JPS62285254A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、第Ｖａ族の添加元素が添加された透明誘電体
膜を有する光磁気記録媒体に関する。

〔発明の背景〕

光磁気記録は、記録密度が高い、非接触で記録・読み出
しが可能、高速ランダムアクセスができる、信号の並列
処理が可能、さらに書換えもできるなどの特徴を有して
いるため、近年、特に注目されている。

光磁気記録媒体の基本的構成は、透明樹脂またはガラス
を基板とし、これに希土類−遷移金属アモルファス合金
、たとえばＧｄＦｅやＧｄＴｂＦｅ等の磁性薄膜を設け
たものである。

周知のように、光磁気記録は、記録に際して、熱磁気記
録によって磁性薄膜にレーザー光を照射して反転磁区を
形成するとともに、読み出しに際しては、磁性薄膜にレ
ーザーの直線偏光を入射し、記録した磁化状Ｍ（大きさ
、方向）に対応して反射光または透過光の偏光面が回転
する現象を利用するものである。反射光の偏光面が回転
する現象がカー効果、その回転角がカー回転角と呼ばれ
ている。

このカー効果を利用する読み出しでのＳＮ比は、性能指
数＝φイ×Ｆ［（Ｒ：反射率）に比例し、この性能指数
は光磁気記録媒体の特性に主として依存する。そこで、
従来から、カー回転角φイを増大し、ＳＮ比を高めるた
めに、種々の提案がなされてきた。

たとえば、特開昭５６−１５６９４３号公報では、磁性
薄膜と透明基板との間に透明誘電体膜を介在させ、見掛
は上のカー回転角の増大を図っている。

しかしながら、従来の透明誘電体膜においては、ＡＩＮ
や５ｉＪ４など単一の化合物を用いるだけであって、添
加元素は添加されているものでなく、その結果、カー回
転角増大の効果は十分でなかった。

そこで、本発明の主たる目的は、屈折率が向上し、もっ
てカー回転角が増大する光磁気記録媒体を提供すること
にある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、透明基板と、膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する磁性薄膜と、透明誘電体膜とを有する光磁気
記録媒体において：前記透明誘電体膜が、Ａ　Ｉ！Ｎ、
　５ｊ３Ｎ４＋　ｓｉｏ、、　Ｓｉｎ、　ＭｇＦ、、　
ＬａＦ、、、　ＣａＦ２゜ＴｉＯ□、　ＺｎＳの少なく
とも一種以上からなり、かつ第Ｖａ族元素の一種以上が
添加されていることで達成される。

〔発明の具体的構成〕

以下本発明をさらに詳説する。

本発明における光磁気記録媒体は、透明基板と、膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜と、透明誘電
体膜とを有するものである。

しかも、透明誘電体膜が、Ａ　Ｉ　Ｎ、５ｉＪ４．Ｓｉ
Ｏ□、　ＳｉＯ＋ＭｇＦｚ、　ＬａＦｉ＋ＣａＦｚ、Ｔ
ｉ０ｚ、　ＺｎＳの少くとも一種以上からなり、かつ第
Ｖａ族元素、すなわちＶ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｐａの一種以上が添加されているものである。

従来の透明誘電膜には、Ａ　７！Ｎ、　５ｊｉＮｔ＋な
どのみからなるものであって、添加元素は添加されてい
ない。これに対して、本発明に従って、第Ｖａ族の元素
の一種以上を添加すると、屈折率を向上させて、見掛は
上のカー回転角を増大でき、ＳＮ比の改善を図ることが
できる。

添加元素の誘電体膜に含まれる割合としては、１〜１０
ａｔ％が望ましい。この範囲を外れると、後記実施例で
も明らかなように、屈折率の低下がみられる。

誘電体膜の形成手段としては、スバ、り法、プラズマＣ
ＶＤ法、（真空）蒸着法、イオンブレーティング法など
を採用できる。

誘電体膜の膜厚としては、２００人〜　２０００人が好
ましい。

本発明の光磁気記録媒体の構造は、透明基板、磁性薄膜
、透明誘電体膜を構成要素としている限り、その順序に
限定されず、また他の機能を有する膜を含んでいてもよ
い。

たとえば、第１図のように、透明基板１、誘電体膜２、
磁性薄膜３、保護層４の順の構造、第２図のように、透
明基板１、第１誘電体膜２Ａ、磁性薄膜３、第２誘電体
膜２Ｂの順の構造、さらに、第３図のように、第２図の
構造に対して反射膜５を付加した構造などを挙げること
ができる。

本発明において用いることができる透明基板としては、
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）　、ポリカーボ
ネート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリアミド、エ
ポキシ、三酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレー
ト等の樹脂基板のほか、ガラスやセラミック等も挙げる
ことができる。

磁性薄膜の材質としては、希土類−遷移金属アモルファ
ス合金が一般には好ましいが、結晶体の形式であっても
よい。これらの例としては、ＧｄＦｅ。

ＴｂＦｅ、　ＧｄＣｏ、　ＤｙＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、
　ＴｂＤｙＦｅ、　ＴｂＦｅＣｏ、　ＧｄＴｂＣｏ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＢ１．ＧｄＴｂＦｅＧｅ　
；あるいはこれらにＢｉ。

Ｓｒ、Ｇｅ等の添加元素が添加されたもの；　ＭｎＢ　
ｉ　＋　Ｐ　ｔＣｏ。

ＭｎＣｕＢ１．　ＭｎＡ　Ｉ　Ｇｅ等がある。

磁性薄膜の厚さは２００人から１５００人が好ましい。

この膜形成手段としては、誘電体膜の場合と同様でよい
。

保護（オーバーコート）層としては、たとえばアクリル
系の紫外線硬化樹脂を、スピンコード法などによって形
成することによって得る。この層厚は、１〜２０μｍが
望ましい。

反射膜は、Ａｇ、Ａ　１．５ｉＯｚ＋Ｃｕ、Ａｒ、銅合
金、Ｆｅ合金。

Ｎｉ合金等を用い、誘電体膜の形成法と同じ方法をもっ
て、望ましくは５００人〜１０００人に成膜する。

なお、本発明は、上記構造において基板が相互に外側と
なるよう貼り合せたものも含む。

〔実施例〕

次に実施例によって本発明の効果を明らかにする。

（実施例１） ポリカーボネート基板に、ＡＩＮと添加元素として■と
を含む誘電材により誘電板を形成した。

その際、バナジウム■含有率が異なる６サンプルを作成
し、その屈折率（λ＝８３０ｎｍ）を測定した。結果を
第４図に示した。

ここで、６サンプルのＶ含有率は、０％、０．５％、１
％、６％、１０％、１ｌａｔ％である。

第４図からも明らかなように、■の添加によって屈折率
の向上がみられ、また添加割合としては、１〜１０ａｔ
％が好ましいことが判った。

（実施例２） 次の順の層構造をもつ媒体を作成した。

■　ポリカーボネート基板 ■　第１誘電体膜　（ＡＩＮ＋Ｖ）：　　５００人■　
磁性薄膜　（ＴｂＦｅＣｏ）　：　１０００人■　第２
誘電体膜　（ＡｆＮ＋Ｖ）：　　５００人その際、実施
例１と同様の割合でバナジウム■添加量を変えて６つの
サンプルを作った。これらサンプルを、強制劣化条件と
して、６０℃；８０％ＲＨ雰囲気中で経時変化を調べた
。

その結果、１％、６％、１０％のものについては、１０
００時間経過後も、保磁力Ｈｃおよびカー回転角φ、共
に変化がなかったけれども、０％、０．５％および１１
％のものについては、保磁力Ｈｃが増加し、カー回転角
φ、の低下が認められた。

（実施例３） 添加元素として、Ｎｂ、Ｔａを用いて実施例１および２
と同じ測定を試みたところ、同様の結果が得られた。こ
れに対して、周期律表の第［Ｉａ族、ＩＶａ族、Ｖｉａ
族、ｎｂ族、ｍｂ族、ＩＶｂ族、ｖｂ族を添加元素とし
た場合、透明誘電体膜の屈折率が低下する傾向が認めら
れた。

他方、誘電材として、Ｓｉ３Ｎ４．ＳｉＯ□、ＳｔＯ＋
ＭｇＦｚ＋ＬａＦ、、ＣａＦ２．ＴｉＯ２，ＺｎＳに添
加元素およびそれらの二種以上を用いた場合も結果は実
施例１および２と同様であった。さらに、第１図および
第３図の構造でも、実施例２と同じ結果が認められた。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、屈折率が大きくなり、カ
ー回転角の増大を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明に係る光磁気記録媒体の構造例
の断面図、第４図は実施例での屈折率に対する添加元素
の添加効果の相関図である。 ■・・・透明基材、２．２Ａ、２Ｂ・・・誘電体膜、３
・・・磁性薄膜。 特許出願人　　小西六写真工業株式会社代理人　弁理士
　　永　　井　　義　　医業１図 第２図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基板と、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有
   する磁性薄膜と、透明誘電体膜とを有する光磁気記録媒
   体において； 前記透明誘電体膜がＡｌＮ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、ＳｉＯ＿
   ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ＿２、ＬａＦ＿３、ＣａＦ＿２、Ｔ
   ｉＯ＿２、ＺｎＳの少なくとも一種以上からなり、かつ
   第Ｖａ族元素の一種以上が添加されていることを特徴と
   する光磁気記録媒体。