JPS62276708A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS62276708A JPS62276708A JP61120585A JP12058586A JPS62276708A JP S62276708 A JPS62276708 A JP S62276708A JP 61120585 A JP61120585 A JP 61120585A JP 12058586 A JP12058586 A JP 12058586A JP S62276708 A JPS62276708 A JP S62276708A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
この発明は誘電体磁器組成物に関し、特に裔圧コンデン
サに適する高誘電率系の誘電体磁器組成物に関する。
サに適する高誘電率系の誘電体磁器組成物に関する。
（従来技術）
従来、高い誘電率を有する誘電体磁器組成物としては、
ＢａＴｉＯ３系磁器を変成した磁器が知られている。
ＢａＴｉＯ３系磁器を変成した磁器が知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、ＢａＴｉ０．系磁器を変成した磁器では
、１１−当たり２〜５ＫＶの直流バイアス電界を印加す
れば、誘電率が大幅に減少し、たとえば高圧コンデンサ
の材料としては用いることができなかった。また、５ｒ
ＴｉＯｓ、 ＰｂＴｉ０．、 ＣａＴｉＯ３，ＢｉｇＯ
。
、１１−当たり２〜５ＫＶの直流バイアス電界を印加す
れば、誘電率が大幅に減少し、たとえば高圧コンデンサ
の材料としては用いることができなかった。また、５ｒ
ＴｉＯｓ、 ＰｂＴｉ０．、 ＣａＴｉＯ３，ＢｉｇＯ
。
およびＴｉ０１などの複合材料で、バイアス特性の良好
な磁器が提案されているが、この複合材料でも、３ＫＶ
／ｗの直流バイアス電界を印加したとき、１５００以上
の誘電率を有する組成領域は、非常に限定されており、
各成分の純度や秤量による誤差などに細心の注意を払わ
ねばならず、その製造は困難であった。
な磁器が提案されているが、この複合材料でも、３ＫＶ
／ｗの直流バイアス電界を印加したとき、１５００以上
の誘電率を有する組成領域は、非常に限定されており、
各成分の純度や秤量による誤差などに細心の注意を払わ
ねばならず、その製造は困難であった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、従来の磁器より
その組成領域の限定が広いため製造しやすく、３ Ｋ
Ｖ ／ 鶴の電流バイアス電界を印加したとき誘電率が
１５００以上の誘電体磁器組成物を提供することである
。
その組成領域の限定が広いため製造しやすく、３ Ｋ
Ｖ ／ 鶴の電流バイアス電界を印加したとき誘電率が
１５００以上の誘電体磁器組成物を提供することである
。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、ＰｂＯ，Ｌａ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｔｉ１ｔ
およびＢａＺｒＯ３の固溶体からなり、これらの各成分
を次の一般式で表したとき、 （ＰｂＩ−ｘ Ｌａｗ ）（Ｚｒｌ−ｙ Ｔｊｙ ）０
３−ＢａＺｒ０３モル％を表すＸおよびｙの値が ８≦ Ｘ ≦１６ ２５≦ ｙ ≦３５ の範囲にあり、かつ８ａＺｒＯ）が１５モル％以下（０
モル％を含まず）含まれる誘電体磁器組成物である。
およびＢａＺｒＯ３の固溶体からなり、これらの各成分
を次の一般式で表したとき、 （ＰｂＩ−ｘ Ｌａｗ ）（Ｚｒｌ−ｙ Ｔｊｙ ）０
３−ＢａＺｒ０３モル％を表すＸおよびｙの値が ８≦ Ｘ ≦１６ ２５≦ ｙ ≦３５ の範囲にあり、かつ８ａＺｒＯ）が１５モル％以下（０
モル％を含まず）含まれる誘電体磁器組成物である。
（−発明の効果）
この発明によれば、３ＫＶ／ｍの直流バイアス電界を印
加したとき誘電率が１５００以上の良好なバイアス特性
を有する誘電体磁器組成物を得ることができる。
加したとき誘電率が１５００以上の良好なバイアス特性
を有する誘電体磁器組成物を得ることができる。
また、この発明の磁器組成物は従来のものと比べると、
組成の範囲が広いので、各成分の純度や秤量による誤差
などにあまり注意を払わないでずむため、製造しやすく
なる。
組成の範囲が広いので、各成分の純度や秤量による誤差
などにあまり注意を払わないでずむため、製造しやすく
なる。
したがって、この発明の組成物を用いれば、たとえば高
圧に耐える高圧コンデンサを従来より容易に作成するこ
とかで−きる。
圧に耐える高圧コンデンサを従来より容易に作成するこ
とかで−きる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
（実施例）
原料としてＰｂＯ，ＬａｚＯ＋＋ ＺｒＯ２＋ Ｔｉ０
ｚおよびＢａＣＯ３を別表１に示した組成になるように
秤量し、これらをアルミナボールとともに、ポリエチレ
ンポットに入れ、１６時時間式混合して粉砕した。この
粉砕物を、脱水乾燥してアルミナ質の匣に入れ、ｉ ｏ
ｏ ｏ ’ｃで２時間仮焼した。次いで、この仮焼物
にバインダを加えてポリエチレンポットに入れて１６時
時間式混合した。この混合物を蒸発乾燥し造粒した後、
加圧して直径１０龍、厚さ１．２關の円板に成形した。
ｚおよびＢａＣＯ３を別表１に示した組成になるように
秤量し、これらをアルミナボールとともに、ポリエチレ
ンポットに入れ、１６時時間式混合して粉砕した。この
粉砕物を、脱水乾燥してアルミナ質の匣に入れ、ｉ ｏ
ｏ ｏ ’ｃで２時間仮焼した。次いで、この仮焼物
にバインダを加えてポリエチレンポットに入れて１６時
時間式混合した。この混合物を蒸発乾燥し造粒した後、
加圧して直径１０龍、厚さ１．２關の円板に成形した。
そして、その成形物を１２１０°Ｃ〜１２６０℃で２時
間焼成し、その両生面に銀ペーストを塗布し、８００℃
で焼き付けて電極を形成し、試料を作成した。
間焼成し、その両生面に銀ペーストを塗布し、８００℃
で焼き付けて電極を形成し、試料を作成した。
このように作成した試料について、次に示す各特性をそ
れぞれの条件や測定方法を用いて測定し、別表２の結果
を得た。
れぞれの条件や測定方法を用いて測定し、別表２の結果
を得た。
（１）誘電率：周波数ＩＫ）ｌｚ、印加電圧Ｉ Ｖｒ、
ｍ、ｓ、温度２０℃の条件。
ｍ、ｓ、温度２０℃の条件。
（２）誘電損失：周波数ＩＫＩｌｚ、印加電圧Ｉ Ｖｒ
、ｍ、ｓ、温度２０ ’Ｃの条件での誘電損失を損失係
数ｔａｎδで表した値。
、ｍ、ｓ、温度２０ ’Ｃの条件での誘電損失を損失係
数ｔａｎδで表した値。
（３）誘電率の温度変化率：＋２０℃の誘電率の値を基
準とし、−２５ｃおよび＋８５°Ｃでの誘電率の値にお
ける変化率を百分率で表した値。
準とし、−２５ｃおよび＋８５°Ｃでの誘電率の値にお
ける変化率を百分率で表した値。
（４）ＤＣバイアス：３ＫＶ／龍の直流バイアス電界を
、印加したときと印加しないときの誘電率の変化を示し
た値。
、印加したときと印加しないときの誘電率の変化を示し
た値。
（５）有効誘電率：３ＫＶ／ｍｕの直流バイアス電界を
印加したときの誘電率を（１）の誘電率と（４）のＤＣ
バイアスとから算出した値。
印加したときの誘電率を（１）の誘電率と（４）のＤＣ
バイアスとから算出した値。
なお、別表１および別表２中で＊印を付したものは、こ
の発明の範囲外のものであり、それ以外はこの発明の範
囲内のものである。
の発明の範囲外のものであり、それ以外はこの発明の範
囲内のものである。
この別表１および別表２から明らかなように、この発明
の誘電体磁器組成物における組成物の限定理由は次の通
りである。
の誘電体磁器組成物における組成物の限定理由は次の通
りである。
（１） （ＰｂＩ−ｘ ＬａＸ）（Ｚｒ＋−ｙ Ｔｉ
ｙ’ ）０３において、Ｘが８モル％未満では、誘電損
失が１％を超えかつ誘電率の温度変化率も悪くなるので
好ましぐない（試料番号１４参照）。また、Ｘが１６モ
ル％を超えると有効誘電率が１５００以下となり好まし
くない（試料番号１５参照）。
ｙ’ ）０３において、Ｘが８モル％未満では、誘電損
失が１％を超えかつ誘電率の温度変化率も悪くなるので
好ましぐない（試料番号１４参照）。また、Ｘが１６モ
ル％を超えると有効誘電率が１５００以下となり好まし
くない（試料番号１５参照）。
（２） （ＰｂＩ−ｘ Ｌａｘ ）（Ｚｒｌ−ｙ Ｔ
ｉｙ ）（ｈにおいて、ｙが２５モル％未満では、有効
誘電率が１５００以下となり好ましくない（試料番号１
６参照）。
ｉｙ ）（ｈにおいて、ｙが２５モル％未満では、有効
誘電率が１５００以下となり好ましくない（試料番号１
６参照）。
また、ｙが３５モル％を超えると、誘電損失が１％を超
えかつ誘電率の温度変化率も悪くなるので好ましくない
（試料番号１７参照）。
えかつ誘電率の温度変化率も悪くなるので好ましくない
（試料番号１７参照）。
（３’ ） ＢａＺｒ０ｉの添加は、誘電損失および誘
電率の温度変化率を向上させる効果がある（試料番号８
、試料番号９．試料番号１０および試料番号１１と他の
試料とを参照）。しかし、ＢａＺｒ０ａの添加が１５モ
ル％を超えると、有効誘電率が１５００以下となり好ま
しくない（試料番号１２および試料番号１３参照）。
電率の温度変化率を向上させる効果がある（試料番号８
、試料番号９．試料番号１０および試料番号１１と他の
試料とを参照）。しかし、ＢａＺｒ０ａの添加が１５モ
ル％を超えると、有効誘電率が１５００以下となり好ま
しくない（試料番号１２および試料番号１３参照）。
このように、別表１および別表２に示したように、この
実施例によれば、３ Ｋ Ｖ ／ ａｍの電流バイアス
電界を印加したときの有効誘電率が１５００〜４０９０
と高（、誘電損失が１％以下と小さく、さらに、誘電率
の温度変化率が±３０％と小さい誘電体磁器組成物が得
られる。
実施例によれば、３ Ｋ Ｖ ／ ａｍの電流バイアス
電界を印加したときの有効誘電率が１５００〜４０９０
と高（、誘電損失が１％以下と小さく、さらに、誘電率
の温度変化率が±３０％と小さい誘電体磁器組成物が得
られる。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 １） 全 啓
（ほか１名）
１ξ二二」こ
率印はこの発明範囲外
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＰｂＯ、Ｌａ＿２Ｏ＿３、ＺｒＯ＿２、ＴｉＯ＿２お
よびＢａＺｒＯ＿３の固溶体からなり、これらの各成分
を次の一般式で表したとき、 （Ｐｂ＿１＿−＿ｘＬａ＿ｘ）（Ｚｒ＿１＿−＿ｙＴｉ
＿ｙ）Ｏ＿３−ＢａＺｒＯ＿３モル％を表すｘおよびｙ
の値が ８≦ｘ≦１６ ２５≦ｙ≦３５ の範囲にあり、かつ ＢａＺｒＯ＿３が１５モル％以下（０モル％を含まず）
含まれる誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61120585A JPS62276708A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61120585A JPS62276708A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62276708A true JPS62276708A (ja) | 1987-12-01 |
Family
ID=14789917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61120585A Pending JPS62276708A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62276708A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001867A1 (en) * | 1996-07-04 | 1998-01-15 | British Nuclear Fuels Plc | Encapsulation of waste |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP61120585A patent/JPS62276708A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001867A1 (en) * | 1996-07-04 | 1998-01-15 | British Nuclear Fuels Plc | Encapsulation of waste |
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