JPS6228752Y2 - - Google Patents
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- JPS6228752Y2 JPS6228752Y2 JP6276082U JP6276082U JPS6228752Y2 JP S6228752 Y2 JPS6228752 Y2 JP S6228752Y2 JP 6276082 U JP6276082 U JP 6276082U JP 6276082 U JP6276082 U JP 6276082U JP S6228752 Y2 JPS6228752 Y2 JP S6228752Y2
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- Japan
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- capacitor
- lead plates
- electrode lead
- capacitor element
- terminal
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本考案は電極引出しリード板に起因するインダ
クタンスを大幅に減じて使用周波数の限界を広
め、かつインダクタンスより発生する電磁波(フ
ラツクス)を減少させることのできる無誘導低フ
ラツクスコンデンサに関するものである。 一般に電解コンデンサは第1図に示すように陽
極箔1および陰極箔2に各々電極引出しリード板
3,4を加締、溶接などにより接続せしめた後、
電解紙などのセパレーター5を介して巻回しコン
デンサ素子6を形成する。次に該コンデンサ素子
6に電解液を含浸せしめ、第2図に示すようにコ
ンデンサ素子6より導出した電極引出しリード板
3,4をあらかじめ端子7を装着した封口板8の
端子接続部9に加締、溶接などにより接続せしめ
てケース10に収納し、該ケース10の開口部を
巻締めなどにより密封して構成されている。 このようなコンデンサは電極引出しリード板
3,4のもつインダクタンスによつて使用周波数
が高くなるとインピーダンスが増大し、使用でき
る周波数の上限がかなり低くなり、またインダク
タンスにより電磁波が増加し、コンデンサの入力
信号に歪を与えると同時に周辺素子にも波形歪と
しての悪影響を与えるなどの欠点があつた。 本考案は上述の欠点を除去し、電極引出しリー
ド板のインダクタンスを事実上消去して従来より
高い周波数域においても使用可能であるとともに
フラツクスの発生量を極めて少なくできるコンデ
ンサを得ることを目的とするものである。 以下、本発明を第3図〜第7図に示す実施例に
基づいて説明する。 第3図はコンデンサ素子の斜視図で、陽極箔お
よび陰極箔に各々アルミニウムなどの電極引出し
リード板3,4を加締、溶接などにより接続せし
め、電解紙などのセパレータを介して巻回してコ
ンデンサ素子6を形成し、これに電解液を含浸す
る。次いで同図イ、ロ、ハの順にコンデンサ素子
6より導出した電極引出しリード板3,4が互い
にシヨートしないようプラスチツクフイルムなど
の絶縁物11を介しながら互いに直角に交差する
よう折り曲げ重ね合せる。 次に第4図イ、ロに示すように封口板8に絶縁
物13をはさみ対面した端子12を取り付けた封
口端子板14を形成する。 次に第5図に示すように封口板8に取付けた端
子12と接続した端子接続部9に上記折り重ねた
電極引出しリード板3,4を圧着、溶接などによ
り接続し、金属ケース10に収納密閉して第6図
に示すように完成する。 本発明の無誘導低フラツクスコンデンサは以上
のようにして構成されているので、互いに直角に
交差するよう交互に折り重ねたリード板3,4の
対面領域に流れる負荷電流の向きが第7図の矢印
で示すように互いに直角になり、そこに発生する
フラツクスが打消されて低フラツクス化すると同
時にインピーダンスも小さくなる。またさらに封
口端子板14においてもプラスチツクフイルムな
どの薄い絶縁物13を介して両極の端子12を対
面させることにより、低フラツクス、低インピー
ダンスがより一層計れる。 次に定格55WV、15000μFの電解コンデンサ
について従来品と本考案品のフラツクス量を測定
し比較した結果を表に示す。
クタンスを大幅に減じて使用周波数の限界を広
め、かつインダクタンスより発生する電磁波(フ
ラツクス)を減少させることのできる無誘導低フ
ラツクスコンデンサに関するものである。 一般に電解コンデンサは第1図に示すように陽
極箔1および陰極箔2に各々電極引出しリード板
3,4を加締、溶接などにより接続せしめた後、
電解紙などのセパレーター5を介して巻回しコン
デンサ素子6を形成する。次に該コンデンサ素子
6に電解液を含浸せしめ、第2図に示すようにコ
ンデンサ素子6より導出した電極引出しリード板
3,4をあらかじめ端子7を装着した封口板8の
端子接続部9に加締、溶接などにより接続せしめ
てケース10に収納し、該ケース10の開口部を
巻締めなどにより密封して構成されている。 このようなコンデンサは電極引出しリード板
3,4のもつインダクタンスによつて使用周波数
が高くなるとインピーダンスが増大し、使用でき
る周波数の上限がかなり低くなり、またインダク
タンスにより電磁波が増加し、コンデンサの入力
信号に歪を与えると同時に周辺素子にも波形歪と
しての悪影響を与えるなどの欠点があつた。 本考案は上述の欠点を除去し、電極引出しリー
ド板のインダクタンスを事実上消去して従来より
高い周波数域においても使用可能であるとともに
フラツクスの発生量を極めて少なくできるコンデ
ンサを得ることを目的とするものである。 以下、本発明を第3図〜第7図に示す実施例に
基づいて説明する。 第3図はコンデンサ素子の斜視図で、陽極箔お
よび陰極箔に各々アルミニウムなどの電極引出し
リード板3,4を加締、溶接などにより接続せし
め、電解紙などのセパレータを介して巻回してコ
ンデンサ素子6を形成し、これに電解液を含浸す
る。次いで同図イ、ロ、ハの順にコンデンサ素子
6より導出した電極引出しリード板3,4が互い
にシヨートしないようプラスチツクフイルムなど
の絶縁物11を介しながら互いに直角に交差する
よう折り曲げ重ね合せる。 次に第4図イ、ロに示すように封口板8に絶縁
物13をはさみ対面した端子12を取り付けた封
口端子板14を形成する。 次に第5図に示すように封口板8に取付けた端
子12と接続した端子接続部9に上記折り重ねた
電極引出しリード板3,4を圧着、溶接などによ
り接続し、金属ケース10に収納密閉して第6図
に示すように完成する。 本発明の無誘導低フラツクスコンデンサは以上
のようにして構成されているので、互いに直角に
交差するよう交互に折り重ねたリード板3,4の
対面領域に流れる負荷電流の向きが第7図の矢印
で示すように互いに直角になり、そこに発生する
フラツクスが打消されて低フラツクス化すると同
時にインピーダンスも小さくなる。またさらに封
口端子板14においてもプラスチツクフイルムな
どの薄い絶縁物13を介して両極の端子12を対
面させることにより、低フラツクス、低インピー
ダンスがより一層計れる。 次に定格55WV、15000μFの電解コンデンサ
について従来品と本考案品のフラツクス量を測定
し比較した結果を表に示す。
【表】
近年、オーデイオアンプに使用する電解コンデ
ンサの音質について、各方面より検討され、優れ
たものが出てきているが、それらの大部分が材
質、構造の変更に起因するものであつた。 本考案は上述のように構造的改良により低フラ
ツクス化が可能となつて音質の向上が計れ、かつ
コンデンサの発生するフラツクスが周辺素子に与
えた歪成分をも減少させる効果があり、工業的な
らびに実用価値大なるものである。
ンサの音質について、各方面より検討され、優れ
たものが出てきているが、それらの大部分が材
質、構造の変更に起因するものであつた。 本考案は上述のように構造的改良により低フラ
ツクス化が可能となつて音質の向上が計れ、かつ
コンデンサの発生するフラツクスが周辺素子に与
えた歪成分をも減少させる効果があり、工業的な
らびに実用価値大なるものである。
第1図は従来のコンデンサ素子の要部解体斜視
図、第2図は従来のコンデンサの断面図、第3図
〜第7図は本考案の電解コンデンサの一実施例
で、第3図イ、ロ、ハはコンデンサ素子の製造過
程における説明図、第4図イは封口端子板の斜視
図、ロは同封口端子板の側面図、第5図は端子封
口板に取りつけたコンデンサ素子の側面図、第6
図は電解コンデンサの完成斜視図、第7図は電極
引出しリード板に流れる電流方向の説明図であ
る。 3,4……電極引出しリード板、6……コンデ
ンサ素子、11,13……絶縁物、12……端
子、14……封口端子板。
図、第2図は従来のコンデンサの断面図、第3図
〜第7図は本考案の電解コンデンサの一実施例
で、第3図イ、ロ、ハはコンデンサ素子の製造過
程における説明図、第4図イは封口端子板の斜視
図、ロは同封口端子板の側面図、第5図は端子封
口板に取りつけたコンデンサ素子の側面図、第6
図は電解コンデンサの完成斜視図、第7図は電極
引出しリード板に流れる電流方向の説明図であ
る。 3,4……電極引出しリード板、6……コンデ
ンサ素子、11,13……絶縁物、12……端
子、14……封口端子板。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) コンデンサ素子より導出した少くとも1対の
電極引出しリード板がプラスチツクフイルムな
どの絶縁物を介して接触し、かつ互いに直角に
交差するよう交互に折り曲げて、封口端子板の
端子に接続し、それぞれ対向する上記リード板
に流れる負荷電流の方向が直角になるよう構成
されたことを特徴とする無誘導低フラツクスコ
ンデンサ。 (2) 上記端子が絶縁物を介し対向して構成された
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1
項記載の無誘導低フラツクスコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6276082U JPS58164227U (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 無誘導低フラツクスコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6276082U JPS58164227U (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 無誘導低フラツクスコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164227U JPS58164227U (ja) | 1983-11-01 |
| JPS6228752Y2 true JPS6228752Y2 (ja) | 1987-07-23 |
Family
ID=30072896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6276082U Granted JPS58164227U (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 無誘導低フラツクスコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58164227U (ja) |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP6276082U patent/JPS58164227U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58164227U (ja) | 1983-11-01 |
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