９表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件に
て、第５０表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例３１＞電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収屡の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す
条件にて、第５２表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例３２〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲｃ＆収層の作成条件を第３５．３８表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示
す条件にて、第５３表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例３３〉密着層の作成条件を第４４．５４表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて、第５５表
に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例つと同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３４〉電荷注入阻止層の作成条件を第５６表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて、
第５８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３５〉電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第５９表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例３６〉電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第６０表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例３７〉電荷注入阻止層の作成条件を第６１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１０と同様の条件にて、第６
２表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１ｏと同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３８〉電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６３表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例１Ｏと同様の条件にて、第
６５表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｏと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３９〉電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６６表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて
、第６７表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４０〉電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６６表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて
、第６８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例４１〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示す条件
にて、第７１表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４２〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ｒＲｉ収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示す条件
にて、第７３表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４３〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、先導；層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第７４表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４４〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第７５表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４５〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第７６表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４６〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ＠、数層の作成条件を第３５．３８表に示
す数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に
示す条件にして、表面層の作成条件を第３０表に示す条
件にて、第７７表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４７〉電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第７８表に示す
条件にして、表面層の作成条件を第７９表に示す複数の
ドラムを用意した。

〈実施例４８〉ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第
８０表に示す条件にして、表面層の作成条件を第８１表
に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４９〉密着層、ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光４電層の作成
条件を第８２表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第８３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１Ｏと同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｏと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例５０〉電荷注入阻止層、光４電層、中間層、表面層をそれぞれ
第８４表に示す作成条件で、実施例１と同様にドラムを
作成し、同様の評価をかけた結果、実施例１と同様に、
きわめてすぐれた電子写真特性のドラムが得られた。

〈実施例５１＞鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な角度を持つ剣
バイトによる旋慇加工に供し、第４図のような断面形状
で第８５表のような種々の断面パターンを持つシリンダ
ーをａ数本用意した。該シリンダーを順次第２図の製造
装置にセットし、実施例１と同様の作成条件の基にドラ
ム作成に供した。作成されたドラムを実施例１と同様の
評価を行った結果、いずれも実施例１と同様に、電子写
真特性を十分に満足するドラムが得られた６〈実施例５
２〉鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング用球の落下の基にさらしてシリンダー表面に無
数の打痕を生じせしめる、所謂表面ディンプル化処理を
施し、第５図のような断面形状で、第８６表のような種
々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意した。

該シリンダーを順次第２図の製造装置にセットし、実施
例１と同様の作成条件の基にドラム作成に供した。作成
されたドラムを実施例１と同様の評価を行った結果、い
ずれも実施例１と同様に、電子写真特性を十分に満足す
るドラムが得られた。

第２３表第２４表第２５表第３２表第　　３３　　表第　　３４　　表第３５表第　３５　表（つづき）第３６表第　３６　表（つづき）第３７表第３８表第　３８　表（つづき）第３９表第４０　　表第４１表第４３表第４５表第４６表第４７表第４８表第４９表第　　５０　　表第５１表第５２表第５３表Ｔ％５５表第５６表第６１表第６２表第６４表第６５表第６７表第６８表第７１表第７３表第７４表第７５表第　７６表第７７表Ｆ％８５表第８６表〔発明の効果の概略〕本発明の光受容部材は、水素原子又はハロゲン原子の少
なくとも一方をを含有するダイヤモンド状炭素薄膜で構
成された表面保護層を設けたことにより、光受容部材表
面の機械的損傷およびコロナ放電により生じるイオンや
オゾンによる変質を有効に防止することができるととも
に、帯電能や暗減衰等の電子写真特性にも優れたものが
得られ、本発明の光受容部材を電子写真用像形成部材と
して適用させた場合には、残留電位の影響が全くなく、
その電気的特性が安定しており、それを用いて得られた
画像は、ゴーストの発生、画像欠陥等のないすぐれたも
のとなる。

【図面の簡単な説明】

第１（Ａ）〜（＋）図は本発明の光受容部材の層構造の
典型例のいくつかを模式的に示した図であり、第２．３
図は本発明の光受容部材を製造するための装置の典型例
で、第２図はグロー放電法による製造装置の模式的説明
図であり、第３図はマイクロ波放電法による製造装置の
模式的説明図である。第４図及び第５図は、本発明の光
受容部材の支持体の断面形状の例を示す図である。１００・・・光受容部材、１０１・・・支持体、１０２
・・・光導電層、１０３・・・表面保護層、１０４・・
・電荷注入阻止層、１０５・・・長波長光吸収層、１０
６・・・密着層、１０７・・・自由表面、１０８・・・
中間層、２（１１，３０１・・・反応室、２０２〜２０
Ｂ、３０２〜３０Ｂ・・・ガスボンベ、２０７〜２１１
．３０７〜３１１・・・マスフロコントローラ、２１２
〜２１６．３１２〜３１６・・・流入バルブ２１７〜２
２１．３１７〜３２１・・・流出バルブ、２２２〜２２
６，３２２〜３２６・・・バルブ、２２７〜２３１．３
２７〜３３１・・・圧力調整器、２３２．２３３．３３
２．３３３・・・補助バルブ、２３４．３３４・・・メ
インバルブ、２３５．３３５・・・リークバルブ２３Ｂ
、３３δ・・・真空計、２３７．３３７・・・基体シリ
ンダー、２３８．３３８・・・加熱ヒーター、２３９．
３３９・・・モーター２４０．３４０・・・高周波電源
、３４１・・・導波管、３４２・・・誘電体窓

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体と
し、水素原子又はハロゲン原子のうちの少なくともいず
れか一方を含有するアモルファス材料で構成された光導
電層と、表面保護層とを少なくとも有する光受容層とか
らなる光受容部材において、前記表面保護層が、水素原
子又はハロゲン原子の少なくとも一方を含有するダイヤ
モンド状炭素薄膜で構成されていることを特徴とする光
受容部材。
（２）前記光受容層が、３層以上の多層構成である特許
請求の範囲第（１）項に記載された光受容部材。
（３）前記光受容層が、電荷注入阻止層を有する特許請
求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
（４）前記光受容層が、長波長光吸収層を有する特許請
求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
（５）前記光受容層が、接着性を改善する機能を備えた
接着層を有する特許請求の範囲第（２）項に記載された
光受容部材。
（６）前記光導電層と前記表面保護層との間に中間層を
有する特許請求の範囲第二項に記載された光受容部材。