JPS62281376A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPS62281376A JPS62281376A JP61125257A JP12525786A JPS62281376A JP S62281376 A JPS62281376 A JP S62281376A JP 61125257 A JP61125257 A JP 61125257A JP 12525786 A JP12525786 A JP 12525786A JP S62281376 A JPS62281376 A JP S62281376A
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- Japan
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- photovoltaic device
- terminals
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は非晶質半導体層を透明電極と金属電極とで挟持
した発電区域を有する光起電力装置に関するものである
。
した発電区域を有する光起電力装置に関するものである
。
近時、非晶質半導体層を有する光起電力装置は高い出力
特性を示すに至ったが、最近は、その高い出力特性を如
何に損失なく導出するか、或いは如何に効率よく負荷に
供給するかが大きな課題となっている。
特性を示すに至ったが、最近は、その高い出力特性を如
何に損失なく導出するか、或いは如何に効率よく負荷に
供給するかが大きな課題となっている。
そこで、本発明者は先に光起電力装置の出力用端子にニ
ッケルを用い、外部リード線を出力用端子に接合する際
にフランクス入り半田を使用し、接合部分の接触抵抗値
を低下させることにより、高い特性の出力を損失なく導
出させることができる光起電力装置を提案した（実願昭
６１−２４８０号）。
ッケルを用い、外部リード線を出力用端子に接合する際
にフランクス入り半田を使用し、接合部分の接触抵抗値
を低下させることにより、高い特性の出力を損失なく導
出させることができる光起電力装置を提案した（実願昭
６１−２４８０号）。
第３図は先に本発明者が提案した光起電力装置の構造を
示す断面図である。この光起電力装置は絶縁基板１上に
透明電極２ａ、２ｂ 、非晶質半導体層３ａ、３ｂ金属
電極４ａ、４ｂ及び絶縁保護膜５が順次形成されたもの
である。
示す断面図である。この光起電力装置は絶縁基板１上に
透明電極２ａ、２ｂ 、非晶質半導体層３ａ、３ｂ金属
電極４ａ、４ｂ及び絶縁保護膜５が順次形成されたもの
である。
この光起電力装置においては透明電極、非晶質半導体層
、金属電極で発電区域ａ、ｂが形成され、発電区域ａ、
ｂは発電区域ａの金属電極４ａと発電区域すの透明電極
２ｂとを接続することによって電気的な接続がなされて
いる。この発電区域ａ、ｂの出力は透明電極２ａの延出
部上に形成された出力用端子６ａと金属電極４ｂから延
出した出力用端子６ｂとから得られる。
、金属電極で発電区域ａ、ｂが形成され、発電区域ａ、
ｂは発電区域ａの金属電極４ａと発電区域すの透明電極
２ｂとを接続することによって電気的な接続がなされて
いる。この発電区域ａ、ｂの出力は透明電極２ａの延出
部上に形成された出力用端子６ａと金属電極４ｂから延
出した出力用端子６ｂとから得られる。
尚、透明電極２ａの延出部上に形成された出力用端子６
ａには外部リード線７ａと接合を可能とするために金属
薄膜６２’＋が被着されている。そして外部リード線７
ａ、７ｂは接触抵抗値を低下させるためにフラ・ノクス
入り半田（通常の線半田）８で出力用端子６ａ、６ｂに
接合されている。
ａには外部リード線７ａと接合を可能とするために金属
薄膜６２’＋が被着されている。そして外部リード線７
ａ、７ｂは接触抵抗値を低下させるためにフラ・ノクス
入り半田（通常の線半田）８で出力用端子６ａ、６ｂに
接合されている。
しかしながら上述の光起電力装置は外部リード線７ａ、
７ｂを出力用端子６ａ、６ｂ上に半田ゴテなどで直接、
半田８接合すると、出力用端子６ａ、６ｂが熱ショック
で剥離してしまったり、半田８が出力用端子６ａ、６ｂ
の金属を取り込んでしまったり、半田８の温度制御に細
心の注意を払って製造しなければならないという欠点を
有していた。
７ｂを出力用端子６ａ、６ｂ上に半田ゴテなどで直接、
半田８接合すると、出力用端子６ａ、６ｂが熱ショック
で剥離してしまったり、半田８が出力用端子６ａ、６ｂ
の金属を取り込んでしまったり、半田８の温度制御に細
心の注意を払って製造しなければならないという欠点を
有していた。
さらに上述の光起電力装置は外部リード線７ａ、７ｂが
出力用端子６ａ、６ｂ上に半田８を介して直接接合され
ていることから、出力用端子６ａ 、 ６ｂ上に外部リ
ード線７ａ、７ｂを部分的に接合させ、その接触抵抗値
を低下させることは可能であっても、出力用端子６ａ、
６ｂの露出表面のほぼ全面に渡り外部リード線７ａ、７
ｂを接合させることは困難である。つまり、上述の光起
電力装置は、大電流が流れる装置においてその電流を充
分に導通させることができず、接合部分全体の接続抵抗
値を根本的に低下させるには至らないという欠点を有し
ていた。
出力用端子６ａ、６ｂ上に半田８を介して直接接合され
ていることから、出力用端子６ａ 、 ６ｂ上に外部リ
ード線７ａ、７ｂを部分的に接合させ、その接触抵抗値
を低下させることは可能であっても、出力用端子６ａ、
６ｂの露出表面のほぼ全面に渡り外部リード線７ａ、７
ｂを接合させることは困難である。つまり、上述の光起
電力装置は、大電流が流れる装置においてその電流を充
分に導通させることができず、接合部分全体の接続抵抗
値を根本的に低下させるには至らないという欠点を有し
ていた。
本発明の目的は、出力用端子と外部リード線との半田接
合による作業が極めて容易に行え、同時に大面積接合よ
り接続抵抗値が低下する光起電力装置を提供することに
ある。
合による作業が極めて容易に行え、同時に大面積接合よ
り接続抵抗値が低下する光起電力装置を提供することに
ある。
〔目的を達成するための具体的な手段〕上述の目的を達
成するために、本発明は基板の一主面上に、透明電極と
金属電極とで非晶質半導体層を挟持した発電区域を形成
するとともに、該発電区域の出力を導出するための出力
用端子を形成した光起電力装置において、 前記出力用
端子の表面に半田層で被覆したことである。
成するために、本発明は基板の一主面上に、透明電極と
金属電極とで非晶質半導体層を挟持した発電区域を形成
するとともに、該発電区域の出力を導出するための出力
用端子を形成した光起電力装置において、 前記出力用
端子の表面に半田層で被覆したことである。
以下、本発明の光起電力装置を図面に基づいて説明する
。
。
第１図は本発明の光起電力装置の構造を示す断面図であ
る。尚、図において第３図に示した光起電力装置と同一
部分は同一符号で示す。
る。尚、図において第３図に示した光起電力装置と同一
部分は同一符号で示す。
光起電力装置は絶縁基板１上に透明電極２ａ、２ｂ、非
晶質半導体層３ａ、３ｂ 、金属電極４ａ、４ｂ及び絶
縁保護膜５が順次形成され、さらに出力用端子６ａ、６
ｂ上に半田層９ａ 、 ９ｂが形成されている。
晶質半導体層３ａ、３ｂ 、金属電極４ａ、４ｂ及び絶
縁保護膜５が順次形成され、さらに出力用端子６ａ、６
ｂ上に半田層９ａ 、 ９ｂが形成されている。
光起電力装置において発電区域ａ、ｂは発電区域ａの金
属電極４ａと発電区域すの透明電極２ｂとが接続し、電
気的に接続されている。この光起電力装置の出力は発電
区域ａの透明電極２ａの延出部上に形成された出力用端
子６ａと、発電区域すの金属電極４ｂから延出した出力
用端子６とから得られる。
属電極４ａと発電区域すの透明電極２ｂとが接続し、電
気的に接続されている。この光起電力装置の出力は発電
区域ａの透明電極２ａの延出部上に形成された出力用端
子６ａと、発電区域すの金属電極４ｂから延出した出力
用端子６とから得られる。
出力用端子６ａ、６ｂは、金属電極４ａ、４ｂと同一工
程、同一材料で形成されるため、出力用端子６ａ、６ｂ
の材料は非晶質半導体層３と良好なオーミックコンタク
トを達成し、且つ半田の組成である錫、鉛と共晶層１０
ａ、１０ｂを形成し得る金属材料を用いることが重要で
ある。即ち、銀、銅、ニッケルなどである。半田Ｆ９ａ
、９ｂは出力用端子６ａ 、 ６ｂの表面に形成される
共晶層１０ａ、１０ｂを介して強固に密着される。
程、同一材料で形成されるため、出力用端子６ａ、６ｂ
の材料は非晶質半導体層３と良好なオーミックコンタク
トを達成し、且つ半田の組成である錫、鉛と共晶層１０
ａ、１０ｂを形成し得る金属材料を用いることが重要で
ある。即ち、銀、銅、ニッケルなどである。半田Ｆ９ａ
、９ｂは出力用端子６ａ 、 ６ｂの表面に形成される
共晶層１０ａ、１０ｂを介して強固に密着される。
この半田層９ａ 、 ９ｂは半田ゴテや自動半田接合装
置を用いて半田８による接合を可能とし、その接合作業
が確実かつ迅速に行えるようにするものである。また半
田層９ａ、９ｂはその一部を溶かし外部リード線？ａ、
７ｂを埋設する接合が行え、特に別の接合部材なしで接
合作業が行えるようにするものである。また半田層９ａ
、９ｂを出力用端子６ａ、６ｂの全表面に形成すると、
外部リード腺７ａ、７ｂと広い面積での接合が可能とな
り、大電流が流れる光起電力装置において接続抵抗値の
低下に大きく作用する。
置を用いて半田８による接合を可能とし、その接合作業
が確実かつ迅速に行えるようにするものである。また半
田層９ａ、９ｂはその一部を溶かし外部リード線？ａ、
７ｂを埋設する接合が行え、特に別の接合部材なしで接
合作業が行えるようにするものである。また半田層９ａ
、９ｂを出力用端子６ａ、６ｂの全表面に形成すると、
外部リード腺７ａ、７ｂと広い面積での接合が可能とな
り、大電流が流れる光起電力装置において接続抵抗値の
低下に大きく作用する。
半田層９ａ、９ｂの形成方法は絶縁保護膜５を形成した
後の光起電力装置をフラフクス浴に浸し、次いで半田浴
に浸せばよい。尚、半田浴の温度低下を防止するため、
光起電力装置の出力用端子６ａ、６ｂ側の面だけを溶融
半田の表面に当接させることが好ましい。また、光起電
力装置の外面は、例えばガラス等の絶縁基板１や例えば
樹脂等の絶縁保護膜５であるため、光起電力装置の出力
用端子６ａ。
後の光起電力装置をフラフクス浴に浸し、次いで半田浴
に浸せばよい。尚、半田浴の温度低下を防止するため、
光起電力装置の出力用端子６ａ、６ｂ側の面だけを溶融
半田の表面に当接させることが好ましい。また、光起電
力装置の外面は、例えばガラス等の絶縁基板１や例えば
樹脂等の絶縁保護膜５であるため、光起電力装置の出力
用端子６ａ。
６ｂ以外に半田が形成されることはない。
次に本実施例に用いた光起電力装置の仕様と半田層の形
成条件を示す。
成条件を示す。
材料 厚み
基板 ガラス １．１ｍｍ透明電
極 酸化錫 ５００人非晶質半４体層 Ｐ型層 ５ｉＨ４＝ ８２１ Ｂ２Ｈ４１００
人Ｉ型層 ＳｉＨ４，Ｈｚ ５
０００人Ｎ型Ｎ５ｉｌｌａ、Ｈ□、Ｐ１１３
３００人金属電極 ニッケル ０．５μ
絶縁保護膜 エポキシ樹脂 ０．１１出力用端
子 ニッケル ０．５μ半田層
５ｎ−Ｐｂ ０．３ｍｍ半田形成方法
半田浸漬性半田・冬温度
１８０°Ｃ第２図は本発明の光起電力装
置の他の実施例を示す分解図である。
極 酸化錫 ５００人非晶質半４体層 Ｐ型層 ５ｉＨ４＝ ８２１ Ｂ２Ｈ４１００
人Ｉ型層 ＳｉＨ４，Ｈｚ ５
０００人Ｎ型Ｎ５ｉｌｌａ、Ｈ□、Ｐ１１３
３００人金属電極 ニッケル ０．５μ
絶縁保護膜 エポキシ樹脂 ０．１１出力用端
子 ニッケル ０．５μ半田層
５ｎ−Ｐｂ ０．３ｍｍ半田形成方法
半田浸漬性半田・冬温度
１８０°Ｃ第２図は本発明の光起電力装
置の他の実施例を示す分解図である。
本実施例は受光面積が、１００ ｃａ１以上の大電流を
出力光起電力装置である。
出力光起電力装置である。
絶縁保護膜５から露出する出力用端子６１ａ、 ６１ｂ
は光起電力装置で発生する大電流の出力を損失なく琢出
するために基板１の長手方向に延長する矩形状に形成さ
れており、さらに出力用端子６１ａ、６１ｂ上には半田
浸漬法により半田層９１ａ、９１ｂが形成されている。
は光起電力装置で発生する大電流の出力を損失なく琢出
するために基板１の長手方向に延長する矩形状に形成さ
れており、さらに出力用端子６１ａ、６１ｂ上には半田
浸漬法により半田層９１ａ、９１ｂが形成されている。
外部リード線７１ａ、７１ｂは、その先端部分に銅、銀
など良導電性の金属からなる箔体７２ａ、 ７２ｂが接
続されている。かくして本実施例の光起電力装置の出力
用端子６１ａ、６１ｂと外部リード線７１ａ、７１ｂと
の接合は、出力用端子６１ａ、６Ｉｂ上に外部リード線
７１ａ、７１ｂの箔体７２ａ、７２ｂを図中矢印方向に
当接させ、その後箔体７２ａ、 ７２ｂ上より半田層９
１ａ、９１ｂを熔かすため熱を与えることにより、箔体
７２ａ 、 ７２ｂを出力用端子６１ａ、６１ｂに密着
接合させることにより達成される。
など良導電性の金属からなる箔体７２ａ、 ７２ｂが接
続されている。かくして本実施例の光起電力装置の出力
用端子６１ａ、６１ｂと外部リード線７１ａ、７１ｂと
の接合は、出力用端子６１ａ、６Ｉｂ上に外部リード線
７１ａ、７１ｂの箔体７２ａ、７２ｂを図中矢印方向に
当接させ、その後箔体７２ａ、 ７２ｂ上より半田層９
１ａ、９１ｂを熔かすため熱を与えることにより、箔体
７２ａ 、 ７２ｂを出力用端子６１ａ、６１ｂに密着
接合させることにより達成される。
上述の実施例の光起電力装置によれば、出力用端子６１
ａ、６１ｂに現れる大電流の出力が出力用端子６１ａ、
６１ｂのほぼ全面に渡り当接する良導電性金属の箔体
７２ａ 、 ７２ｂを介して外部リードｙＡ７１ａ、７
１ｂに導電されるため、外部リード線７１ａ、 ７１ｂ
と出力用端子６１ａ、６１ｂとの間で生じる接続抵抗に
よる損失を極めて低く抑えることが可能となる。
ａ、６１ｂに現れる大電流の出力が出力用端子６１ａ、
６１ｂのほぼ全面に渡り当接する良導電性金属の箔体
７２ａ 、 ７２ｂを介して外部リードｙＡ７１ａ、７
１ｂに導電されるため、外部リード線７１ａ、 ７１ｂ
と出力用端子６１ａ、６１ｂとの間で生じる接続抵抗に
よる損失を極めて低く抑えることが可能となる。
尚、上述の実施例において、金属電極の材料はニッケル
単体を用いたが、その他に銀を用いてもよいし、また出
力用端子の表面側を例えばニッケル、銀、銅等の半田可
能な金属、下地側を非晶質半導体層に良好なコンタクト
が得られる金属たとえばアルミニウム、チタン、クロム
などを積層した多層構造にしてもよい。
単体を用いたが、その他に銀を用いてもよいし、また出
力用端子の表面側を例えばニッケル、銀、銅等の半田可
能な金属、下地側を非晶質半導体層に良好なコンタクト
が得られる金属たとえばアルミニウム、チタン、クロム
などを積層した多層構造にしてもよい。
以上の様に、本発明の光起電力装置はその出力用端子の
表面に半田層を形成したことにより、外部リード線を半
田層上に半田を用いて容易に接合でき、且つ該半田層を
熔かし接合できるために、接合強度が強く且つ低接触抵
抗の出力用端子と外部リード線との接合が極めて容易に
達成できる。
表面に半田層を形成したことにより、外部リード線を半
田層上に半田を用いて容易に接合でき、且つ該半田層を
熔かし接合できるために、接合強度が強く且つ低接触抵
抗の出力用端子と外部リード線との接合が極めて容易に
達成できる。
また該半田層が出力用端子の全表面に形成され、外部リ
ード線を該半田層に広面積に渡り接合できるために接合
部分の接続砥抗値を低下させることができる。
ード線を該半田層に広面積に渡り接合できるために接合
部分の接続砥抗値を低下させることができる。
第１図は本発明の光起電力装置の構造を示す断面図であ
り、第２図は本発明の光起電力装置の他の実施例を示す
分解斜視図である。 第３図は本発明者が先に提案した光起電力装置の構造を
示す断面図である。 １・・・・・絶縁基板 ２ａ 、 ２ｂ ・・・透明電極 ３ａ、３ｂ ・・・非晶質半導体層 ４ａ、４ｂ ・・・金属電極
り、第２図は本発明の光起電力装置の他の実施例を示す
分解斜視図である。 第３図は本発明者が先に提案した光起電力装置の構造を
示す断面図である。 １・・・・・絶縁基板 ２ａ 、 ２ｂ ・・・透明電極 ３ａ、３ｂ ・・・非晶質半導体層 ４ａ、４ｂ ・・・金属電極
Claims (1)
- 絶縁基板の一主面上に、透明電極と金属電極とで非晶質
半導体層を挟持した発電区域を形成するとともに、該発
電区域の出力を導出するための出力用端子を形成した光
起電力装置において、前記出力用端子の表面に半田層を
形成したことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61125257A JPS62281376A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61125257A JPS62281376A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281376A true JPS62281376A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14905620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61125257A Pending JPS62281376A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62281376A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5717255A (en) * | 1994-02-17 | 1998-02-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2001189473A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子及びその製造方法 |
| CN105489689A (zh) * | 2016-02-02 | 2016-04-13 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种光伏组件和光伏组件制作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5823489A (ja) * | 1981-08-05 | 1983-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS5853160B2 (ja) * | 1979-09-29 | 1983-11-28 | 株式会社 横河橋梁製作所 | 地震災害時でも避難可能な扉 |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP61125257A patent/JPS62281376A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5853160B2 (ja) * | 1979-09-29 | 1983-11-28 | 株式会社 横河橋梁製作所 | 地震災害時でも避難可能な扉 |
| JPS5823489A (ja) * | 1981-08-05 | 1983-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5717255A (en) * | 1994-02-17 | 1998-02-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US5872050A (en) * | 1994-02-17 | 1999-02-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
| JP2001189473A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子及びその製造方法 |
| CN105489689A (zh) * | 2016-02-02 | 2016-04-13 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种光伏组件和光伏组件制作方法 |
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